DE2540911B2 - Verfahren zur Bestimmung des Teilchenflusses in einer Vakuumbeschichtungsanlage und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens - Google Patents

Description

ermittelt werden kann, wobei T₁ und Ti die Transmission des Teilchenstromes jeweils ohne bzw. mit Dopplereffekt des Laserstrahls in den beiden genannten Richtungen bedeuten und ei, C₂ und cj von ·"' der geometrischen Anordnung und vorn Absorptionskoeffizienten der zu bestimmenden Teilchen bei der Meßwellenlänge abhängige Konstanten darstellen.

4. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekenn- ^Vl zeichnet, daß zuerst die Transmission T₁ ohne Dopplereffekt an einer vorgewählten, einem Absorptionsmaximum der nachzuweisenden Teilchensorte entsprechenden Stelle des Spektrums gemessen und anschließend die Laserwellenlänge um Δ λ ^w derart verändert wird, daß man für die Transmission T₂ mit Dopplereffekt ein Minimum erhält, so daß sich der Teilchenfluß ergibt nach der Formel

R = C (log T₁)C₄ d λ

wobei Ci eine von der geometrischen Anordnung und dem Absorptionskoeffizienten der zu messenden Teilchen abhängige Konstante bedeutet.

5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Laserstrahlung solcher Wellenlänge ^b0 eingestrahlt wird, daß in dem zu messenden Teilchenstrom Resonanzfluoreszenz erregt wird, und daß die Verschiebung der Absorptionswellenlänge infolge Dopplereffektes auf Grund der zur Erregung der Fluoreszenz erforderlichen Wellenlän- ^M genverschiebung ermittelt wird.

6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Verschiebung der Absorptionswel- lenlänge bei Vorliegen eines Dopplereffektes auf Grund der sich infolge dieser Verschiebung ergebenden Änderung der Emissicnsüitensität der Fluoreszenzstrahlung ermittelt wird.

7. Vakuumbeschichtungsanlage zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1, bestehend aus einem evakuierbaren Rezipienten mit Einrichtungen zur Erzeugung eines Teilchenstromes durch Verdampfung und/oder Zerstäubung von Stoffen, Haltevorrichtungen für Substrate, auf denen dünne Schichten niedergeschlagen werden sollen, eine Laser-Strahlungsquelle und mindestens einem Empfänger zur Messung der Absorption, dadurch gekennzeichnet, daß Einrichtungen vorgesehen sind, um den Laserstrahl in zwei verschiedenen Richtungen durch den Teilchenstrom zu führen, und zwar in je einer Richtung ohne bzw. mit Dopplereffekt, und daß jeder der beiden Richtungen ein Strahlungsempfänger zugeordnet ist, welcher die Intensität des Laserstrahles nach Durchlaufen des Teilchenstromes zu messen ermöglicht

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Bestimmung des Teilchenflusses in einer Vakuumbeschichtungsanlage zur Herstellung dünner Schichten auf Substraten und eine Vakuumbeschichtungsanlage für die Durchführung dieses Verfahrens, wobei der Teilchenstrom von einem Laserstrahl durchstrahlt, die Schwächung der Intensität des Strahls infolge Absorption gemessen und daraus die Dichte ρ des Teilchenstromes ermittelt wird.

Unter Teilchenfluß im Rahmen dieser Beschreibung wird die Menge der Teilchen verstanden, die während einer Sekunde durch einen vorgegebenen Querschnitt des Teilchenstromes fließt. Die Messung des Teilchenflusses hat beim Aufbringen von dünnen Schichten auf Substrate eine besondere Bedeutung, weil die Schichteigenschaften (Struktur, Gefüge, Änderung der stofflichen Zusammensetzung der Schicht infolge chemischer Reaktionen der Teilchen während des Aufbringens usw.) wesentlich von der Aufbringungsgeschwindigkeit beeinflußt werden, so daß für die reproduzierbare Herstellung dünner Schichten ein stets gleichbleibender Teilchenfluß erforderlich ist. Üblicherweise werden die zum Aufbringen dünner Schichten benötigten Teilchenströme durch thermisches Verdampfen oder durch Zerstäubung des aufzubringenden Materials durch Ionenbeschuß (z. B. durch Kathodenzerstäubung in Edelgasen) hergestellt. Die zu beschichtenden Substrate werden im Teilchenstrom angeordnet, wobei die Kondensationsrate auf dem Substrat außer vom Teilchenfluß noch vom Kondensationskoeffizienten abhängig ist.

Bisher bekanntgewordene Einrichtungen zur Überwachung der Kondensationsrate beruhen nur auf der Messung der Dampfdichte ρ im Aufdampfstrom, im Raum zwischen der Dampfquelle und den Substraten. Auch ist bekannt, daß die Dampfdichte aus der optischen Absorption ermittelt werden kann. Die Dichte ρ steht mit der Aufdampfrate R in Zusammenhang gemäß der Formel

R=QV

wobei ν die mittlere Geschwindigkeit der Dampfteilchen in der Richtung von der Quelle zum Substrat

bedeutet Letztere wurde bei diesen Absorptionsverfahren bisher nicht gemessen. Die Verwendung eines Dampfdichtemeßgerätes als Ratemeter beruht auf der Voraussetzung, daß einer gemessenen Dampfdichte in einem bestimmten Aufdampfprozeß in einer vorgegebenen Anlage stets eine bestimmte, von Messung zu Messung gleichbleibende Geschwindigkeit ν zugeordnet ist Diese Voraussetzung trifft aber im allgemeinen nicht mit genügender Genauigkeit zu, so daß eine sichere Ratemessung allein durch Messung der Dampfdichte nicht möglich ist

Eine andere Art von bekannten Ratemetern benutzt die durch die Beschichtung eines in der Anlage angeordneten Schwingquarzes sich ergebende Änderung seiner Eigenfrequenz, die mit Hilfe elektronischer Meßeinrichtungen bestimmt wird. Aus der Frequenzänderung läßt sich die pro Zeiteinheit auf der Schwingquarzoberfläche niedergeschlagene Masse und daraus die Zahl der zur Kondensation gelangenden Teilchen ermitteln. Ein Nachteil dieser Geräte lie^t darin, daß sie die Ratemessung nur während einer begrenzten Zeit ermöglichen, weil die auf den Quarz aufgebrachte Schicht eine gewisse Dicke nicht überschreiten darf.

Weitere Nachteile der bekannten Schwingquarz-Ratemeter liegen in den Störungen, die durch die 2"> Wärmestrahlung von der Verdampfungsquelle her und die auf der Quarzoberfläche bei dessen Beschichtung freiwerdende Kondensationswärme verursacht werde i. Ferner sind Schwingquarzmeßeinrichtungen störanfällig gegenüber elektrischen Gasentladungen, die in to Beschichtungsanlagen, vor allem bei den verschiedenen Verfahren der Festkörperzerstäubung durch Ionenbeschult auftreten.

Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren der eingangs genannten Art is zur direkten Bestimmung des Teilchenflusses anzugeben, so daß bei Kenntnis des Kondensationskoeffizienten die Kondensationsrate exakt gemessen und gesteuert werden kann. Diese Aufgabe wird gemäß Erfindung dadurch gelöst, daß außerdem aus der sich -») infolge der durch die Geschwindigkeitskomponente des Teilchenstromes in Richtung von der Quelle zum Substrat auf Grund des Dopplereffektes ergebenden Verschiebung der Absorptionswellenlänge die Geschwindigkeit ν des Teilchenstromes in der genannten -r> Richtung bestimmt wird, so daß der Teilchenfluß als Produkt aus den Größen Teilchenstromdichte ρ und Geschwindigkeit vermittelt werden kann.

Eine Vakuumbeschichtungsanlage zur Durchführung dieses Verfahrens besteht aus einem evakuierbaren ^r>o Rezipienten mit Einrichtungen zur Erzeugung eines Teilchenstromes durch Verdampfung und/oder Zerstäubung von Stoffen, Haltevorrichtungen für Substrate, auf denen dünne Schichten niedergeschlagen werden sollen, einer Laser-Strahlungsquelle und mindestens einem w Empfänger zur Messung der Absorption und ist erfindungsgemäß dadurch gekennzeichnet, daß Einrichtungen vorgesehen sind, um den Laserstrahl in zwei verschiedenen Richtungen durch den Teilchenstrom zu führen, und zwar in je einer Richtung ohne bzw. mit w> Dopplereffekt, und daß jeder der beiden Richtungen ein Strahlungsempfänger zugeordnet ist, welcher die Intensität des Laserstrahles nach Durchlaufen des Teilchenstromes zu messen ermöglicht.

Nachfolgend wird die Erfindung an Hand eines μ Beispiels einer für die Durchführung der Erfindung geeigneten Vakuumbeschichtungsanlage näher erläutert.

Die anliegende Zeichnung neigt in schematischer Darstellung die Vakuumkammer V mit zwei Quellen Q. und Qb. die einen Teilchenstrom erzeugen und mit deren Hilfe zwei verschiedene Stoffe nacheinander oder gleichzeitig auf den Substraten Su niedergeschlagen werden können. Die Substrate sind auf einem drehbaren Trägerteller, der über eine vakuumdichte Drehdurchführung mittels eines Motors M angetrieben wird, befestigt Zur genauen Festlegung der Bedampfungsi:eiten sind schwenkbare Abdeckblenden Ba und Bb vorgesehen. Eine Heizeinrichtung H ermöglicht es, die Substrate während der Beschichtung auf einer für den jeweiligen Beschichtungsvorgang optimalen Temperatur zu halten.

Die Anordnung weist ferner eine Laser-Strahlungsquelle auf, wofür im Beispielsfall ein Farbstofflaser FL verwendet wird, der mittels eines Stickstofflasers N gepumpt wird. Farbstofflaser haben für den erfindungsgemäßen Zweck den Vorteil, daß sie in einem bestimmten Wellenlängenbereich kontinuierlich durchstimmbar sind.

Der durch den Farbstofflaser erzeugte Strahl wird durch ein Fenster Fin die Vakuumbeschichtungsanlage eingeführt, durchquert den durch die Einrichtungen Q_A und/oder Qb zur Verdampfung oder Kathodenzerstäubung erzeugten Teilchenstrom und tritt durch ein gegenüberliegendes Fenster F wieder aus der Vakuumkammer aus. Er trifft dann auf einen Detektor D1 auf, der die Messung der optischen Transmission Π des Teilchenstromes bei der jeweiligen Laserwellenlänge ermöglicht.

Um die Fenster F vor Beschichtung durch gestreute Teilchen zu schützen, sind auf der Vakuumseite mehrere Lochblenden vorgeschaltet, welche den Laserstrahl ungehindert hindurchtreten lassen, die gestreuten Teilchen jedoch größtenteils daran hindern, zum Fenster zu gelangen.

Für die Durchführung der Erfindung ist ein weiterer Laserstrahl erforderlich, der den Teilchenstroni in einer zweiten Richtung, vorzugsweise parallel zu seiner Hauptbewegungsrichtung durchquert. Um jedoch einen zweiten Laser einzusparen, kann aus dem ersten Laserstrahl mit Hilfe eines teildurchlässigen Spiegels Sp ein Tcilstrahl abgespalten und über weitere Spiegel R so umgelenkt werden, daß dieser Teilstrahl in der gewünschten, der Bewegung des Teilchenstromes parallelen Richtung als zweiter Laserstrahl zur Verfügung steht. Dieser zweite Laserstrahl wird wiederum über durch Lochblenden geschützte Fenster in die Vakuumkammer ein- und ausgeschleust, wie die Zeichnung zeigt. Dem zweiten Strahl ist ein zweiter Detektor Eh zugeordnet, der die Transmission Ti des Teilchenstromes parallel zur Hauptbewegungsrichtung anzeigt.

Unter Transmission des Teilchenstromes wird das Verhältnis der Intensität / des Laserstrahls nach Durchgang durch den Teilchenstrom zur Intensität /₀ des Laserstrahls vor Eintritt in den Teilchenstrom verstanden. /₀ ist entweder (bei einem hinreichend stabilen Laser) bekannt oder kann bei Abwesenheit des Teilchenstromes mit den erwähnten Detektoren gemessen werden. Eine andere vorteilhafte Möglichkeit zur Bestimmung von I₀ bestehr, darin, daß die Intensität der ÜJrchgelassenen Strahlung abwechselnd bei zwei eng benachbarten Wellenlängen, von denen nur eine absorbiert wird, gemessen wird, und daraus das Verhältnis von / (bei der absorbierenden Wellenlänge zu /0 (bei der nicht absorbierenden Wellenlänge)

errechnet wird.

Hinsichtlich der theoretischen Grundlagen des erfindungsgemäßen Verfahrens sei bemerkt, daß der Teilchenstrom für die gegebene Laserwellenlänge in den beiden Richtungen einen unterschiedlichen optischen Absorptionskoeffizienten besitzt.

Diese Erscheinung beruht auf den in den beiden Meßrichtungen verschieden großen Dopplereffekten infolge der Bewegung der Teilchen; je nach Bewegungsrichtung erscheinen die Absorptionslinien der Teilchen (z. B. eines Dampfes in einer Vakuumaufdampfanlage) gegenüber der Lage dieser Linien für ruhende Teilchen verschoben. Im einfachsten Falle mißt man die Absorption unter einem rechten Winkel zur Bewegungsrichtung der Teilchen (wobei sie keine nennenswerte Geschwindigkeitskomponente in Richtung des Meßlichtstrahles besitzen) ohne Dopplereffekt, dagegen mit dem zweiten Meßlichtstrahl parallel zur Bewegungsrichtung, wofür sich ein maximaler Dopplereffekt ergibt.

Wird die Transmission des Teilchenstromes in zwei Richtungen für eine Laserwellenlänge, bei welcher die Teilchen absorbieren, gemessen, dann kann der Teilchenfluß ermittelt werden nach der Formel

Ä=c, (log T₁) a (T₂- T₁C₃)

wobei 71 und Ti die Transmission des Teilchenstromes für den Laserstrahl in den beiden genannten Richtungen und ei, es und c% von der geometrischen Anordnung und vom Adsorptionskoeffizienten der zu bestimmenden Teilchen abhängige Konstanten bedeuten; letztere können durch vorgängige Testmessungen bestimmt werden.

Man kann die beschriebene Messung nicht nur an der Stelle des Maximums einer Absorptionslinie durchführen, sondern auch bei einer etwas davon abweichenden Wellenlänge an der Flanke der Absorptionslinie und erhält damit zwei Vorteile. Man erreicht eine erhöhte Empfindlichkeit, da die Änderungsgeschwindigkeit der Absorption bei Verschiebung der Lage der Absorptionslinie infolge Dopplereffekts wegen der größeren Steilheit der Flanke größer ist als beim oder in der Nähe des Absorptionsmaximums. Weiterhin bietet die Messung an der Flanke den Vorteil, daß die Änderung des Meß-Signals der Geschwindigkeit des Teilchenstromes annähernd proportional ist

In einem Beispiel wurde in der Vakuumkammer Titanmetall thermisch verdampft, mit dem Ziel, eine reine Titanschicht herzustellen. Das Ausgangsmetall Titan kann Verunreinigungen, z. B. TiO enthalten; bzw. kann TiO auch durch chemische Reaktion mit dem Tiegel oder mit der Restgasatmosphäre gebildet werden. Der fast ausschließlich aus Titanatomen bestehende Teilchenstrom weist also einen gewissen Anteil an TiO-Mo!ekülen auf. Das erfindungsgemäße Verfahren ermöglicht nun die getrennte Messung der beiden Teilchenflüsse während der Aufdampfung. Für die Messung des Titanteilchenflusses wurde mit der Wellenlänge λ = 629,7 nm eingestrahlt und hierfür eine Transmission Ti = 0,643 in der zur Hauptbewegungsrichtung des Dampfstromes senkrechten Richtung ermittelt; dies bedeutet also, daß der Titan-Dampfstrom bei der genannten Wellenlänge und unter den gegebenen geometrischen Bedingungen eine Absorption von 35,7% aufwies. Für die Transmission parallel zur Richtung des Dampfstromes ergab sich der Wert T₂ = 0337.

Für die verwendete experimentelle Anordnung

wurden die Konstanten zuvor mit ei = -1,95 χ ΙΟ¹² cm~³, Ci = 1,64 χ 10⁵ cm see-', Cj = 1,35 bestimmt. Durch Einsetzen der gemessenen Transmissionen Ti und T₂ in die obenerwähnte Formel errechnet sich daraus ein Teilchenfluß von 1,75 χ ΙΟ¹⁶ Teilchen pro cm² und see.

Für die analoge Messung des TiO-Teilchenflusses wurde die Wellenlänge λ = 615,9 nm, bei welcher Wellenlänge TiO eine Absorptionsbande besitzt, ver wendet In diesem Falle ergab sich Ti = 0,942, T₂ = 0,968 und daraus der TiO-Teilchenfluß zu 2,13 χ ΙΟ¹³ TiO-Moleküle pro cm² und see.

Bei der Verdampfung von Nickel konnte der Ni-Teilchenfluß durch die Absorption bei 388,2 nm und der gleichzeitig auftretende Fluß von NiO-Moleküler mittels der Wellenlänge λ = 517,5 nm auf die vorbeschriebene Weise bestimmt werden.

In ähnlicher Weise kann der Fluß aller irr Teilchenstrom vorhandenen Teilchen einzeln bestimmt werden, wenn eine geeignete Absorptionslinie zui Verfügung steht Dies gilt nicht nur für neutrale Atome und Moleküle sondern auch für Ionen, deren Absorptionsspektrum sich von demjenigen der neutraler Teilchen wesentlich unterscheidet Die Erfindung

ermöglicht auf diese Weise eine vollständige Überwachung der Stärke und Zusammensetzung des Teilchen stromes in einer Vakuumbeschichtungsanlage. Beson ders vorteilhaft ist die Anwendung des erfindungsgemä Ben Verfahrens bei der Verdampfung von Gemischen

jo z. B. von Legierungen, wobei es eine genaue Überwachung des Mischungsverhältnisses der einzelnen Korn ponenten ermöglicht und die erhaltenen Meßgrößen zui Regelung des Aufdampfprozesses ausgenutzt werder können.

In einer anderen Variante des erfindungsgemäßer Verfahrens wird zuerst Ti an einer vorgewählten, einen· Absorptionsmaximum der nachzuweisenden Teilchen sorte entsprechenden Stelle des Spektrums gemesser und anschließend die Laserwellenlänge um Δ λ derart verändert, daß man für T₂ ein Minimum erhält; es liegt dann ein Absorptionsmaximum in der Ti-Richtung füi die veränderte Wellenlänge vor. Der TeilchenfiuB ergibt sich dann nach der Formel

= ci(log Ti)&.Δ λ

wobei α eine von der geometrischen Anordnung unc dem Absorptionskoeffizienten der zu messender Teilchen abhängige Konstante bedeutet

Zum Beispiel wurde Eisen verdampft; dieses besitzt

bei 385,990 nm eine Absorptionslinie (Lage des Maximums), wenn in der Richtung quer zum Dampfstrom (se daß also kein Dopplereffekt auftritt) gemessen wird. Ir Bewegungsrichtung des Dampfstromes dagegen erhält man bei der genannten Wellenlänge eine größere Transmission, weil die Absorptionslinie infolge de; Dopplereffektes nach längeren Wellenlängen verscho ben erscheint Im vorliegenden Beispiel erreichte mar durch Vergrößerung der Wellenlänge um Δ λ = 1,2 χ 10-³nm, also bei Einstellung des Laserlichtes aul 3853912 nm ein Minimum der Transmission, was nach den vorstehenden Ausführungen bedeutet, daß ir Bewegungsrichtung der Eisendampf bei dieser Wellen länge ein Absorptionsmaximum aufwies. Einsetzen dei gemessenen Größen Ti und Δ λ in die zuletzt erwähnte

Formel ergibt dann für den Fe-Teilchenfluß den Wert 1,73 χ 10¹⁶. Hierbei wurde c» wiederum vorgängig durch eine Testmessung ermittelt Die Aufstellung der vorerwähnten Formeln erfolgt«

auf Grund der bekannten Therie des Dopplereffektes und der Messung von Dampfdichten auf Grund ihrer optischen Absorption. Die Theorie dieser beiden Erscheinungen ist an sich bekannt und brauchte daher nicht näher erläutert zu werden.

In einer weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens wird die Verschiebung der Absorptionswellenlänge infolge Dopplereffektes auf Grund der zur Erregung der Fluoreszenz erforderlichen geänderten Wellenlänge des eingestrahlten Lichtes ermittelt, ι ο Bei dieser Variante des Verfahrens ist nicht unbedingt ein zweiter Laserstrahl erforderlich; es kann dann auf eine besondere Spiegelanordnung zur Gewinnung eines zweiten Laserstrahls verzichtet werden. Wird der einzige verwendete Strahl parallel zur Bewegungsrichtung des Teiichenstromes eingestrahlt, ermöglicht dies zunächst eine Absorption, woraus die Dichte des Teilchenstromes ermittelt werden kann. Die weitere Messung der infolge Dopplereffekt gegenüber der Fluoreszenzanregung bei ruhendem Gas erforderlichen Wellenlängenverschiebung des eingestrahlten Lichtes zur Fluoreszenzanregung der Teilchen ermöglicht dann die Bestimmung der Geschwindigkeit der Teilchen; daraus erhält man den Teilchenfluß als Produkt von Dichte χ Geschwindigkeit.

In abgeänderter Weise kann man das zuletzt beschriebene Verfahren auch in der Weise ausüben, daß mit einer festen Laserwellenlänge, bei der die Teilchen absorbieren, eingestrahlt wird und die bei Vorliegen eines Dopplereffektes auf Grund der Verschiebung des Absorptionsmaximums sich ergebende Änderung der Emissionsintensität der Fluoreszenzstrahlung gemessen wird. Beispielsweise wurde für einen durch Kathodenzerstäubung erzeugten Teilchenstrom aus Al-Teilchen mit einer eingestrahlten Wellenlänge von 394,401 nm Fluoreszenz angeregt und auf Grund der Absorption die Teilchenstromdichte bestimmt. Die Durchstrahlung erfolgte in diesem Falle entgegen der Richtung des Teilchenstromes, so daß wegen des Dopplereffektes die für eine Fluoreszenzanregung einzustrahlende Wellenlänge langer war als die für die Anregung von ruhendem Gas erforderlichen Wellenlänge. Es wurde Δ λ = 6,1 χ lß-³nm gemessen. Daraus errechnet sich eine Teilchenstromgeschwindigkeit von 4,6 χ 10⁵cm/sec und somit der Teilchenfluß zu

1,81 χ 10¹⁷cm-²sec-'

Es sei noch erwähnt, daß es für die Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens vorteilhaft ist. Laser zu verwenden, die eine auf eine Absorptionslinie der zu messenden Teilchen abstimmbare Emissionslinie mit einer Halbwertsbreite liefern, die wesentlich geringer ist, als die Halbwertsbreite der betreffenden durch Dopplereffekt verbreiteten Linie. Dies ist mit bekannten Lasern ohne weiteres zu erfüllen. Im gezeichneten Beispiel wurde die Abstimmung durch ein drehbares Gitter G erreicht, dessen Neigung gegenüber dem Laserstrahl durch eine elektromagnetische Steuerung EM eingestellt wurde.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (3)

Patentansprüche:

1. Verfahren zur Bestimmung des Teilchenflusses

in einer Vakuumbeschichtungsanlage zur Herstcl- ^r> lung dünner Schichten auf Substraten, bei dem der Teilchenstrom von einem Laserstrahl durchstrahlt, die Schwächung der Intensität des Strahls infolge Absorption gemessen und daraus die Dichte ρ des Teilchenstromes ermittelt wird, dadurch ge- u> kennzeichnet, daß außerdem aus der sich infolge der durch die Geschwindigkeiiskomponente des Teilchenstromes in Richtung von der Quelle zum Substrat auf Grund des Dopplereffektes ergebenen Verschiebung der Absorptionswellenlänge die Ge- ¹^ schwindigkeit ν des Teilchenstromes in der genannten Richtung bestimmt wird, so daß der Teilchenfluß als Produkt aus den Größen Teilchenstromdichte g und Geschwindigkeit vermittelt werden kann.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Teilchenstrom auf je einer Absorptionsstrecke mit und ohne Dopplereffekt, vorzugsweise in zwei aufeinander senkrecht stehenden Richtungen von einem Laserstrahl durchstrahlt und aus der unterschiedlichen Absorption in den -'"> beiden Meßstrecken der Teilchenfluß ermittelt wird.

3. Verfahren nach Anspruch t, dadurch gekennzeichnet, daß der Teilchenstrom in den beiden Richtungen mit einem Laserstrahl gleicher Wellenlänge durchstrahlt wird und die in diesen beiden )<· Richtungen auftretende verschiedene Transmission infolge verschieden starker Absorption durch die Teilchen gemessen wird, so daß der Teilchenfluß nach der Formel