DE2534396A1 - Verfahren zur herstellung eines glaslots - Google Patents
Verfahren zur herstellung eines glaslotsInfo
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Description
Böblingen, den 30. Juli 1975
Anmelderin: International Business Machines
Corporation, Armonk, N.Y. 10504
Amtliches Aktenzeichen: Neuanmeldung Aktenzeichen der Anmelderin: FI 974 044
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren, wie es dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 zu entnehmen ist, Glaslot-Zusammensetzungen
mit relativ niedrigem Erweichungspunkt (in der Größenordnung von 400 bis 420 0C) und einem thermischen
Ausdehnungskoeffizienten (zwischen Raumtemperatur bis 300 0C)
von etwa 84 χ 10 pro 0C sind mit Natronkalksilikat-Glassubstraten
verträglich, wie sie zur Herstellung von Gasentladungs-Bildschinnen
dienen. Beim Herstellungsverfahren dienen Glaslote dazu zwei vorgefertigte Glassubstrate in einem vorgegebenen Abstand
so miteinander zu verbinden, daß zwischen ihnen eine Entladungskammer gebildet wird, die mit einem zwar trägen, jedoch ionisierbarem
Gas aufgefüllt wird. Um Rissebildung zu vermeiden, wird angestrebt, daß der thermische Ausdehnungskoeffizient des
Glaslots im wesentlichen gleich dem thermischen Ausdehnungskoeffizienten der verwendeten Glassubstrate ist, wobei die Verschmelzung
beider Gläser unter Bereitstellen einer dichten Entladungskammer bei relativ geringer Temperatur erfolgen soll.
Eines der hauptsächlichen Probleme bei Herstellung eines solchen Glaslots stellt das Auftreten von Bläschen und Körnchen im
gebrauchsfertigen Glaslot. Ein zusätzliches Problem ergibt sich, wenn die Temperatur der flüssigen Schmelze unzulässig
hoch wird. Unter diesen Umständen tritt eine schnellere Reaktion
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von Kupferoxid (CuO) zu Kupferoxidul (Cu-O)^ ein. Eine derartig
schnelle Reaktion beeinflußt das Glaslot in der Weise, daß sich ein braun gefärbter Niederschlag im Endprodukt zeigt, wenn das
Glaslot in den Zwischenraum zwischen die zwei Glassubstrat eingebracht ist, so daß Undichtigkeitsstellen in der endgültigen
GlasVersiegelung an den Stellen auftreten, an denen das Glaslot
diesen bräunlichen Niederschlag zeigt.
Darüberhinaus hat sich gezeigt, daß die Temperatur aliein keinen
j kritischen Parameter darstellt. Entspricht z.B. die Temperatur einem Idealwert, dann können immer noch Bläschen und Körnchen
auftreten, wenn die Prozeßdauer bei einer solchen Temperatur unzureichend ist. Wenn außerdem die Zeitdauer bei der erforderlichen
Temperatur zu lang ist, wird die Bildung von Kupferoxidul auch begünstigt, so daß der bräunliche Niecf erschien entsprechend
vermehrt auftritt.
Die Bildung von Kupferoxid bzw. Kupferoxidul ergibt sich durch
die leitenden Oberzüge auf den Glassubstraten, wie sie zur Er-I
j stellung von Gasentladungsbildschirmen ja erforderlich sind.
j stellung von Gasentladungsbildschirmen ja erforderlich sind.
Infolgedessen besteht die Aufgabe der Erfindung darin, einen Herstellungsprozeß für Glaslot bereitzustellen, bei dem die
endgültige Glaszusammensetzung lediglich aus den erwünschten
! Glasbestandteilen besteht, wobei keine Bläschen und Körnchen auftreten und der Niederschlag von Kupferoxidul in Form
eines bräunlichen Niederschlages auf einen unschädlichen Betrag herabgesetzt, bzw. überhaupt unterbunden wird.
Die Aufgabe wird gemäß der Erfindung wie im Kennzeichen des Patentanspruchs 1 angegeben, gelöst. Mit Hilfe des erfindungsgemäßen
Verfahrens ergibt sich ein Glaslot für die Verwendung von Gasentladungs-Bildschirmen, welches einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten
zwischen 80 bis 84 χ 10 pro 0C im Temperaturbereich
zwischen Raumtemperatur (angenähert 22 0C) bis
300 0C aufweist.
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Die Erfindung wird anschließend im einzelnen näher beschrieben.
Das erfindungsgemäß hergestellte Glaslot besitzt im wesentlichen folgende Bestandteile in Gew.%:
PbO | 66,0 |
B2°3 | 14,0 |
SiO2 | 2,0 |
Al2O3 | 3,5 |
ZnO | 10,5 |
CuO | 2,5 |
Bi2O3 | 1,5 |
Das hieraus gebildete Glaslot ist speziell brauchbar zur Abdichtung
einer Gasentladunoskainrer eines Gasentladungs-Bildschirms,
indem es bei Herstellung in den Zwischenraum zwischen den beiden Elektrodenleiter tragenden GlasSubstraten längs ihrer
Kanten eingebracht wird. Es gestattet die Herstellung von Gasentladungs-Bildschirmen
bei Temperaturen unterhalb der Rissebildungstemperatur von Magnesiumoxidschichten (485 bis 505 0C), die
als Überzüge für die die Elektrodenleiter bedeckenden dielektrischen Glasschichten dienen. Diese Rissebildung in den Magnesiumoxidüberzügen
bzw. die Tendenz hierzu führt zu abträglichen Betriebsstörungen des Gasentladungsbildschirms und zu nicht
unwesentlicher Herabsetzung der Lebensdauer.
Gemäß der Erfindung werden die Bestandteile der Glaszusammensetzung
gründlich gemischt, um eine vollständige Durchmischung dieser Bestandteile zu gewährleisten. Ein Teil der Fritte, bestehend
aus diesen Bestandteilen wird dann in einen Tiegel eingegeben, der aus einem trägen Material, wie z.B. Platin besteht.
Die Temperatur der Fritte wird z.B. durch Induktionsheizung auf 750 bis 850 0C angehoben, um eine flüssige Schmelze zu erhalten.
Die verbliebene Fritte wird dann nach und nach unter ständigem Vermischen zugegeben, bis sich die gesamte Fritte in der Schmelze
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befindet. Abhängig von der Menge und der Michgeschwindigkeit stellt natürlich die Zugabe der Fritte in kleinen Portionen
sicher, daß eine gründliche Durchmischung erfolgt und daß die gesamte Fritte zur Schmelze gelangt. Angenähert eine Stunde
wird gebraucht, um die gesamte Fritte zu einer flüssigen Schmelze aufzulösen.
Vorteilhafterweise wird dabei die Temperatur lediglich bis auf 750 bis 850 °C gebracht und auf diesem Wert gehalten, während der
verbliebene Teil der Fritte, wie oben beschrieben, nach und nach zugegeben wird, um so die Bildung von Kupferoxidul (Cu~0) zu
verhindern und das Aufschäumen der flüssigen Schmelze zu unterdrücken. Die Verhinderung der Kupferoxidulbildung ist unbedingt
wichtig, da Kupferoxidul, wie oben beschrieben, bei höheren Temperaturen
zu einem unerwünschten Niederschlag führt, der sich zeigt, wenn das Glas abgekühlt wird und als Glaslot bei relativ
niedrigen Temperaturen Verwendung findet. Anschließend wird die gesamte Fritte auf eine Temperatur von 1100 0C + 20 0C gebracht,
um in diesem Temperaturbereich zwischen angenähert 3 bis 3 1/2 Stunden zu bleiben. Es wird daraufhingewiesen, daß bei diesen
erhöhten Temperaturen in der flüssigen Schmelze Blasenbildung ! eintritt.
[Es hat sich gezeigt, daß sich bei einer Temperatur unterhalb von
> etwa 1080 ° im Endprodukt Külbchen ungelöster Partikel (Bläschen
und Körnchen), bestehend wahrscheinlich aus Aluminiumoxid (Al-O^) f
bilden, was natürlich für die Verwendung als Glaslot ungeeignet
■ und daher unerwünscht ist. Andererseits hat sich herausgestellt,
daß sich, wenn die Temperatur auf über 1120 0C angehoben wird,
Kupferoxid rasch in Kupferoxidul (CuO -»- Cu9O) umwandelt. Dabei
■ !
j tritt dann die unerwünschte Erscheinung des bräunlichen Nieder- j
■ Schlags von Kupferoxidul (Cu2O) auf, was zu schädlichen Aus-
Wirkungen bei Verwendung als Glaslot führt, indem nach Anbringen ; hierin ündichtigkeitsstellen auftreten.
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Ein weiterer kiritischer Punkt ist die Zeit. Es hat sich nämlich gezeigt, daß wenn die flüssige Schmelze nicht zwischen den vorgenannten
Temperaturen zwischen 1080 bis 1120 0C für angenähert
3 Stunden gehalten wird, die gleiche Wirkung auftritt, als wenn die Temperatur unterhalb von 1080 C gehalten worden ist, d.h.,
daß dann auch in diesem Fall das Aluminiumoxid (Al2O3) sich
nicht vollständig auflöst. Wenn darüberhinaus die Temperatur innerhalb der kritischen Werte für langer als 3 1/2 Stunden
beibehalten wird, läßt sich feststellen, daß die Reaktionsneigung zur Bildung von Kupferoxidul (Cu3O) aus Kupferoxid (CuO) erheblich
anwächst. Nach Beibehalten einer Temperatur von 1100 + 20 0C
für 3 bis 3 1/2 Stunden wird die Temperatur der Schmelze auf angenähert 1060 0C abgesenkt oder auch auf irgendeine Temperatur,
bei der die Bläschenbildung der Schmelze verhindert wird, so daß sich auch keine Bläschen in den sich endgültig ergebeneden Barren \
oder Stäben als Produkt der Schmelze zeigen. Anschließend wird die Schmelze in Gußformen oder Barren gegossen, je nachdem, wie
es für den Verwendungszweck erforderlich ist. Die sich ergebenden
Barren werden auf angenähert 335 C für etwa 15 Minuten aufgeheizt, um dann langsam auf Raumtemperatur abgekühlt zu werden.
Dann werden in an sich bekannter Weise Glasstäbchen bei Temperaturen
von etwa 435 0C aus den Barren gezogen und zwar in für die Versiegelung der Gasentladungs-Bildschirme geeigneten
Längen. Die Abdichtung der Glassubstrate des Gasentladungs-Bildschirms erfolgt bei angenähert 480 0C.
Es wird daraufhingewiesen, daß, wenn es auch vorgezogen wird, die Temperatur des Tiegels zunächst auf 75O bis 850 0C zur
Bildung der flüssigen Schmelze zu bringen und anschließend die verbliebene Fritte nach und nach unter gründlichem Mischen der
Fritte zum Herbeiführen einer sauberen Lösung zuzufügen, so daß die Bildung von Kupferoxidul verhindert und das Aufschäumen
der Glasfritte unterdrückt wird, ebensogut die Temperatur der
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I gesamten Schmelze unter ständigem Mischen langsam über den 750 j bis 850 °C-Bereich hinaus bis in den kritischen Bereich von
11080 0C zu 1120 0C erhöht werden kann. Das Resultat ist hierbei
jeweils das gleiche.
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Claims (4)
- PATENTANSPRÜCHEVerfahren zur Herstellung eines Glaslots, bestehend im wesentlichen aus den folgenden Bestandteilen in Gewichtsprozenten:
PbO 66,0 B2O3 14,0 SiO2 2,0 Al2O3 3,5 ZnO 10,5 CuO 2,5 Bi2O3 1,5, dadurch gekennzeichnet, daß die aus diesen Bestandteilen gebildete Fritte unter ständigem Mischen zur Bildung der flüssigen Schmelze aufgeheizt wird, bis die Fritte eine Temperatur zwischen angenähert 1080 0C und 1120 0C erreicht, daß die Temperatur dieser Schmelze für eine Zeitdauer von 3 bis 3 1/2 Stunden beibehalten wird, daß anschließend die Temperatur der Schmelze zur Unterdrückung der Bläschenbildung innerhalb der Schmelze hinreichend abgesenkt wird und anschließend die Schmelze für den Gebrauch entnommen wird. - 2. Verfahren nach dem Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zunächst ein kleiner Teil der Fritte auf einen Temperaturbereich zwischen 750 0C bis 850 0C zur Bildung einer flüssigen Schmelze aufgeheizt wird und daß anschließend der verbliebene Teil der Fritte unter ständigem Mischen der Fritte nach und nach zugesetzt wird, bis sich die gesamte Fritte im aufgelösten Zustand befindet.
- 3. Verfahren nach den Ansprüchen 1 und/oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß nach Entnahme der Schmelze eine emcFI 974 044■6 09808/0916erneute Aufheizung auf etwa 335 0C für angenähert15 Minuten durchgeführt wird.
- 4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Fritte unter ständigem Mischen langsam in den kritischen Temperaturbereich von 1100 +20 C gebracht wird.FI 974 044609808/0916
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