DE2601193B2 - Breitband-Transistorverstärker - Google Patents
Breitband-TransistorverstärkerInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf einen Breitband-Transistorverstärker
gemäß dem Oberbegriff des Hauptanspruches. Derartige Breitbandverstärker können allgemein
angewandt werden, beispielsweise in Zwischenverstärkern von Systemen zur Übertragung analoger
oder digitaler Signale über Koaxialkabel, in Leseverstärkern von Systemen zur magnetischen Aufzeichnung
von Signalen, aber auch als Antennenverstärker oder Oszillographenverstärker.
Wenn ein Verstärker mit großem Verstärkungsfaktor für Signale mit großer Bandbreite verwirklicht werden
muß, wird vorzugsweise ein Verstärker verwendet, dessen Verstärkung über eine Anzahl in Kaskade
geschalteter Stufen verteilt ist, die je ihre eigene Gegenkopplung aufweisen. Diese Verteilung bietet u. a.
den Vorteil, daß die Gegenkopplung einfacher und insbesondere bei hohen Frequenzen stabiler ist als bei
einem Mehrstufenverstärker mit einem einzigen Gegenkopplungskreis für den ganzen Verstärker.
Der eingangs beschriebene verteilte Breitband-Transistorverstärker
benutzt eine Verstärker-Stufe eines bekannten Typs, der von C h e r r y, E. M. und Hooper,
M. EM in »The design of wide-band transistor feedback
amplifiers«, Proc. IEE, Heft 110, Nr. 2, Februar 1963, S.
375 — 389, beschrieben worden ist. Dieser Typ von Verstärker-Stufe hat eine hohe Eingangsimpedanz und
eine niedrige Ausgangsimpedanz, wodurch die Verstärker-Stufe ohne nennenswerte Wechselwirkung in
Kaskade geschaltet werden können. Außerdem zeichnet sich dieser Typ von Verstärker-Stufe durch ihr
hohes Verstärkungs-Bandbreitenprodukt aus, wobei die Verstärkung und Bandbreite gegen Änderungen der
Transistorparameter nur wenig empfindlich sind und große Ausgangsspannungen erhalten werden können.
Zur Erhaltung großer Verstärkungsfaktoren über ein jreites Frequenzband ist jedoch eine verhältnismäßig
große Anzahl Verstärker-Stufen erforderlich, wodurch die Verlustleistung eines derartigen Verstä/kers groß
wird Außerdem wird dann der Frequenzgang eines derartigen Verstärkers durch die Vielzahl von Kopplungs-
und Entkopplungselementen beeinträchtigt
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen
Breitband-Transistorverstärker der eingangs erwähnten Art zu schaffen, in dem ein hoher Wert des
Verstärkungs-Bandbreitenproduktes mit einer niedrigen Verlustleistung und einer geringen Anzahl von
Kopplungs- und Entkopplungselementen einhergeht, wobei der Verstärker zur monolithischen Integration
geeignet ist und sich weiter zur Ausbildung als verteilter Eritzerrungsverstärker eignet, indem die Verstärkung
sowie die Entzerrung über die in Kaskade geschalteten Verstärker-Stufen verteilt ist
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die im Kennzeichen des Hauptanspruchs angegebenen Maßnahmen
gelöst
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und werden im folgenden
näher beschrieben. Es zeigt
F i g. 1 das elementare Schaltbild eines verteilten Breitband-Transistorverstärkers mit einer darin verwendeten
bekannten Verstärker-Stufe,
F i g. 2 eine detaillierte Darstellung einer bekannten Anschlußart einer Verstärker-Stufe in F i g. 1,
F i g. 3 einen vollständigen Schaltplan eines verteilten
Breitband-Transistorverstärkers nach der Erfindung,
F i g. 4 einen Schaltplan und
Fig.5 ein Frequenzdiagramm zur Erläuterung der
Wirkungsweise des Breitbandverstärkers nach Fig.3, wenn dieser als verteilter Entzerrungsverstärker ausgebildet
ist,
Fig.6 ein Schaltdiagramm einer anderen Ausführungsform
des Breitbandverstärkers nach F i g. 3, wenn dieser als verteilter entzerrender Verstärker ausgebildet
ist.
F i g. 1 zeigt das elementare Schaltbild eines Breitband-Transistorverstärkers,
dessen Gesamtverstärkung über eine Kaskadenschaltung identisch aufgebauter
Verstärker-Stufen 1, 2 (n-l), η verteilt ist. Wie in
Fig. 1 für die Verstärker-Stufe 2 dargestellt, enthält
jede Verstärker-Stufe eine erste Transistorstufe Si mit Strom-Reihengegenkopplung und eine darauffolgende
zweite Transistorstufe S2 mit Spannungs-Parallelgegenkopplung.
Die erste Stufe Si enthält einen Transistor Ti in Emitterschaltung, dessen Emitter-Kollektorstrecke
zwischen einem ersten Emitter-Speisepunkt 11 und einem ersten Kollektor-Speisepunkt 12, in die ein
Emitterwiderstand /?eund ein Kollektorwiderstand Rci
aufgenommen ist Die Basis des Transistors T\ bildet den Signaleingang 13 der Verstärker-Stufe. Die zweite Stufe
52 enthält einen Transistor T2 ebenfalls in Emitterschaltung,
dessen Emitter-Kollektorstrecke zwischen einem zweiten Emitter-Speisepunkt 14 und einem zweiten
Kollektor-Speisepunkt 15 geschaltet ist, wobei in die Kollektorzuleitung ein Kollektorwiderstand Rc2 aufgenommen
ist. Die Basis des Transistors T2 ist mit dem Kollektor des Transistors 7] verbunden, während der
Kollektor und die Basis des Transistors T2 über einen
Gegenkopplungswiderstand Rr miteinander verbunden sind und der Kollektor des Transistors T2 den
Signalausgang 16 der Verstärker-Stufe bildet, der mit dem Signaleingang 13 der folgenden Verstärker-Stufe
F i g. 2 zeigt detailliert, wie die Verstärker-Stufe 2 in F i g. 1 auf bekannte Weise an die benachbarten
Verstärker-Stufen 1, 3 und die Speisespannungsleitungen anseschlossen ist
In Fig.2 sind die Speiseströme der beiden Transistorstufen
Su S2 aller Stufen 1 bis π parallel geschaltet
Dazu sind in jeder Verstärker-Stufe die beiden Kollektor-Speisepunkte 12, 15 unmittelbar an eine
gemeinsame Speiseleitung 17 angeschlossen, während die ersten und zweiten Emitter-Speisepunkte 11 und 14
an eine gemeinsame Speiseleitung 18 über einen Widerstand Rt bzw. R2 angeschlossen sind, der durch
einen Entkopplungskondensator Ci bzw. C2 überbrückt
ist Weiter sind der Signalausgang 16 einer Verstärker-Stufe und der Signaleingang 13 der nachfolgenden
Verstärker-Stufe über einen Koppelkondensator d
miteinander verbunden, weil eine unmittelbare Verbindung wegen der Pegelverschiebung zwischen dem
Eingang 13 und dem Ausgang 16 jeder Stufe unmöglich ist Diese Pegelverschiebung entspricht der Summe der
Kollektorschwünge der Transistoren Ti und Ti, welche Kollektorschwünge groß genug sein müssen, um die
Verzerrung bei großen Signalen und den unerwünschten Einfluß der Kollektor-Basis-Kapazität auf den
Frequenzgang geringzuhalten. Damit in diesem Fall die richtige Stromeinstellung des Transistors ΤΊ erhalten
wird, ist die Basis des Transistors Ti zugleich über zwei Widerstände Rz und Ra an die Speiseleitungen 17 und 18
angeschlossen.
Wenn die Verstärker-Stufen, die selbst je 2 Transistoren T1, T2 und 4 Widerstände Ra Rcu Rci, Rf enthalten,
auf die in F i g. 2 dargestellte Weise angeschlossen werden, werden also pro Verstärker-Stufe noch 4
zusätzliche Widerstände Ru R2, Rz, Ra und 3 zusätzliche
Kondensatoren Q, C2, C3 benötigt Diese relativ große
Anzahl zusätzlicher Elemente pro Verstärker-Stufe trägt in wesentlichem Maße zur Gesamtverlustleistung
des Breitbandverstärkers bei und beeinträchtigt außerdem den Frequenzgang.
Bei dem in F i g. 3 dargestellten verteilten Breitband-Transistorverstärker
wird nun eine wesentliche Einsparung der Anzahl zusätzlicher Elemente pro Verstärker-Stufe
erhalten, und zwar dadurch, daß nach der Erfindung die Emitter-Kollektorstrecken 14—15 der
zweiten Transistorstufen S2 in aufeinanderfolgenden
Verstärker-Stufen 1, 2, .., η einen Teil eines ersten Speisestromweges P\ — P\ bilden und die Emitter-Kollektorstrecken
11 — 12 der ersten Transistorstufen Si in aufeinanderfolgenden Verstärker-Stufen 1, 2, .... η
so abwechselnd einen Teil eines zweiten Speisestromweges Pi-P2 und eines dritten Speisestromweges P3—P3
bilden; in F i g. 3 ist die Anzahl η der Verstärker-Stufen ungerade dargestellt und umfaßt der zweite Speisestromweg
P2-P2, die Emitter-Kollektorstrecken
11 — 12 der ersten Stufen Si der Verstärker-Stufen 1,3,
···. (n-2), η und der dritte Speisestromweg Pi —Pj, die
der Stufen 2,4,..., (n-i). Alle Speisestromwege sind mit einem ersten gemeinsamen Speisepunkt 21 gekoppelt,
der über Widerstände 22,23,24 an den zweiten bzw. den
bo ersten Emitter-Speisepunkt 14 bzw. 11 der Verstärker-Stufe
1 und den ersten Emitter-Speisepunkt 11 der Vers'ärker-Stufe 2 angeschlossen ist, während alle
Speisestromwege zugleich mit einem zweiten gemeinsamen Speisepunkt 25 gekoppelt sind, der unmittelbar an
br) den ersten und zweiten Kollektor-Speisepunkt 12 und
15 der Verstärker-Stufe η und über einen Widerstand 26
an den ersten Kollektor-Speisepunkt 12 der Verstärker-Stufe (n-i) angeschlossen ist. Außerdem ist der erste
Speisestromweg P\ *- P\ mit den zweiten und dritten
Speisestromwegen Pi-Pj, Ps-Pj über Stromverteilungswiderstände
Rd gekoppelt, die zwischen den zweiten Emitter-Speisepunkt 14 einer Verstärker-Stufe
und den ersten Emitter-Speisepunkt 11 der folgenden Verstärker-Stufe und zwischen den zweiten Emitter-Speisepunkt
14 der Verstärker-Stufe η und den ersten Kollektor-Speisepunkt 12 der Verstärker-Stufe (n-t)
angeschlossen sind. Die ersten und zweiten Emitter-Speisepunkte 11 und 14 aller Verstärker-Stufen bilden
zugleich Anschlüsse zum Verbinden dieser Speisepunkte mit einem Punkt mit Bezugspotential (Erde oder
Masse) über Kondensatoren C. und Cd- Der Signaleingang
des Breitbandverstärkers nach F i g. 3 wird durch den Signaleingang 13 der Verstärker-Stufe 1 gebildet,
der an einen Abgriff des Widerstandes 22 zwischen dem zweiten Emitter-Speisepunkt dieser Verstärker-Stufe 1
und dem ersten gemeinsamen Speisepunkt 21 angeschlossen ist. Weiter ist der Signalausgang 16 einer
Verstärker-Stufe unmittelbar mit dem Signaleingang 13 der folgenden Verstärker-Stufe verbunden, während
der Signalausgang des Breitbandverstärkers in Fig.3 durch den Signalausgang 16 der Verstärker-Stufe η
gebildet wird.
Die Vorteile, die durch Anwendung der erfindungsgemäßen Maßnahmen erreicht werden, werden nun näher
erläutert.
Dadurch, daß die Verstärker-Stufen auf die in F i g. 3 dargestellte Art und Weise angeschlossen werden,
werden die Speiseströme der zweiten Transistorstufen S2 aller Verstärker-Stufen 1, 2. .., (n\), η in Reihe
geschaltet; auf gleiche Weise werden die Speiseströme der ersten Transistorstufen Si der Verstärker-Stufen 1,
3, ..., (n-2), η in Reihe geschaltet sowie die der
Verstärker-Stufen 2,4,.., (n-% (n-i). Die Größe dieser
Speiseströme in den Wegen /Ί-/Y, Pi-Pi, Ps-Pj
wird mit Hilfe der Widerstände 22, 23, 24, 26 und der Lage des Abgriffes des Widerstandes 22 eingestellt.
Diese erste Maßnahme führt zu einer wesentlichen Einsparung der Anzahl zusätzlicher Elemente pro
Verstärker-Stufe. An erster Stelle kann die Funktion der Einstellwiderstände R\, Ri in Fig.2 nun durch die
Transistor-Stufen Si, S2 der beiden vorhergehenden
Verstärker-Stufen erfüllt werden und insbesondere kann für die Verstärker-Stufe k die Rolle des
Widerstandes R\ durch die erste Stufe Si der Verstärker-Stufe
(k-2) übernommen werden und die Rolle des Widerstandes Ri durch die zweite Stufe Si der
Verstärker-Stufe (k-\\. An zweiter Stelle können der
Koppelkondensator Ci und folglich die Einstellwiderstände Ri, Ra in Fig.2 nun fortfallen. Denn der
verwendete Verstärker-Stufentyp bietet die Möglichkeit, die Werte der Kollektorwiderstände Ret, Rci
innerhalb weiter Grenzen zu ändern und dennoch den Verstärkungsfaktor konstantzuhalten. Diese Freiheit in
der Wahl der Widerstände RcU Rc2 ist in Fig.3 dazu
benutzt worden, den Speisespannungsabfall an der ersten Stufe Si der Verstärker-Stufen 1,.., (n-2) um so
viel größer zu machen, als den an der zweiten Stufe S2,
daß die Pegelverschiebung des Signals zwischen dem Eingang 13 und dem Ausgang 16 der Verstärker-Stufen
2, .., (n-1) mit einer gleichen Verschiebung des
Einstellpegels am Eingang 13 der nachfolgenden Verstärker-Stufen 3,.., π einhergeht und daß dennoch
der richtige Einstellstrom für die Transistoren Γι, T2
beibehalten wird.
Für den richtigen Einstellstrom und den richtigen
Einstellpegel sind dann im ganzen Breitbandverstärker nach F i g. 3 nur noch 5 zusätzliche Widerstände
notwendig: die beiden Teile 22', 22" des Widerstandes 22, deren Gesamtwert den Speisestrom im ersten Weg
fi-Pi' bestimmt, den Widerstand 23, dessen Wert
zusammen mit dem Verhältnis der beiden Teilwiderstände 22', 22" für den Speisestrom im zweiten Weg
Pi-Pi bestimmend ist und die Widerstände 24, 26,
deren Gesamtwert den Speisestrom im dritten Weg P3 - Pj bestimmt und wobei der Wert des Widerstandes
24 zugleich derart gewählt ist, daß der Einstellpegel am Eingang 13 der Verstärker-Stufe 2 gerade dem Pegel am
Ausgang 16 der Verstärker-Stufe 1 entspricht. Zum Erhalten der richtigen Einstellpegel an den Eingängen
13 der Verstärker-Stufen 3, ..., η sind dann keine 's zusätzlichen Widerstände mehr erforderlich, weil in der
Verstärker-Stufe 1 der Wert des Widerstandes Rc\ um
soviel größer gewählt werden kann als der des Widerstandes RC2, daß der Einstellpegel am Eingang 13
der Verstärker-Stufe 3 dem Ausgang 16 der Verstärkerstufe 2 genau entspricht und für die Verstärker-Stufen 2,
..., n-2) auf gleiche Weise verfahren werden kann wie
für die Verstärker-Stufe 1.
Im Gegensatz zu Fig.2, in der pro Verstärker-Stufe
4 zusätzliche Einstellwiderstände R\, Ri, R3, Ä», ein
Koppelkondensator C3 und 2 Entkopplungskondensatoren Ci, Ci notwendig sind, erfordert der Breitbandverstärker
in F i g. 3 nur noch 2 Entkopplungskondensatoren Ce, Ca pro Verstärker-Stufe und 5 zusätzliche
Einstellwiderstände 22', 22", 23, 24, 26 für den ganzen Verstärker. Die obenstehend erläuterte erste Maßnahme
bewerkstelligt auf diese Weise eine wesentliche Verringerung der Gesamtverlustleistung des Breitbandverstärkers
und hat außerdem einen günstigen Einfluß auf den Frequenzgang infolge der Tatsache, daß die
Koppelkondensatoren zwischen den Verstärker-Stufen fehlen.
Wenn man sich jedoch ausschließlich auf diese erste Maßnahme beschränken würde, wäre es schwierig, eine
gute Annäherung der gewünschten Einstellpegel und eine gute Annäherung der gewünschten Einstellströme
gleichzeitig für alle Verstärker-Stufen des Breitbandverstärkers zu verwirklichen, insbesondere wenn ihre
Anzahl verhältnismäßig groß ist Denn in jeder Verstärker-Stufe sind die Emitter-Kollektor-Strecken
11 — 12, 14—15 der beiden Transistorstufen Si, S2 über
den Gegenkoppelwiderstand Rf zwischen dem Kollektor und der Basis des Transistors Ti miteinander
gekoppelt Dies hat zur Folge, daß für eine unmittelbare Verbindung des Signalausganges 16 mit dem Signaleingang
13 der folgenden Verstärker-Stufe die restliche Freiheit in der Wahl der Speiseströme und Widerstände
für die Wege P\—P\, P2-P2, Pi-Pj nicht ausreichend
um denselben Emitter-Gleichstrom für alle Transistoren T\, T2 zu erhalten. Dadurch wird die Verlustleistung über
die jeweiligen Transistorstufen Si, S2 ungleichmäßig
verteilt und außerdem wird der Frequenzgang des Breitbandverstärkers beeinträchtigt, da das Stromverstärkungs-Bandbreitenprodukt
fr· β der Transistoren Ti, T2 und folglich auch das Verstärkungs-Bandbreitenprodukt
der Stufen Si, S2 vom Emitter-Gleichstrom
abhängig ist und fr ein Optimum für einen bestimmten
Wert des Emitter-Gleichstromes aufweist
Diese Nachteile sind in Fi g. 3 durch Verwendung der
Stromverteilungswiderstände Rd aufgehoben, die derart
gewählt worden sind, daß für jede Verstärker-Stufe der Gleichstrom, der vom ersten Speisestromweg Pt-Pi'
über den Widerstand Rr wegfließt, durch den Gleichstrom,
der zum ersten Speisestromweg Pi-Pi' über den
26 Ol
Widerstand Rd zufließt, ausgeglichen wird.
Infolge dieser zweiten Maßnahme führen alle Transistoren in einem Speisestromweg nahezu denselben
Emitter-Gleichstrom, der außerdem für alle Speisestromwege dem für ein Optimum des Stromverstärkungs-Bandbreitenprodukts
/Verforderlichen Wert durch eine geeignete Wahl der Einstellwiderstände 22',
22", 23, 24, 26 gleich gemacht werden kann. Zugleich wird dadurch das Erzeugen der gewünschten Einstellpegel
vereinfacht.
Diese zweite Maßnahme bewirkt folglich eine praktische gleichmäßige Verteilung der Verlustleistung
über die jeweiligen Transistorstufen und hat weiter einen günstigen Einfluß auf den Frequenzgang, wei! für
alle Transistoren optimale Werte des Stromverstärkungs-Bandbreitenproduktes
erreicht werden kann. Die durch diese zweite Maßnahme verursachte Zunahme der Gesamtverlustleistung ist sehr gering, da in der
Praxis der Gleichstrom im Widerstand Rr gegenüber dem Gleichstrom in den Speisestromwegen klein ist, so
daß für den Gleichstrom im Widerstand Ä^dasselbe gilt.
Diese zweite Maßnahme hat also praktisch kaum einen Einfluß auf die wesentliche Verringerung der
Gesamtverlustleistung, die durch die erste Maßnahme erreicht ist.
Auf diese Weise wird durch Anwendung der erfindungsgemäßen Maßnahme ein Breitband-Transistorverstärker
erhalten, der sich durch eine sehr geringe Verlustleistung und eine geringe Anzahl Koppel- und
Entkoppelelemente pro Verstärker-Stufe und einen hohen Wert des Verstärkungs-Bandbreitenproduktes
auszeichnet. Weiter ist dieser Breitbandverstärker durchaus zur Ausbildung als in einem Halbleiterkörper
integrierte Schaltung geeignet, u. a. infolge der Tatsache,
daß bei dem verwendeten Verstärker-Stufen-Typ die Verstärkung und Bandbreite gegen Änderungen der
Transistorparameter wenig empfindlich sind. Bei dieser monolithischen Integration hängt es dann von der
spezifischen Anwendung ab, ob die Entkoppelkondensatoren im Halbleiterkörper untergebracht werden
oder ob das Anordnen der Anschlußpunkte für äußere Entkoppelkondensatoren ausreicht
In manchen Anwendungsgebieten wird ein Breitbandverstärker zusammen mit einem Entzerrer verwendet
Dies ist beispielsweise bei regenerativen Zwischenverstärkern von Systemen zur Übertragung digitaler
Signale über Koaxialkabel der Fall, wobei die Amplituden- und Phasenkennlinien des Kabelabschnittes
vor dem Zwischenverstärker entzerrt werden müssen. Wenn bei derartigen Anwendungen der
Entzerrer dem Breitbandverstärker vorgeschaltet wird, ist der Einfluß des Verstärkerrauschens auf das
Signal-Rauschverhältnis am Aasgang der Kombination groß. Wenn dagegen der Entzerrer dem Breitbandverstärker nachgeschaltet wird, muß der dynamische
Bereich am Ausgang des Verstärkers sehr groß sein, was mit einer hohen Verlustleistung einhergeht Für
derartige Anwendungen wird dann ein verteilter entzerrender Verstärker bevorzugt, indem die Entzerrung sowie die Verstärkung über eine Anzahl in
Kaskade geschalteter Stufen verteilt ist, da dann der Einfluß des Verstärkerrauschens auf das Signal-Rauschverhältnis am Ausgang möglichst niedrig ist, der '
dynamische Bereich am Ausgang niedrig bleiben kann und folglich auch die Verlustleistung niedrig gehalten
werden kann.
Der vorliegende Breitband-Transistorverstarker eignet sich durchaus für eine Ausbildung als verteilter
entzerrender Verstärker, da der Verstärkungsfaktor A einer Verstärker-Stufe auf einfache Weise frequenzabhängig
gemacht werden kann, indem in F i g. 3 der Wert des Kondensators Ce gegenüber dem des Entkoppelkondensators
Cd verhältnismäßig klein gewählt wird.
Dies läßt sich wie folgt darlegen. Wenn Ce und Cd
beide Entkoppelkondensatoren sind, wird der Verstärkungsfaktor A einer Verstärker-Stufe in guter Annäherung
durch die nachfolgende Beziehung gegeben:
= R}/Re
in der R/ die Parallelschaltung des Kollektorwiderstandes Rc2 und des Gegenkoppe!Widerstandes Rf in der
Stufe S2 darstellt und Re den Emitterwiderstand in der
Stufe Si, insofern dafür gesorgt ist, daß Rf gegenüber dem Quotienten des Stromverstärkungsfaktors und der
Steilheit des Transistors T2 klein ist. Bei einem
vorgegebenen Wert von A wird die Wahl von RC2 dann
durch einen praktischen Kompromiß zwischen dem Bestreben nach einer möglichst niedrigen Verlustleistung,
was einen niedrigen Wert von RC2 bedeutet, und dem Bestreben nach einer Verstärkung bestimmt, die
möglichst wenig von den Transistorparametern abhängig ist, was einen großen Gegenkoppelfaktor und
folglich einen hohen Wert von RC2 bedeutet
Wenn nun der Emitterwiderstand Re durch eine
komplexe Impedanz Ze ersetzt wird, wird der Verstärkungsfaktor
A frequenzabhängig. In dem oben betrachteten Fall ist Cc gegenüber Crf klein, so daß diese
Impedanz Zc durch Re\n Reihe mit der Parallelschaltung
von ÄrfUnd Ce gebildet wird, da der Entkoppelkondensator
Cd ein Ende von Rd für praktisch alle Frequenzen an
den Punkt mit Bezugspotential legt. Ze hat also die in
F i g. 4 dargestellte Form und entspricht der Beziehung:
= R
jo, + 1/τι + 1/τ2 j ω + 1/τ,
in der
1/r, = l/RdCe,
Mt1 = l/Rd Ce + \/Re Ce.
Auf Grund der Formeln (1) und (2) entspricht der Verstärkungsfaktor A als Funktion der Frequenz ω der
Beziehung:
A{<„) = A{0)
. Tl +
j"> + Vn
j ν, + 1/τ, + 1/τ2
in der
der Verstärkungsfaktor bei ω = 0 ist
Aus den Formeln (3) und (4) geht hervor, daß Α(ω)
eine reelle Nullstelle und einen reellen Pol aufweist und daß die zur Nullstelle gehörende Frequenz ω=1/τΊ
immer niedriger ist als die zum Pol gehörende Frequenz ω=1/τι + 1/τ2· Für Α(ώ) nach der Formel (4) ist der
Verlauf des Absolutwertes \Α(ω)\ als Funktion der
Frequenz in Fi g. 5 dargestellt, wobei längs der beiden
Achsen eine logarithmische Skala angewandt ist Wie aus Fig.5 hervorgeht, ist \(A)\ als Funktion von ω
nahezu konstant und gleich A(O) von ω=0 bis zur
Kipp-Frequenz ω = 1/τι, die zum Nullpunkt gehört,
wonach |Α(ω)| bis zur Kipp-Frequenz ω=\Ιτ\ + \Ιτι,
die zum Pol gehört, monoton zunimmt und \Α(ω)\ für
höhere Frequenzen wieder nahezu konstant ist, und zwar gleich Λ(0) · (v\+T2)Zv2. Vollständigkeitshalber
sind in F i g. 5 ebenfalls die Asymptoten dargestellt.
In vielen praktischen Anwendungen eines verteilten entzerrenden Verstärkers wird gerade ein derartiger
Verlauf der frequenzabhängigen Verstärkung einer Verstärker-Stufe für die Entzerrung verlangt. Die
gewünschte Lage der beiden Kipp-Frequenzen kann dann durch eine geeignete Wahl der Werte für Ra Rj
und Ce in jeder der Verstärker-Stufen 2,..., η und für Rn
Cc und den Widerstand 23 in der Verstärkerstufe 11
erhalten werden, welcher Widerstand 23 die Rolle von Rd in der Impedanz Ze für die Verstärker-Stufe 1 erfüllen
kann. Auch die Werte für Rc und Rd können dazu
innerhalb weiter Grenzen geändert werden, ohne daß die Einstellpegel und die Einstellströme nennenswert
beeinflußt werden, sogar wenn die Anforderung gestellt wird, daß der Verstärkungsfaktor für die Frequenz Null
praktisch gleich bleiben muß.
Unter bestimmten ungünstigen Umständen kann die Tatsache, daß Ce gegenüber C</verhältnismäßig klein ist
Schwierigkeiten verursachen, wie an Hand der Fig.fi nr.her erläutert wird. In F i g. 6 ist ein beliebiger Teil von
F i g. 3 mit drei aufeinanderfolgenden Stufen (k-2), (k-i) und k nochmals dargestellt.
Das Signal im ersten Emitter-Speisepunkt U von der Verstärker-Stufe k in Fig.6 ist nicht für alle
Frequenzen gleich Null, und zwar infolge des verhältnismäßig kleinen Wertes des an diesen Punkt 11
angeschlossenen Kondensators C Dadurch tritt auch ein geringer Bruchteil dieses Signals an der Basis des
Transistors T2 in der Verstärker-Stufe (k-2) auf, die
ebenso wie die Verstärker-Stufe k eine erste Transistor-Stufe Si aufweist, deren Emitter-Kollektor-Strecke
11 — 12 einen Teil des zweiten Speisestromweges P2-P2 bildet Dieser geringe Signalbruchteil wird im
Transistor T2 der Verstärker-Stufe (k-2) und in den
Transistoren Γι, T2 der Verstärker-Stufe (k-i) verstärkt,
danach fast unverändert von der Basis zum Emitter des Transistors Γι in der Verstärker-Stufe k weitergeleitet,
um zum Schluß nach Dämpfung in der komplexen Impedanz Ra Rd, Cc wieder dem ersten Emitter-Speisepunkt
11 der Verstärker-Stufe k zugeführt In einigen Fällen könnte die auf diese Weise gebildete parasitäre
Rückkopplungsschleife unerwünschte Abweichungen im Verlauf der frequenzabhängigen Verstärkung verursachen.
Bei der in F i g. 6 dargestellten Rückkopplungsschleife
werden diese Schwierigkeiten jedoch auf einfache Weise dadurch vermieden, daß in. den zweiten
Speisestromweg P2-P2' ein Widerstand 27 aufgenommen
wird, der zwischen dem ersten Kollektor-Speisepunkt 12 der Verstärker-Stufe (k-2) und dem ersten
Emitter-Speisepunkt 11 der Verstärker-Stufe k liegt, und dadurch, daß weiter der erste Kollektor-Speisepunkt
12 der Verstärker-Stufe (k-2) über einen Entkoppelkondensator CJ mit dem Punkt mit Bezugspotential
verbunden wird.
Diese Maßnahme führt zu einer Unterbrechung der betrachteten parasitären Rückkopplungsschleife für das
Signal und vermeidet auf diese Weise die Schwierigkeiten, die in dieser Schleife verursacht werden könnten.
ι Der Wert des Widerstandes 27 wird nun derart gewählt,
daß die Widerstände 27 und Rc\ der Verstärker-Stufe
(k-2) zusammen wieder die gewünschte Verschiebung des Einstellpegels für die Verstärker-Stufe k ergeben.
Dadurch ist zugleich erreicht, daß die Gesamtverlustleistung nicht größer ist als die in Fig.3, in der der
Widerstand 27 fehlt, aber der Kollektor-Widerstand Rc\
einen größeren Wert als in F i g. 6 haben muß, damit der richtige Einstellpegel erhalten wird. In F i g. 6 muß die
Tatsache berücksichtigt werden, daß, was die Entzerrung anbelangt, der Stromverteilungswiderstand in der
komplexen Impedanz Re, Rd, Cc und der Widerstand 27
parallel geschaltet sind.
Die Maßnahme, die in F i g. 6 für die Verstärker-Stufen (k-2) und k, die beide eine erste Transistor-Stufe S\
jo aufweisen, deren Emitter-Kollektor-Strecke 11 — 12
einen Teil des zweiten Speisestromweges P2 — P2 bildet,
wird mutatis mutandis auch für die Verstärker-Stufen (k-3) und (k-\) angewandt, die beide eine erste Stufe Si
aufweisen, deren Emitter-Kollektor-Strecke 11 — 12 einen Teil des dritten Speisestromweges P3 - Pj bildet.
Selbstverständlich gibt es noch andere Möglichkeiten, im vorliegenden Breitbandverstärker eine frequenzabhängige
Verstärkung zu erhalten. Wenn in Fig.3 beispielsweise der Gegenkoppelwiderstand Rr durch
eine komplexe Impedanz Zf in Form einer Parallelschaltung eines Widerstandes und eines Kondensators
ersetzt wird, ist die Verstärkung für höhere Frequenzen niedriger als die für niedrigere Frequenzen, dies im
Gegensatz zu der an Hand der F i g. 4 und 5 erläuterten Ersetzung des Emitterwiderstandes Rc durch die
Impedanz Ze- Gewünschtenfalls können die beiden
Möglichkeiten kombiniert werden. In der Praxis wird jedoch die in Fig.4 dargestellte Möglichkeit am
meisten angewandt werden, zumal wenn keine zusätzlichen Elemente notwendig sind.
Hierzu 3 Blatt Zeichnungen
Claims (3)
1. BrcUband-Transislorverstärker, dessen Gesamtverstärkung
über eine Anzahl in Kaskade geschalteter Verstärker-Stufen verteilt ist, wobei
jede Verstärker-Stufe eine erste Transistorstufe mit Strom-Reihengegenkopplung und eine darauffolgende
zweite Transistorstufe mit Spannungs-Parallelgegenkopplung enthält, und die Transistorstufe als ι ο
Emitterstufe mit einer Emitter-Kollektorstrecke zwischen einem ersten Emitter-Speisepunkt und
einem ersten Kollektor-Speisepunkt ausgebildet ist und dazwischen einen Emitter-Widerstand und
einen Kollektor-Widerstand umfaßt, wobei die Basis des ersten Transistors den Signaleingang der
Verstärker-Stufe bildet und wobei die zweite Transistorstufe ebenfalls als Emitterstufe mit einer
Emitter-Kollektorstrecke zwischen einem zweiten Emitter-Speisepunkt und einem zweiten Kollektor-Speisepunkt
ausgebildet ist, und einen Kollektor-Widerstand umfaßt, wobei die Basis des zweiten
Transistors mit dem Kollektor des ersten Transistors verbunden ist, der Kollektor und die Basis des
zweiten Transistors über einen Gegenkoppelwiderstand miteinander verbunden sind und der Kollektor
des zweiten Transistors den Signalausgang der Verstärker-Stufe bildet, die mit dem Signaleingang
der folgenden Verstärker-Stufe gekoppelt ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Emitter-Kollektorstrecken
der zweiten Transistorstufen (S2) in aufeinanderfolgenden Verstärker-Stufen einen
Teil eines ersten Speisestromweges (P\ - /Y) bilden und die Emitter-Kollektorstrecken der ersten
Transistorstufen (S\) in aufeinanderfolgenden V erstärker-Stufen abwechselnd einen Teil eines zweiten
(P2-P2) und eines dritten (Pi-Pj) Speisestromweges
bilden, wobei alle Speisestromwege mit einem ersten gemeinsamen Speisepunkt (21) gekoppelt
sind, der über Widerstände (22, 23, 24) an ilen zweiten und ersten Emitter-Speisepunkt (14,11) der
ersten Verstärker-Stufe angeschlossen ist und an den ersten Emitter-Speisepunkt (11) der zweiten
Verstärker-Stufe, und alle Speisestromwege weiter mit einem zweiten gemeinsamen Speisepunkt (25)
gekoppelt sind, der unmittelbar an den ersten und zweiten Kollektor-Speisepunkt (12, 15) der letzten
Verstärker-Stufe und über einen Widerstand (26) an den ersten Kollektor-Speisepunkt (12) der vorletzten
Verstärker-Stufe angeschlossen ist, während der erste Speisestromweg (P\-P\) mit den zweiten
(P2-Pi) und dritten Speisestromwegen (Pi-Pj)
über Stromverteilungswiderstände (Rd) gekoppelt ist, die zwischen dem zweiten Emitter-Speisepuiikt
(14) einer Verstärkerstufe des ersten Speisestromweges und dem ersten Emitter-Speisepunkt (11) der
folgenden Verstärkerstufe im zweiten bzw. dritten Speisestromweg sowie zwischen dem zweiten
Emitter-Speisepunkt (14) der letzten Verstärkerutufe im ersten Speisestromweg mit dem ersten
Kollektor-Speisepunkt der vorletzten Verstärkerstufe im zweiten bzw. dritten Speisestromweg
angeschlossen sind, wobei weiter die ersten und zweiten Emitter-Speisepunkte aller Verstärker-Stufen
Anschlüsse zum Verbinden dieser Speisepunkte κ mit einem Punkt mit Bezugspotential über Kondensatoren
bilden, und wobei der Signaleingang (13) der ersten Verstärker-Stufe an einen Abgriff des
Widerstandes (22) angeschlossen ist, der den zweiten Emitter-Speisepunkt (14) dieser Verstärker-Stufe an
den ersten gemeinsamen Speisepunkt (23) anschließt
2. Breitband-Transistorverstärker nach Anspruch
1, der als entzerrender Verstärker ausgebildet ist,
dessen Entzerrung über die in Kaskade geschalteten Verstärker-Stufen verteilt ist, dadurch gekennzeichnet,
daß die zweiten Emitter-Speisepunkte (14) aller Verstärker-Stufen über Entkoppelkondensatoren
(Cd) mit dem Punkt mit Bezugspotential verbunden sind und die ersten Emitter-Speisepunkte (11) aller
Verstärker-Stufen mit dem Punkt mit Bezugspotential verbunden sind, und zwar über Kondensatoren
(Ce) deren Kapazitätswerte gegenüber denen der Entkoppelkondensatoi-en (Cd) klein sind, welche
Kondensatoren mit den damit verbundenen Stromverteilungs- und Emitter-Widerständen zum Erhalten
von Verstärker-Stufen mit einer frequenzabhängigen Verstärkung zusammenarbeiten.
3. Breitband-Transistorverstärker nach Anspruch
2, dadurch gekennzeichnet, daß jeder der zweiten (P2-P2') und dritten Speisestromwege (P3-Pj)
Widerstände (27) enthält, die zwischen dem ersten Kollektor-Speisepunkt (12) einer Verstärker-Stufe
und dem ersten Emitter-Speisepunkt (11) der darauffolgenden Verstärker-Stufe im betreffenden
Speisestromweg liegen und diese ersten Kollektor-Speisepunkte über Entkoppelkondensatoren (Cd')
mit dem Punkt mit Bezugspotential verbunden sind.
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