DE2638638C2 - Spannungsversorgungsschaltung für die Ansteuerschaltung einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft eine Spannungsversorgungsschaltung gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.

Eine Spannungsversorgungsschaltung dieser Art ist in der DE-PS 26 21577 vorgeschlagen worden. Diese Spannungsversorgungsschaltung ist mit komplementären MOS-Transistoren aufgebaut, was zu dem Vorteil führt, daß man Ausgangsspannungswerte erzeugen kann, die den Eingangsspannungswerten etwa gleich sind. Allerdings sind für die Herstellung einer integrierten Schaltung mit komplementären MOS-Transistoren

relativ viele Fertigungsschritte erforderlich.

Demgegenüber besteht die Aufgabe der vorliegenden Erfindung darin, eine Spannungsversorgungsschaltung der vorausgesetzten Art verfügbar zu machen, die sich mit weniger Herstellungsschritten erzeugen läßt.

Eine Lösung dieser Aufgabe ist im Patentanspruch 1 angegeben und kann den Unteransprüchen gemäß vorteilhaft weitergebildet werden.

Da die Spannungsversorgungsschaltung gemäß dieser Lösung mit MOS-Transistoren eines Kanaltyps auskommt, kann sie als integrierte Schaltung mit bedeutend weniger Herstellungsschritten auskommen als die Spannungsversorgungsschaltung gemäß dem älteren Vorschlag. Dennoch bleibt bei der neuen Spannungsversorgungsschaltung der Vorteil erhalten, daß Ausgangsspannungswerte erzeugt werden können, die den Eingangsspannungswerten etwa gleich sind.

Es sei noch auf die DE-OS 24 06 093 hingewiesen, aus der es bekannt ist, aus einer Gleichspannungsquelle mittels ohmscher Widerstände und Schalttransistoren ein Bezugspotentiai und drei weitere Potentiale zur Ansteuerung von Flüssigkristallanzeigevorrichtungen zu erzeugen. Zu diesem Zweck werden drei Serienschaltungen mit je einem bipolaren Schalttransistor und einem Widerstand verwendet, von denen zwei parallel zueinander geschaltet und an dem Verbindungspunkt zwischen Schalttransistor und Widerstand der dritten Serienschaltung angeschlossen sind. Je nach dem, welche der Schalttransistoren eingeschaltet sind, wird die zwischen den Emittern und dem Widerstand der dritten Serienschaltung angelegte Spannung auf unterschiedliche Werte herabgeteilt.

Die Erfindung und Weiterbildungen der Erfindung werden nun an Hand von Ausführungsformen näher erläutert. In der Zeichnung zeigt

Fig. 1 das Schaltbild der bereits vorgeschlagenen Komplementär-MOS-Transistoren verwendenden

Spannungsversorgungsschaltung,

Fig.2 das Schaltbild dtr Spanaungsversorgungsschaltung gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel,

F i g. 3 ein Diagramm, das die Funktion der Schaltung nach F i g. 2 veranschaulicht,

F i g. 4 das Schaltbild eines weiteren bevorzugten Ausführungsbeispiels,

Fig. 5 das Schaltbild eines dritten bevorzugten Ausführungsbsispiels,

F i g. 6 das Schahbild des Teils A 'der Schaltung nach F i g. 5,

F i g. 7 ein Ablaufdiagramm von in der Schaltung nach F i g. 6 auftretenden Signalverläufen,

Fig.8 das Blockschaltbild einer peripheren Ausführungsform der Spannungsversorgungsschaltung,

Fig. 9 das Schaltbild einer Segmentsignale für eine Flüssigkristallanzeige erzeugenden Schaltung, und

Fig. 10 das Ablaufdiagramm von in der Schaltung nach Fig.9 auftretenden Signalverläufen.

Die bereits in der DE-OS 26 21 577 vorgeschlagene Schaltung nach F i g. 1 umfaßt einen Eingang In\, der mit einer Bezugsspannung oder 0 V verbunden ist, einen mit einer Konstantspannungsversorgung VC verbundenen Eingang Iri2 sowie Ausgänge a — e, die die Flüssigkristallanzeige-Ansteuerschaltung mit erwünschten Spannungen versorgen. Der Eingang ln\ ist direkt mit dem 6b Ausgang a und der zweite Eingang In₂ direkt mit dem Ausgang c verbunden. Widerstände R\, R₂, /?j und /?₄, die im wesentlichen gleiche Widerstandswerte haben, sind zwischen den Eingängen Ιπ\ und In₂ reihengeschal-

tet, und die Ausgänge b, cund ds\nd mit den jeweiligen Verbindungspunkten der aus den Widerständen R\ - Ra, bestehenden Reihenschaltung verbunden.

Ferner ist ein Komplementär-MOS-GIied vorgesehen, das einen P-Kanal-MOS-Transistor Tr₈, der mit dem Widerstand Ä| parallelgeschaltet ist, sowie einen N-Kanal-MOS-Transistor TrJ, der mit dem Widerstand Ri₁ parallelgeschaltet ist, aufweist. Die Transistoren Tr» und TrJ sind & jf Grund von Steuersignalen A zwischen Ein- und Aus-Zuständen umschaltbar.

Wenn das Steuersignal A 0 V ist, ist der Transistor TrJ eingeschaltet und bewirkt einen Kurzschluß zwischen Im und d, so daß die Spannung zwischen In\ und Im durch Verwendung der Widerstände R\, R2 und Rz Ober die Ausgänge b — d in Ausgangssignale VA, VB und VC geteilt wird. Es sei angenommen, daß a = 0 V.b = VA, c = VB und d = e = VC. Bei Flüssigkristallanzeigen mit dynamischer Streuung, die eine Ansteuerspannung von 18 V haben, ist VC = -18 V, VB = -12 V und V/V = -6 V.

Wenn dagegen das Steuersignal A VC{ -18 V) ist, ist der Transistor Tr_s eingeschaltet und bewirkt einen Kurzschluß zwischen In\ und dem Ausgang b, so daß die Spannung zwischen Im und Im durch R₂, Ri und Ra, geteilt wird und an den Ausgängen c und d die Ausgangssignale VA und VB liegen. Infolgedessen gilt a = b = 0 V, c = VA, d = VB und e = VC.

Die Spannungsversorgungsschaltung nach der Erfindung (F i g. 2) umfaßt ebenfalls die Eingänge hu Im, die Ausgänge a - e und die Widerstände Äi, /?₂, Rj und Ra. Während der P-Kanal-MOS-Transistor Trs mit dem Widerstand Ri in gleicher Weise wie vorher parallelgeschaltet ist, ist ein P-Kanal-MOS-Transistor TrJ (also kein N-Kanal-MOS-Transistor) mit dem Widerstand Ra, parallelgeschaltet. Das Steuersignal A wird der Steuerelektrode des Transistors Th zugeführt, und das invertierte Signal von einem Inverter wird der Steuerelektrode des Transistors Tr?' zugeführt. Es ist zu beachten, daß der Inverter P-Kanal-MOS-Transistoren Tno und Tm aufweist. Ein weiterer Widerstand R₅ ist mit dem Widerstand R* und dem P-Kanal-Transistor TrJ reihengeschaltet.

Wenn entsprechend F i g. 2 die Schaltelemente durch die P-Kanal-MOS-Transistoren Tr₈ und Tr₉' gebildet sind, ist bei einem 0 V entsprechenden Steuersignal A der Transistor Tr₉ eingeschaltet und bewirkt einen Kurzschluß zwischen Im und dem Ausgang d. Wenn das Steuersignal A VC ijt, ist der Transistor T/'s eingeschaltet und bewirkt einen Kurzschluß zwischen //Ji und dem Ausgang b.

Wenn nach F i g. 3 für die P-Kanal-MOS-Transistoren die Steuerelektrode - V und die Quelle - V ist, wird Vaus um die Schwellenspannung V₁ reduziert und wird zu -(V- Vi). Das bedeutet, daß — V nicht als Ausgang Vaus erscheinen kann. Es ist zu beachten, daß bei der Komplementär-MOS-Transistorkonfiguration entsprechend dem vorhergehenden Absetz — Vvollständig als Ausgangsspannung V_Aus abgegeben werden kann.

Zu diesem Zweck ist nach Fig. 2 die Quelle des Transistors 77V mit dem Punkt f (dem Yerbindungspunkt mit dem Ausgang e) verbunden. Wenn die Spannung /"V an diesem Punkt z. B. —6 V ist, muß die Spannung der Steuerelektrode des Transistors TrJ in bezug auf die Quellenspannung von —6 V negativ sein, und zwar um wenigstens die Schwellenspannung (die üblichenveise -2 V bis -3 V beträgt), damit -6 V von der Senke des Transistors Tn,', d. h. dem Ausgang d, abgenommen werden können. Die Abschalt-Ausgangsspannung des Inverters, bestehend aus Th₀ und 7>u, muß daher in diesem Ausmaß verringert werden. Die Abschalt-Ausgangsspannung des Inverters ist abhängig von der Konstantspannung VC'bei Im und ist daher VC - V₁. VC wird von vornherein auf mindestens /V + 2 V, festgelegt, und daher werden am Ausgang d -6 V von /V anliegen.

Der zwischen Im und /liegende Widerstand Rs dient zum Herstellen der vorgegebenen Beziehung zwischen VC von Im und /V von f. Das heißt, wenn Tz₈ eingeschaltet und Trg' ausgeschaltet ist, wird die Spannung /V am Punkt /wie folgt geschrieben:

/V

R₂+Rj+R₄ R₂ +R₃+ R₄ +R₅

VC.

Wenn Tr_s ausgeschaltet und Ti₉ eingeschaltet ist, wird die Spannung fV wie folgt geschrieben:

_{/v =} R_x+R₂+R₃ R_x+R₂+R₃+R_s

Aus den vorstehenden Gleichungen ist ersichtlich, daß /Vein Festwert wird, wenn die Bedingung /Vi = /Z₄ erfüllt ist. Durch geeignete Wahl des Widerstands R₅ wird die erwünschte Beziehung zwischen VC und /V hergestellt. An Stelle des Widerstands R₅ kann zum Einstellen von /V am Punkt / auch eine Z-Diode verwendet werden.

Nach F i g. 2 ist die Spannung VC am Eingang In₂ tatsächlich mit — 16 V gewählt, und die Ausgangsspannung von Trio beträgt ca. -12 bis -13 V. Da also an der Steuerelektrode von Trio eine hinreichend niedrige Spannung anliegt, kann die Spannung von —6 V, die am Punkt / auftritt, ohne Änderungen am Ausgang d abgenommen werden.

Wenn bei einer solchen Anordnung das Steuersigna! /VOV ist, ist TrJ eingeschaltet und bewirl't einen Kurzschluß zv/ischen /und d, so daß die Spannungsteilung durch die Widerstände R\, R₂ und R₃ in d = e = - j V, c = -4 V, b = -2 V und a = 0 V resultiert. Die Flüssigkristallanzeige vom FEM-Typ wird beim Anlegen einer Spannung von 6 V eingeschaltet. Wenn umgekehrt das Steuersignal A VC ist, ist Trg eingeschaltet und bewirkt einen Kurzschluß zwischen //7| und dem Ausgang b, so daß a = b = 0V,c = -2 V, d = — 4 V und e = — 6 V, und zwar durch Verwendung des aus den Widerständen R₂, R₃ und R* bestehenden Spannungsteilers.

F i g. 4 ist eine andere Ausführungsform der Schaltung nach Fig. 2, wobei das NICHT-Glied durch ein Anreicherungs-Verarrpungs-MOS-Bauelement verwirklicht ist. Trio ist vom Anreicherungstyp, während Th ι vom Verarmungstyp ist. Da die Steuerelektrodenspannung von Tr/ nahe dem Wert von VCam Eingang Im ist, braucht VC nicht in dem vorher erläuterten Ausmaß negativ zu sein.

Die Schaltung nach Fig.5 gleicht derjenigen nach F i g. 2, mit Ausnahme des Transistors TrJ und des NICHT-Gjieds, Der den Transistor TrJ und das NICHT-Glied aufweisende Schaltungsteil k>, mit A' bezeichnet.

Der Schaltungsteil A' hat die Konfiguration nach F i g. 6, wobei P-Kanal-MOS-Transistoren TrJ und T/Vparallelgeschaltet sind, ihre Quellen mit dem Anschlußpunkt /(also dem Verbindungspunkt mit dem Ausgang e^und ihre Senken mit dem Verbindungspunkt zum Ausgang d verbunden sind.

Der Schaltungsteil A' umfaßt zwei die mitlaufende Ladespannung eines Kondensators ausnutzende Stufen, d. h. Bootstrap-Stufen X und Y, die zusammen über den Ausgang die Spannung fS des Anschlußpunkts /oder 2/3 fS abgeben.

In der ersten Bootstrapstufe X ist ein NICHT-Olied aus P-Kanal-MOS-Transistoren Trn und Γη ι an einem Anschlußpunkt eines Kondensators Q vorgesehen, wobei dieser Anschlußpunkt durch einen MOS-Widerstand von Tr _; vorgespannt und der andere Anschlußpunkt von C- durch ein aus Transistoren Tr-> und Tm bestehendes A η reiche rungs- Verarmung? -M OS- Ci lied schaltbar ist. Für Tr-s werden Impulsfolgesignale ;ι, (vgl. F ι g. 7) mit relativ hoher Frequenz, erzeugt.

Zu diesem Zweck wird die Ausgangsspannung von Tn--, und damit der andere Anschlußpunkt des Kondensators C- /u O V und VT(Z. B. -6 V) Bei O V wird der Kondensator C". au¹ ca. j VT j aufgeladen, in dem Moment, in dem die Ausgangsspannung von 7'γϊϊ von O V auf VC" geändert wird, wird die Spannung des einen Anschlusses A-. des Kondensators G von VC /u 2 VC" geändert. Wenn das Ausgangssignal von A, der Steuerelektrode von Tr*' zugeführt wird, um diese •Nrderung auf 2 VC" wirksam /u nutzen, wird VC" vom Punkt f über den Ausgang d abgegeben, da die .Steuerelektrode auf 2 VC" gehalten wird.

Die Spannung 2 VC hat keine Permanenteigenschaf- :en und ändert sich daher entsprechend dem Fortgang des Entladevorgangs. Tn' wird daher nur für eine kurze Zeitdauer eingeschaltet. Aus diesem Grund kann VC

oder I- VC nicht kontinuierlich am Ausgang d

erscheinen. Der P-Kanal-MOS-Transistor 7V der zweiten Bootstrapstufe V ist daher mit Tr»' parallelgeschaltet. Das >\usgangssignal von A:. das an die Steuerelektrode von Tn" angelegt wird, ermöglicht es. daß VC" des Anschlußpunkts f am Ausgang d ohne -\nderungen abgegeben wird und daß daher VC oder ^: i VC durch das Zusammenwirken mit der ersten Bootstrapstufe X permanent am Ausgang d abgegeben wird.

Das Ausgangssignal des Anschlusses Ai wird von der zweiten Bootstrapstufe Y in gleicher Weise wie von der Bootstrapstufe X erhalten. Die Impulsfolgesignale a: werden Tr-. des Anreicherungs-Verarmungs-MOS-Glieds zugeführt. Die Impulse a- und a? nach F i g. 7 haben die mit (a) und (b) bezeichnete Impulsform, so daß die Zeitintervalle für das Verbleiben von Tn--, und 77":a im Ausschaltzustand verschieden sind, sich jedoch etwas überlappe.,. Q) ist der Verlauf des Steuersignais .4.(7) derjenige des Ausgangsimpulses von A-, Q) der Verlauf des Impulses von A₁ und Q) derjenige des Ausgangssignals am Ausgang d.

Wenn das Steuersignal A O V ist. sind Tr-i und Tr·.* eingeschaltet Wenn das Signal s-, O V ist. ist der Ausgang des Transistors Tr-1 abgeschaltet und damit VC Die Spannung am Anschlußpunkt A- fällt von VCauf 2 VC, so daß 77V eingeschaltet wird. Wenn das Signal a-. O V ist. ist Tr= ausgeschaltet und sein Ausgangssignal ist VC. Infolgedessen fällt die Spannung am Punkt A-> von VC auf 2 VC. so daß 77V eingeschaltet wird. Da sich die Einschaltdauer von Tr-J mit derjenigen von 77V' überlappt wird /"V = VC am Punkt /aufeinanderfolgend am Ausgang d erzeugt wie durch den Signalverlauf Q) angedeutet ist

Wenn andererseits das Steuersignal A VC ist sind Tr-1 und Tr- eingeschaltet halten die Spannungen an Λ; und Ai auf O V und bewirken ferner das Abschalten von

Γ/V und Tn". Dies entspricht dem Abschalten des Schaltungsteils A ' nach F i g. 5.

Wenn also das Steuersignal 4 0V ist, sind Tn' und Tn" eingeschaltet und bewirken ein Kurzschluß zwischen f und dem Ausgang d. woraufhin eine Spannungsteilung durch die Widerstände R_u Ri und R, erfolgt und infolgedessen c/ = e = -6 V, c = -4 V. b = -2 V und a = 0 V werden. Wenn umgekehrt das Steuersignal A VC ist, ist Tr* eingeschaltet, und der Kreis zwischen In- und b ist kurzgeschlossen, so daß die .Spannungsteilung durch die Widerstände W.. R; und R, in a = /> = 0 V, c- = -2S.il = - 4 V und c = -h V resultiert. Es ist nicht erforderlich, die Konstantspan· nungsversorgung mit negativerer Spannung entsprechend F i g. 2 vorzusehen, und /war auf Grund der Parallelverbincliing der beiden Bootstrapstufen Λ und Y nach Fig. 6. Daher kann eine Konstantspannungsversorgung von 6 V verwende! -.vor-Jer: {-!6 V ·;: Fig. 2). und die Schaltelemente Tr* und 77V können ie nach einen P-Kanal-MOS-Transistor gebildet sein.

Wie durch den Verlauf des Ausg.ingssignals Q) am Ausgang i/angegeben ist. sind unter der Bedingung, daß /um Zeitpunkt A. das Steuersignal A 0 V. das Signal n, VCund das Signal ;i: 0 V ist. die Transistoren Tr*. Tr-i' und Tn>" ausgeschaltet, da A; nicht 2 V⁷C" ist. Die Spannung /"V des Anschlußpunktes .' muß also am Ausgang d anliegen, da Tr* und ler Schaltungsteil A' beide ausgeschaltet sind. Es ergibt sich jedoch die Gefahr der Erzeugung unerwünschter Spannungen. Durch ausreichendes E>höhen der Frequenz der Signale <7i und ,7: im Vergleich zur Frequenz des Steuersignals A kann diese Gefahr vermieden werden.

In der Schaltung nach F i g. 6 sind zwar Tr₁ und Tr₁^ vom Anreicherungs-Verarmungs-MOS-Typ. sie können jedoch auch gleich wie der P-Kanal-MOS-Transistor Tr-: ausgebildet sein.

Die periphere Schaltungsanordnung nach Fit·. 8 benutzt die Spannungsversorgungsschaltungen nach den F ι g. 2. 4 und 5. In einem hochintegrierten Ein-Chip-MOS-Rechner enthält ein hochintegrierter Chip die Spannungserzeugerschaltung zusätzlich zu einer konventionellen Rechensteuerschaltung. Dem hochinteerierten Chip wird VC von der Konstantspannungsversorgung zugeführt. Wie bei Rechnern üblich, empfängt der hochintegrierte Chip Tastensignale von einem Tastenfeld und erzeugt Anzeigesignale für eine Flüssigkristallanzeige. Die Konstantspannungsversorgung VC ist als V_DD gekoppelt, so daß Anschlüsse des hochintegrierten Chips P-Kanal-MOS-Transistoren in der Steuerschaltung aktivieren können.

Wenn z.B. VC mit —16 V entsprechend Fig 2 verwendet wird, haben die P-Kanal-MOS-Transistoren in der Steuerschaltung einen hohen Schwellenwert mit -16 V. so daß die Anzahl Versorgungs- oder Aktivierungsanschlüsse des Chips so klein wie möglich ist In vielen Fällen benötigt der hochintegrierte Chip eine V^c-Spannungsversorgung. dj_e etwas kleiner als Vdd ist um Taktsignalpegel zu erzeugen, aber VC kann Vco entsprechen.

Die Schaltung nach F i g. 9 erzeugt Segmentsignale 5/ auf Grund der von der Spannungserzeugerschaltung zugeführten Spannungen. Die Schaltung umfaßt zwei Bootstrapstufen .Vf und /V und entspricht im wesentlichen der Schaltung nach F i g. 6, wobei die P-Kanal-MOS-Transistoren Tr-, und Tri paraiieigeschaitet sind. Die zusammengeschalteten Quellen von Tr₁ und Γη sind zum Ausgang 5/ des Segmentsignals und zur Senke eines P-Kanal-MOS-Transistors Tn geführt Die Senken

von Tn und 7r> sind mil dem Ausgang </ iK-i Spannungser/eugerschaliiing verbunden. Die (Quelle von 7>i ist mit drm Ausgang feder Spannungser/eugcrschaltung verbunden, und seine Steuerelektrode cmp fängt Segmenlaiiswahlsignale Q . Die Schaltung, die einen Kondensator C] und Transistoren Tm bis Tr_xs in der IVotstrapstufe M sowie einen Kondensator C\ und Transistoren 7r,_h bis 7hκ in der Bootstrapstufe Λ/ aufweist, arbeitet in gleicher Weis< wir die Schaltung nach F i g. 6.

I i g. IO /cig! den Verlauf der in der Seh.iltiim: n;uh I- i g. "ί auftretenden Signale. 0 ist das Signal .i,. (his der Sieuerelcki'-ode von 7>v, zugeführt wird;® ist das der Sieiierelektinde von Tn* /upcführte Signal ,7., 0 be (Ii.Mitel die K lin/iden/ /wischen dem Steuersignal Λ und (IeMTi ScgiiH-ntauswiihlsignal (T) . das über einen Decodierer von einem Register abgeleitet wird, Q) ist ckr Verlau' des Ausgangssignals von A\. Q) ist der Verlauf des Ausgangssignals von A₂. und ©ist der ^'erlauf dr> Seginentsignals SI. Das Segmenisignal SI nimm: eitn- :ior vmi den Ausgängen Λ und d gelieferten Snanntingei' entsprechend der Spannung des Segment Q an

Hierzu 4 nialt Zeichnungen

Claims (6)

Patentansprüche:

1. Spannungsversorgungsschaltung für die Ansteuerschaltung einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit einer Gieichspannungsquelle, von der über einen aus vier in Reihe geschalteten ohmschen Widerständen und mit Ausgangsklemmen versehenen Spannungsteiler außer einem Bezugspotential drei weitere Potentiale abnehmbar sind, mit zwei Feldeffekttransistoren, die innerhalb des Spannungsteilers derart geschaltet sind, daß sie jeweils einen Widerstand überbrücken können, so daß verschiedene Potentiale an derselben Ausgangsklemme abnehmbar sind, wobei der erste der beiden Transistoren mit einer ersten Eingangsklemme verbunden ist, der das Bezugspotential zugeführt ist, und der zweite der beiden Feldeffekttransistoren mit einer zweiten Eingangsklemme verbunden ist, der die Gleichspannung der genannten Gleichspannungsquelle zugeführt ist, und die Steuereiektroden der beiden Feldeffekttransistoren mit einer ein Steuersignal empfangenden dritten Eingangsklemme verbunden sind,

dadurch gekennzeichnet,
daß die beiden Feldeffekttransistoren (Trg, Tr₉') vom selben Leitfähigkeitstyp sind
und daß ein inverterglied (Tr^, Tr_u) zwischen der Steuerelektrode des zweiten Feldeffekttransistors (TrJ) und der dritten Eingangsklemme (A) vorgesehen ist.

2. Spannungsversorgung?: ^haltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Feldeffekttransistoren (T/i, T-V) P-Kanal-MOS-Transistoren sind.

3. Spannungsversorgungsschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Feldeffekttransistoren (Tn, Tr₉') N-Kanal-MOS-Transistoren sind.

4. Spannungsversorgungsschaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen dem zweiten Eingang (7n₂) und der Quelle-Senk^· Strecke des zweiten (Tr₉ ¹) P-Kanal-MOS-Transistors ein Widerstand (Rs) vorgesehen ist.

5. Spannungsversorgungsschaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Inverterglied aus zwei P-Kanal-MOS-Transistoren (Tr_1n, Tru) besteht.

6. Spannungsversorgungsschaltung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß einer der P-Kanal-MOS-Transistoren (Trw. Tru) des Invertergliedes vom Anreicherungstyp und der andere vom Verarmungstyp ist.