DE2604939A1 - Verfahren zum herstellen von kleinen durchgangsloechern - Google Patents
Verfahren zum herstellen von kleinen durchgangsloechernInfo
- Publication number
- DE2604939A1 DE2604939A1 DE19762604939 DE2604939A DE2604939A1 DE 2604939 A1 DE2604939 A1 DE 2604939A1 DE 19762604939 DE19762604939 DE 19762604939 DE 2604939 A DE2604939 A DE 2604939A DE 2604939 A1 DE2604939 A1 DE 2604939A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- holes
- photoresist
- radiation
- hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 111
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 32
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 12
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 10
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 229910021486 amorphous silicon dioxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 9
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 9
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 3
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- -1 for example Chemical compound 0.000 description 1
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000080 wetting agent Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/1626—Manufacturing processes etching
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B26—HAND CUTTING TOOLS; CUTTING; SEVERING
- B26F—PERFORATING; PUNCHING; CUTTING-OUT; STAMPING-OUT; SEVERING BY MEANS OTHER THAN CUTTING
- B26F1/00—Perforating; Punching; Cutting-out; Stamping-out; Apparatus therefor
- B26F1/26—Perforating by non-mechanical means, e.g. by fluid jet
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/162—Manufacturing of the nozzle plates
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/1631—Manufacturing processes photolithography
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/164—Manufacturing processes thin film formation
- B41J2/1642—Manufacturing processes thin film formation thin film formation by CVD [chemical vapor deposition]
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/164—Manufacturing processes thin film formation
- B41J2/1643—Manufacturing processes thin film formation thin film formation by plating
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/164—Manufacturing processes thin film formation
- B41J2/1646—Manufacturing processes thin film formation thin film formation by sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/02—Local etching
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/20—Masks or mask blanks for imaging by charged particle beam [CPB] radiation, e.g. by electron beam; Preparation thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/143—Electron beam
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/145—Infrared
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/167—X-ray
- Y10S430/168—X-ray exposure process
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/942—Masking
- Y10S438/948—Radiation resist
- Y10S438/95—Multilayer mask including nonradiation sensitive layer
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/942—Masking
- Y10S438/948—Radiation resist
- Y10S438/952—Utilizing antireflective layer
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/978—Semiconductor device manufacturing: process forming tapered edges on substrate or adjacent layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Forests & Forestry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Spinning Methods And Devices For Manufacturing Artificial Fibers (AREA)
Description
260A939
Böblingen, 5. Februar 1976
bg/se
Anmelderin: IBM Deutschland GMBH
Pascalstraße 100 7000 Stuttgart 80
Amtliches Aktenzeichen: Neuanmeldung Aktenzeichen der Anmelderin: GE 975 041
Verfahren zum Herstellen von kleinen Durchgangslöchern
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von kleinen ;
Durchgangslöchern in aus zwei Schichten bestehenden Platten, bei j
dem die Löcher in den beiden Schichten nacheinander hergestellt ;
werden. Solche Durchgangslöcher sollen insbesondere als Düsen !
für Tintenstrahldrucker Verwendung finden. ι
Beim Tintenstrahldruck wird eine Folge von kleinen Tintentröpfchen;
gegen das Papier geschleudert. Die Tinte wird über eine Düse oder mehrere dicht beieinanderliegende Düsen aus einem Behälter ausgestoßen,
dessen Tinteninhalt beispielsweise durch ein Piezokristall in Schwingungen versetzt wird. Dadurch bilden sich in
einem Abstand außerhalb der Düse Tintentröpfchen, die durch eine Ladeelektrode im Augenblick ihrer Entstehung selektiv aufgeladen
werden. Im Falle einer einzelnen Düse werden die Tropfen durch ein konstantes Ablenkfeld dadurch mehr oder weniger stark
abgelenkt, daß die Ladung, die durch die Ladeelektrode auf die Tropfen gebracht wird, in der Amplitude variiert. Beim Tintenstrahldrucken
mit einer Mehrfachdüse stoßen alle Düsen gleichzeitig Tropfen aus, und vor jeder Düse im Bereich der Tropfenbildung
ist eine Ladeelektrode angeordnet. Durch ein konstantes
709832/0843
Ablenkfeld wird bewirkt, daß die Tropfen, die durch die Ladeelektrode
eine Ladung erhalten haben, so abgelenkt werden, daß sie das Papier nicht erreichen. Nur die ungeladenen Tropfen fliegen geradlinig
auf das Papier und bilden die Zeichen. Tintenstrahldrucker der ersten Art mit einer Düse sind beispielsweise in dem US-Patent
3 596 275 beschrieben. Tintenstrahldrucker mit mehreren parallelen Düsen sind beispielsweise in dem US-Patent 3 373 437 beschrieben.
Tintenstrahldruck hoher Qualität setzt voraus, daß die einzelnen Tröpfchen und damit die Punkte, die sich beim Auftreffen der
Tropfen auf dem Papier ergeben, hinreichend klein sind und dicht beieinanderliegen, so daß sie nicht mehr als einzelne Tröpfchen
erkennbar sind. Um dieses Ergebnis zu erzielen, sind auf der Länge eines Zentimeters 80 Tropfen oder mehr erforderlich, wobei
jeder Tropfen weniger als 0,175 mm Durchmesser haben soll. Um dies
zu erreichenf sollten die Düsenöffnungen nicht größer als 0,05 mm
im Durchmesser sein und bei Mehrfachdüsen sollte der Abstand von Lochmitte zu Lochmitte in der Größenordnung von 0,25 mm oder mö-
\glichst noch kleiner sein.
In der älteren deutschen Patentanmeldung P 25 54 085,6 wurde bereits
der Vorschlag gemachtf die aus der Halbleitertechnik bekannte
,Methode der Photolithographie zur Herstellung von Düsen für Tintenstrahldrucker
anzuwenden. Gemäß dieser älteren Patentanmeldung werden Durchgangslöcher in Platten hergestellt, die aus zwei
Schichten, beispielsweise einer dicken Siliziumschicht und einer dünnen Siliziumdioxidschicht bestehen. Mit Hilfe der oben erwähnten
Ätztechnik werden zunächst kegelförmige Löcher in die ι dicke Siliziumschicht geätzt und anschließend kleinere Löcher
!in die dünne Siliziumdioxidschicht. Der Vorteil dieses Verfahrens
liegt darin, daß die eigentlichen Dtisenöffnungen, die durch die !
kleinen Löcher in der dünnen Siliziumdioxidschicht gebildet wer- !
den, mit sehr engen Toleranzen bezüglich des Durchmessers und des Abstandes zu etwaigen anderen Düsenöffnungen hergestellt
werden können. Da beide Löcher in den beiden Schichten von '
GE 975 041
709832/0843
verschiedenen Seiten aus geätzt werden, ist es erforderlich, daß
die Masken auf die Photolackschichten an den Oberflächen des zweischichtigen Materials bezüglich ihrer öffnungen genau untereinander
liegen müssen, damit die Löcher in den beiden Schichten genau fluchten. Wegen der geringen Abmessungen ist es schwer,
die Masken so zu justieren, daß die Löcher die gleiche Symmetrieachse aufweisen. Eine seitliche Verschiebung der Symmetrieachsen
kann aber zur Folge haben, daß der Tintenstrahl nicht senkrecht zur Oberfläche der Düsen ausgestoßen wird.
Die Erfindung geht ebenfalls von einem Zweischichten-Material aus, wobei wenigstens in eine der Schichten ein Loch eingeätzt
wird. Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren anzugeben, mit dem es möglich ist, die Löcher in den beiden Schichten der Platte
So präzise untereinander herzustellen, daß die Symmetrieachsen der beiden Löcher zusammenfallen.
Pas erfindungsgemäße Verfahren ist dadurch gekennzeichnet, daß
die erste Schicht aus einem für eine Strahlung eines bestimmten Wellenbereiches undurchlässigen und die zweite Schicht aus einem
für diese Strahlung durchlässigen Material besteht, daß zunächst das Loch (die Löcher) in der ersten Schicht hergestellt wird (werden)
, daß die Außenseite der zweiten Schicht mit Positiv-Photolack überzogen und dieser dann durch das Loch (die Löcher) in der
ersten Schicht hindurch belichtet wird und daß nach Entwicklung des Photolacks das Loch (die Löcher) in der zweiten Schicht geätzt
wird (werden).
Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren können nicht nur Düsen für Tintenstrahldrucker hergestellt werden. Nach diesem Verfahren
lassen sich allgemein Durchgangslöcher herstellen, bei denen
es auf sehr hohe Präzision ankommt. Solche Durchgangslöcher
könnten beispielsweise auch als Düsen für das Ziehen feinster Kunststoffäden verwendet werden.
GE 975 041
709832/0843
Nachstehend sollen Ausführungsbeispiele des erfindungsgemäßen Verfahrens anhand der Figuren näher erläutert werden.
Fig. 1 erläutert die wichtigsten Schritte des Verfahrens
nach der Erfindung,
Fig. 2 veranschaulicht weitere Ausgestaltungen des in
Fig. 1 dargestellten Verfahrens.
; Ausgangsmaterial für das erfindungsgemäße Verfahren ist die in
Fig. IA dargestellte Platte, die aus der ersten Schicht 1 und einer zweiten Schicht 2 besteht. Im dargestellten Beispiel ist
die Schicht 1 wesentlich dünner als die Schicht 2. In die Schicht 1 sind in davor liegenden Verfahrensschritten Löcher 3 und 4 eingebracht
f die die eigentlichen späteren Düsenöffnungen bilden. Als,
Verfahren zum Herstellen dieser Löcher 3 und 4 eignen sich beispielsweise das Ätzen durch Photolackmasken, mechanisches Bohren
oder Bohren mit Elektronenstrahlen, Ein weiteres Verfahren zur Herstellung der Löcher in der Schicht 1 soll später anhand der
I Fig. 2 beschrieben werden. Die Schicht 1 besteht vorzugsweise aus Metall, sie sollte bei Verwendung der Durchgangsöffnungen als
Düsen für Tintenstrahldrucker der sehr aggressiven Tinte gut widerr
; stehen. Besonders zweckmäßig hierfür sind die Edelmetalle Gold ;und Platin. Die zweite Schicht 2 besteht im vorliegenden Aus-
! führungsbeispiel aus amorphem Siliziumdioxid, also Quarzglas. ;
! In einem ersten Verfahrensschritt, in Fig. IA dargestellt, wird iauf die Außenseite der zweiten Schxt it 2 eine dünne Schicht 5
! aus Positiv-Photolack aufgebracht.
j Im nächsten Verfahrensschritt, FIg. IB, wird die Platte von der
! Außenseite der ersten Schicht 1 her mit Licht im sichtbaren WeI-lenbereichr
angedeutet durch die Pfeile 6, belichtet. Dieses ; Licht 6 kann die erste Schicht lr die beispielsweise aus Gold ι
besteht, nur an den Stellen durchdringen, an denen sich die Löcher 3 und 4 befinden. Da die zweite Schicht 2 aus Quarzglas
ι
GE 975 041
GE 975 041
709832/0843
besteht, können die Lichtstrahlen 6 diese Schicht durchdringen und die Positiv-Photolackschicht 5 an den Stellen 3' und 4', >
die genau unter den Löchern 3 und 4 liegen/ belichten. Anschlie- ; ßend wird der Photolack 5 entwickelt, d.h. an den Stellen 31,
entfernt, so daß der Photolack an diesen Stellen Löcher aufweist. \
Anstelle der Belichtung durch Licht im sichtbaren Wellenbereich können auch Strahlungen anderer Frequenzen angewandt werden. So
kann beispielsweise zur Belichtung der Photolackschicht 5 Infrarotstrahlung oder Röntgenstrahlung verwendet werden. Wichtig
ist, daß die Materialien der Schichten 1 und 2 derart ausgewählt sind, daß die erste Schicht 1 die Strahlung nicht oder
nur stark gedämpft hindurchläßt, während die Schicht 2 für die Strahlung weitgehend durchlässig sein muß. So kann man beispielsweise
bei der Anwendung von Infrarotstrahlung für die Schicht l Gold oder Platin geeigneter Dicke verwenden, während sich als
Material für die Schicht 2 kristallines Silizium eignet.
Photolacke sind im Handel erhältlich, sie bestehen aus einer lichtempfindlichen Resist-Lösung, einem Verdünner und einem
Entwickler. Die Resist-Lösung enthält ein lösliches Polymer und einen Photosensibilisator oder Photoinitiator, Es können Stabilisatoren
und Weichmacher beigemengt sein. In Positiv-Resistsystemen ist der Verdünner eine wässrige stark alkalische Lösung, die
einen zusätzlichen Stoff, z.B. ein Benetzungsmittel enthält.
Im nächsten Verfahrensschritt, Fig. IC, wird durch Pfeile 7
angedeutet, ein Ätzmittel zugeführt, das die Schicht 2 nur von den öffnungen 31, 41 her angreifen kann. Das Ätzmittel 7
erzeugt schließlich nach längerer Einwirkung in der Siliziumdioxidschicht 2 kegelförmige Löcher 8 und 9.
Zum Ätzen der Siliziumdioxidschicht 2 kann die ganze Platte in das Ätzmittel getaucht werden. In diesem Falle sollte allerdings
ein sogenanntes selektives Ätzmittel verwendet werden, das die Schicht 1, d.h. in diesem Falle Gold oder Platin, nicht angreift.
GE 975 041
709832/0843
Sollen die Durchgangslöcher aber, was bei Düsen häufig erwünscht
ist, Kegelform erhalten, dann empfiehlt es sich, die Außenseite der Goldschicht 1 mit Photolack abzudecken, damit das Ätzmittel
nur über die Öffnungen 31, 41 auf die Siliziumdioxidschicht 2 einwirken
kann.
Andererseits ist es auch möglich, das Ätzmittel beispielsweise in Form eines Sprühnebels nur der Außenseite der Platte zuzuführen,
die durch die Photolackmaske 5 abgedeckt ist. Als Ätzmittel für Siliziumdioxid eignet sich beispielsweise Flußsäure, die mit
Ammoniumfluorid im Verhältnis 1:5 gepuffert ist.
Entfernt man gemäß Schritt 1D die Photolackschicht (Stripping),
dann erhält man die Düsenplatte mit Durchgangslöchern oder Düsen 3,8 und 4,9. Die Photolackschicht kann mit Säuren oder organischen
Lösungsmitteln entfernt werden. Aus Gründen der Sicherheit empfiehlt es sich jedoch, den Photolack durch chemisches
Verbrennen in einer Sauerstoff-Glimmentladung zu entfernen. Der Photolack verascht in wenigen Minuten. Die Entladung im
Kaltverascher wird beispielsweise bei einer Frequenz von 13,56 MHz betrieben. Der Sauerstoffdruck liegt bei ca. 1 Torr.
Anhand der Fig, 2 soll nun in speziellerer Form, als anhand der Fig. 1, ein Beispiel für die Durchführung eines erfindungsgemäßen
Verfahrens beschrieben werden. Fig. 2A zeigt als Ausgangsmaterial die zweite Schicht 20, beispielsweise aus Siliziumdioxid. Die Dicke
dieser Schicht kann beispielsweise zwischen 0,13 und 0,25 mm
betragen. Im Schritt 2B wird auf die Oberseite der zweiten Schicht 20 eine dünne Keimschicht 21 aufgebracht. Diese Keimschicht 21 besteht
aus zwei Lagen, einer dünnen Lage Chrom und einer darüberliegenden Lage Gold. Das Aufbringen der Keimschicht 21 kann mit
Hilfe der bekannten Kathodenzerstäubung (Sputtering) oder durch Aufdampfen erfolgen. Die Dicke der gesamten Keimschicht 21 liegt
in der Größenordnung von 0,01 um.
GE 975 041
709832/0fi
Im Schritt 2C werden an der Stelle, an der sich später die Düsenöffnungen befinden sollen, zylinderförmige Inseln 22 und
aus Photolack erzeugt. Diese Photolackinseln 22 und 23 werden nach dem bekannten, in der Halbleitertechnik allgemein angewandten
photolithographischen Verfahren aufgebracht. Dies geschieht in der Weise, daß eine die Keimschicht 21 überdeckende Photolackschicht
mit Hilfe einer Maske, die an den Stellen der Photolackinseln 22 und 23 lichtdurchlässig ist, belichtet und dann entwickelt
wird. In diesem Falle wäre ein sogenannter Negativ-Photolack zu verwenden. Es kann jedoch auch ein sogenannter Positiv-Photolack
verwendet werden. In diesem Fall müßte die Maske so ausgebildet sein, daß sie an den Stellen der Photolackinseln
22 und 23 kein Licht hindurchläßt.
Gemäß dem in Fig. 2D dargestellten Schritt wird anschließend auf die Keimschicht 21 als erste Schicht eine Schicht aus Gold durch
galvanische Elektroplattierung aufgebracht. Die Dicke der Schicht beträgt beispielsweise 4 um.
Anschließend, im Schritt 2E werden die Photolackinseln 22 und beispielsweise auf chemischem Wege durch Azeton oder mit Hilfe
der anhand der Fig. 1D beschriebenen Kaltveraschung entfernt.
Danach wird auf die Unterseite der zweiten Schicht 20 eine Photolackschicht 25 aufgebracht. Durch die Löcher 26 und 27 in der
ersten Schicht 24, die nach der Entfernung der Photolackinseln und 23 entstehen, kann nun die Photolackschicht 25 durch die
Schicht 20 hindurch - hier mit Licht im sichtbaren Frequenzbereich - belichtet werden. Die Keimschicht 21 ist im allgemeinen
so dünn, daß das Licht nahezu ungehindert durch sie hindurchdringen kann. Sollte diese Schicht jedoch das Licht zu stark dämpfen,
dann empfiehlt es sich, die Keimschicht 21 an den Stellen 26 und 27 vor der Belichtung zu entfernen, was beispielsweise durch Ätzen,
insbesondere das sogenannte Sputterätzen erfolgen kann. Nach der Belichtung wird die Photolackschicht 25, die aus Positiv-Photolack
besteht, entwickelt, so daß sich an den Stellen 26' und 27', die
GE 975 041
709832/0843
sich genau unter den Löchern 26 und 27 befinden, Löcher in der Photolackschicht 25 bilden. Im nächsten Verfahrensschritt, in
Fig. 2F, wird nun beispeilsweise mit im Verhältnis 5:1 durch Ammoniumfluorid gepufferte Flußsäure die Schicht 20 von den
Löchern 26' und 27' aus geätzt und zwar so lange, bis in der
Schicht 2O trichterförmige Löcher entstehen, die bis zu den Löchern 26, 27 reichen. Falls die Keimschicht nicht vorher zwecks
besserer Belichtung durch Sputterätzen entfernt wurde, kann diese Keimschicht nun beim ÄtzVorgang, gemäß Fig. 2F ebenfalls mit
weggeätzt werden. Damit das Ätzmittel nicht zu lange auf die Löcher 26 und 27 einwirkt und diese etwa verformt oder vergrößert,
empfiehlt es sich, auf die Außenseite der ersten Schicht 24 während des Ätzens eine Photolackschicht 28 aufzubringen.
Gemäß Fig. 2G werden zunächst die beiden Photolackschichten 28 und 25 nach einem der bereits oben beschriebenen Verfahren entfernt.
Da die Tinte in Tintenstrahldruckern sehr aggressiv ist, empfiehlt es sich, die Oberfläche der Siliziumdioxidschicht 20
durch eine dünne Oberflächenbeschichtung 29 beispielsweise von Gold oder Platin zu sichern. Auch diese Schutzschicht 29 kann
beispielsweise durch Kathodenzerstäubung (Sputtering) oder durch Aufdampfen aufgebracht werden.
Nachfolgend sollen, um einen Eindruck von dem mit dem erfindungsgemäßen
Verfahren erzielbaren Abständen und Größen zu geben, typische Abmessungen angegeben werden, wie sie beispielsweise bei
Düsen für Tintenstrahldruckern notwendig sind. Die Lochdurchmesser in der oberen Schicht 24 betragen beispielsweise 10 bis 20 um.
Wie bereits erwähnt, liegt die Dicke der Schicht 24 in der Größenordnung von 4 um. Die Dicke der Schicht 24 beträgt beispielsweise
0,13 mm bis Or25 mm. In Mehrfachspitzköpfen können die Abstände
zwischen benachbarten Düsen zwischen 0,1 und 0,4 mm liegen.
GE 975 041
709832/0843
Claims (11)
- PATENTANSPRÜCHEVerfahren zum Herstellen von kleinen Durchgangslöchern, insbesondere Düsen für Tintenstrahldrucker, in aus zwei Schichten bestehenden Platten, bei dem die Löcher in den beiden Schichten nacheinander hergestellt werden, dadurch gekennzeichnet,daß die erste Schicht (1; 24) aus einem für eine Strahlung eines bestimmten Wellenbereichs undurchlässigem und die zweite Schicht (2; 20) aus einem für diese Strahlung durchlässigem Material besteht, daß zunächst das Loch (die Löcher) (3, 4; 26, 27) in der ersten Schicht hergestellt wird (werden), daß die Außenseite der zweiten Schicht mit Positiv-Photolack (5; 25) überzogen und dieser dann durch das Loch (die Löcher) (3, 4; 26, 27) in der ersten Schicht hindurch belichtet wird und daß nach Entwicklung des Photolackes (5; 25) das Loch (die Löcher) (8, 9; 29,30) in der zweiten Schicht (2; 20) geätzt wird (werden).
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Strahlung im sichtbaren Bereich liegt und daß die erste Schicht (1; 24) aus Metall und die zweite Schicht (2; 20) aus Glas besteht.
- 3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,daß die zweite Schicht (2; 20) aus amorphem Siliziumdioxid besteht.
- 4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Strahlung im Infrarotbereich liegt und daß die erste Schicht (1; 24) aus Metall und die zweite Schicht (2; 20) aus Silizium besteht.
- 5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,daß die Strahlung Röntgenstrahlung ist und daß die erste Schicht (1; 24) aus Metall besteht.GE 975 041 ORIGINAL INSPECTED
- 6. Verfahren nach Anspruch 2, 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Schicht (1; 24) aus Gold besteht.
- 7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet ,daß die Löcher (3, 4) in der ersten Schicht (1) mit Elektronenstrahl gebohrt oder nach Abdeckung mit Photolack geätzt werden.
- 8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet ,daß das Loch (die Löcher) (26, 27) dadurch in die erste Schicht (24) gebracht werden, daß auf die zweite Schicht (20) an der Stelle der späteren Löcher (26, 27) Photolackinseln (22f 23) aufgebracht werdenf und daß dann die erste Schicht (24) aufplattiert oder aufgesputtert wird.
- 9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet ,daß die erste Schicht (1; 24) während des Ätzens der zweiten Schicht (2; 20) mit Photolack überzogen ist.
- 10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet,daß auf die Innenfläche des Loches (der Löcher) (8, 9; 29, 30) der zweiten Schicht (2; 20) eine Schutzschicht (31) aufgebracht wird.
- 11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Schutzschicht (31) aus Gold besteht, das aufplattiert, aufgesputtert oder aufgedampft wird.GE 975 O41'709832/0843
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2604939A DE2604939C3 (de) | 1976-02-09 | 1976-02-09 | Verfahren zum Herstellen von wenigstens einem Durchgangsloch insbesondere einer Düse für Tintenstrahldrucker |
US05/727,831 US4059480A (en) | 1976-02-09 | 1976-09-29 | Method of forming viaducts in semiconductor material |
FR7639684A FR2340181A1 (fr) | 1976-02-09 | 1976-12-22 | Procede de fabrication de petits trous de connexion |
GB806/77A GB1567340A (en) | 1976-02-09 | 1977-01-10 | Method of forming holes in a planar element |
IT19719/77A IT1118002B (it) | 1976-02-09 | 1977-01-28 | Processo per praticare piccoli fori passanti impiegati particolarmente come ugelli per stampatrici a getto d'inchiostro |
JP1031677A JPS5297338A (en) | 1976-02-09 | 1977-02-03 | Method of forming small holes |
CA271,450A CA1072219A (en) | 1976-02-09 | 1977-02-09 | Method of forming viaducts in semiconductor material |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2604939A DE2604939C3 (de) | 1976-02-09 | 1976-02-09 | Verfahren zum Herstellen von wenigstens einem Durchgangsloch insbesondere einer Düse für Tintenstrahldrucker |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2604939A1 true DE2604939A1 (de) | 1977-08-11 |
DE2604939B2 DE2604939B2 (de) | 1977-11-24 |
DE2604939C3 DE2604939C3 (de) | 1978-07-27 |
Family
ID=5969390
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2604939A Expired DE2604939C3 (de) | 1976-02-09 | 1976-02-09 | Verfahren zum Herstellen von wenigstens einem Durchgangsloch insbesondere einer Düse für Tintenstrahldrucker |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4059480A (de) |
JP (1) | JPS5297338A (de) |
CA (1) | CA1072219A (de) |
DE (1) | DE2604939C3 (de) |
FR (1) | FR2340181A1 (de) |
GB (1) | GB1567340A (de) |
IT (1) | IT1118002B (de) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2854822A1 (de) * | 1977-12-19 | 1979-06-21 | Mead Corp | Aus massivem, einheitlichem metall bestehende lochplatte zur verwendung in einem tintenstrahldrucker und verfahren zu ihrer herstellung |
EP0140333A2 (de) * | 1983-10-28 | 1985-05-08 | Alcatel N.V. | Tonwiedergabesystem |
DE3917434A1 (de) * | 1989-05-29 | 1989-11-09 | Siemens Ag | Mehrschichtig aufgebauter tintendruckkopf mit durch selektives aetzen erzeugten tintenkanaelen |
DE19512715A1 (de) * | 1994-04-11 | 1995-10-19 | Fujitsu Ltd | Tintenstrahl-Aufzeichnungsgerät, eine Düsenplatte für den in dieses Gerät eingebauten Aufzeichnungskopf, und Verfahren zur Herstellung einer solchen Düsenplatte |
EP1992460A3 (de) * | 2007-05-18 | 2009-05-20 | He, Yi-Lu | Verfahren zum Bohren von Löchern auf Isolatoren, Herstellung optischer Fenster und Winkeleinstellung der Umfangsfläche des optischen Fensters sowie Vorrichtung zum Bohren von Löchern auf Isolatoren und Bilderfassungsgerätemodul |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4106976A (en) * | 1976-03-08 | 1978-08-15 | International Business Machines Corporation | Ink jet nozzle method of manufacture |
DE2802976C2 (de) * | 1978-01-24 | 1980-02-07 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Durchbrüchen (Löchern) in Glasplatten, vorzugsweise mit feinsten Strukturen |
CA1109927A (en) * | 1978-06-26 | 1981-09-29 | Edmund T. Marciniec | Manufacture of thin film thermal print head |
US4206541A (en) * | 1978-06-26 | 1980-06-10 | Extel Corporation | Method of manufacturing thin film thermal print heads |
US4349647A (en) * | 1978-07-19 | 1982-09-14 | Somar Manufacturing Co., Ltd. | Resist material for micro-fabrication |
US4273858A (en) * | 1978-07-19 | 1981-06-16 | Somar Manufacturing Co., Ltd. | Resist material for micro-fabrication with unsaturated dicarboxylic moiety |
JPS55121077A (en) * | 1979-03-13 | 1980-09-17 | Seiko Epson Corp | Manufacture of ink jet head |
DE2922416A1 (de) * | 1979-06-01 | 1980-12-11 | Ibm Deutschland | Schattenwurfmaske zum strukturieren von oberflaechenbereichen und verfahren zu ihrer herstellung |
DE3070833D1 (en) * | 1980-09-19 | 1985-08-08 | Ibm Deutschland | Structure with a silicon body that presents an aperture and method of making this structure |
JPS57208255A (en) * | 1981-06-18 | 1982-12-21 | Canon Inc | Ink jet head |
JPS57208256A (en) * | 1981-06-18 | 1982-12-21 | Canon Inc | Ink jet head |
US4728392A (en) * | 1984-04-20 | 1988-03-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Ink jet printer and method for fabricating a nozzle member |
EP0238694B1 (de) * | 1986-03-27 | 1992-01-29 | Ibm Deutschland Gmbh | Verfahren zur Herstellung identisch angeordneter Ausrichtmarkierungen auf gegenüberliegenden Seiten einer Halbleiterscheibe |
JPH0680713B2 (ja) * | 1989-10-11 | 1994-10-12 | 三菱電機株式会社 | ウエハ試験用プローブカードおよびその製造方法 |
US5189777A (en) * | 1990-12-07 | 1993-03-02 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Method of producing micromachined differential pressure transducers |
JP3290495B2 (ja) * | 1992-04-21 | 2002-06-10 | キヤノン株式会社 | インクジェット記録ヘッドの製造方法 |
JP3196796B2 (ja) * | 1992-06-24 | 2001-08-06 | セイコーエプソン株式会社 | インクジェット記録ヘッドのノズル形成方法 |
US5658471A (en) * | 1995-09-22 | 1997-08-19 | Lexmark International, Inc. | Fabrication of thermal ink-jet feed slots in a silicon substrate |
US5901425A (en) * | 1996-08-27 | 1999-05-11 | Topaz Technologies Inc. | Inkjet print head apparatus |
WO1999044227A1 (fr) * | 1998-02-27 | 1999-09-02 | Stella Chemifa Kabushiki Kaisha | Agent de traitement de surface pour micro-usinage et procede de traitement de surface |
US6644789B1 (en) | 2000-07-06 | 2003-11-11 | Lexmark International, Inc. | Nozzle assembly for an ink jet printer |
US6402301B1 (en) | 2000-10-27 | 2002-06-11 | Lexmark International, Inc | Ink jet printheads and methods therefor |
US6648732B2 (en) * | 2001-01-30 | 2003-11-18 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Thin film coating of a slotted substrate and techniques for forming slotted substrates |
US6684504B2 (en) | 2001-04-09 | 2004-02-03 | Lexmark International, Inc. | Method of manufacturing an imageable support matrix for printhead nozzle plates |
US6902867B2 (en) * | 2002-10-02 | 2005-06-07 | Lexmark International, Inc. | Ink jet printheads and methods therefor |
US8020971B2 (en) * | 2006-02-28 | 2011-09-20 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Liquid ejection head, liquid ejection apparatus and liquid ejection method |
JP4706850B2 (ja) * | 2006-03-23 | 2011-06-22 | 富士フイルム株式会社 | ノズルプレートの製造方法、液滴吐出ヘッド及び画像形成装置 |
JP5596919B2 (ja) * | 2008-11-26 | 2014-09-24 | キヤノン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US10269863B2 (en) | 2012-04-18 | 2019-04-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Methods and apparatus for via last through-vias |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3202094A (en) * | 1961-10-02 | 1965-08-24 | Little Inc A | Metal stencils and process for making them |
US3313626A (en) * | 1962-08-01 | 1967-04-11 | Russeli H Whitney | Process of making a lithographic printing plate |
US3576669A (en) * | 1968-08-15 | 1971-04-27 | Nasa | Method for coating through-holes |
US3742229A (en) * | 1972-06-29 | 1973-06-26 | Massachusetts Inst Technology | Soft x-ray mask alignment system |
US3958255A (en) * | 1974-12-31 | 1976-05-18 | International Business Machines Corporation | Ink jet nozzle structure |
-
1976
- 1976-02-09 DE DE2604939A patent/DE2604939C3/de not_active Expired
- 1976-09-29 US US05/727,831 patent/US4059480A/en not_active Expired - Lifetime
- 1976-12-22 FR FR7639684A patent/FR2340181A1/fr active Granted
-
1977
- 1977-01-10 GB GB806/77A patent/GB1567340A/en not_active Expired
- 1977-01-28 IT IT19719/77A patent/IT1118002B/it active
- 1977-02-03 JP JP1031677A patent/JPS5297338A/ja active Granted
- 1977-02-09 CA CA271,450A patent/CA1072219A/en not_active Expired
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2854822A1 (de) * | 1977-12-19 | 1979-06-21 | Mead Corp | Aus massivem, einheitlichem metall bestehende lochplatte zur verwendung in einem tintenstrahldrucker und verfahren zu ihrer herstellung |
EP0140333A2 (de) * | 1983-10-28 | 1985-05-08 | Alcatel N.V. | Tonwiedergabesystem |
EP0140333A3 (de) * | 1983-10-28 | 1985-10-02 | Alcatel N.V. | Tonwiedergabesystem |
DE3917434A1 (de) * | 1989-05-29 | 1989-11-09 | Siemens Ag | Mehrschichtig aufgebauter tintendruckkopf mit durch selektives aetzen erzeugten tintenkanaelen |
DE19512715A1 (de) * | 1994-04-11 | 1995-10-19 | Fujitsu Ltd | Tintenstrahl-Aufzeichnungsgerät, eine Düsenplatte für den in dieses Gerät eingebauten Aufzeichnungskopf, und Verfahren zur Herstellung einer solchen Düsenplatte |
EP1992460A3 (de) * | 2007-05-18 | 2009-05-20 | He, Yi-Lu | Verfahren zum Bohren von Löchern auf Isolatoren, Herstellung optischer Fenster und Winkeleinstellung der Umfangsfläche des optischen Fensters sowie Vorrichtung zum Bohren von Löchern auf Isolatoren und Bilderfassungsgerätemodul |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS552475B2 (de) | 1980-01-21 |
DE2604939B2 (de) | 1977-11-24 |
FR2340181A1 (fr) | 1977-09-02 |
CA1072219A (en) | 1980-02-19 |
GB1567340A (en) | 1980-05-14 |
JPS5297338A (en) | 1977-08-16 |
DE2604939C3 (de) | 1978-07-27 |
US4059480A (en) | 1977-11-22 |
IT1118002B (it) | 1986-02-24 |
FR2340181B1 (de) | 1980-03-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2604939C3 (de) | Verfahren zum Herstellen von wenigstens einem Durchgangsloch insbesondere einer Düse für Tintenstrahldrucker | |
DE3326781C2 (de) | ||
DE3150109C2 (de) | ||
DE3222680C2 (de) | Tintenstrahlkopf und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE3546063C2 (de) | ||
DE2424338C2 (de) | Verfahren zum Aufbringen von Mustern dünner Filme auf einem Substrat | |
DE3783897T3 (de) | Verfahren zur Herstellung von Matrizen für Plattierungsverfahren. | |
DE69202385T2 (de) | Tintenstrahldruckkopf mit zwei photogemusterten, gehärteten Sperrschichten. | |
EP0006459B1 (de) | Anwendung der Galvanoplastik zur Herstellung von Präzisionsflachteilen | |
DE2854822C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer massiven Lochplatte für die Verwendung in einem Tintenstrahldrucker | |
DE2460988C2 (de) | Verfahren zum Niederschlagen eines Musters aus einem dünnen Film auf einem anorganischen Substrat | |
DE3889712T2 (de) | Kunststofflochplatte für einen Tintenstrahldruckkopf und Herstellungsverfahren. | |
DE2554085B2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Spritzkopfes für einen Tintenstrahldrucker | |
DE2626420C3 (de) | Verfahren zum gleichzeitigen Ätzen von mehreren durchgehenden Löchern | |
DE1804785C3 (de) | Verwendung einer Auftragswalze, deren Oberfläche mit elastisch deformierbaren Vertiefungen oder Gewinden der Oberfläche versehen ist, zum Aufbringen einer viskosen Überzugsmasse auf die Oberfläche eines mit durchgehenden Löchern versehenen flachen Substrats | |
DE3414792C2 (de) | ||
DE2658133A1 (de) | Selbsttragende bestrahlungsmaske mit durchgehenden oeffnungen und verfahren zu ihrer herstellung | |
DE3200388A1 (de) | "tinten- bzw. farbstrahlkopf" | |
DE2855080A1 (de) | Verfahren zur herstellung von duesenplaettchen fuer tintenstrahldrucker | |
EP0546427A1 (de) | Mikroventil und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE2752378C2 (de) | ||
EP0340448A2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Grundplatte mit durch Ätzen hergestellte Einarbeitung für einen Tintendruckkopf | |
DE2425464C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von Dunnschicht-Aperturblenden für Korpuskularstrahlgeräte | |
DE3231831A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines rotationsdrucksiebs | |
DE4243750C5 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Druckform für den Tiefdruck, Siebdruck, Flexodruck oder Offsetdruck |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |