DE2603935A1 - Halbleiteranordnung, insbesondere halbleiterdiode mit verbesserter durchlasskennlinie - Google Patents

Halbleiteranordnung, insbesondere halbleiterdiode mit verbesserter durchlasskennlinie

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DE2603935A1
DE2603935A1 DE2603935*[A DE2603935A DE2603935A1 DE 2603935 A1 DE2603935 A1 DE 2603935A1 DE 2603935 A DE2603935 A DE 2603935A DE 2603935 A1 DE2603935 A1 DE 2603935A1
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DE
Germany
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semiconductor
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current
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German (de)
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Gert Dipl Phys Beister
Michael Dipl Ing Haubold
Gerfried Dipl Chem Heise
Klaus Dipl Ing Dr Rogge
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Werk fuer Fernsehelektronik GmbH
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D8/00—Diodes
    • H10D8/70—Tunnel-effect diodes
    • H10D8/75—Tunnel-effect PN diodes, e.g. Esaki diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D1/00—Resistors, capacitors or inductors
    • H10D1/40—Resistors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2719457A1 (de) * 1977-04-30 1978-11-02 California Linear Circuits Inc Halbleiter-uebergang

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DE2719457A1 (de) * 1977-04-30 1978-11-02 California Linear Circuits Inc Halbleiter-uebergang

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DD118336A1 (de) 1976-02-20
FR2308207B3 (enExample) 1979-01-05
FR2308207A1 (fr) 1976-11-12
IT1058060B (it) 1982-04-10

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