DE2557617C2 - Verfahren zur Herstellung eines für die Gasentladungstafelfertigung geeigneten Glassubstrats mit darauf angebrachten elektrischen Leitern, bei welchem dem Substrat ein Lötglas aufgebracht wird und Substrat - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines für die Gasentladungstafelfertigung geeigneten Glassubstrats mit darauf angebrachten elektrischen Leitern, bei welchem dem Substrat ein Lötglas aufgebracht wird und Substrat

Info

Publication number
DE2557617C2
DE2557617C2 DE2557617A DE2557617A DE2557617C2 DE 2557617 C2 DE2557617 C2 DE 2557617C2 DE 2557617 A DE2557617 A DE 2557617A DE 2557617 A DE2557617 A DE 2557617A DE 2557617 C2 DE2557617 C2 DE 2557617C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
glass
substrate
soldering
gas discharge
electrical conductors
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE2557617A
Other languages
English (en)
Other versions
DE2557617A1 (de
Inventor
Charles William Risingsun Ohio Salisbury
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
OI Glass Inc
Original Assignee
Owens Illinois Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Owens Illinois Inc filed Critical Owens Illinois Inc
Publication of DE2557617A1 publication Critical patent/DE2557617A1/de
Priority to IE276876A priority Critical patent/IE44404B1/en
Application granted granted Critical
Publication of DE2557617C2 publication Critical patent/DE2557617C2/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00—Glass compositions
    • C03C3/04—Glass compositions containing silica
    • C03C3/062—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight
    • C03C3/07—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing lead
    • C03C3/072—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing lead containing boron
    • C03C3/074—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing lead containing boron containing zinc
    • C03C3/0745—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing lead containing boron containing zinc containing more than 50% lead oxide, by weight
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C10/00—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition
    • C03C10/0054—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition containing PbO, SnO2, B2O3
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C27/00—Joining pieces of glass to pieces of other inorganic material; Joining glass to glass other than by fusing
    • C03C27/06—Joining glass to glass by processes other than fusing
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00—Glass compositions
    • C03C3/04—Glass compositions containing silica
    • C03C3/062—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight
    • C03C3/07—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing lead
    • C03C3/072—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing lead containing boron
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J17/00—Gas-filled discharge tubes with solid cathode
    • H01J17/38—Cold-cathode tubes
    • H01J17/48—Cold-cathode tubes with more than one cathode or anode, e.g. sequence-discharge tube, counting tube, dekatron
    • H01J17/49—Display panels, e.g. with crossed electrodes, e.g. making use of direct current
    • H01J17/492—Display panels, e.g. with crossed electrodes, e.g. making use of direct current with crossed electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/24—Manufacture or joining of vessels, leading-in conductors or bases
    • H01J9/26—Sealing together parts of vessels
    • H01J9/261—Sealing together parts of vessels the vessel being for a flat panel display

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)
  • Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Joining Of Glass To Other Materials (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines für die Gasentladungstafelfertigung geeigneten Glassubstrats mit darauf angebrachten elektrischen Leitern, bei welchem dem Substrat ein Lötglas aufgebracht wird.
Gasentladungstafeln. speziell mit Wechselstrom betriebene Mchrfach-Gascntladungsanzeigc- und Spcichertafcln werden gewöhnlich von ein Gasmcdium einschließenden, sich gegenüberliegenden dielektrischen Ladungsspeicherkörpern, die mit Leitern hinterlegt sind, gebildet. Die Leiter sind gewöhnlich sei ausgerichtet, daß sie eine Vielzahl von diskreten Gasentladungszelle!! begrenzen. Die Entladungs-/ellen können zusätzlich durch sie einschließende körperliche Strukturen, wie Öffnungen in perforierten Glasplatten, begrenzt sein.
Ein Beispiel einer Tafelstruktur mit nicht körperlich isolierten oder offenen Entladungszellen ist in der US-PS 3499167 offenbart.
Ein Beispiel für eine Tafel mit körperlich isolierten Zellen ist in dem Artikel von D. L. B i t ζ e r und H. G. Slottow mit dem Titel »The Plasma Display Panel - A Digitally Addressable Display with Inherent
ίο Memory«, Proceeding of the Fall Joint Computer Conference, IEEE, San Francisco, Californien, November 1966, Seiten 541 bis 547, und auch in der US-PS 3559190 beschrieben.
Außerdem können die Gasentladungstafeln monolithische Strukturen haben. Es sind auch Gasentladungsvorrichtungen möglich, bei denen einige der Leitungskörper in direktem Kontakt mit dem Gasmedium stehen, während die anderen davon Loliert sind. Zum Stand der Technik gehören auch Gleichstromvorrichtungen. Beispiele für Gasentladungsvorrich-
tuneen sind in den US-PSen 2142106, 3260880, 3720452, 3725713, 3237040 und 3497751 offenbart.
Die Erfindung bezieht sich auf die Herstellung aller
Arten von Gleichstrom- und Wecl.selstrom-Anzeige-
tafeln.
Um eine gleichmäßige Auflösung über die ganze Anzeigefläche einer Gasentladungstafel zu erhalten, ist es notwendig, daß der Abstand zwischen sich gegenüberliegenden Wänden der Gasumhüllung gleichmäßig ist und daß die Wände der Kammer abgedichtet sind, um einen gasgefüllten Behälter zu bilden. Verschiedene Verfahren zum Abdichten solcher Tafeln mit verschiedenen Abstandshaltern dazwischen sind Stand der Technik. Zum Beispiel wurde Epoxid als Dichtungsmittel verwendet, aber es erzeugt Verunreinigungen im Gasgemisch, was die Lebensdauer der Tafeln herabsetzt. In situ-Herstellung von Gastafeln mit granuliertem Lötglas als Dichtungsmittel und Abstandshalter wurde bereits angewendet, aber ein gleichmäßiges Aufbringen des Lötglases ist schwierig und eine beträchtliche Anzahl Zellen wird unbrauchbar. Um dieses Problem zu lösen, wurde ein weicher Glasstab oder granulatförmiges Dichtungsmittel und ein harter Glasstab als Abstandshalter verwendet, wie in der US-PS 3778127 beschrieben, wobei die obere Platte der Gastafel sich während eines Ausheizvorganges auf den Abstandsstäben absetzt, wodurch innerhalb der Umhüllung ein vorbestimmter und gleichmäßiger Abstand herbeigeführt wird Jedoch sind sol-
W ehe Glasabstandshalter steif, neigen zum Bruch und sind, was als Nachteil betrachtet wird, für den Beobachter deutlich sichtbar.
Eine weitere Lötglaszusammensetzung, die besonders geeignet ist. um die beiden Glassubstrate einer Mehrfach-Gasentladungsanzeigetafel zu verbinden, um so eine hermetisch abgedichtete Kammer mit ionisierbarem Gas zu bilden, ist in der US-PS 3373702 offenbart; es ist ein Bleiborsilikatlötglas, das 18 Gew.-% Aluminiumtitanat enthält, welches die Ent-
M) glasung verhindert und so eine Abdichtung mit einer gleichmäßigen Spannung entstehen läßt.
In der US-PS 3837724 ist ein Verfahren zur Herstellung von Gastafeln offenbart, bei dem parallele Züge elektrischer Leiter auf einem Paar Glasplatten
hi aufgebracht werden und darüber ein Glasüberzug aufgebracht wird. Ein Dichtungsmittel wird zwischen den Platten an deren Rand vorgesehen, die Platten werden iiuf einen vorbestimmten Abstand gebracht und
die Anordnung in einem Ofen erhitzt, um die Glasplatten miteinander mit einem Spalt zwischen sich zu verbinden. Dann wird der Zwischenraum evakuiert und danch mit einem inerten Gas gefüllt und jede parallele Leitung an einem Ende jeder Glasplatte als ein elektrischer Kontakt freigelegt.
Obwohl die Herstellung solcher Tafeln verhältnismäßig einfach zu sein scheint, ist es unerläßlich, daß die Glasplatten vor der Anbringung der Elektroden sorgfältig gereinigt werden, da jede Verunreinigung einen nicht zuverlässigen Betrieb der fertiggestellten Tafel nach sich zieht. Verhältnismäßig häufig enthält das Substrat Lötglasteilchen, selbst wenn der Träger bei 332° C 20 Min. ausgebrannt wurde.
Nach der DE-AS 1026033 wird zur Herstellung luftdichter Gefäße für Elektronenröhren auf die Ränder eines oder beider zu verbindenden Teile eine wäßrige Suspension des Email-(Glas)Pulvers aufgetragen, getrocknet und eingebrannt. Auch die DE-PS 1085305 lehrt, beim Verbinden von zwei Teilen mittels Lötglas so vorzugehen, daß man eine Suspension des pulverförmigen Lötglases aufträgt und die Viskosität der Suspension so einstellt, daß die Ausbreitung des Glaspulvers auf der Verbindungsfläche erfolgt. Dann wird das Glas aufgeschmolzen. Die Herstellung einer Suspension und ihr Aufbringen ist aber zeitraubend und die Verbindungsfläche läßt sich nicht exakt räumlich begrenzen.
Schließlich ist noch die DE-OS 2425993 zu nennen, nach der auf einem Substrat eine Glasbindungsschicht geformt wird, indem "ilan und Diboran aufgedampft und anschließend oxidieren gelassen wird. Wegen der Giftigkeit und der leichten Entzündlichkeit der Dämpfe muß das Abdampfen in einem Quarzreaktor erfolgen, in welchem die Dämpfe unltr Schutzgasatmosphäre eingeleitet werden müssen. Dieses Verfahren ist für das Verbinden größerer Teile völlig ungeeignet und für die Bindung von Einkristall-Halbleitern bestimmt.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein für die Gasentladungstafelfertigung geeignetes Glassubstrat zu schaffen, bei dem Lötglas vor der eigentlichen Gasentladungstafelfertigung festhaftend aufgebracht wird, so daß nachfolgendes Säubern des Substrats möglich ist und Verunreinigung des Substrats durch Lötglasteilchen während der Entladungstafelfertigung vermieden wird.
Die Lösung der Aufgabe ist in den vorstehenden Ansprüchen angegeben.
Erfindungsgemäß werden handelsübliche Lötgläser auf eine Fläche neben dem Rand des mit in parallelen Geraden aufgebrachten elektrischen Leitern versehenen Glassubstrats aufgebracht und zu einem Glaszustand vorerhitzt oder ausgebrannt durch Erhitzen um ungefähr 5,5° C pro Minute auf 493° C, Halten des Substratsauf dieser Temperatur 1 Stunde und Abkühlen um 5,5Ö C pro Minute auf Raumtemperatur, um ein Glassubstrat zu bilden, an dem das Lötglas fest angebracht ist. Das Substrat wird dann mit verschiedenen dielektrischen Überzügen eingesprüht (vorzugsweise Bleiglasschmelze), ein Substrat wird über das andere gebracht, so daß die parallelen Leitungen des einen orthogonal zu den parallelen Leitungen des anderen liegen. Geeignete Abstandshalter werden eingefügt und die Substrate durch die Anwendung eines Heizzyklus mit einer Geschwindigkeit von 1 bis 4' C pro Minute auf eine Temperatur von 396° Cbis516° C miteinander verbunden, wobei die so angeordneten Substrate bei der Spitzentemperatur 1 bis 2 Stunden gehalten und dann mit derselben Geschwindigkeit auf Raumtemperatur abgekühlt werden. Solch ein Verfahren vermeidet die Staubbildung, das Reißen und das Abblättern was oft bei vorgehärtetem Glas der Fall ist. Außerdem bleibt der Spalt zwischen den Substraten gleich, wenn das vorgehärtete Lötglas während des abschließenden Heizzyklus schmilzt.
Die Lötglaszusammensetzungen, die in dieser Erfindung Verwendung finden, können irgendwelche im Handel erhältliche sein, sowohl des entglasungsfreien als auch des entglasenden Typs, obwohl entglasungsfreie vorgezogen werden. Beispiele für Lötgläser, die hier Verwendung finden können, sind in den US-PSen 28662Q8, 2889952, 2931142, 2936923, 3061664, 3063198, 3080328, 30 88833, 3088834, 3088835, 3127278, 3250631, 3291586, 3368024 und 3778127 beschrieben. Typische spezielle Lötgläser, die bei άζτ praktischen Durchführung dieser Erfindung erfolgreich verwendet wurden, sind in der folgenden Tabelle zusammen mit ihren Erweichungspunkten aufgezeigt.
Die Lötgläser sind vor der Anbringung an dem Substrat stabförmig. Um solche Stäbe herzustellen, wird eine Schmelze, die jedes der Oxide in der oben angegebenen Zusammensetzung in den angegebenen Gew.-% enthält, zu Stäben von 1,27 cm Durchmesser gegossen und zu Stäben von 0,075 bis 1,0 mm Durchmesser und 5,08 cm Länge ausgezogen. Diese Stäbe werden dann an dem Glassubstrat einer Gasentladungsanzeigetafel angebracht unter Anwendung eines Heizzyklus, der am besten fü l:e Art derGlaszusammensetzung, die eingesetzt w . geeignet ist.
Die folgenden Beispiele schild- π bevorzugte Ausführungsformen der Durchführung dieser Erfindung.
Gew.-% A B C D
PbO 73,3 72,0 72,0 71,0
B2O3 13,4 15,0 15,0 10,0
SiO, 13,3 4,0 2,0 2,0
A1,Ö3 — 5,0 5,0
ZnO — 4,0 6,0 15,9
SnO2 — 1,1
Erweichungs
punkt0 C 452 433 427 204
Beispiel 1
Lötglas der Zusammensetzung C wurde in Stäbe von 1 mm Durchmesser gezogen und als ein 9,5 mm breites Band an dem Rand eines Glassubstrates angebracht, auf dem 512 parallele goldene elektrische Leiter in einem Abstand von 60 Leitungen pro Zoll (24 Leiter pro cm) aufgebracht waren. Die Stäbe wurden dann an dem Substrat durch Erhitzen um 5,5° C pro Min. auf416c C, Halten der Temperatur für 1 Stunde und Abkühlen auf Raumtemperatur mit einer Geschwindigkeit von 5,5~ C pro Min. fest verbunden. Die Verbindung zwischen dem Substrat und dem Lötglas war dauerhaft und löste sich beim weiteren Hantieren und Bearbeiten nicht.
Beispie! 2
Lötglas der Zusammensetzung D in Form von Stäben von 0,63 mm Durchmesser wurde am Außenrand
5 6
eines Glassub«tn>.tes, wie es in Beispiel 1 beschrieben un<i drnn Abkühlen auf Raumtemperatur mit dersel-
wurde, fest angebracht, mit der Ausnahme, daß fol- ben Geschwindigkeit. Das Giassubstrat mit dem
gender Heizzyklus angewandt wurde: Erhitzen mit ei- daran befest-, Rn Löipia·: <vur in teiler Hinsicht für das
ner Geschwindigkeit von 5,5° C pro Miuuic auf spätere Verbinden mit einem gleichen Substrat r.ufrie-
399° C, Beibehalten dieser Temperatur 30 Minute 5 .-!enstellend.

Claims (7)

Patentansprüche:
1. Verfahren zur Herstellung eines für die Gasentladungstafelfertigung geeigneten Glassubstrats mit darauf angebrachten elektrischen Leitern, bei welchem dem Substrat ein Lötglas aufgebracht wird, dadurch gekennzeichnet, daß ein entglasungsfreies oder entglasbares Lötglas vom Blei-Borat-Silikat-Typ zu einem Stab eines Durchmessers von 0,075 bis 1,0 mm ausgezogen wird, der Stab auf eine Fläche neben dem Rand des Substrats aufgebracht und das Substrat für einen Zeitraum und bei einer Temperatur vorgebrannt wird, die ausreichen, das Lötglas fest in entglastem oder Glaszustand am Substrat anzubringen, wonach es bei einer vorbestimmten Löttemperatur wieder erweicht und lötet.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Lötglas eingesetzt wird, das, in Gew,-%, enthält: 73,3 PbO, 13,4 B2O3, 13,3 SiO2, und einen Erweichungspunkt von 452° C hat.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Lötglas eingesetzt wird, das, in Gew.-%, enthält: 72 PbO, 15 B2O3,4SiO2, 5 AIiO3,4 ZnO, und einen Erweichungspunkt von 433C"C hat.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Lötglas eingesetzt wird, das, in Gew.-%, enthält: 72 PbO, 15 B2O3, 2SiO2, 5 Al1Oj 6 ZnO, und einen Erweichungspunkt von 427c"C"hat.
5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Lötglas eingesetzt wird, das, in Gew.-%, enthält: 71 PbO, 19 B2O3,2SiO2, 15,9ZnO. 1,1 SnO7, und einen Erweichungspunkt von 204" C hat.
6. Glassubstrat mit darauf angebrachten elektrischen Leitern für die Herstellung von Gasentladungstafeln, gekennzeichnet durch ein in Stabform fest am Substrat angebrachtes entglasungsfreies Lötglas.
7. Glassubstrat mit darauf angebrachten elektrischen Leitern für die Herstellung von Gasentladungstafeln, gekennzeichnet durch ein in Stabform fest am Substrat angebrachtes entglastes Lötglas.
DE2557617A 1975-01-02 1975-12-20 Verfahren zur Herstellung eines für die Gasentladungstafelfertigung geeigneten Glassubstrats mit darauf angebrachten elektrischen Leitern, bei welchem dem Substrat ein Lötglas aufgebracht wird und Substrat Expired DE2557617C2 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
IE276876A IE44404B1 (en) 1975-12-20 1976-12-17 New niclosamide suspension formulations

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US05/537,897 US4045200A (en) 1975-01-02 1975-01-02 Method of forming glass substrates with pre-attached sealing media

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2557617A1 DE2557617A1 (de) 1976-07-08
DE2557617C2 true DE2557617C2 (de) 1982-12-02

Family

ID=24144557

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2557617A Expired DE2557617C2 (de) 1975-01-02 1975-12-20 Verfahren zur Herstellung eines für die Gasentladungstafelfertigung geeigneten Glassubstrats mit darauf angebrachten elektrischen Leitern, bei welchem dem Substrat ein Lötglas aufgebracht wird und Substrat

Country Status (7)

Country Link
US (1) US4045200A (de)
CA (1) CA1066059A (de)
DE (1) DE2557617C2 (de)
FR (1) FR2296935A1 (de)
GB (1) GB1534868A (de)
NL (1) NL7514760A (de)
SE (1) SE413890B (de)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0164834B1 (de) * 1984-04-06 1989-03-01 Plessey Overseas Limited Herstellung optischer Bauelemente
JPS6119028A (ja) * 1984-07-04 1986-01-27 Sony Corp 陰極線管パネルへのスタツドピンの取付方法
US4678447A (en) * 1985-06-10 1987-07-07 Zenith Electronics Corporation Process of manufacturing for a high-resolution color cathode ray tube
EP0254198B1 (de) * 1986-07-17 1991-07-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Verschmelzglas
JPH0817069B2 (ja) * 1989-05-17 1996-02-21 松下電器産業株式会社 平板電極の接合方法
JP2754461B2 (ja) * 1994-07-08 1998-05-20 双葉電子工業株式会社 容器の封着方法および封着装置
FR2781308A1 (fr) * 1998-07-15 2000-01-21 Thomson Plasma Procede de realisation de moyens d'entretoisement pour panneaux de visualisation
AUPQ090299A0 (en) * 1999-06-10 1999-07-01 University Of Sydney, The Glass panel
AU759410B2 (en) * 1999-06-10 2003-04-17 University Of Sydney, The Glass panel
US9309146B2 (en) 2011-02-22 2016-04-12 Guardian Industries Corp. Vanadium-based frit materials, binders, and/or solvents and methods of making the same
US9290408B2 (en) 2011-02-22 2016-03-22 Guardian Industries Corp. Vanadium-based frit materials, and/or methods of making the same
US8802203B2 (en) 2011-02-22 2014-08-12 Guardian Industries Corp. Vanadium-based frit materials, and/or methods of making the same
US9988302B2 (en) 2014-02-04 2018-06-05 Guardian Glass, LLC Frits for use in vacuum insulating glass (VIG) units, and/or associated methods
US9593527B2 (en) 2014-02-04 2017-03-14 Guardian Industries Corp. Vacuum insulating glass (VIG) unit with lead-free dual-frit edge seals and/or methods of making the same

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1026003B (de) * 1952-08-30 1958-03-13 Csf Verfahren zur Herstellung luftdichter Gefaesse fuer Elektronenroehren od. dgl.
US2889952A (en) * 1956-02-01 1959-06-09 Corning Glass Works Composite article and method
US2977722A (en) * 1959-03-05 1961-04-04 Pittsburgh Plate Glass Co Method of sealing glass to other elements
US3485648A (en) * 1966-05-03 1969-12-23 Owens Illinois Inc Devitrifying solder glass
US3778126A (en) * 1971-12-30 1973-12-11 Ibm Gas display panel without exhaust tube structure
GB1399548A (en) * 1971-12-30 1975-07-02 Ibm Making gas panel displays
US3808497A (en) * 1972-05-08 1974-04-30 Ibm Gaseous discharge device and method of spacing the plates thereof
US3909332A (en) * 1973-06-04 1975-09-30 Gen Electric Bonding process for dielectric isolation of single crystal semiconductor structures
US3862830A (en) * 1973-07-18 1975-01-28 Rca Corp Method of forming vitreous enclosures for liquid crystal cells

Also Published As

Publication number Publication date
FR2296935B1 (de) 1981-12-18
DE2557617A1 (de) 1976-07-08
FR2296935A1 (fr) 1976-07-30
SE7514743L (sv) 1976-07-05
SE413890B (sv) 1980-06-30
US4045200A (en) 1977-08-30
CA1066059A (en) 1979-11-13
GB1534868A (en) 1978-12-06
NL7514760A (nl) 1976-07-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2557617C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines für die Gasentladungstafelfertigung geeigneten Glassubstrats mit darauf angebrachten elektrischen Leitern, bei welchem dem Substrat ein Lötglas aufgebracht wird und Substrat
DE2247630C3 (de) Verfahren zum Herstellen von Anzeigetafeln mit Gasentladungsstrecken
DE2253835A1 (de) Verfahren zur herstellung von gasentladungsanordnungen
DE2738305A1 (de) Fluessigkristallzelle
DE2556560A1 (de) Material zum verbinden von glassubstraten und verfahren zum herstellen solcher verbindungen
DE2845189A1 (de) Verfahren zur herstellung eines gefaesses, kolbens oder mantels
DE2722900C3 (de) Verfahren zur Herstellung einer eine Flüssigkristallschicht homöotrop orientierenden, Siliciumoxid enthaltenden Schicht
DE2446742A1 (de) Glaslotzusammensetzung
DE2557558A1 (de) Verfahren zum herstellen von rohrverbindungen mit hilfe von loetglas
DE1967142C2 (de) Verfahren zur Herstellung von Gasentladungsanzeigetafeln
DE2622141A1 (de) Verfahren zum erhoehen der festigkeit von verbindungsglaesern
DE2552181A1 (de) Verfahren zum herstellen einer elektrisch leitenden kontaktierungsschicht
DE3138373C2 (de)
DE2421512A1 (de) Gasentladungs-anzeigetafel und verfahren zu ihrer herstellung
DE2418462C3 (de) Verfahren zur Herstellung eines Glases mit definierter Transformationstemperatur
US3823252A (en) Conducting element having bundled substantially parallel crystalline conductors and process for manufacture
DE3133853C2 (de) Verfahren zum Herstellen eines Glassubstrates als Unterlage eines Elektrolumineszenz-Anzeigeelements
DE3525972C2 (de)
EP0162135A2 (de) Anzeigevorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE2032639C3 (de) Verfahren zum Niederschlagen einer dünnen Goldschicht auf einem Träger durch Kathodenzerstäubung
DE2261217C3 (de) Verfahren zum Herstellen von Gasentladungs-Anzeige- oder Speichervorrichtungen
DE2954412C2 (de)
DE1072327B (de) Verfahren zur Herstellung einer doppelseitigen Bildspeicherplatte für Kathodenstrahlröhren
DE2421709A1 (de) Tafel- oder plattenfoermiges geraet, insbesondere sichtgeraet fuer die anzeige von ziffern oder buchstaben, und verfahren zum herstellen einer dichtung zwischen zwei platten eines derartigen geraetes
DE2320005A1 (de) Dichtungsglasmasse sowie verfahren zur herstellung derselben

Legal Events

Date Code Title Description
OD Request for examination
D2 Grant after examination
8339 Ceased/non-payment of the annual fee