DE2552430A1

DE2552430A1 - Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung und durch dieses verfahren hergestellte halbleiteranordnung

Info

Publication number: DE2552430A1
Application number: DE19752552430
Authority: DE
Inventors: Hendrikus Gerardus Kock; Dirk De Nobel
Original assignee: Philips Gloeilampenfabrieken NV
Current assignee: Koninklijke Philips NV
Priority date: 1974-12-05
Filing date: 1975-11-22
Publication date: 1976-06-10
Also published as: NL7415841A; FR2293794B1; SE7513565L; SE411813B; CA1042114A; FR2293794A1; AU499832B2; AU8715275A; GB1525400A; CH595698A5; JPS5182569A; IT1051815B

Description

PHSf. 7828

Va/FF/VOOR

28-10-1975

Anm«!:!:-r: ■:.».; =.:. ;--' uoJ-iILAk,: uii
A·.:- PHN-732S

Anmeldung vom» 21 . MOV. 1975

"Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung und durch dieses Verfahren hergestellte Halbleiteranordnung"

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit einem Halbleiterkörper mit einer Oberfläche, die teilweise mit einer elektrisch isolierenden Schicht überzogen und mit einem Leitermuster versehen isi, wobei.auf der Isolierschicht eine Hllfsschicht erzeugt wird, die Oberflächenteile, die dem zu bildenden Leitermuster entsprechen, frei lässt, wonach auf dem Ganzen eine elektrisch leitende Schicht aus einem von dem der Hilfsschicht verschiedenen Material erzeugt und dann .die Hilfsschicht mit dem darauf liegenden Teil der leitenden Schicht selektiv entfernt wird, wobei der auf den genannten frei gelassenen Oberflächenteilen zurückbleibende Teil der leitenden Schicht das Leitermuster bildet.

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Weiterhin bezieht sich die Erfindung auf eine durch dieses Verfahren hergestellte Halbleiteranordnung.

Verfahren der beschriebenen Art sind u.a.

aus der niederländischen Offenlegungsschrift 7.205.767 bekannt .

Oas genannte Verfahren, das in Fachkreisen

unter der Bezeichnung "lift-off"-Technik bekannt ist, wird insbesondere zum Erzeugen von Leitermustern mit sehr kleinen Abmessungen verwendet. Dabei wird im allgemeinen die Hilfsschicht durch ein Aetzmittel entfernt, das die Hilfsschicht selektiv wegätzt, praktisch ohne dass die übrigen Teile des Systems angegriffen werden.

Ein grosser Nachteil dieses bekannten Verfahrens ist der, dass die ¥ahl der Materialien der Hilfsschicht und der zu bildenden leitenden Schicht beschränkt ist, weil diese Schichten in bezug aufeinander und in bezug auf die anderen Teile des Systems selektiv ätzbar sein müssen.

Ein weiterer grosser Nachteil dieses Verfahrens besteht darin, dass das Aetzmittel nur schwer mit der Hilfsschicht in Kontakt kommen kann, vor allem wenn die auf der Hilfsschicht erzeugte leitende Schicht nicht porös ist« Die Hilfsschicht kann dann nur über die Seitenkante angegriffen werden, wodurch nur ein kleiner Teil der Hilfsschicht mit dem Aetzmittel in Kontakt ist. Die Entfernung der Hilfsschicht durch das Fortschreiten des Aetzvorgangs in Richtung auf die Schicht kann dadurch verhältnismässig viel Zeit beanspruchen, was nachteilig ist, vor allem wenn

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die übrigen Teile des Systems nicht völlig gegen das AetznrLttel beständig sind.

Bas chemische Wegätzen der Hilfsschicht kann

ausserdem den Nachteil ergeben, dass Aetzprodukte an schwer

I zugänglichen Stellen zurückbleiben und daduz-ch die Wirkung

und/oder die Lebensdauer der Anordnung ungüstig beeinflussen

Statt einer metallenen Hilfsschicht wurden

auch Hilfsschichten aus anderen Materialien, z.B. Photolackschichten, verwendet, Es sei aber bemerkt, dass die Anwendung von Photolackschichten als Hilfsschicht bei diesen Verfahren im allgemeinen nicht erwünscht ist, weil vor allem bei niedrigeren Temperaturen der Photolack sehr schwer so vollständig entfernt werden kann, dass keine Reste zurückbleiben und dass das Leitermuster nicht beschädigt wird.

Weiter ist aus der USA-Patentschrift 3.642.5i ein Verfahren bekannt, bei dem ein Halbleitersubstrat mit einer Oxidschicht über-zogen wird, in der ein Fesnter gebildet wird, wonach auf dem Ganzen eine Palladiumschicht und darauf erwünschtenfalls eine Schicht aus einem anderen Metall gebildet wird, Dann wird in einer wasserstoffhaltigen Atmosphäre das Palladium von der Oxidschicht entfernt, wobei in dem Fenster das Palladium nacia wie vor an der Halbleiteroberfläche haftet. Dieses Verfahren eignet sich jedoch lediglich zur Herstellung von Palladiumhalbleiterkontakten, weil das Palladium in dem Fenster sehr stark an der Halbleiteroberfläche haftet und von dieser Oberfläche praktisch nicht entfernt werden kann.

Die Erfindung bezweckt u.a., ein neues Ver-

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fahren zu schaffen, bei dem die Nachteile der bekannten Verfahren vermieden oder wenigstens erheblich verringert werden.

Die Erfindung liegt u.a. die Erkenntnis zugrunde, dass der beabsichtigte Zweck dadurch erreicht werden kann, dass das Material der Hilfsschicht in Kombination mit der Weise, in der es in dem gewünschten Muster angebracht wird, derart gew3h.lt wird, dass für das Leitermuster ein beliebiges leitendes Material verwendet werden kann, das ausserdem nicht porös zu seinbraucht, während sich dennoch die Hilfsschicht schnell und zweckmässig wegätzen lässt.

Daher ist ein Verfahren der eingangs beschriebenen Art nach der Erfindung dadurch gekennzeichnet, dass zunächst die Halbleiteroberfläche mit einer Isolierschicht versehen wird; dass auf der Isolierschicht eine palladiumhaltige Hilfsschicht erzeugt wird; dass anschliessend an der Stelle des zu bildenden Leitermusters die Hilfsschicht und auf den durch das Leitermuster zu kontaktierenden Teilen der Halbleiteroberfläche zugleich die darunter liegende Isolierschicht entfernt wird, und dass dann die leitende Schicht erzeugt wird, wonach die Hilfsschicht in einem wasserstoffhaltigen Medium entfernt wird, wobei aer Wasserstoff von der Hilfsschicht absorbiert wird und diese Hilfsschicht quellen lässt, wobei die Hilfsschicht mit den darauf liegenden Teilen der leitenden Schicht entfernt wird.

Das Verfahren nach der Erfindung weist den

wesentlichen Vorteil auf, dass die Hilfsschicht ohne Mühe, Z₀B. durch Wegblasen mit Pressluft, entfernt werden kann,

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ohne dass Reste zurückbleiben. Ein anderer grosser Vorteil ist der, dass für das zu bildende J^eitermuster ein beliebiges leitendes Material gewShlt werden kann. Dadurch, dass die palladiumhaltige Schicht nur ai'f der Isolierschicht gebildet und erst danach die Isolierschicht an den zu kontaktierenden Stellen von der Halbleiteroberfläche entfernt wird, kommen diese zu kontaktierenden Stellen nie mit der Hilfsschicht in Berührung, so dass die Hilfsschicht auch nicht von diesen Stellen entfernt zu werden braucht. Auch braucht das Leitermuster nicht aus porösem Material zu bestehen, weil der Wasserstoff ohne Schwierigkeiten auch durch nichtporige Schichten hindurch diffundiert, vorausgesetzt dass diese nicht zu dick sind. Dies ist z.B. von grosser Bedeutung bei der Bildung von Schottky-Kontakten, wobei bei Anwendung des erfindungsgemässen Verfahrens die Höhe der Schottky-Sperre durch freie Wahl der Materialien bestimmt werden kann.

Ein wichtiger Vorteil des Verfahrens nach

der Erfindung besteht noch darin, dass die Entfernung der Hilfsschicht erwünschtenfalls bei Zimmertemperatur erfolgen kann „

Weiter ist das Verfahren nach der Erfindung von besonderer Bedeutung in jenen Fällen, in denen ein ohmscher Kontakt oder ein Schottky-Kontakt in einem Fenster sehr kleiner Abmessungen gebildet werden muss. Das Verfahren nach der Erfindung bietet dabei die Möglichkeit, ein beliebiges leitendes Material in diesem Fenster anzuordnen, ohne dass dabei das leitende Material die Isolierschicht über-

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läppt, was für viele Anwendungen erwünscht ist·

Einige Ausführungsformen der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und werden im folgenden näher beschrieben. Es zeigen:

Figuren 1 bis 6 schematisch im Querschnitt

aufeinanderfolgende Stufen der Herstellung einer Anordnung nach der Erfindung,

Fig. 7 schematisch eine Draufsicht auf einen Teil einer anderen Anordnung nach der Erfindung,

Fig. 8 schematisch einen Querschnitt durch die Anordnung längs der Linie "VTII-VIII in Fig. 7, und

Figuren 9 bis lh schematisch im Querschnitt längs der Linie VIII-VIII in Fig. 7 aufeinanderfolgende Stufen der Herstellung der Anordnung nach den Figuren 7 und8".

Die Figuren sind schematisch und nicht mass-

stäblich gezeichnet. Entsprechende Teile sind in den Figuren im allgemeinen mit den gleichen Bezugsziffern bezeichnet. Halbleiterzonen vom gleichen L-eitfähigkeitstyp sind in den Querschnitten in derselben Richtung schraffiert.

Figuren 1 bis 6 zeigen schematisch im Querschnitt aufeinanderfolgende Stufen einer Ausführungsform des Verfahrens nach der E_rfindung. In diesem Beispiel wird eine Schottky-Diode hergestellt. Es wird (siehe Fig. 1) von einem Halbleiterkörper ausgegangen, der aus einem z.B. etwa 200 /um dicken Substrat 1 aus n-^eitendem Silicium mit einem spezifischen Widerstand von z.B. 0,001 Ohm.cm besteht, auf dem eine epitaktische Schicht 2 mit einer Dicke von etwa.1yura und einem spezifischen Widerstand von z.B. 0,1 0hm.cm erzeugt ist,

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die ebenfalls aus η-leitendem Silicium besteht. Die Oberfläche 3 des Halbleiterkörpers ist mit einer elektrisch isolierenden Schicht 4 aus Siliciumoxid mit einer Dicke von etwa 0,1 /um überzogen· Diese Schicht wird im vorliegenden Beispiel durch pyrolytisches Niederschlagen von Siliciumoxid bei etwa 4OO°C erzeugt, aber kann auch auf thermischem Wege oder auf andere ¥eise erhalten werden.

Auf der Oxidschicht 4 wird dann eine Hilfsschicht 5 «ms Palladium mit einer Dicke von vorzugsweise etwa 0,2yum oder mehr gebildet, obwohl auch dünnere Hilfsschichten verwendet werden.können. Die Hilfsschicht wird vorzugsweise durch Sputtern erzeugt, aber dies kann auch auf andere Weise erfolgen. Vorzugsweise wird eine Hilfsschicht aus reinem Palladium gebildet, obschon dies nicht notwendig ist, weil auch eine Schicht aus Palladium und einem anderen Material angewendet werden kann, vorausgesetzt, dass der Palladiumgehalt genügend hoch ist, damit die Hilfsschicht quellen und sich kräuseln kann.

Dann werden an der Stelle des zu bildenden

Leitermusters, in diesem Falle des Schottky-Kontakts, die Hilfsschicht 5 und auch die darunter liegende Isolierschicht 4 entfernt. Dies kann auf verschiedene Weise erfolgen, z.B. dadurch, dass nacheinander ein Fenster in die Hilfsschicht 5 und in die Isolierschicht 4 geätzt wird. Im vorliegenden Beispiel wird jedoch nach der Erfindung auf der Palladiumschicht 5 zunächst eine Maskierungsschicht 6, z.B. eine Photolackschicht (auch als Photoresistschicht bezeichnet) erzeugt, in der auf übliche Weise ein Fenster 7 gebildet wird (siehe

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Figo 1). In diesem Beispiel ist dieses Fenster ein rundes Fenster mit einem Durchmesser von 6 /um mit der L-inie M-M als Mittellinie, aber die Form und Abmessungen des Fensters können auch anders, insbesondere kann die Form quadratisch seln₀ Anschliessend wird, ebenfalls auf in der Halbleitertechnik allgemein übliche Weise, das Palladium innerhalb des Fensters durch Ionenätzen entfernt (siehe Fig. 2), wonach ebenfalls durch Ionenätzen die Oxidschicht k innerhalb des Fensters 7 entfernj wird (siehe Fig. 3)· Oas Ionenätzen kann z.B₀ in einer Atmosphäre von Argon unter einem Druck von 10 mm Quecksilbersäule erfolgen-, wobei das Sxibstrat an einer negativen Spannung von z.B. 100 bis 150 V in bezug auf eine etwa 5 cm von der Halbleiteroberfläche entfernte Anode liegt. Das (Hochirequenz)lonenätzen nimmt insgesamt etwa Minuten·in Anspruch und findet bei einer leistung von.etwa 200 ¥ und einer Frequenz von etwa 13»5<5 MHz statt. Ein grosser Vorteil des lonenätzens (auch als Rücksputtern bezeichnet) ist der, dass dabei keine Unterätzung auftritt, wodurch der Schottky-Kontakt genau bis zu dem Rand des Fensters angeordnet werden kann.

Dann wird die Photoresistmaske 6 entfernt und

es werden vorzugsweise durch Sputtern, aber erwünschtenfalls auf andere Weise, z.B. diirch Aufdampfen, auf der ganzen Oberfläche und in dem Fenster 7 eine etwa 0,0,5/um dicke Schicht 8 aus Titan und darauf zum Erhalten einer guten Lotbarkeit eine Schicht 9 aus Gold mit einer Dicke von etwa 0,1 /um erzeugt (siehe Fig. k). Dabei wird vor der Erzeugung der Schichten 8 und 9 zunächst durch lonenätzen eine dünne

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Oberflächenschicht aus Silicium innerhalb des Fensters entfernt, so dass eine ganz reine Oberfläche erhalten wird.

Danach wird die Hilfsschicht 5 dadurch entfernt, dass während einiger Minuten das Ganze einer Atmosphär· reinen Wasserstoffs bei 20°C ausgesetzt wird. Dabei diffundiert der Wasserstoff durch die Schichten 8 und 9 hindurch und wird von der Pailadiumschicht 5 absorbiert, die quillt unc sich kräuselt und sich dadurch leicht von der Oxidschicht ablast. Durch Wegblasen mit Pressluft werden die Schicht und die darauf liegenden Teile der Metallschichten 8 und entfernt, wodurch die Struktur nach Fig. 6 erhalten wird. Auf der Unterseite des Substrats 1 wird auf bekannte Weise mittels einer Metallschicht, z.B. einer Niekelschicht ίΌ, ein ohmscher Kontakt gebildet. Dadurch ist eine Schottky-Diode sehr kleiner Abmessungen erhalten, die dann auf übliche Weise mit Zuführungsleitern versehen und in einer passenden Umhüllung untergebracht wirdo

Obgleich im beschriebenen Beispiel die Hilfsschicht 5 reinem Wasserstoff ausgesetzt wurde, ist dies nicht notwendig. Auch Gasgemische mit einem kleineren Wasserstoffgehalt, aber vorzugsweise mit mindestens 10 Vol.$ Wasserstoff können Anwendung finden. -*

Statt Titan können natürlich auch andere

Metalle, wie z.B. Nickel, Chrom, Platin, Aluminium usw., fur die Herstellung der Schottky-Diode verwendet werden»

Wie aus dem beschriebenen Beispiel hervorgeht, können mit dem Verfahren nach der Erfindung auf einfache Weise sehr kleine Kontakte, mit einer Höchstabmessung von

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weniger als 10yum, hergestellt werden.

Eine Abwandlung des Verfahrens nach der Erfindung wird nun an Hand der Figuren 7 bis ΛΚ beschrieben. Fig. 7 zeigt in Draufsicht und Fig. 8 schematisch im Querschnitt längs der Linie VIII-VIII der Fig. 7 einen Teil eines Transistors mit einer Kollektorzone 21 aus z.B. n-leitendem Silicium, einer Basiszone 22 axis p-leitendem Silicium und einer Emitterzone 23 aus η-leitendem Silicium. Eine derartige Transistorstruktur kann auf bekannte Weise, z.B. durch Anwendung allgemein üblicher¹ Diffusionstechniken, epitaktisches Anwachsen, Ionenimplantation usw., oder durch eine Kombinatior dieser Techniken hergestellt werden, was für die Erfindung nicht wesentlich ist. Die Emitterzone 23 besteht aus einer langgestreckten Zone und meistens enthält der Transistor mehrere derartiger langgestreckter -Zonen. Die Emittermetallisierung besteht aus einer Metallschicht, z.B. einer Aluminiumschicht 8, die sich auf einer Seite an eine Metallschicht Zh anschliesst, die entweder ebenfalls aus Aluminium oder aus einem anderen Metall bestehen kann. Eine Oxidschicht 4 bedeckt den Emitter-Basisübergang.

Nach der Erfindung wird diese Struktur auf

folgende Weise hergestellt. Wie.jLn Fig. 9 angegeben ist, wird von einer Struktur ausgegangen, wie sie z.B. nach dem Diffundieren der Emitterzone 23 erhalten ist, wobei die Emitterzone auch mit eir.er dünnen Oxid- oder Glasschicht bedeckt ist„ Darauf wird die Hilfsschicht 5» vorzugsweise aus reinem Palladium, erzeugt. Auf der Hilfsschicht 5 wird eine Maskierungsschicht 25, ZoB. eine Photoresistmaske, in bekannter Weise

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gebildet. Durch Aetzen mit z.B. verdünntem Königswasser wird an den nicht mit der Maskierungsschicht 25 bedeckten Stellen die Hilfsschicht 5 entfernte Dann wird eine weitere Maskierungsschicht 26, die auch durch eine Photoresistmaske gebildet sein kann, gebildet (siehe Fig. 10), Diese Maskierungsschicht 26 bedeckt die HiIfsschicht 5 vollständig, aber ISsst auf der Emitterzone 23 einen Teile der Oxidschicht k frei, welcher Teil dann durch Aetzen mit einei¹ FluorwasserstofflSsung entfernt wird. Nach Entfernung der Maskierungsschichten 25 und 26 wird dann die Struktur nach Figi 11 erhalten.

Anschliessend wird aiif der Oberfläche eine

Aluminiumschicht 8 gebildet (siehe Fig. 12), wonach durch Überführung von Wasserstoff die Schicht 5 quillt und sich kräuselt und sich mit den darauf liegenden Teilen der Schicht 8, gleich wie im vorhergehenden Beispiel, leicht entfernen lässt (siehe Figuren 13 und 14). Dann wird unter Verwendung eines weiteren Maskierungs- und Aetzschrittes die Metallschicht Zh gebildet, wobei die Struktur nach Fig. 8 erhalten wird. Die Metallisierung und Kontaktierung der Kollektor- und Basiszonen 21 bzw, 22 kann in einer geeignet gewählten Stufe der Herstellung stattfinden und ist, weil sie für die Erfindung nicht wesentlich ist, nicht'in der Zeichnung dargestellt, die nur schematisch einen Teil des Transistors zeigt.

Im letzteren Beispiel wird nach der Erfindung ein T-eitermuster 8 erhalten, das sich teilweise innerhalb des Emitterfensters und teilweise auf der Isolierschicht h erstreckt, dies im Gegensatz zu dem vorhergehenden Beispiel.

Es ist einleuchtend, dass sie die Erfindung

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nicht auf die beschriebenen Ausführungsbeispiele beschränkt, sondern dass für· den Fachmann im Rahmen der Erfindung viele Abarten möglich sind. So können erwünschtenfalls statt Photoresistmasken andere Masken, gegebenenfalls aus einem nichtstrahlungsempfindlichen Material, verwendet werden. Der Halbleiterkörper kann statt aus Silicium auch aus einem beliebigen anderen Halbleitermaterial bestehen, wührend die Isolierschicht statt aus Siliciumoxid auch aus einem anderen Material bestehen kann. ¥eiter können statt der beschriebenen Sputter-, lonenätz- und chemischen Aetzverfahren erwünschtenfalls auch andere geeignete Verfahren zum Entfernen oder Erzeugen von Material verwendet werden. Das nach der Erfindung erhaltene Leitermuster kann einen Teil eines I^eitermusters bilden, von dem andere Teile auf andere Weise erhalten sind, wie z.B_o die Schicht 2k in den Figuren 7 tuid 8.

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Claims

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PATENTANSPRUECHE:

'Tie ) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit einem Halbleiterkörper mit einer Oberfläche, die teilweise mit einer elektrisch isolierenden Schicht überzogen und mit einem Leitermuster versehen ist, wobei auf der Isolierschicht eine Hilfsschicht erzeugt wird, die Oberflachenteile, die dem zu bildenden Leitermuster entsprechen, frei lässt, wonach auf dem Ganzen eine elektrisch leitende Schicht aus einem von dem der Hilfsschicht verschiedenen Material erzeugt und dann die Hilfsschicht mit dem darauf liegenden Teil der leitenden Schicht selektiv entfernt wird, wobei der auf den genannten freigelassenen Oberflächenteilen zurückbleibende Teile der leitenden Schicht das Leitermuster bildet, dadurch gekennzeichnet, dass zunächst die Halbleiteroberfläche mit einer Isolierschicht versehen wird, dass auf der Isolierschicht eine palladiumhaltige Hilfsschicht erzeugt wird, dass dann an der Stelle des bildenden Leitermusters die Hilfsschicht und auf den durch das Leiternruster zu kontaktierenden Teilen der Halbleiteroberfläche auch die darunter liegende Isolierschicht entfernt wird, und dass anschliessend die leitende Schicht erzeugt wird, wonach die Hilfsschicht in einem, wasserstoffhaltxgen Medium entfernt wird, wobei der Wasserstoff von der Hilfsschicht absorbiert wird und diese Schicht quellen lässt, wobei die Hilfsschicht mit den darauf liegenden Teilen der leitenden Schicht entfernt wird.

• 2 ο Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass vor dem Erzeugen der leitenden Schicht dine

Maskierungsschicht gebildet wird, die die zu entfernenden Teile der Hilfsschicht frei lässt, wonach diese frei ge-

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lassenen Teile der Hilfsschicht und an den Stellen der durch das Leitermuster zu kontaktierenden Teile der Halbleiteroberfläche zugleich die unter der Hilfsschicht liegenden Teile der Isolierschicht durch Ionenätzen entfernt werden.

3· Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch

gekennzeichnet, dass vor dem Erzeugen der leitenden Schicht durch Ionenätzen auch eine dünne Oberflächenschicht von dem Halbleiterraateilal entfernt wird.

k, ■ Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eine Hilfsschicht aus praktisch reinem Palladium gebildet wird.

5« Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadiirch gekennzeichnet, dass die Hilfsschicht einem Gas mit mindestens 10 Vol.$> Wasserstoff ausgesetzt wird. 6 ο Verfahren nach Anspruch 5» dadurch gekennzeichnet, dass die Hilfsschicht einem Gas aus praktisch reinen Wasserstoff ausgesetzt wird.

7ο Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass von allen Oberflächenteilen, die dem Leitermuster entsprechen, sowohl die Hilfsschicht als auch die Isolierschicht entfernt werden, so dass sich das erhaltene Leitermuster völlig innerhalb einer oder mehrerer Oeffnungen in der Isolierschicht bis zum Rande dieser Oeffuungen erstreckt.

8ο Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass auf der Hilfsschicht eine leitende Schicht gebildet wird, die mit der Halbleiteroberfläche eine gleichrichtenden Uebergang bildet.

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9o Verfahren nach Anspruch 7» dadurch gekennzeichnet, dass die Oeffnung in der Isolierschicht eine Mastmalabmessung von weniger als 10 /um aufweist. 1Oo Halbleiteranordnung mit einem Leiterniuster

die durch das Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche hergestellt ist.

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