DE2557367A1 - Verfahren und vorrichtung zur behandlung eines gegenstandes - Google Patents
Verfahren und vorrichtung zur behandlung eines gegenstandesInfo
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Description
Patentanwalt"
7 Stuttgart N. MenzelsiraBa4fl ZDD / *3 O /
Gestern 31ectric A 35 052
Company, Incorporated
195 Broadway 18. Dez. 1975
iTew York, N.T. 10007
Verfahren und Vorrichtung zur Behandlung
eines Gegenstandes
Die Erfindung "bezieht sich auf ein Verfahren der in Oberbegriff
des Anspruchs 1 näher bezeichneten Art sowie auf eine Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens. Verfahren
und Vorrichtungen dieser Art sind bekannt (US-PS 3 607 478).
Bekanntlich kann der Stoß, der von modernen elektronischen
Festkörperbauelementen, z.B. Transistoren und integrierten Schaltkreisen, auf unsere Gesellschaft ausgegangen ist,
nicht genug überbewertet werden. Bin zentraler Faktor für die weite Verbreitung, in der solche Bauelemente zu einem
Bestandteil des täglichen Lebens geworden sind, sind deren verhältnismäßig geringe Kosten. Diese geringen Kosten werden
in erster Linie durch Schubbearbeitungstechnologien erzielt, die zur Herstellung derartiger Pestkörperbauelemente ent—
te
wickelt worden sind. Zum Beispiel werden üblicherweise*hun-
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ORIGINAL IMSPECTEt?
derte und oft lausende derartiger !festkörperbauelemente
gleichzeitig innerhalb und auf der Oberfläche einer einzigen Halbleiterscheibe von im wesentlichen kreisförmigem
Querschnitt hergestellt.
•Technologien zur gleichseitigen Schubbearbeitung einer Vielzahl
von Halbleiterscheiben sind nicht nur zur Kostensenkung, sondern auch zur Verringerung der bei der manuellen
Bearbeitung der einzelnen Halbleiterscheiben auftretenden Beschädigung und Verunreinigung der Halbleiterscheiben von
Bedeutung. Derzeit ist es üblich, eine Vielzahl von Halbleiterscheiben
gleichzeitig in einem mit Schlitzen versehenen Träger zu bearbeiten, der eine offene Vorderfläche besitzt,
durch welche die Halbleiterscheiben in die Schlitze eingeführt und daraus entfernt werden Minnen. Die Beseitigung
einer derartigen Technik stellt einen primären Beweggrund für die Schaffung der vorliegenden Erfindung dar.
Beim Ätzen einer Vielzahl von Halbleiterseheiben ist es bekannt (US-PS 3 607 473), die Scheiben in einer entsprechenden
Anzahl von Schlitzen zu halten und zwischen den Schei- "' ben und der Ätzlösung eine relative Bewegung hervorzurufen,
um eine gleichmäßige Ätzung zu erzielen. Bei der bekannten Vorrichtung werden die Scheiben in einem !Präger gehalten,
der am Boden eines die "gewünschte Ätzlösung enthaltenden Behälters angeordnet ist. Der gesamte Behälter wird um
einen zentralen Drehpunkt hin- und herbewegt, um jeder Schei-
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be in-ihrem zugeordneten Schlitz eine Rollbewegung zu vermitteln.
Bei der bekannten Vorrichtung müssen indessen die Scheiben einzeln und von Hand in die Schlitze eingesetzt werden, was
einer Schubbearbeitung mit ihrer Wirtschaftlichkeit und
ihren anderen Vorteilen entgegensteht, lerner führt die erforderliche
Bewegung des gesamten, die Ätzlösung enthaltenden Behälters zu mechanischen Antriebsproblemen und zu gewissen
Gefahren aufgrund der Aggressivität der zur Ätzung verwendeten Säure bzw. gefährlichen Chemikalien.
Die Aufgabe besteht demgegenüber darin, ein Verfahren und eine Vorrichtung der eingangs erwähnten Art dahingehend zu
verbessern, daß gleichzeitig eine Vielzahl von Gegenständen in den gleichen Trägern behandelt werden kann, die vor und
nach dem Behandlungsvorgang zur Schubbearbeitung der Gegenstände verwendet werden.
Die auf die Schaffung eines verbesserten Verfahrens gerichtete Teilaufgabe wird erfindungsgemäß durch die im Kennzeichen
des Anspruchs 1 angegebenen Merkmale gelöst.
Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen des erfindungsgemäßen
Verfahrens nach Anspruch 1 sind in den Ansprüchen 2 bis 13 gekennzeichnet.
Die auf die Schaffung einer verbesserten Vorrichtung gerich-
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tete Teilaufgabe wird erfindungsgemäß durch, die im. Kennzeichen
des Anspruchs 14 angegebenen Merkmale gelöst.
Die Erfindung wird mit ihren Vorteilen und weiteren Einzelheiten anhand der Zeichnungen näher erläutert. 3s zeigent
Fig. 1 eine perspektivische Vorderansicht eines üblicherweise verwendeten Trägers für Halbleiterscheiben;
Pig. 2 eine perspektivische Vorderansicht einer Vorrichtung zum Halten, einer Vielzahl von Paaren
aus aneinander anstoßenden Trägern während eines Behandlungsvorganges, und
Fig. 3 A - 3C Querschnitte längs der Schnittlinie 3-3 von
Fig. 2, wobei die Vorrichtung nach Pig. 2 in ein Behandlungsmedium eingetaucht ist.
In den Zeichnungen sind gleichartige Teile mit gleichen Bezugszeichen
versehen.
Fig. 1 zeigt eine perspektivische Ansicht der Bauart eines Trägers 11, wie er üblicherweise in der Halbleiterindustrie
zur schubweisen Bearbeitung von Halbleiterscheiben 12 verwendet wird. Träger wie beispielsweise der Träger 11 werden
oft in Verbindung mit pneumatischen Transportvorrichtungen oder dergleichen verwendet, 'tfie aus Fig. 1 ersichtlich ist,
wird in den Träger 11 eine Vielzahl von Scheiben 12 an ihren
peripheren Bereich im gegenseitigen Abstand und im wesentli-
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ehen parallel zueinander gehaltert. Die Scheiben 12 werden von einer entsprechenden oder einer größeren Anzahl von
generell U-förmigen oder Y-fö'rniigen Schlitzen 13 und 14
gehaltert, in denen die peripheren Bereiche der Scheiben 12 gleiten und durch welche die Scheiben 12 gehalten werden.
Zur besseren Übersichtlichkeit sind in Fig". 1 nur wenige"'
Scheiben 12 innerhalb des trägers 11 dargestellt. Selbstverständlich
enthält in der Praxis ein Träger 11 häufig in jedem der Schlitze 13, 14 eine Scheibe 12.
Ein !Träger wie der Träger 11 umfaßt üblicherweise eine offene
"Vorderseite 15, durch welche die Scheiben 12 in die Schlitze 13 und 14 gleitend eingesetzt und daraus wieder entfernt
werden. Die in Pig. 1 nicht sichtbare Rückseite des Trägers
11 ist üblicherweise ebenfalls offen, mit Ausnahme von geeigneten Sperrhaken, wie sie durch die gekrümmten Sereiche
16 und 17 veranschaulicht sind, um ein Herausgleiten der Scheiben 12 aus der Hüekseite des Trägers 11 zu verhindern.
Ss ist Stand der Technik, Halbleiterscheiben der in Pig. 1
dargestellten Art dadurch zu ätzen, daß die Scheiben 12 einzeln von Hand in Abschnitte eines Halters eingesetzt und
dann der Halter in einem flüssigen Behandlungsmedium bewegt wird, um zwischen den Scheiben 12 und dem Medium eine relative
Bewegung hervorzurufen. Auf diese Weise wird die Behandlungsflüssigkeit
über die Hauptflächen der Scheibe geschwemmt, um eine Verarmung der Behandlungsflüssigkeiten an
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der Scheibenoberflache zu vermeiden, was dein Durchschnittsfachaann
auf dem Gebiet der Halbleitertechnik wohlbekannt ist.
Das nachstehend erläuterte erfindungsgeaäße Verfahren dient
dazu, eine Entfernung der Halbleiterscheiben aua Trägern,
wie beispielsweise dem Träger 11, zu vermeiden, in welchem die Halbleiterscheiben 12 während und zwischen den Yerfahrensstufen
vor und nach der speziellen Oberflächenbehandlung bearbeitet, behandelt und transportiert werden. Die
offene Seitenfläche 15 (Fig. 1) des eine Vielzahl von Scheiben 12 enthaltenden Trägers 11 wird gegen die offene Torderseite
eines mit einer entsprechenden oder einer größeren Anzahl von Schlitzen 13, 14 versehenen leeren zweiten Trägers
der gleichen Art gerichtet, so daß die Schlitze der beiden Träger gegenseitig fluchten. Die aneinanderstoßenden
Träger werden in eine Behandlungsflüssigkeit eingetaucht und um eine Achse gedreht, welche durch die aneinanderstoßenden
offenen Seitenflächen der Träger verläuft. Wenn die Drehzahl ausreichend niedrig gehalten wird, rollen die Scheiben
vor und zurück über die eingetauchte. Achse, wobei eine gewünschte
Behandlung erzielt werden kann.
Fig. 2 zeigt eine perspektivische Vorderansicht einer Vorrichtung zum Halten einer Vielzahl von Paaren, aus aneinander gestoßenen, mit Halbleiterscheiben beladenen Trägern
sowie zum Drehen dieser Vielzahl in der beschriebenen Waise
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uni eine Achse 22 während des Behandlungsvorganges. ?/ie
aus I1Xg. 2 ersichtlich ist, umfaßt die Vorrichtung 21 -3ine
Vielzahl von Schienen oder Stangen 23-25, die an ein Paar gegenüberliegender Endglieder 26 und 27 befestigt sind, um
eine Vielzahl von aneinander gestoßenen !Trägern 11A bis 1Ii1 während- des Behandlung s vor ganges zusammenzuhalten. Die
Endglieder 26 und 27 können identisch sein, wobei jedes Endglied auseinandernehmbar durch Stifte 28 - 31 zusammengehaltene
Hälften 26A, 26B, 27A und 27B umfaßt. Der Stift 31 in dem-Endglied 27 ist in I?ig. 2 nicht sichtbar, sondern
geht aus den Fign. 3A bis 30 hervor. Soweit die Hälften nittels
der Stifte auseinandernehmbar sind, können sie getrennt werden, um das Einsetzen der Trägerpaare in die Vorrichtung
zu erleichtern.
Wie aus Jig. 2 ferner hervorgeht, enthält jedes Endglied
26A und 27A Anschlagstifte 32 - 34, welche an den gekrümmten Hakenbereichen der !Träger anliegen und diese während
des Behandlungsvorganges sicher in ihrer Lage halten. Der vierte Anschlagstift 35 in dem Endglied 27A ist in Fig. 2
nicht zu sehen, sondern ist in i*ign. 3A bis 3 C dargestellt.
Um die Kopplung der Vorrichtung 21 mit einer nicht dargestellten Motoreinrichtung oder dergleichen zum Bewegen der
Vorrichtung 21 in einem Behandlungsmedium zu erleichtern, ist an dem Endglied 26B eine kurze Welle 36 mit einem flachen
Bereich 37 und einem Splint 38 befestigt. In ähnlicher
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7/eiss enthält das Endglied 273 eine kurze Welle 39 nit
eines, flachen Bereich 40 und einem Splint 41 .
Selbstverständlich wird das Eaterial der Träger 11 bzw.
11A bis 111? sowie der Vorrichtung 21 vorzugsweise so gewählt,
daß es gegen die bei dem Behandlungsvorgang verwendeten Substanzen
widerstandsfähig ist. Beispielsweise v/ird für einen Behandlungsvorgang,wie beispielsweise deai Ätzen, das korrosive
Substanzen umfaßt, das Material der Träger 11 bzw. 11A bis 11F und der Torrichtung 21 vorzugsweise so gewählt, daß
es gegen ein Angreifen durch das Ätzmittel widerstandsfähig ist. Die Träger 11 bzw. 11A bis 11? können üblicherweise
aus einem inerten Polymerisat, z.B. Tetrafluoräthylen oder Polyvinylchlorid sein. Polyvinylchlorid *;.-ird derzeit für
die Vorrichtung 21 bevorzugt, da es eine größere V/iderstandsfähigkeit
und Festigkeit bei bestimmten Abmessungen aufweist.
Ss versteht sich selbstverständlich, daß die Vorrichtung nach Pig. 2 nur ein Ausführungsbeispiel für eine zur Durchführung
des Srfindungsgedankens geeignete Vorrichtung darstellt und in einer großen Vielzahl von Formen und Bauarten
ausgeführt und zum Halten einer geringeren oder größeren Anzahl von Trägerpaaren als in Fig. 2 dargestellt angepaßt
v/erden kann.
In Fign. 3A - 3C sind Querschnitte längs der Schnittlinie
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3-3 der Vorrichtung nach Pig. 2 veranschaulicht, und zwar
unter der Voraussetzung, daß die Vorrichtung nach Fig. 2
in geeignetes Behandlungsnedium 42, z.B. einer gewünschten
Ätzlösung, eingetaucht ist. Zum besseren Verständnis sei darauf hingewiesen, daß das Behandlungsverfahren und die
Behandlungsvorrichtung nach der Erfindung vorteilhaft für eine Bearbeitung verwendet v/erden lcönnen, die in der Faehwelt
als chemisches Läppen bezeichnet wird. Unter chemischem Läppen wird eine Bearbeitung verstanden, welche zum
Ätzen beschädigter Oberflächenabschnitte von Halbleiterscheiben nach ihrem Absägen von dem etwa kreisförmigen Ausgangszylinder
verwendet wird, der die ursprünglich gezüchtete Form von sonokristallinem Halbleitermaterial in der
Eegel darstellt. Eine bei dem chemischen Läppen üblicherv/eise
verwendete Ätzlösung besteht aus etv/a einem Voluraenteil
Flußsäure, vier Volumenteilen Salpetersäure und zwei Volumenteilen Essigsäure.
He aus Fig. 3A ersichtlich, sind die aneinanderstoßenden
träger 11G und 11D derart in die Ätslösung 42 eingetaucht,
daß der Träger 11C nach unten liegt und damit die Scheiben
12 enthält. Eine vierte Schiene 43 zum Zusammenhalten der Träger ist in Fig. 3A erkennbar; diese Schiene ist aus
Fig. 2 nicht ersichtlich und wurde daher in dieser Figur mit keinem Bezugszeichen versehen. Die Figuren 3A - 30
zeigen ferner Hutenfedern 23A und 25A, die von den Teilen
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23 bzw. 25 vorspringen. Die Nutenfedern 23A und 25A greifen
in iiuten 44 bzv/. 45 in den Trägern HD bz-γ. 11C ein
und tragen damit bei, die Träger wahrend das Behandlungsvorganges
sicher in ihrer Lage zu halten.
In Pig. 3A - 30 zeigen Pfeile 46 - 49 die Richtung an, in
welcher die Träger 11G und 11D um. die Achse 22 zu Erläuterungszwecken
gedreht werden. Selbstverständlich ist es gleichgültig, in welcher Richtung die Träger tatsächlich
ua die Achse 22 gedreht werden.
Pig. 3B zeigt das Gebilde von Pig. 3A, nachdem dieses
eine Drehung um etwa 105° ausgeführt hat» so daß die Schlitze
der Träger HG gegenüber dem Träger 11D geneigt sind.
In diesen Augenblick rollen die Scheiben 12, wie mit strichpunktierten
Linien 50 angedeutet ist, in Richtung auf einen eventuellen Haken an den Hakenbereichen 16 und 17 neben der
Rückseite des Trägers 11D. Wie insbesondere aus Pig. JB ersichtlich
ist, besitzen Halbleiterscheiben üblicherweise
eine flache Sehne 12A, die während des Herstellers zur Ausrichtung
der Scheiben in einer speziellen Richtung bezüglich der kristallographischen Struktur des monokristallinen
Herstellungsmaterials der Scheibe verwendet wird. Diese Sehne bzw. dieser flache Bereich ist ohne schädlichen Einfluß
auf die Rollbewegung, da sie üblicherweise in der Praxis
nur verhältnismäßig wenige- Winkelgrade einnimmt.
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In Fig. 3C ist das Gebilde nach Fign. 3 A und 33 nach
einer Drehung um 130 dargestellt. T7ie ohne weiteres
ersichtlich ist, sind die Scheiben 12 nunmehr unter der Schwerkraftv/irkung längs der Schlitze in den Träger 11D
gerollt, wo sie in Berührung mit den Hakenbereichen 16 und 17 gehalten werden. Selbstverständlich ist es hieraus
ersichtlich, daß die anschließende Drehung um weitere 180 dazu fährt, daß die Scheiben durch die eingetauchte
Achse 22 in den Träger 11C zurückrollen. Die -wiederholte
Drehung des Trägers um die Achse 22 führt dementsprechend zu einer Wiederholung des vorstehend erläuterten Yor-
und Rückrollens der Scheiben 12 zwischen den Trägern.
Die obere Grenze des vorteilhaften Drehzahlbereichs ist von der sich entwickelnden Zentrifugalkraft abhängig, die
ein Vor- und Zurückrollen der Scheiben zwischen den Trägern verhindert. Die untere Grenze des vorteilhaften Drehzahlbereichs
hängt von den gewünschten Ausmaß der Bewegung der Scheiben relativ zu dem Behandlungsmedium ab. In der
Praxis hat sich eine Drehzahl von 35 ü/min als günstig
herausgestellt. Jlan darf erwarten, daß ein Drehzahlbereich
von wenigstens 5 bis 50 ü/min verwendet v/erden kann.
Aufgrund der mechanischen TTechselv/irkung beim Rollen der
Scheiben längs der V-förmigen Schlitze, z.B. der Schlitze
13 und 14- in Fig. 1, besteht die Tendenz, daß die Kanten
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der Scheiben schneller geätzt \-/erden als die übrigen Bereiche
der Scheiben. Sine derartige beschleunigte Ätzung der Kanten führt zu einer leichtan Rundang dieser Kanten.
Diese leichte Rundung ist oftmals bsitrr chemischen Läppen
erwünscht, da bei einer anschließenden Züchtung epitaktischer
Schichten auf Scheiben mit leicht gerundeten Kanten die Gratbildung in diesen Schichten an den Kanten der
Scheiben verhindert wird.
Es ist ohne weiteres möglich, diesen Rundungseffekt durch
eine entsprechende Einstellung und Steuerung der Drehzahl sowie des ITeigungswinkels der V-förmigen Schlitze einzustellen
und zu steuern. Bei Siliciumscheiben von etwa 50 mm Durchmesser und 0,5 mm Dicke, die in Y-förmigen
Schlitzen mit einem Neigungswinkel von etwa zehn Gkrad gehalten
wurden, konnte mittels einer Drehzahl von etwa 35 U/min in der vorstehend erwähnten Ätzlösung ein brauchbarer
Rundungseffekt erzielt r/erden, mittels welchen eine
G-ratbildung während des anschließenden epitaktischen Züchtens
vermieden werden konnte. Mit diesen Parametern konnte ferner im Vergleich zu bekannten Ätzvorrichtungen eine
ausgezeichnete Steuerung der G-leichmäßigkeit der Scheibendicke
erzielt werden. Insbesondere war die G-leichmäßigkeit
der Scheibendicke besser als 0,01 mm über eine Scheibe mit 50 mm Durchmesser.
Es kann angenommen werden, daß die vorstehende Beschrei-
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hung den Durchsehnittsfaehnann in die Lage versetzt, den
Erfindungsgedanken zu ver-.7irklich.eri. Obgleich die Erfindung
unter Bezugnahme auf ein spezielles Ausführungsbei—
spiel beschrieben wurde, versteht es sich, daß dieses Ausführungsbeispiel
lediglich zum besseren Terständnis dient und den B^findungsgedanken in keiner 1JeIsS beschränkt. Insbesondere
können hinsichtlich des Aufbaues Lind der Betriebsweise
zahlreiche Abänderungen vorgesehen werden, ohne dabsi
von ά@Μ Brfindungsgedanken und dem Schutzumfang der
in der vorstehenden Weise beschriebenen Erfindung abzuweiohes.
Beispielsweise versteht es sich, daß die Erfindung mit federn
fluidischen Behandlungsmediuni, gleichgültig ob flüssig
kann,
oder gasförmig, verwendet werden/ sofern die träger in geeigneter
Weise angepaßt werden, damit das Kedium durch die Träger fließen und in Kontakt mit dein bzw» den zu behandelnden
Artikel(n) gelangen kann. Selbstverständlich ist die Erfindung nicht auf einen Ätzvorgang oder das chemische
Läppen beschränkt, sondern kann auch für andere chemische, mechanische oder chemisch-mechanische Behandlungen, beispielsweise
Elektroplattieren, stromfreies Plattieren, Galvanisieren, Polieren oder dergleichen verwendet werden,
bei denen eine Wechselwirkung zwischen einem Gegenstand und einem Behandlungsmedium beabsichtigt ist»
ferner braucht die Bewegung der aneinander anstoßenden 2rä-
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gar nicht auf eine einfache Drehung um eine eingetauchte
horizontale Achse "beschränkt werden, sondern kann beispielsweise auch eine exzentrische Rotation um eine Achse oder
ganz allgemein eine Bewegung durch ein- Behänd lungsaediuro.
längs einer bogenförmigen oder komplizierteren Bahn umfassen.
Weiterhin brauchen die 'Träger nicht bis zur körperlichen Berührung aneinandergestoßen werden. Stattdessen brauchen
die !Präger nur so zu positioniert werden, daß ihre offenen
Torderseiten ausreichend nahe beieinanaerliegen, gegebenenfalls
mit einem dazwischen angeordneten, geschlitzten Ab~ stanäfoalter, um eine Vor- und Zurückbewegung der Gegenstände zwischen den Trägern zu ermöglichen.
Barüberhinaus kann die Erfindung nicht nur in dar Weise
■verwirklicht werden, daß identische Träger aneinander gestoßen werden, sondern es kann auch die Torderseite eines
ersten geschlitzten Trägers mit einem oder mehreren Gegenständen
in die Üähe irgendeines geeigneten, geschlitzten oder unterteilten Gliedes derart angeordnet werden, daß
die Schlitze ausreichend miteinander fluchten," um eine Tor— und Rückbewegung der Gegenstände zwischen dem Träger
und dem Glied zu gestatten. Beispielsweise können die Träger 11B, 1133 und/oder 1ΤΪ1 in Fig. 2 ebensogut ein geschlitztes
Glied aufweisen, das anstelle der tragbaren Tielzweckträger in die Tor richtung 21 eingebaut ist. In
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der vorliegenden Sescareitung und in den Ansprüchen v/ird
daher der Ausdruck "Träger" in einen ausreichend weiten Sinne verstanden, daß er sämtliche Variationen und Abv/andlungsn
umfaßt, die innerhalb des Erfindungsgedankens und des Schutzumfangs der Erfindung liegen.
Weiterhin versteht es sich, daß die Erfindung nicht auf
die Behandlung von scheibenförmigen Gegenständen mit Kreisumfang beschränkt ist, sondern auch für die Behandlung von
beliebigen Gegenständen mit kurvenförmiger Oberfläche angepaßt werden kann, die den Gegenständen eine Tor- und
Rückwärtsbewegung von einem Träger zu dem anderen gestattet.
TTeiterhin versteht es sich, daß die Erfindung nicht auf
ein Tor- und Zurückrollen von Gegenständen zwischen den Trägern unter dem Einfluß der Schwerkraft beschränkt ist.
Falls die Gegenstände beispielsweise magnetisch suezeptibel sind, können sie unter dem Einfluß eines Magnetfeldes zwischen
den Trägern vor- und zurückbewegt werden, wobei selbstverständlich
die Bewegungsachse keine horizontale Komponente aufweisen muß. ■
Schließlich versteht es sich, daß eine breite Vielzahl von Formen, Arten und Größen von Trägern verwendet werden kann,
was alles in dem allgemeinen Srfindungsgedanken und Schutz-■lunfang
der vorliegenden 3rfindung liegt.
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Claims (1)
- PatentanwaltStuttgart N.-Menzelstraße 40Gestern Electric A 35 052Company, IncorporatedBroadway 18. Dez. 1975iiev7 York, N. Y. 10007USA ' ·Patentansprüche1. Verfahren zur Behandlung eines G-e genstand es, gekennzeichnet durch folgende Verfahrensschritte:(a) Haltern des Gegenstandes in einem Schlitz, der in einem ersten Träger mit einer Öffnung zum Einsetzen und Entfernen des Gegenstandes angebracht ist;(b) Positionieren der Öffnung des ersten Trägers auf die öffnung eines leeren, mit einem Schlitz versehenen zweiten Trägers, derart, daß der Schlitz des ersten Trägers im we sentliehen mit dem Schlitz des zweiten Trägers fluchtet;(c) Einsetzen zumindest des den Gegenstand enthaltenden Trägers in ein Behandlungsmedium, und(d) Bewegen des Trägers mit einer ausreichenden .Geschwindigkeit längs einer ausreichenden Bahn, damit sich der Gegenstand zwischen den Trägern vor und zurück bewegt.609826/10612. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , dai3 der Gegenstand in den Schiit3 nur an seinen peripheren Bereichen gehalten wird.3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2,dadurch gekennzeichnet , daß das Bewegen des Gegenstandes in I?ori2 einer Rollbewegung erfolgt.4. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 his3, dadurch gekennzeichnet, daß die Roirbewegung derart erfolgt, daß der Gegenstand während, der Bewegung in dein Behandlungsmedium bleibt.5· Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis4, dadurch gekennzeichnet, daß beide Träger eingetaucht und um eine eingetauchte Achse gedreht werden.6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet , daß die eingetauchte Achse mit den aneinander anstoßenden öffnungen des Trägers zusamaenfällt.7. Verfahren nach Anspruch β, dadurch gekennzeichnet , daß die Achse derart eingetaucht wird, daß sie im wesentlichen horizontal liegt und daß die.Träger derart um die eingetauchte Achse gedreht werden, daß609826/1061der Gegenstand durch die eingetauchte Achse rollt.•3. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß eine Vielzahl von Gegenständen in gegenseitigem Abstand und im wesentlichen parallel zueinander in einer entsprechenden Anzahl von Schlitzen in dem ersten Iräger gehalten v/erden und daß der zweite Iräger wenigstens eine entsprechende Anzahl von Schlitzen aufweist.S. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet , daß die Iräger aneinandergestoßen und derart in das Behandlungsmediuni eingetaucht werden, daß die Gegenstände in einer im wesentlichen vertikalen Ebene gehalten werden.10. Verfahren nach Anspruch 9» dadurch geken n-. zeichnet , daß die eingetauchten Träger um eine eingetauchte horizontale Achse gedreht werden, die in einer durch die aneinanderstoßenden öffnungen des Prägers bestimmten Ebene liegt.11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet , daß die Träger derart gedreht werden, daß die Gegenstände durch die eingetauchte horizontale Achse rollen.-4-609826/106112. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet , daß die eingetauchten Träger exzentrisch um die eingetauchte Achse gedreht werden.13. Verfahren nach Anspruch 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet , daß das Behandlungsmedium eine Ätzflüssigkeit ist.14. Vorrichtung zum Behandeln eines Gegenstandes gemäß dein. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 "bis 13,. dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung erste und zweite Träger (11A, 11B) umfaßt, die jeweils einen Schlitz (13, H) zum Halten des Gegenstandes (12) sowie eine Öffnung (15) zum Einsetzen und Entfernen des Gegenstandes aufweisen und daß eine Einrichtung (23 - 25; 26 - 27) zum Halten der ersten und zweiten träger (11A, 11B) vorgesehen ist, derart, daß deren öffnungen. (15) einander "benachbart sind und der Schlitz des ersten Trägers (11A-) im wesentlichen mit dem Schlitz des zweiten Trägers (11B) fluchtet, wobei diese Halteeinrichtung mit einer ausreichenden Geschwindigkeit längs einer ausreichenden Bahn bewegbar ist, damit sich die Gegenstände zwischen den Trägern vor und zurück bewegen.609826/106 1
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US05/534,918 US3977926A (en) | 1974-12-20 | 1974-12-20 | Methods for treating articles |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19752557367 Withdrawn DE2557367A1 (de) | 1974-12-20 | 1975-12-19 | Verfahren und vorrichtung zur behandlung eines gegenstandes |
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---|---|
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DE (1) | DE2557367A1 (de) |
FR (1) | FR2295567A1 (de) |
GB (1) | GB1486709A (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0056326A2 (de) * | 1981-01-14 | 1982-07-21 | Northern Telecom Limited | Verfahren zum Beschichten von Halbleiterscheiben und Vorrichtung dafür |
Families Citing this family (44)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4251317A (en) * | 1979-04-30 | 1981-02-17 | Fairchild Camera And Instrument Corporation | Method of preventing etch masking during wafer etching |
US4300581A (en) * | 1980-03-06 | 1981-11-17 | Thompson Raymon F | Centrifugal wafer processor |
US4458704A (en) * | 1982-10-29 | 1984-07-10 | Xertronix, Inc. | Apparatus for processing semiconductor wafers |
FR2544879B1 (fr) * | 1983-04-21 | 1987-06-12 | Prat Jacques | Dispositif pour le nettoyage et la sterilisation thermique de lentilles de contact souples hydrophiles |
US4856544A (en) * | 1984-05-21 | 1989-08-15 | Cfm Technologies, Inc. | Vessel and system for treating wafers with fluids |
US4911761A (en) * | 1984-05-21 | 1990-03-27 | Cfm Technologies Research Associates | Process and apparatus for drying surfaces |
US4633893A (en) * | 1984-05-21 | 1987-01-06 | Cfm Technologies Limited Partnership | Apparatus for treating semiconductor wafers |
US4577650A (en) * | 1984-05-21 | 1986-03-25 | Mcconnell Christopher F | Vessel and system for treating wafers with fluids |
US4738272A (en) * | 1984-05-21 | 1988-04-19 | Mcconnell Christopher F | Vessel and system for treating wafers with fluids |
US4984597B1 (en) * | 1984-05-21 | 1999-10-26 | Cfmt Inc | Apparatus for rinsing and drying surfaces |
US4778532A (en) * | 1985-06-24 | 1988-10-18 | Cfm Technologies Limited Partnership | Process and apparatus for treating wafers with process fluids |
US4740249A (en) * | 1984-05-21 | 1988-04-26 | Christopher F. McConnell | Method of treating wafers with fluid |
US4675067A (en) * | 1984-06-13 | 1987-06-23 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Solar cell coverslide extraction apparatus |
FR2597368A1 (fr) * | 1986-04-17 | 1987-10-23 | Guilbaud Jean Pierre | Dispositif pour le traitement de produits divers par immersion dans des liquides puis essorage. |
US5090432A (en) * | 1990-10-16 | 1992-02-25 | Verteq, Inc. | Single wafer megasonic semiconductor wafer processing system |
JPH07122132B2 (ja) * | 1990-11-01 | 1995-12-25 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜形成方法および薄膜形成装置 |
US5103847A (en) * | 1990-11-13 | 1992-04-14 | Westinghouse Electric Corp. | Device for supporting tube bundles for cleaning |
DE4103084A1 (de) * | 1991-02-01 | 1992-08-13 | Wacker Chemitronic | Magazin zur halterung von scheibenfoermigen werkstuecken, insbesondere halbleiterscheiben, bei der nasschemischen oberflaechenbehandlung in fluessigkeitsbaedern |
JPH04299828A (ja) * | 1991-03-28 | 1992-10-23 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体基板処理装置 |
ATE258084T1 (de) * | 1991-10-04 | 2004-02-15 | Cfmt Inc | Superreinigung von komplizierten mikroteilchen |
US5224503A (en) * | 1992-06-15 | 1993-07-06 | Semitool, Inc. | Centrifugal wafer carrier cleaning apparatus |
FR2698639B1 (fr) * | 1992-12-01 | 1995-03-24 | Sgs Thomson Microelectronics | Machine de gravure chimique de silicium. |
US5863348A (en) * | 1993-12-22 | 1999-01-26 | International Business Machines Corporation | Programmable method for cleaning semiconductor elements |
US6833035B1 (en) * | 1994-04-28 | 2004-12-21 | Semitool, Inc. | Semiconductor processing system with wafer container docking and loading station |
US6712577B2 (en) * | 1994-04-28 | 2004-03-30 | Semitool, Inc. | Automated semiconductor processing system |
US5593505A (en) * | 1995-04-19 | 1997-01-14 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method for cleaning semiconductor wafers with sonic energy and passing through a gas-liquid-interface |
US5968849A (en) * | 1995-06-26 | 1999-10-19 | Motorola, Inc. | Method for pre-shaping a semiconductor substrate for polishing and structure |
JP3050524B2 (ja) * | 1996-05-09 | 2000-06-12 | スピードファムクリーンシステム株式会社 | ワーク搬送用キャリヤ装置 |
US6039059A (en) | 1996-09-30 | 2000-03-21 | Verteq, Inc. | Wafer cleaning system |
US5865894A (en) * | 1997-06-11 | 1999-02-02 | Reynolds Tech Fabricators, Inc. | Megasonic plating system |
US5843322A (en) * | 1996-12-23 | 1998-12-01 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process for etching N, P, N+ and P+ type slugs and wafers |
AU6327398A (en) * | 1997-02-18 | 1998-09-08 | Scp Global Technologies | Multiple stage wet processing chamber |
US6062239A (en) * | 1998-06-30 | 2000-05-16 | Semitool, Inc. | Cross flow centrifugal processor |
US6125863A (en) * | 1998-06-30 | 2000-10-03 | Semitool, Inc. | Offset rotor flat media processor |
US6432214B2 (en) | 1998-07-10 | 2002-08-13 | Semitool, Inc. | Cleaning apparatus |
US6328809B1 (en) | 1998-10-09 | 2001-12-11 | Scp Global Technologies, Inc. | Vapor drying system and method |
JP3316748B2 (ja) * | 1998-10-20 | 2002-08-19 | 株式会社村田製作所 | 無電解めっき用ホルダおよび無電解めっき方法 |
US6918864B1 (en) * | 1999-06-01 | 2005-07-19 | Applied Materials, Inc. | Roller that avoids substrate slippage |
US20070095366A1 (en) * | 2005-11-02 | 2007-05-03 | Applied Materials, Inc. | Stripping and cleaning of organic-containing materials from electronic device substrate surfaces |
CN103241537B (zh) * | 2013-04-24 | 2015-08-05 | 北京优纳科技有限公司 | 切片装载装置 |
CN105083143A (zh) | 2014-09-18 | 2015-11-25 | 宁波万汇窗篷用品有限公司 | 遮阳篷装置 |
CN106702496B (zh) * | 2015-07-20 | 2019-01-25 | 有研半导体材料有限公司 | 一种酸腐蚀去除硅晶圆表面损伤的装置及方法 |
US10428549B2 (en) | 2016-04-01 | 2019-10-01 | ZHUN-AN Ma | Awning apparatus |
EP3495582A1 (de) | 2017-12-08 | 2019-06-12 | Activa Awning Inc. | Markisenvorrichtung |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3428059A (en) * | 1967-04-03 | 1969-02-18 | Geoscience Instr Corp | Rotary basket processing apparatus |
DE1915714C3 (de) * | 1969-03-27 | 1975-07-10 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Vorrichtung zum Xtzen von Halbleiterscheiben mit einem mit Ätzflüssigkeit gefüllten Gefäß und einem in die Ätzflüssigkeit eingetauchten, mit waagrechter Achse rotierenden Ätzkorb |
US3841689A (en) * | 1973-06-29 | 1974-10-15 | Bell Telephone Labor Inc | Semiconductor wafer transfer fixture |
-
1974
- 1974-12-20 US US05/534,918 patent/US3977926A/en not_active Expired - Lifetime
-
1975
- 1975-07-11 CA CA231,308A patent/CA1038503A/en not_active Expired
- 1975-12-15 FR FR7538309A patent/FR2295567A1/fr active Granted
- 1975-12-17 GB GB51595/75A patent/GB1486709A/en not_active Expired
- 1975-12-19 JP JP50150769A patent/JPS5186367A/ja active Pending
- 1975-12-19 DE DE19752557367 patent/DE2557367A1/de not_active Withdrawn
-
1976
- 1976-04-23 US US05/679,581 patent/US4077416A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0056326A2 (de) * | 1981-01-14 | 1982-07-21 | Northern Telecom Limited | Verfahren zum Beschichten von Halbleiterscheiben und Vorrichtung dafür |
EP0056326A3 (en) * | 1981-01-14 | 1983-07-20 | Northern Telecom Limited | Coating of semiconductor wafers and apparatus therefor |
US4466381A (en) * | 1981-01-14 | 1984-08-21 | Northern Telecom Limited | Coating of semiconductor wafers and apparatus therefor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4077416A (en) | 1978-03-07 |
CA1038503A (en) | 1978-09-12 |
FR2295567A1 (fr) | 1976-07-16 |
US3977926A (en) | 1976-08-31 |
GB1486709A (en) | 1977-09-21 |
FR2295567B1 (de) | 1979-04-27 |
JPS5186367A (en) | 1976-07-28 |
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