DE2621577C3

DE2621577C3 - Schaltungsanordnung zur Bereitstellung der zur Steuerung einer Flüssigkristall-Anzeigeanordnung erforderlichen Spannungen

Info

Publication number: DE2621577C3
Application number: DE2621577A
Authority: DE
Inventors: Shintaro Hashimoto; Yuuichi Sato
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1975-05-14
Filing date: 1976-05-14
Publication date: 1979-01-11
Also published as: JPS51132940A; JPS5752590B2; CA1048183A; DE2621577A1; DE2621577B2; US4050064A

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Schaltungsanordnung zur Bereitstellung der zur Steuerung einer mehrere Segmentelektroden und eine Gegenelektrode aufweisenden Flüssigkristall-Anzeigeanordnung erfor- ^b0 derlichen Spannungen, mit mehreren Ausgangsklemmen, an denen ein Bezugspotential, ein von einer Gleichspannungsquelle geliefertes hohes Potential und mindestens ein Zwischenpötential abgreifbar sind, und bei der zur Aktivierung an einer Flüssigkristalleinheit ^h5 das hohe Potential anliegt und ein Zwischenpotential Vorhanden ist, wenn die Einheit nicht aktiviert ist

Wenn mit Flüssigkristall-AnzeigeänofdnUngen ausgerüstete Geräte in integrierter Schaltungsbauweise ausgeführt sind, treten erfahrungsgemäß viele Probleme auf, die darauf beruhen, daß die zur Einschaltung der Anzeige benötigte Spannung höher als die Durchbruchsspannung der integrierten Schaltung ist. Dies hat z. B. zu einer Erhöhung der Anzahl Anschlußklemmen an der integrierten Schaltung und zur Hinzufügung von Verstärkern geführt, die der Treibschakung für die Anzeige zugeordnet sind.

Bei einer bekannten Schaltungsanordnung der eingangs genannten Art (DE-OS 23 59 084) wird im Bedarfsfall ein Zwischenpotentialwert dadurch gebildet^ daß zwei Transistoren, die hintereinandergeschaltet zwischen dem von der Gleichspannungsquelle gelieferten hohen Potential und dem Bezugspotential liegen, in den stromleitenden Zustand gesteuert werden und am Verbindungspunkt der beiden Transistoren ein Zwischenpotential in Höhe der halben Spannung der Gleichspannungsquelle abgegriffen wird.

Bei der dynamischen Steuerung von Flüssigkristall-Anzeigeanordnungen ist es erwünscht, daß ständig, also auch im nichtausgewählten Zustand der betreffenden Elektroden, eine Wechselspannung an der dazwischen befindlichen Flüssigkristallschicht anliegt Zu diesem Zweck sind Steuerschaltungen entwickelt worden, die die Erzeugung mehrerer Zwischenpotentialwerte erfordern.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Schaltungsanordnung der eingangs genannten Art so auszubilden, daß unter Vermeidung von gesonderten Konstantspannungsquellen für mehrere Zwischenpotentialwerte trotzdem zu verschiedenen Zeitpunkten an bestimmten Ausgangsklemmen unterschiedliche Potentiale abgreifbar sind.

Diese Aufgabe wird nach einem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung dadurch gelöst, daß zv/ischen den an die Spannungsquelle angeschlossenen Klemmen des Bezugs- und des hohen Potentials ein Spannungsteiler mit vier Impedanzen geschaltet ist, Jessen Teilerpunkte an weitere Ausgangsklemmen geführt sind, und daß die erste und die vierte Impedanz durch je einen Schalter überbrückbar sind.

Ein zweites Ausführungsbeispiel löst die Erfindung dadurch, daß zwischen den an die Spannungsquelle angeschlossenen Klemmen des Bezugs- und des hohen Potentials ein Spannungsteiler mit drei Impedanzen geschaltet ist, von dessen Teilerpunkten jeder über Schalter entweder mit einer oder einer anderen der Ausgangsklemmen verbindbar ist.

Bei der Schaltungsanordnung nach der Erfindung werden bei Betätigung eines der beiden Schalter zusätzlich zu dem Bezugspotential und dem hohen Potential der einzigen Gleichspannungsquelle zwei Zwischenpotentialwerte erzeugt, und je nachdem, welcher der beiden Schalter betätigt ist, sind diese verschiedenen Zwischenpotentialwerte an derselben Ausgangsklemme abgreifbar. Damit wird letztlich die Zahl der Ausgangsklemmen reduziert.

Die so erzeugten Potentialwerte kann man z. B. in der Weise verwenden, daß man den Segmentelektroden bei deren Auswahl wechselweise das hohe und das Bezugspotential zuführt und bei deren Nichtauswahl wechselweise die beiden Zwischenpotentialwerte zuführt, während man auch der Gegenelektrode bei Auswahl wechselweise das hohe und das Bezugspotential und bei Nichtauswahl die beiden Zwischenpotentialwerte zuführt, und zwar in der Weise, daß sowohl in Auswahl- als auch in Nichtauswahlzeiten stets eine

Wechselspannung an der Flüssigkristallschicht liegt

Die Erfindung wird nachstehend an Hand von Ausführungsbeispielen im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert Es zeigt

Fig. 1 die Schaltung einer mehrstelligen Flüssigkristall-Wiedergabeanordnung,

Fig.2 ein Zeitdiagramm des Grundprinzips einer eine mehrstellige Flüssigkristall-Wiedergabeanordnung steuernden Schaltung,

Fig.3 den Schaltungsaufbau einer ein Segment- iu steuersignal erzeugenden Stufe für eine mehrstellige Flüssigkristall-Wiedergabeanordnung,

Fig.4 den Schaltungsaufbau einer ein Gegenelektroden-Steuersignal erzeugenden Stufe,

F i g. 5 den Schaltungsaufbau einer vier verschiedene Potentialwerte erzeugenden ersten erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung,

F i g. 6 ein Zeitdiagramm zur Veranschaulichung der verschiedenen in den Schaltungen der F i g. 3 — 5 auftretenden Signale und ;»o

F i ^σ. 7 den Schaltungsaufbau einer vier verschiedene Potentialwerte erzeugenden zweiten erfind.ngsgemäßen Schaltungsanordnung.

Im allgemeinen weist eine mehrstellige Flüssigkristall-Wiedergabeanordnung gemäß F i g. 1 eine vorbe- r> stimmte Anzahl von Flüssigkristalleinheiten DPX bis DP3 auf, von denen jede eine gemeinsame Gegenelektrode 10 und eine Mehrzahl von Segmentelektroden 20 aufweist wobei in der F i g. 3 nur drei Ziffernstellen gezeigt sind. >"

In Fig.2a, welche die übliche Treibmethode veranschaulicht sind fünf verschiedene Potentialwerte VA bis VD und GND vorgesehen, von denen das mit GND bezeichnete Potential das Erdpotential ist und nachfolgend als Bezugspotential bezeichnet wird. Ein drei s> mögliche Werte aufweisendes Potential, welches zwischen den Potentialwerten GND und VD bezüglich des Potentialwerts VB hin- und herwechselt wird durch die durchgezogene Linie angezeigt und wird den gemeinsamen GegenJektroden 10 zugeführt, während ein zwei -w mögliche Werte aufweisendes Potential, welches zwischen den Potentialwerten VA und VC hin- und herwechselt den Segmentelektroden 20 zugeführt wird. Wenn die zwischen den Elektroden 10 und 20 liegende Spannung hoch genug ist, um eine Änderung der ^ optischen eigenschaften des Flüssigkristalle hervorzurufen, wie durch die Schraffierung angedeutet ist gibt die Flüssigkristall-Wiedergabeanordnung eine sichtbare Anzeige ab. Diese Arbeitsweise wird im dynamischen Betrieb vielfach wiedernolt. In Fig.2a reicht die Spannung, die an den Elektroden während der unschraffierten Zeitspannen anliegt, nicht dazu aus, eine Änderung der optischen Eigenschaften des Flüssigkristalls hervorzurufen.

Es können nun z. B. funktioneile Komponenten einßs ^ elektronischen Rechners wie die zentrale Verarbeitungseinheit und Speicher in C-MOS-Technik ausgeführt werden, während die die Flüssigkristall-Wiedergabeanordnung treibende Schaltung, wie sie kurz erörtert wurde, aus dem folgenden Grunde nicht in *>n dasselbe LSI-Chip mit eingebaut werden können. Der Schwellspannungswert, der eine Änderung der optischen Eigenschaften des Flüssigkristalls hervorruft, liegt bei etwa 18 V, und die Potentialdifferenz zwischen VD und GND, wie sie in F ι g, 2a gezeigt werden, muß daher ^h'> bei 24 V liegen. Da dies gewöhnlich die Durchbnichspannung der C-MOS-L'JI-Bauelemente überschreitet, kann die Treibschaltung für die Flüssigkristall-Wiedergabeanordnung nicht in dasselbe LSI-Chip mit eingebaut werden. Aus Fig.2a wird deutlich, daß eine Wechselspannung an die Flüssigkristallschicht auch dann angelegt wird, wenn diese nicht eingeschaltet werden soll.

Eine derartige Anordnung enthält daher ein aus einem Chip bestehendes bipolares IC-Bauelement zur Verstärkung der Treibspannung, was eine Komplizierung der Anordnung und eine Erhöhung des Leistungsverlustes bedeutet Ferner sind fünf verschiedene Konstantspannungsquellen für VA bis VD und GND erforderlich, was eine entsprechend komplizierte Schaltung bedingt

Fig.2b veranschaulicht das bei der Erfindung verwendete Grundkonzept zum Steuern der Flüssigkristall-Wiedergabeanordnung, wobei drei verschiedene Potentialwerte VA, VB und VC zusätzlich zu dem Bezugspotential GND verwendet werden und die Potentialdifferenz zwischen VC und GND gleich dem Spannungsschwellwert der Flüssigk^stall-Wiedergabeanordnung gewählt wird, d.h. zurr Beispiel 18V A bezeichnet Steuersignale, mit welchen ein Betrieb der Wiedergabeanordnung mit abwechselnder Polung erreicht werden kann.

F i g. 3 zeigt eine Schaltung zur Bildung des Segmentsteuersignals 51 aus dem Segmentauswahlsignal ?5t . Wie für den Fachmann offensichtlich ist. handelt es sich bei den Segmentauswahlsignalen <S~\) um solche Signale, w:s sie über einen Decoder aus einem Informationsspeicherregister ausgegeben werden. Segmentauswahlsignale (Sj) von 0 V zeigen an. daß die jeweiligen Segmente ausgewählt werden sollen, während die Segmentauswahlsignale von - 18 V( = VC)eine Nichtauswahl anzeigen.

Ein Tor G 1 bestimmt, ob eine Äquivalenz zwischen den Signalen (£}) und den Steuersignalen A (siehe F i g. 2) besteht und führt dann seinen Ausgang SV den jeweiligen Steuerelektroden einer komplementären MOS-Schaltung zu, die eine Serienschaltung eines P-Kanal-MOSFET 1 und eines N-Kanal-MOSFET 2 ist. D> MOSFET-Elemente 1 und 2 sind mit ihren Source-Elektroden jeweils mit einer Ausgangsklemme OB bzw. OD einer später erläuterten Spannungserzeugungsschaltung verbunden, und ihre Drain-Elektroden sind miteinander verbunden. Die Segmentsteuersignale 51 werden von den miteinander verbundenen Drain-Elektroden der C-MS-Schaltung abgenommen. Das Signals 51 nimmt daher einen der von den Ausgangsklemmen OB und OD zugeführten Potentialwerte an entsprechend dem jeweiligen Potential des Signals 51'.

F i g. 4 ist ein Schaltungsdiagramm der Stufe zur Bildung· des Gegenelektrodensteuersignals ,-W 1 in Abhängigkeit von Ziffernauswahlsignalen !£/j) , die gewöhnlich von ein^m Taktzähler abgeleitet werden.

Diese Schaltungsanordnung enthält eine Serienscha¹ tung von P-Kanal-MOSFET-Elementen 3 und 4, eine Senenschaltung von N-Kanal-MOSFET-Elementen 5 und 6 und ein K-Kanal-MOSFET-Element 7. dessen Drain-Elektrode mit der Verbindung der Drain-Elektroden der MOSFET-Elemente 4 und 5 verbünden ist. Die Source-Elektroden der MOSFET-Elemente 3,6 und 7 sind jeweils mit den Ausgangsklemmen OA, OE und ÖCder Spannungserzeugungsschaltung verbunden.

Die Steuerelektruden dev MOSFET* Elemente 3 und 6 empfangen das invertierte Signal Ädes Steuersignals A, während die Steuerelektroden der MOSFET-Elemente 4, 5 und 7 die Signale <fTp bzw. @> bzw. H\

erhalten. Im Ergebnis werden die Gegenelektfodensteuersignale Hi von den miteinander verbundenen Drain-Elektroden entnommen. Die Gegenelektrodensteuersignale nehmen eines der Potentiale der Ausgangsklemmen OA, OE und OC nach Maßgabe der "> jeweils vorliegenden Kombinationen

~Ä, (WJ) und (Hj) ail.

Die das Kernstück der Erfindung bildende Spannungserzeugungsschaltung von Fig.5 zur Erzeugung von vier Potentialwerten weist eine erste Eingangsklemme IA₁ die mit dem Bezugspotential 0 V verbunden ist, eine zweite Eingangsklemme IB, die mit der Konstantspannungsquelle VC verbunden ist, und Ausgangsklemmen auf zur Zuführung der gewünschten Potentiale zu der Flüssigkristall-V/iedergabeanordnung. Die Eingangsklemme IA ist direkt mit der Ausgangsklemme OA verbunden, und die Eingangsklemme /Bist direkt mit der Ausgangsklemme OE verbunden. Eine Serienschaltung von Widerständen R I₁ R 2, R 3 und R 4

131 £WI31IICII UIC LLIIIgailgaillCIIIIIICII m UIlU tu gt,3l,liaill.l. «" Die jeweiligen Verbindungspunkte der Widerstandsserienschaltung sind an die Ausgangsklemmen OB, OC und OD angeschlossen. Die Widerstände R\ bis R 4 haben jeweils denselben Widerstandswert. Ein P-Kanal-MOSFET-Element 8 ist zu dem Widerstand Ά R 1 parallel geschaltet, und ein N-Kanal-MOSFET-Element 9 ist zu dem Widerstand R 4 parallel geschaltet. Die MOSFET-Elemente 8 und 9 sind zwischen Ein- und Aus-Zuständen hin- und herschaltbar in Abhängigkeit von den ihren Steuerelektroden zugeführten Steuer-Signalen A.

Die Arbeitsweise der zur Erzeugung von vier Potentialwerten vorgesehenen Schaltung von Fig. 5 wird nun unter Bezugnahme auf F i g. 6 beschrieben, in der die verschiedenen in den Schaltungen der F i g. 3 bis 5 auftretenden Signale veranschaulicht sind.

In F i g. 6 werden die Wellenformen des Gegenelektrodensteuersignals Hi, welches der gemeinsamen Gegenelektrode 10 zugeführt wird, und der Segmentsteuersignale S1 gezeigt, die den Segmentelektroden 20 «> zugeführt werden. Bei dem beschriebenen Beispiel wird ein bestimmtes Segment 20 der Flüssigkristalleinheit DPi nur während der Zeitperiode 7*1 und nicht während der Zeitperioden 7*2 und 7*3 aktiviert In anderen Worten wird die Flüssigkristalleinheit aktiviert auf Grund des -Empfanges einer zwischen den Elektroden 10 und 20 anliegenden Spannung von 18 V. Vorzugsweise sind VA= -6 V, VB= -12 V und VC= -18 V.

Da während der Zeitperioden Ti bis 7"3 das ^o Steuersignal A sich bei 0 V befindet, ist das MOSFET-Element 9 eingeschaltet und bildet einen Strompfad zwischen der Eingangsklemme IB und der Ausgangsklemme OD. Demzufolge wird der Spannungswert VCdurch die Widerstände Ri, R2 und A3 geteilt, so daß an den Ausgangsklemmen OB bis ODdie Potentialwerte VA, VB und VCauftreten. Es ergibt sich: OA = OV, OB= VA, OC= VBund OD= OE= VC

Dagegen ist wenn während der Zeitperioden TV bis T3' A = VC gilt das MOSFET-Element 8 eingeschaltet «o mit dem Ergebnis, daß eine Stromverbindung zwischen der Eingangsklemme IA und der Ausgangsklemme OB hergestellt wird. Der Spannungswert VCwird nun durch die Widerstände R 2, R 3 und R 4 geteilt und dadurch erscheinen die Teilspannungswerte VA und VB an den '■'■ Ausgangsklemmen OC und OD. Es ereibt sich: OA = OB=O V, OC= VA, OD= VB und OE= VC Auf diese Weise geben d;e Ausgangsklemmen OB, OC und OD Ausgangspotentiale ab, die im Ansprechen auf die Steuersignale A um ein Drittel VCvariieren.

Wenn das Ausgangssignal 51' den Steuerelektroden der MOSFET-Elemente 1 und 2 zugeführt wird, ist das MOSFET-Element 2 eingeschaltet, weil SV = OV während der Zeitperiode Ti gilt. Es wird daher das Potential OD als Potentialwert des Signals 51 abgegeben. Es ist OD= VC da das Potential bei OD während der Zeitperiode Ti den Wert VChat. Danach wird das MOSFET-Element 1 eingeschaltet, weil Si'= VCwährend der nachfolgenden Zeitperioden T2 und T3 ist, so daß das Potential bei Oöals Potentialwert des Signals 51 abgegeben wird. Dieselben Verhältnisse ergeben sich während der Zeitperiode Ti'. Es resultiert daher die Wellenform des Segmentsteuersignals, wie sie in Fig. 6dargestellt ist. ,-.

Ferner werden die Signale Wj) den Sleuerelektroden der MOSFET-Elemente 4,5 und 6 zugeführt und schalten das MOSFET-Element 4 ein auf Grund vor

i{j^i\ \/r* *7«:* ~T4 r\~„ ν.ι/"*οΐ7ΐ7τ· πι-, «—* ο

lly — r \_ £,ui ^tIi / I. i/aa iriv/iji i-i ι -i-jiwiii.il t ~j

befindet sich in seinem Ein-Zustand auf Grund von A= VC und leitet somit das Potential an der Ausgangsklemme OA als Gegenelektrodensteuersignal H1 weiter. Es gilt @> = 0 V, m) = VC und A = VCzur Zeit Tl und 7*3, so daß das Potential bei OC über das MOSFET-Element 7 als Signal Hi abgegeben wird. Zur Zeit TV gilt Wj) = VC, <^7Ί) = OV und ^i=OV, so daß das Potential beiOE über die MOSFET Elemente 5 und 6 als Signal Hi abgegeben wird. Die Wellenform des sich so ergebenden Gegenelektrodensteuersignals Hi ist in Fig.6 dargestellt.

Es werden somit bei der erfindungsgemäßen Spannungserzeugungsschaltung die an den Ausgangsklemmen anliegenden Ausgangspotentiale geändert im Ansprechen auf Steuersignale A, was zu einer beträchtlichen Vereinfachung der Steuerschaltung für die Flüssigkristall-Wiedergabeanordnung führt Wie schon erwähnt, trägt in dem Fall, daß die Flüssigkristall-Steuerschaltung zusammen mit Verarbeitungseinheiten und Speichern in ein einziges C-MOS-LSI-Chip mit eingebaut werden soll, die Erfindung zu einer Vereinfachung der LSI-Anordnung bei sowie zu einer Herabsetzung der für die Einführung von Potentialwerten erforderlichen Klemmen und einer Herabsetzung des Leistungsverlustes.

Bei mit dynamischer Streuung betriebenen Flüssigkristallen ist ein Schwellspannungswert von 18 V erforderlich. Die vier Spannungswerte erzeugende erfindungsgemäße Versorgungsschaltung gestattet es, die Eingangsspannung auf 18 V herabzusetzen. Im Fall von feldeffektbetriebenen Flüssigkristallen kann die Flüssigkristall-Anordnung direkt von dem C-MOS-LSI-Bauelement gesteuert werden. Es ist auch möglich, die mit dynamischer Streuung betriebenen Flüssigkristalle direkt zu steuern durch die Entwicklung von Hochspannungs-C-MOS-LSI-Elementen und Niedrigspannungs-DSM-FIüssigkristallsubstanzen.

Gewöhnlich sind vier verschiedene Anschlußklemmen erforderlich als Spannungseinführklemmen für die Spannungswerte VA, VB, VC und GND (OV) zusammen mit vier verschiedenen Konstantspannungsquellen. Bei der Erfindung sind jedoch nur zwei Klemmen erforderlich, nämlich für die Einführung der Spannungswerte VCund GND. Ferner wird in dem Fall, daß der Spannungswert GND 0 V beträgt, nur eine Konstantspannungsquelle, nämlich für VCbenötigt

Die Spannungserzeugungsschaltung gemäß der Erfin-

dung ist von erheblichem Vorteil aus einer Reihe von Gründen, wie oben ausgeführt wurde. Es können anstatt der bei der Ausführungsform von Fig.5 verwendeten P-Kahal-MOSFET-EIemente und N-Kanal-

MOSFET-Elemente pnp-Transistoren bzw. npn-Transistören verwendet werden. Für diesen Fall sind Ein-Ghip-LSl-Ausführungen erhältlich. Ferner können an Stelle der Widerstände R 1 bis R 4 die Spannungsabfä'le an Dioden in Durchlaßrichtung verwendet werden. Schließlich können gemäß Fig. 7 die drei Widerstände R Γ bis R 3' hinzugefügt werden* und die Teilspanriurigen werden dann von den MOSFET-EIementen 10 bis 15 ausgewählt.
Wie oben erörtert würde, ist die vorliegende Erfindung sehr vorteilhaft bei der Zusammenfügung einer Steuereinheit, eines oder mehrerer Speicher, einer Flüssigkristall-Steuerstufe und einer Spannungserzeugungsstufe eines elektronischen Rechners auf einem einzigen LSI-Chip. Wie aus dem Obigen deutlich wird, ist bei der erfindungsgemäßen Spannungserzeugungsschaltung zur Verwendung in einer Flüssigkristall-Steuerstufe wesentlich, daß die an den Ausgangsklemmen anliegenden Ausgangspotentiale in periodischer Weise gewechselt oder geändert werden. Die Erfindung bietet ferner den Vorteil, die Anzahl von MOSFET-Elementen zu verringern, die gewöhnlich geringe Ein-Widerstände aufweisen müssen, also eine große Fläche benötigen, ί

Hierzu 4 Blatt Zeichnungen

Claims

Patentansprüche:

1. Schaltungsanordnung zur Bereitstellung der zur Steuerung einer mehrere Segmentelektroden und eine Gegenelektrode aufweisenden Flüssigkristall-Anzeigeanordnung erforderlichen Spannungen, mit mehreren Ausgangsklemmen, an denen ein Bezugspotential, ein von einer Gleichspannungsquelle geliefertes hohes Potential und mindestens ein ι ο Zwischenpotential abgreifbar sind, und bei der zur Aktivierung an einer Flüssigkristalleinheit das hohe Potential anliegt und ein Zwischenpotential vorhanden ist, wenn die Einheit nicht aktiviert ist, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen den an die Spannungsquelle angeschlossenen Klemmen (IA, IB) des Bezugs- (O) und des hohen Potentials (VC) ein Spannungsteiler mit vier Impedanzen (R 1 — R 4) geschaltet ist, dessen Teilerpunkte an v>eitere Ausgangsklemmen (OB. OC, OD) geführt sind, und daß die erste und die vierte Impedanz (R 1 bzw. R 4) durch je einen Schalter überbrückbar sind.

2. Schaltungsanordnung zur Bereitstellung der zur Steuerung einer mehrere Segmentelektroden und eine Gegenelektrode aufweisenden Flüssigkristall-Anzeigeanordnung erforderlichen Spannungen, mit mehreren Ausgangsklemmen, an denen ein Bezugspotential, ein von einer Gleichspannungsquelle geliefertes hohes Potential und mindestens ein Zwischenpc'ential abgreifbar sind, und bei der zur Aktivierung an einer Flüssigkristalleinheit das hohe Potential anliegt und ein Zwischenpotential vorhanden ist, wenn die Einheit r»icht aktiviert ist, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen den an die Spannungsquelle angeschlossenen Klemmen (IA, IB) des Bezugs- (O) und des hohen Potentials (VC) ein Spannungsteiler mit drei Impedanzen (RY, R 2', R 3') geschaltet ist, von dessen Teilerpunkten jeder über Schalter entweder mit einer oder einer anderen der Ausgangsklemmen (OB, OC, OD) verbindbar ist.

3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Impedanzen aus vier Widerständen (R 1 - R 4) bestehen, die die Potentialdifferenz zwischen dem hohen Potential (VC)und dem Bezugspotential fCtydreifach unterteilen.

4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Schalter aus komplementären Transistoren (8,9) bestehen.

5. Schaltungsanordnung nach Anspruch 4, dadurch ^M gekennzeichnet, daß die komplementären Transistoren (8,9) in C-MOS-Technik ausgeführt sind.