DE2614019A1 - Schaltungsanordnung zur erzeugung definierter ausgangspotentiale in einrichtungen zum tastenbetaetigten verbindungsaufbau in fernmelde-. insbesondere fernsprechanlagen - Google Patents

Schaltungsanordnung zur erzeugung definierter ausgangspotentiale in einrichtungen zum tastenbetaetigten verbindungsaufbau in fernmelde-. insbesondere fernsprechanlagen

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DE2614019A1 DE19762614019 DE2614019A DE2614019A1 DE 2614019 A1 DE2614019 A1 DE 2614019A1 DE 19762614019 DE19762614019 DE 19762614019 DE 2614019 A DE2614019 A DE 2614019A DE 2614019 A1 DE2614019 A1 DE 2614019A1
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Hartmut Ing Grad Tetzlaff
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Hagenuk 2300 Kiel De GmbH
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    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04MTELEPHONIC COMMUNICATION
    • H04M1/00Substation equipment, e.g. for use by subscribers
    • H04M1/26Devices for calling a subscriber
    • H04M1/30Devices which can set up and transmit only one digit at a time
    • H04M1/31Devices which can set up and transmit only one digit at a time by interrupting current to generate trains of pulses; by periodically opening and closing contacts to generate trains of pulses
    • H04M1/312Devices which can set up and transmit only one digit at a time by interrupting current to generate trains of pulses; by periodically opening and closing contacts to generate trains of pulses pulses produced by electronic circuits

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Description

  • Schaltungsanordnung zur Erzeugung definierter Ausgangspotentiale in Einrichtungen zum tastenbetätigten Verbindungsaufbau in Fernmelde-, insbesondere Fernsprechanlagen.
  • Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zur Erzeugung definierter Ausgangspotentiale in Einrichtungen zum tastenbetätigten Verbindungsaufbau in Fernmelde-, insbesondere Fernsprechanlagen mit tastenbetätigter elektronischer Wählimpulserzeugung, Verpolungs- und Überspannungsschutz sowie Nummernschalterimpuls- und Nummernschalterarbeitskontakt.
  • In Einrichtungen von Fernsprechanlagen, z.B. Fernsprechapparaten mit tastenbetätigter Wähleinrichtung ist es notwendig, eine Einrichtung vorzusehen, die sicher zwischen Sprech- und Wählbetrieb umschaltet. Hierzu werden in bekannter Weise wegen der geringen Erregerleistung und des geringen Übergangswiderstandes im Sprechkreis bistabile Relais verwendet (vgl. DT-OS 24 25 603). So muß bei Abnahme des Handapparates sichergestellt sein, daß die Sprechschaltung in die Amtsleitung geschaltet ist, damit der Teilnehmer das Wählzeichen erkennen kann. Die Einschaltung des Sprechkreises nach Abnahme des Handapparates ist auch deshalb notwendig, weil einige elektronische Vorfeldeinrichtungen - z.B.-Wählsternschalter - zur Identifizierung des Teilnehmers bei kleinen Speiseströmen einen niederohmigen Apparatewiderstand benötigen.
  • Wegen der in Wähleinrichtungen verwendeten Halbleiter ist jedoch ein niedriger Widerstand der Wähleinrichtung bei kleinen Speiseströmen nicht sichergestellt. Neben den erwähnten Vorteilen ( geringe Erregerleistung etc. ) die ein bistabiles Relais aufweist, ist jedoch von Nachteil, daß es durch mechanische Erschütterung umgeschaltet werden kann, was ur Folge hat, daß bei Gesprächsbeginn der Sprechkreis abgeschaltet ist.
  • Aus der DT-OS 24 25 603 ist beispielsweise eine Schaltungsanordnung bekanntgeworden, bei der die Rückstellung des bistabilen Relais NSA letztmalig bei Auflegen des Handapparates mittels eines zusätzlichen Gabelumschaltkontaktes erfolgt.
  • Der Nachteil dieser Anordnung ist jedoch, daß der Gabelumschaltkontakt über zwei zusätzliche Leitungen an die Wähleinrichtung herangeführt werden muß, und daß ferner die gesamte Endeinrichtung funktionsunfähig wird, wenn durch mechanische Einflüsse -zOBo Herunterfallen des Apparates- das bistabile Relais NSA in den Wählzustand geschaltet wird0 Selbst wenn die bekannte Anordnung durch eine zusätzliche Schaltung erweitert würde, die bei Einsetzen des Schleifenstromes das bistabile Relais zurücksetzt, ist im Falle der Identifizierung durch Wählsternschalter infolge des geringen Speisestromes eine sichere Funktion der Wähleinrichtung nicht gewährleistet, Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die erwähnten Nachteile der bekannten Schaltung zu vermeiden und eine Schaltung zu schaffen, die stets vor Gesprächs- bzwo Wahlbeginn nach Abnahme des Handapparates eine definierte Ausgangslage des bistabilen Relais sicherstellt, und die folgende Bedingungen erfüllt: a) Rückstellung des bistabilen Relais bei Anschaltung an Wählsternschalter; b) Rückstellung des bistabilen Relais bei Anschaltung an herkömmliche Ämter0 Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die Vereinigung folgender Merkmale gelöst: a) bei Anschaltung an Wählsternschalter dadurch, daß nach Abnahme des Handapparates und Wähllage des Kontaktes des bistabilen Relais der Kondensator über die Schaltungseinzelheit geladen wird, wobei der Ladevorgang erst dadurch realisierbar ist, wenn die Vierschichtdiode den niederohmigen Parallelkreis unwirksam schaltet, und das die so gespeicherte Energie von über die von ihr gezündete Vierschichtdiode über die Diode an die Relaiswicklung des bistabilen Relais geschaltet wird, wodurch der Relaiskontakt in die Sprechlage gebracht wird; b) bei Anschaltung an herkömmliche Ämter dadurch, daß nach Abnahme des Handapparates und Wähllage des Kontaktes des bistabilen Relais der Spannungsabfall an der Zenerdiode bedingt durch den durchgeschalteten Transistor, verzögert durch das Verzögerungsglied und mittels des Schaltungsteiles zu einem Impuls geformt wird, welcher über die Diode die Relaisansteuerung aktiviert, wodurch das Relais geschaltet und der Kontakt in die Sprechlage gebracht wird0 Weitere Einzelheiten der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung und dem-Schaltbild, indem das Ausführungsbeispiel der Erfindung dargestellt ist0 Anhand der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung gemäß der Abb. sei deren Wirkungsweise näher erläuterte Nach Abheben des Hand apparates ist der in der Schleife La/Lb liegende Stromkreis über den Sprechkreis SK und die in Reihe liegenden Kontakte U und nsa geschlossene Die Wähleinrichtung ist über die beiden Kontakte U und nsa in diesem Zustand kurzgeschlossen Anschaltung an Wählsternschalter Unter Wählsternschalter-werden Vorfeldeinrichtungen der Bundespost verstanden, die den Anschluß einer größeren Anzahl von Teilnehmern an eine geringe Anzahl von Amtsleitungen gestattet -zOBo 20 Teilnehmer an vier Amtsleitungen- O Der Grundgedanke der Wählsterneinrichtung geht davon aus, daß von den Teilnehmern jeweils maximal soviele sprechen, wie Amtsleitungen zur Verfügung stehen, Die Wählsterneinrichtung ordnet dann dem sprechwilligen Teilnehmer jeweils eine Amtsleitung zu, Um zu erkennen, ob eine Endeinrichtung an die Amts leitung angeschaltet werden soll -bei Abheben des Handapparates beim Fernsprechapparat- wird in der Wählsterneinrichtung eine Widerstandsmessung der Endeinrichtung vorgenommen. Diese Widerstandsmessung kann nur mit kleinen Strömen erfolgen, da die gesamte Wählsterneinrichtung aus einer der Amtsleitungen gespeist werden muß. Diese Überprüfung der Endeinrichtung wird unter Identifizierung verstande, Befindet sich beispielsweise der. Kontakt nsa des bistabilen Relais NSA bei Abheben des Handapparates in der Sprechlage SL, so fließt der Identifizierungsstrom durch den Sprechkreis SK, wodurch eine Identifizierung und nachfolgende Aufschaltung der Amtsleitung sichergestellt ist. Durch mechanische Beeinflussung -zoBo Fall des Apparates- kann das Relais NSA schon in die Wähllage WL geraten bevor der Handapparat aufgehoben wurde, Bei Abnahme des Handapparates wird dann die Schleife La/Lb auf die Wähleinrichtung geschaltet.
  • Da wegen des sehr geringen Identifizierungsstromes (ca. 0,1 mA), die Vierschichtdiode VD1 gesperrt bleibt, ist auch der Transistor T1 gesperrt, Somit fließt der Identifizierungsstrom über eine Diode des Gleichrichters GL, den Widerstand R6, den Transistor T3 parallel zum Widerstand R7 in den Kondensator C3 und lädt diesen auf. Der Stromkreis wird geschlossen über die zweite leitende Diode des Verpolungsschutzgleichrichters GLo Erreicht der Kondensator C3 seine durch die Zündspannung der Verschichtdiode VD2 definierte Betriebsspannung,. so schaltet VD2 durch und entlädt sich über die Diode D5 auf die Relaiswicklung des Relais NSA, wodurch der Relaiskontakt nsa in die Sprechschaltung gebracht wird0 Durch Dimensionierung ist sichergestellt, daß die Vierschichtdiode VD2 auf jeden Fall bei einer niedrigeren Spannung durchzündet als die Vierschichtdiode VDlo In einer anderen Ausgestaltung der Schaltung ist es auch möglich die Vierschichtdioden VD1 und VD2 durch eine äquivalente Anordnung aus Transistoren und Zenerdioden zu ersetzen, Anschaltung an herkömmliche Ämter Bei dieser Maßnahme wird sofort nach Abnahme des Handapparates der volle Schleifenstrom auf den Fernsprechapparat geschaltet0 Liegt der Relaiskontakt nsa in der Sprechlage SL, dann ist die Schleife La/Lb über den Sprechkreis SK geschlossen und die Wähleinrichtung abgeschaltet0 Nach erstmaligen Drücken einer Taste der Wähltastatur WT, wird der Sprechkreis SK über den niederohmigen Widerstand R1 und den Kontakt U kurzgeschlossen und die Schleife auf die Reihenschaltung einer Diode des Gleichrichters GL, den Transistor T1, , die Zenerdiode Z parallel zum Widerstand R2, sowie die zweite stromführende Diode des Gleichrichters GL geschaltet0 Mit Anschalten der Spannung an den Wählkreis baut sich über die Diode Z die Zenerspannung auf, aus der über die Diode D1 der Kondensator C1 aufgeladen wird0 Im Moment des Einschaltens fließt der Schleifenstrom über die Basis-Emitter-Strecke des Transistors T1, Vierschichtdiode VD1, Verstärker V, so daß durch den hohen Schleifenstrom die Vierschichtdiode VDl sofort durchgezündet wird und in leitendem Zustand verbleibt, Durch diese Schaltungsmaßnahme wird der leitende Zustand von T1 sichergestellt0 Das Ansteigen der Versorgungsspannung an der Zenerdiode Z wird durch die Schaltung VZ1 verzögert und an die Tastwahlelektronik IC übergeben, Das daraufhin in der Tastwahlelektronik IC erzeugte Signal wird über die Kapazität C2, die Diode D2 und den Widerstand.
  • R3 differenziert, in den Gattern G1 und G2 verstärkt und über die Diode D3 als Formierirnpuls an die Relaisansteuerung RA gegeben, wodurch das bistabile Relais NSA mittels eines Impulses zunächst in der Sprechlage SL fixiert wird0 Gleich danach wird über einen Ansteuerimpuls aus der Tastwahlelektronik IC über die Diode D4 ein weiterer Umschaltimpuls an die Relaisansteuerung RA gegeben, die den Relaiskontakt nsa in die Wähllage WL bringt. Der gleiche Impuls aus der Tastwahlelektronik IC verhindert über den WiderstandR und den Transistor T2 durch Sperrung von Transistor T3 die Aufladung des Kondensators c30 Diese.Maßnahme ist erforderlich um den Parallelweg zum Transistor T1 sicher zu sperren, Durch die Sperrung von T3 bleibt die Vierschichtdiode VD2 außer Funktion, Für den Fall, daß durch äußere mechanische Einflüsse, zoBo Fall des Fernsprechapparates der Relaiskontakt nsa des bistabilen Relais NSA bereits vor Abheben des Handapparates sich in der Wähllage WL befindet, wird nach dem Abheben des Handapparates der Schleifenstrom den erwähnten Weg, nämlich über die leitende Diode des Gleichrichters GL, den leitenden Transistor T1 und die Zenerdiode Z durchfließen0 Die sich an der Zenerdiode aufbauende Spannung wird durch die Schaltungseinzelheit VZ1 verzögert, danach der Tastwahlelektronik IC zugeführt und danach über die Bauelemente C2, D2, R3, G1, G2 und D3 als Formierimpuls derRelaisansteuerung RA zugeführt, welche ein Umschalten des Relaiskontaktes nsa in die Sprechlage SL bewirkt, Der Kurzschluß über den Sprechkreis SK ist hierdurch aufgehoben und die Wahl einer Rufnummer kann in der beschriebenen Weise beginnen.
  • L e e r s e i t e

Claims (1)

  1. PATENT ANS p C H >; Schaltungsanordnung zur Erzeugung definierter Ausgangspotentiale in Einrichtungen zum tastenbetätigten Verbindungsaufbau in Fernmelde-, insbesondere Fernsprechanlagen mit tastenbetätigter elektronischer Wählimpulserzeugung, Verpolungs- und Überspannungsschutz sowie- Nummernschalterimpuls- und Nummernschalterarbeitskontakt, gekennzeichnet durch die Vereinigung folgender Merkmale: a) bei Anschaltung an Wählsternschalter dadurch, daß nach Abnahme des Handapparates und Wähllage (WL) des Kontaktes (nsa) des bistabilen Relais (NSA) der Kondensator (C3) über die Schaltungseinzelheit (R6,R7,T3) geladen wird, wobei der Ladevorgang erst dadurch realisierbar ist, wenn die Vierschichtdiode (VD1) den niederohmigen Parallelkreis (T1,Z,R2) unwirksam schaltet, und daß die so gespeicherte Energie von (C3) über die von ihr gezündete Vierschichtdiode (VD2) über die Diode (D5) an die Relaiswicklung des bistabilen Relais (NSA) geschaltet wird, wodurch der Relaiskontakt (nsa) in die Sprechlage (SL) gebracht wird; b) bei Anschaltung an herkömmliche Ämter dadurch, daß nach Abnahme des Handapparates und Wähllage (WL) des Kontaktes (nsa) des bistabilen Relais (NSA) der Spannungsabfall an der Zenerdiode (Z), bedingt durch den durchgeschalteten Transistor (T1), verzögert durch das Verzögerungsglied (VZ1) und mittels des Schaltungsteiles (C2,D2,R3,G2,G1) zu einem Impuls geformt wird, welcher über die Diode (D3) die Relaisansteuerung (RA) aktiviert, wodurch das Relais (NSA) geschaltet und der Kontakt (nsa) in die Sprechlage (SL) gebracht wirdo
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2504323A1 (fr) * 1981-04-16 1982-10-22 Radiotechnique Compelec Poste telephonique d'abonne muni d'un dispositif de protection contre les surtensions
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