DE2531812B2 - Gasentladungsgerät - Google Patents
GasentladungsgerätInfo
- Publication number
- DE2531812B2 DE2531812B2 DE2531812A DE2531812A DE2531812B2 DE 2531812 B2 DE2531812 B2 DE 2531812B2 DE 2531812 A DE2531812 A DE 2531812A DE 2531812 A DE2531812 A DE 2531812A DE 2531812 B2 DE2531812 B2 DE 2531812B2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- reaction chamber
- gas
- cylinder
- reaction
- generating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
- H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J12/00—Chemical processes in general for reacting gaseous media with gaseous media; Apparatus specially adapted therefor
- B01J12/002—Chemical processes in general for reacting gaseous media with gaseous media; Apparatus specially adapted therefor carried out in the plasma state
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/507—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using external electrodes, e.g. in tunnel type reactors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
50
Die Erfindung bezieht sich auf ein Gasentladungsgerät nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Bei einem aus der US-PS 37 05 091 bekannten Gerät werden Reaktionen zwischen einem Material und
angeregten Teilchen eines Gases eingeleitet Dabei wird Gas einer Reaktionskammer unter einem niedrigen
Druck zugeführt und mit einem elektromagnetischen Feld einer herkömmlich gewickelten Spule, die die
Materialbearbeitungszone der Reaktionskammer um- t>
<> gibt, angeregt. Während der Reaktion mit dem angeregten Gasstrom zersetzt sich das Material
und/oder verflüchtigt sich. Die sich ergebenden Abfallstoffe werden zusammen mit anderen gasförmigen Bestandteilen aus der Reaktionskammer mittels *>*>
einer mechanischen Vakuumpumpe abgeführt
Gasreaktionsgeräte der oben beschriebenen Art sind in zahlreichen großtechnischen Verfahren einschließlich
z. B. der Herstellung integrierter Schaltkreise aus
Halbleitersubstraten sehr vorteilhaft Derartige Geräte bieten eine wirtschaftliche, sichere und üchnelle
Möglichkeit, um wahlweise freiliegende Materialschichten von vorbestimmten Bereichen während der
verschiedenen Schritte bei der Herstellung zu entfernen. Jedoch liegt ein bei derartigen Anlagen auftretendes
Grundproblem in deren Unvermögen, eine ausreichend einheitliche Verteilung der reaktiven chemischen
Umsetzungen durch die Materialbearbeitunysiione zu
erzeugen, die für Chargen derartiger Substrate mit für die Produktion geeigneten Abmessungen erforderlich
ist Daher sind einige der Halbleitersubstrate der Plasmaumgebung zu stark ausgesetzt was zu einer
ungleichmäßigen Materialabtragung und Funktionsstörungen der fertigen Bauelemente führt
Es hat sich auch gezeigt daß ungeübte Bediener viel Zeit brauchen, um die Geräteparameter zu optimieren,
wie z. B. die Hochfrequenzleistung, den Reaktionsdruck und deren Kombination für die quantitativen und
qualitativen Änderungen, die in verschiedenen Chargen des Substratmaterials auftreten.
Es ist daher Aufgabe der Erfindung, ein Gcxät der
eingangs genannten Art anzugeben, bei dem eine einheitliche Materialabtragung unabhängig von der
Geschicklichkeit eines Bedieners durchführbar iäit
Die Lösung dieser Aufgabe erfolgt erfindungsgemäß durch die im kenn? iichnenden Teil des Patentanspruchs
1 aufgeführten Merkmale.
Die gasdurchlässige gelochte Metallabschirmung, die
in der Reaktionskammer angeordnet ist erzeug,! in der Reaktionskammer ein im wesentlichen feld- und
glimmentladungsfreies Materialbearbeitungsvolumen, in dem das Material gegen ungleichmäßig verteilte,
feldgestörte energiereiche ionisierte Komponenten des Gases abgeschirmt ist, die sich in der Reaktionskammer
außerhalb der Abschirmung befinden, so daß sich innerhalb der Metallabschirmung praktisch nur neutrale
angeregte Gaskomponenten befinden. Mit anderen Worten, aus dem in der Reaktionskammer außerhalb
der gelochten Metallabschirmung erzeugten Plasma gelangen nur die angeregten neutralen Gaskomponenten in das Innere der gelochten Metallabschirmung, um
dort die Reaktion mit dem Material vorzunehmen.
Auf die Zufuhr eines Gases in die Reaktionskammer,
die zuvor evakuiert wurde, folgt dessen Anregung, entweder durch ein HF-FeId oder ein elektromagnetisches Feld, das durch Kondensatorplatten bzw. eine die
Außenwand der Reaktionskammer umgebende Spuk gebildet wird. Konzentrisch zur Längsachse der
Reaktionskammer ist in der Reaktionskammer eine mit Löchern durchsetzte bzw. gelochte zylinderFörmige
Metallabschirmung vorgesehen, die die Materialbearbeitungszone der Reaktionskammer umfaßt Das
angeregte Gas reagiert mit dem Material im gelochten Zylinder, wobei während der Reaktion inaktives oder
unwirksames Gas und die sich ergebenden Abgase kontinuierlich abgeführt werden. Der Aufbau der
Reaktionskammer und des inneren gelochten Metallzylinders gewährleisten eine sehr einheitliche Verteilung
der angeregten Gaskomponenten durch das gesamte Materialbearbeitungsvolumen im Zylinder, um i:lädurch
sehr einheitliche chemische Umsetzungen für die Praxis zu ermöglichen.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Zeichnung näher erläutert, in deren einziger Figur ein
Ausführungsbeispiel des Gasentladungsgeräts gezeigt ist.
Eine Reaktionskammer 1 hat eine Eingangsleitung 2, deren Auslässe mit vier Gaseinlässen 4 verbunden sind,
die symmetrisch um den Umfang der Reaktionskammer angeordnet sind. Ein Behälter 6 für Druckgas oder
-dampf ist mit der Eingangsleitung 2 über eine Zuleitung 8 verbunden, in der ein Druckstellventil 10 und ein
einstellbarer Durchflußmesser 12 vorgesehen sind, um den Gasdurchsatz durch das Gerät zu überwachen und
zu steuern. Gas wird aus der Reaktionskammer über einen Gasauslaß 14 abgeführt.
Ein Teil der Reaktionskammer 1 ist aufgebrochen gezeigt, um besser eines von vier Gasdiffusionsrohren
16 zu zeigen, die mit den Gaseinlässen 4 verschweißt und symmetrisch entlang der Innenwand der Reaktionskammer 1 vorgesehen .sind Jedes Rohr 16 hat mehrere
Löcher (Düsen) 18 über seiner Länge, die das Gas einheitlich in der Reaktionskammer 1 verteilen.
In der Reaktionskammer 1 ist ein Metallzylinder 19 mit Löchern 21 vorgesehen. Der Zylinder 19 ist
konzentrisch um die Längsachse der Kammer mittels Haltegliedern 23 versehen, die mit der Innenwand der
Reaktionskammer 1 verschweißt sein können.
Die Reaktionskammer 1 hat an einem Ende eine öffnung, durch die das Material der Materialbearbeitungszone
zu- oder abgeführt wird. Diese Materialbearbeitungszone
besteht aus dem Volumen im Innern des gelochten Metallzylinders 19. Das zu bearbeitende
Material können Halbleiterscheiben sein, von denen freiliegende Teile einer dielektrischen, halbleitenden
oder leitenden Schicht abgeätzt werden sollen. Die Kammeröffnung ist mit einem Verschluß in der Form
eines kapselähnlichen Deckels 20 versehen, der dicht über der öffnung eingepaßt wird, nachdem das Materie!
eingebracht wurde.
Eine Induktionsspule 22 umgibt die Materialbearbeitungszone der Reaktionskammer 1 und koppelt ein
elektromagnetisches Feld mit dem Gas in der Reaktionskammer 1.
Ein HF-Generator 34 ist über eine Impedanz-Anpaßeinheit 40 mit der außerhalb der Reaktionskammer
angeordneten Spule 22 verbunden. Der Auslaß 14 der Reaktionskammer 1 ist mit einem Vakuummesser oder
Manometer 50, das kontinuierlich den in der Reaktionskammer 1 aufrechterhaltenen Druck mibt, und weiterhin
über eine Ableitung 52 mit einer (nicht dargestellten) mechanischen Vakuumpumpe verbunden.
Im Betrieb wird das Material, von dem Teile entfernt oder mit angeregtem Gas behandelt werden sollen, in
das Materialbearbeitungsvolumen eingeführt, das durch das Innere des gelochten Metallzylinders 19 bestimmt
wird. Dieser Zylinder wird vorzugsweise so zur Rückseite der Reaktionskammer 1 eingeführt, daß er die
Innenwand der Reaktionskammer 1 berührt, die den
Auslaß 14 umgibt, und er wird auf einem freien Potential gehalten.
Das Gerät wird zunächst bis auf einen vorgewählten niedrigen Druckpegel ausgepumpt, das Gas wird dann
automatisch der Reaktionskammer 1 über die Diffusionsrohre 16 zugeführt, und der HF-Generator 34 wird
betätigt, um seine Energie zu liefern. Die Kopplung der h>
HF-Energie in das Gas wird durch die Anpaßeinheit 40 und die Spule 22 erreicht, die die Materialbearbeitungszone
der Reaktionskammer 1 umgibt Die durch den Generator 34 erzeugte Leistung liegt vorzugsweise in
der Größenordnung von einigen 100 W Dauerstrahlung 1.
> bei einer Frequenz von ungefähr 13,5 MHz.
Das Gerät ist so aufgebaut, daß eine stark leuchtende und aktive Plasmaentladung vorzugsweise außerhalb
des Materialbearbeitungsvolumens des Metallzylinders 19 erzeugt und im wesentlichen auf das Volumen
zwischen der Kammerinnenwand und der Außenfläche des gelochten Zylinders begrenzt wird. Dieser Zust?nd
führt zu einer feldfreien Zone im Zylindervolumen, das praktisch frei von anderweitig uneinheitlich verteilten
und feldgestörten energiereichen ionisierten Gasbestandteilen ist. Die Außen- und die Innenfläche des
Metallzylinders dienen zu katalytischen Rekombinationen atomarer Teilchen und zum Herabsetzen oder
Löschen energiereicher ionisierter molekularer und atomarer Zustände. Der Mangel an chemischer
Leuchtfähigkeit im Volumen des gelochten Zylinders zeigt den angekündigten Ausfall geladener Komponenten
im Zylinder an, während die Bildung geladener Komponenten aus bi- und trimolekularen Stoßen von
neutralen aktiven Komponenten mittlerer Energie unbedeutend ist Das ausschließliche Vorliegen neutraler
molekularer oder atomarei· Teilchen, die im wesentlichen einheitlich im Zylindervolumen verteilt
sind, fübs t zu einheitlichen chemischen Umsetzungen, da diese Teilchen durch Feldeinflür· ,·ί, so kiein diese im
Volumen des gelochten Metallzyimc^rs sein können,
nicht beeinflußt werden. Da gewöhnlich ein größerer Anteil neutraler atomarer Komponenten vorzugsweise
eher auf der inneren Metallfläche des Zylinders als auf dem unmetallischen Substratmaterial im Zylinder
rekombiniert, ist die Bearbeitungstemperatur gegenüber der in der stark leuchtenden Zone außerhalb des
Bearbeitungsvolumens verringert
Es wird angenommen, daß ein optimales Durchmesserverhältnis zwischen dem Durchmesser der Reaktionskammer
1 und dem Durchmesser des Metallzylinders besteht, so daß es ein optimales Ringvolumen gibt
in dem das Plasma erzeugt wird. Die Einzelabmessung der Löcher 21 sollte klein genug, um eine Felddurchdringung
auszuschließen und die chemische Leuchtfähigkeit vom Inneren des Zylinders abzuhalten, und groß genug
sein, damit ausreichend aktive neutrale Teilchen eintreten können, um chemische Umsetzungen in
praktischem Ausmaß zu bewirken.
Versuche haben ergeben, daß z. B. bei einer keaktionskammer mit 2032 cm Durchmesser optimale
Ergebnisse erzielt werden, wenn ein Stahlzylinder mit einer Wandstärke von 0,145 cm und einem Durchmesser
von 12,7 cm verwendet wird, der eine Matrix mit Löchern von 0318 cm Durchmesser bei einem Mittenabstand
von 0,8 cm aufweist.
Flüchtige Komponenten, die durch die verschiedenen Reaktionen erzeugt sind, sowie nichtreagiertes und
undissoziiertes Gas werden kontinuierlich aus der Reaktionskammer mit der mechanischen Vakuumpumpe
abgeführt Der Abschluß des Reaktionsprozfsses wird durch Abschalten der HF-Energie und der
Gasversorgung bestimmt, wonach eine Evakuierung der Reaktionskammer und der zugeordneten Strömungsleitungen
von Gasresten folgt, bevor di\:se mit Luft gereinigt werden.
Wie oben erwähnt wurde, kann das gasanregende Feld ein HF-FeId, das durch zwei Kondensatorplatten
auf der Außenfläche der Reaktionskamnier gebildet wird, oder ein elektromagnetisches Feld, das, wie in der
Figur dargestellt, durch eine Spule erzeugt wird, sein. Weiterhin muß die gelochte Metailabschirmung in der
Reaktionskammer nicht notwendigerweise zylinderförmig sein. Versuche haben gezeigt, daß bei einer
Reaktionskammer mit 46 cm Durchmesser und Kondensatorplatten ein gelochter quadratischer Metallbe-
hälter besonders vorteilhaft ist, der eine große Anzahl
kleiner Gegenstände enthält, die einer Oberflächenbehandlung mit angeregtem Gas zu unterwerfen sind. Die
Metallabschirmung kann mit einem Werkstoff beschichtet sein, wenn die Metallfläche mit der angeregten
Gasatmosphäre nicht verträglich ist. Bei bestimmten Anwendungen kann es vorteilhaft sein, wenn das
metallische Bauteil in bezug auf das angeregte Gas ein bestimmtes Potential aufweist.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (9)
1. Gasentladungsgerät zur Durchführung von Reaktionen zwischen einem Gas und einem
Material, mit einer Reaktionskammer zur Aufnahme s des Gases, und mit einer außerhalb der Reaktionskammer angeordneten Einrichtung zum Erzeugen
eines Gasplasmas, gekennzeichnet durch eine in der Reaktionskammer (1) angeordnete
gelochte Metallabschirmung (19) zur Aufnahme des Materials.
2. Gerät nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Reaktionskammer (1) im wesentlichen
zylinderförmig ist.
3. Gerät nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Einrichtung zum Erzeugen
eines Gasplasmas in der Reaktionskammer (1) eine um die Außenwand der Reaktionskammer (1)
gewickelte Spule (22) umfaßt
4. Gerät nach Anspruch 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet, daß die Einrichtung zum Erzeugen eines Gaspfasmas in der Reaktionskammer (1) auf
der Außenwand der Reaktionskammer (1) zwei Kondensatorplatten aufweist
5. Gerät nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallabschirmung (19) einen zur
Reaktionskammer (1) koaxialen Zylinder mit Löchern (21) aufweist
6. Gerät nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet daß die Metallabschir-
mung (19) mit einem Werkstoff beschichtet ist, der mit dem ip der Reaktionskammer (1) erzeugten
angeregten Gas nicht reagiert
7. Gerät nach einei.i der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch einen Verschluß (20) am
einen Ende der Reaktionskam. ;er (1), über den das Material in die Reaktionskammer zu- und abführbar
ist, eine Einrichtung (6, 8, 10, 12, 2, 16, 18) zum Zuleiten von Gas in die Reaktionskammer (1), und
eine Einrichtung (14,50,52) zum Abführen von Gas *o
aus der Reaktionskammer (!).
8. Gerät nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Spule (22) an eine HF-Quelle
angeschlossen ist.
9. Gerät nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich- « net, daß die Metallabschirmung (19) einen quadratischen Querschnitt aufweist
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US05/494,024 US4362632A (en) | 1974-08-02 | 1974-08-02 | Gas discharge apparatus |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2531812A1 DE2531812A1 (de) | 1976-02-19 |
DE2531812B2 true DE2531812B2 (de) | 1978-12-21 |
DE2531812C3 DE2531812C3 (de) | 1979-09-20 |
Family
ID=23962700
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2531812A Expired DE2531812C3 (de) | 1974-08-02 | 1975-07-16 | Gasentladungsgerät |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4362632A (de) |
JP (1) | JPS5544449B2 (de) |
CA (1) | CA1064862A (de) |
CH (1) | CH592999A5 (de) |
DE (1) | DE2531812C3 (de) |
FR (1) | FR2280972A1 (de) |
GB (1) | GB1518115A (de) |
NL (1) | NL165663C (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3048441A1 (de) * | 1980-01-25 | 1981-09-24 | Mitsubishi Denki K.K., Tokyo | Trockenaetzvorrichtung |
DE3102174A1 (de) * | 1980-01-25 | 1981-12-10 | Mitsubishi Denki K.K., Tokyo | Plasmareaktionsvorrichtung zur behandlung von halbleitern u.dgl. |
WO1991010341A1 (en) * | 1990-01-04 | 1991-07-11 | Savas Stephen E | A low frequency inductive rf plasma reactor |
Families Citing this family (118)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3879597A (en) * | 1974-08-16 | 1975-04-22 | Int Plasma Corp | Plasma etching device and process |
JPS5282184A (en) * | 1975-12-29 | 1977-07-09 | Mitsubishi Electric Corp | Vapor phase etching device |
JPS6037188B2 (ja) * | 1981-08-27 | 1985-08-24 | 三菱マテリアル株式会社 | スパツタリング装置 |
US4443409A (en) * | 1982-06-16 | 1984-04-17 | International Telephone And Telegraph Corporation | Apparatus for improved low temperature ashing in a plasma |
US4574733A (en) * | 1982-09-16 | 1986-03-11 | Energy Conversion Devices, Inc. | Substrate shield for preventing the deposition of nonhomogeneous films |
JPS5957416A (ja) * | 1982-09-27 | 1984-04-03 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 化合物半導体層の形成方法 |
JPS6016424A (ja) * | 1983-07-08 | 1985-01-28 | Fujitsu Ltd | マイクロ波プラズマ処理方法及びその装置 |
US4445997A (en) * | 1983-08-17 | 1984-05-01 | Shatterproof Glass Corporation | Rotatable sputtering apparatus |
US4690097A (en) * | 1984-02-04 | 1987-09-01 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Apparatus and method for plasma treatment of resin material |
US4568437A (en) * | 1984-12-28 | 1986-02-04 | Rca Corporation | Method and apparatus for forming disilane |
CA1281439C (en) * | 1985-02-05 | 1991-03-12 | James F. Battey | Plasma reactor and method for removing photoresist |
US4717806A (en) * | 1985-02-05 | 1988-01-05 | Battey James F | Plasma reactor and methods for use |
US4631105A (en) * | 1985-04-22 | 1986-12-23 | Branson International Plasma Corporation | Plasma etching apparatus |
GB8516537D0 (en) * | 1985-06-29 | 1985-07-31 | Standard Telephones Cables Ltd | Pulsed plasma apparatus |
JPS6211252U (de) * | 1985-07-05 | 1987-01-23 | ||
US5366554A (en) * | 1986-01-14 | 1994-11-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Device for forming a deposited film |
US4786352A (en) * | 1986-09-12 | 1988-11-22 | Benzing Technologies, Inc. | Apparatus for in-situ chamber cleaning |
DE3632340C2 (de) * | 1986-09-24 | 1998-01-15 | Leybold Ag | Induktiv angeregte Ionenquelle |
GB8629634D0 (en) * | 1986-12-11 | 1987-01-21 | Dobson C D | Reactive ion & sputter etching |
US4909995A (en) * | 1987-02-25 | 1990-03-20 | Adir Jacob | Process and apparatus for dry sterilization of medical devices and materials |
US4801427A (en) * | 1987-02-25 | 1989-01-31 | Adir Jacob | Process and apparatus for dry sterilization of medical devices and materials |
US5200158A (en) * | 1987-02-25 | 1993-04-06 | Adir Jacob | Process and apparatus for dry sterilization of medical devices and materials |
US4818488A (en) * | 1987-02-25 | 1989-04-04 | Adir Jacob | Process and apparatus for dry sterilization of medical devices and materials |
US5171525A (en) * | 1987-02-25 | 1992-12-15 | Adir Jacob | Process and apparatus for dry sterilization of medical devices and materials |
US5087418A (en) * | 1987-02-25 | 1992-02-11 | Adir Jacob | Process for dry sterilization of medical devices and materials |
US4917586A (en) * | 1987-02-25 | 1990-04-17 | Adir Jacob | Process for dry sterilization of medical devices and materials |
US4976920A (en) * | 1987-07-14 | 1990-12-11 | Adir Jacob | Process for dry sterilization of medical devices and materials |
US4931261A (en) * | 1987-02-25 | 1990-06-05 | Adir Jacob | Apparatus for dry sterilization of medical devices and materials |
US4943417A (en) * | 1987-02-25 | 1990-07-24 | Adir Jacob | Apparatus for dry sterilization of medical devices and materials |
US5798261A (en) * | 1989-10-31 | 1998-08-25 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Distributed pore chemistry in porous organic polymers |
US5141806A (en) * | 1989-10-31 | 1992-08-25 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Microporous structure with layered interstitial surface treatment, and method and apparatus for preparation thereof |
US5304279A (en) * | 1990-08-10 | 1994-04-19 | International Business Machines Corporation | Radio frequency induction/multipole plasma processing tool |
JPH0547717A (ja) * | 1991-01-22 | 1993-02-26 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ表面処理の終点検出方法及びプラズマ表面処理装置の状態監視方法 |
AU664995B2 (en) * | 1991-04-19 | 1995-12-14 | Surface Solutions, Incorporated | Method and apparatus for linear magnetron sputtering |
US5391855A (en) * | 1991-08-01 | 1995-02-21 | Komoto Tech, Inc. | Apparatus for atmospheric plasma treatment of a sheet-like structure |
US5198033A (en) * | 1991-10-31 | 1993-03-30 | Medtronic, Inc. | Continuous plasma surface treatment apparatus for running length polymeric tubing |
US5277751A (en) * | 1992-06-18 | 1994-01-11 | Ogle John S | Method and apparatus for producing low pressure planar plasma using a coil with its axis parallel to the surface of a coupling window |
US5346578A (en) * | 1992-11-04 | 1994-09-13 | Novellus Systems, Inc. | Induction plasma source |
US6225744B1 (en) | 1992-11-04 | 2001-05-01 | Novellus Systems, Inc. | Plasma process apparatus for integrated circuit fabrication having dome-shaped induction coil |
JP3024449B2 (ja) * | 1993-07-24 | 2000-03-21 | ヤマハ株式会社 | 縦型熱処理炉及び熱処理方法 |
US5532447A (en) * | 1993-12-06 | 1996-07-02 | Aluminum Company Of America | Method of cleaning an aluminum surface by plasma treatment |
US5591268A (en) * | 1994-10-14 | 1997-01-07 | Fujitsu Limited | Plasma process with radicals |
US5643639A (en) * | 1994-12-22 | 1997-07-01 | Research Triangle Institute | Plasma treatment method for treatment of a large-area work surface apparatus and methods |
US6238533B1 (en) * | 1995-08-07 | 2001-05-29 | Applied Materials, Inc. | Integrated PVD system for aluminum hole filling using ionized metal adhesion layer |
US5962923A (en) | 1995-08-07 | 1999-10-05 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor device having a low thermal budget metal filling and planarization of contacts, vias and trenches |
US6264812B1 (en) | 1995-11-15 | 2001-07-24 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for generating a plasma |
KR100489918B1 (ko) * | 1996-05-09 | 2005-08-04 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 플라즈마발생및스퍼터링용코일 |
US6368469B1 (en) * | 1996-05-09 | 2002-04-09 | Applied Materials, Inc. | Coils for generating a plasma and for sputtering |
US6254746B1 (en) | 1996-05-09 | 2001-07-03 | Applied Materials, Inc. | Recessed coil for generating a plasma |
US6254737B1 (en) | 1996-10-08 | 2001-07-03 | Applied Materials, Inc. | Active shield for generating a plasma for sputtering |
US6190513B1 (en) | 1997-05-14 | 2001-02-20 | Applied Materials, Inc. | Darkspace shield for improved RF transmission in inductively coupled plasma sources for sputter deposition |
US6514390B1 (en) | 1996-10-17 | 2003-02-04 | Applied Materials, Inc. | Method to eliminate coil sputtering in an ICP source |
US5961793A (en) * | 1996-10-31 | 1999-10-05 | Applied Materials, Inc. | Method of reducing generation of particulate matter in a sputtering chamber |
TW358964B (en) | 1996-11-21 | 1999-05-21 | Applied Materials Inc | Method and apparatus for improving sidewall coverage during sputtering in a chamber having an inductively coupled plasma |
TW403959B (en) | 1996-11-27 | 2000-09-01 | Hitachi Ltd | Plasma treatment device |
US6451179B1 (en) | 1997-01-30 | 2002-09-17 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for enhancing sidewall coverage during sputtering in a chamber having an inductively coupled plasma |
JPH10223607A (ja) * | 1997-02-03 | 1998-08-21 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマ処理装置 |
US6599399B2 (en) | 1997-03-07 | 2003-07-29 | Applied Materials, Inc. | Sputtering method to generate ionized metal plasma using electron beams and magnetic field |
US6103070A (en) * | 1997-05-14 | 2000-08-15 | Applied Materials, Inc. | Powered shield source for high density plasma |
US6210539B1 (en) | 1997-05-14 | 2001-04-03 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for producing a uniform density plasma above a substrate |
US6652717B1 (en) | 1997-05-16 | 2003-11-25 | Applied Materials, Inc. | Use of variable impedance to control coil sputter distribution |
US6361661B2 (en) | 1997-05-16 | 2002-03-26 | Applies Materials, Inc. | Hybrid coil design for ionized deposition |
US6077402A (en) * | 1997-05-16 | 2000-06-20 | Applied Materials, Inc. | Central coil design for ionized metal plasma deposition |
US6579426B1 (en) | 1997-05-16 | 2003-06-17 | Applied Materials, Inc. | Use of variable impedance to control coil sputter distribution |
US6235169B1 (en) | 1997-08-07 | 2001-05-22 | Applied Materials, Inc. | Modulated power for ionized metal plasma deposition |
US6375810B2 (en) | 1997-08-07 | 2002-04-23 | Applied Materials, Inc. | Plasma vapor deposition with coil sputtering |
US6345588B1 (en) | 1997-08-07 | 2002-02-12 | Applied Materials, Inc. | Use of variable RF generator to control coil voltage distribution |
US6565717B1 (en) | 1997-09-15 | 2003-05-20 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for sputtering ionized material in a medium to high density plasma |
US6042700A (en) * | 1997-09-15 | 2000-03-28 | Applied Materials, Inc. | Adjustment of deposition uniformity in an inductively coupled plasma source |
US6023038A (en) * | 1997-09-16 | 2000-02-08 | Applied Materials, Inc. | Resistive heating of powered coil to reduce transient heating/start up effects multiple loadlock system |
KR20010032498A (ko) * | 1997-11-26 | 2001-04-25 | 조셉 제이. 스위니 | 손상없는 스컵쳐 코팅 증착 |
US7253109B2 (en) | 1997-11-26 | 2007-08-07 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing a tantalum nitride/tantalum diffusion barrier layer system |
US6280579B1 (en) | 1997-12-19 | 2001-08-28 | Applied Materials, Inc. | Target misalignment detector |
US6254738B1 (en) | 1998-03-31 | 2001-07-03 | Applied Materials, Inc. | Use of variable impedance having rotating core to control coil sputter distribution |
TW434636B (en) | 1998-07-13 | 2001-05-16 | Applied Komatsu Technology Inc | RF matching network with distributed outputs |
US6217937B1 (en) | 1998-07-15 | 2001-04-17 | Cornell Research Foundation, Inc. | High throughput OMVPE apparatus |
US6132566A (en) * | 1998-07-30 | 2000-10-17 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for sputtering ionized material in a plasma |
US6238528B1 (en) * | 1998-10-13 | 2001-05-29 | Applied Materials, Inc. | Plasma density modulator for improved plasma density uniformity and thickness uniformity in an ionized metal plasma source |
US6139679A (en) * | 1998-10-15 | 2000-10-31 | Applied Materials, Inc. | Coil and coil feedthrough |
US20050210902A1 (en) | 2004-02-18 | 2005-09-29 | Sharper Image Corporation | Electro-kinetic air transporter and/or conditioner devices with features for cleaning emitter electrodes |
US6176977B1 (en) | 1998-11-05 | 2001-01-23 | Sharper Image Corporation | Electro-kinetic air transporter-conditioner |
US20030206837A1 (en) | 1998-11-05 | 2003-11-06 | Taylor Charles E. | Electro-kinetic air transporter and conditioner device with enhanced maintenance features and enhanced anti-microorganism capability |
US7220295B2 (en) | 2003-05-14 | 2007-05-22 | Sharper Image Corporation | Electrode self-cleaning mechanisms with anti-arc guard for electro-kinetic air transporter-conditioner devices |
US6544485B1 (en) | 2001-01-29 | 2003-04-08 | Sharper Image Corporation | Electro-kinetic device with enhanced anti-microorganism capability |
US7695690B2 (en) | 1998-11-05 | 2010-04-13 | Tessera, Inc. | Air treatment apparatus having multiple downstream electrodes |
US7318856B2 (en) | 1998-11-05 | 2008-01-15 | Sharper Image Corporation | Air treatment apparatus having an electrode extending along an axis which is substantially perpendicular to an air flow path |
US6610257B2 (en) * | 1999-01-11 | 2003-08-26 | Ronald A. Vane | Low RF power electrode for plasma generation of oxygen radicals from air |
US20030087488A1 (en) * | 2001-11-07 | 2003-05-08 | Tokyo Electron Limited | Inductively coupled plasma source for improved process uniformity |
US7212078B2 (en) * | 2003-02-25 | 2007-05-01 | Tokyo Electron Limited | Method and assembly for providing impedance matching network and network assembly |
US7232767B2 (en) * | 2003-04-01 | 2007-06-19 | Mattson Technology, Inc. | Slotted electrostatic shield modification for improved etch and CVD process uniformity |
US7405672B2 (en) | 2003-04-09 | 2008-07-29 | Sharper Image Corp. | Air treatment device having a sensor |
WO2005003273A1 (en) * | 2003-07-01 | 2005-01-13 | William A. Barnstead Engineering Corporation | Method, process, chemistry and apparatus for treating a substrate |
US7906080B1 (en) | 2003-09-05 | 2011-03-15 | Sharper Image Acquisition Llc | Air treatment apparatus having a liquid holder and a bipolar ionization device |
US7724492B2 (en) | 2003-09-05 | 2010-05-25 | Tessera, Inc. | Emitter electrode having a strip shape |
US7517503B2 (en) | 2004-03-02 | 2009-04-14 | Sharper Image Acquisition Llc | Electro-kinetic air transporter and conditioner devices including pin-ring electrode configurations with driver electrode |
US7077890B2 (en) | 2003-09-05 | 2006-07-18 | Sharper Image Corporation | Electrostatic precipitators with insulated driver electrodes |
US20050051420A1 (en) | 2003-09-05 | 2005-03-10 | Sharper Image Corporation | Electro-kinetic air transporter and conditioner devices with insulated driver electrodes |
US7872242B2 (en) | 2003-10-17 | 2011-01-18 | Fei Company | Charged particle extraction device and method of design there for |
US7767169B2 (en) | 2003-12-11 | 2010-08-03 | Sharper Image Acquisition Llc | Electro-kinetic air transporter-conditioner system and method to oxidize volatile organic compounds |
US7241361B2 (en) * | 2004-02-20 | 2007-07-10 | Fei Company | Magnetically enhanced, inductively coupled plasma source for a focused ion beam system |
US7638104B2 (en) | 2004-03-02 | 2009-12-29 | Sharper Image Acquisition Llc | Air conditioner device including pin-ring electrode configurations with driver electrode |
US20060016333A1 (en) | 2004-07-23 | 2006-01-26 | Sharper Image Corporation | Air conditioner device with removable driver electrodes |
US7311762B2 (en) | 2004-07-23 | 2007-12-25 | Sharper Image Corporation | Air conditioner device with a removable driver electrode |
US7285155B2 (en) | 2004-07-23 | 2007-10-23 | Taylor Charles E | Air conditioner device with enhanced ion output production features |
US20060109195A1 (en) * | 2004-11-22 | 2006-05-25 | Tihiro Ohkawa | Shielded antenna |
KR100766093B1 (ko) * | 2005-07-13 | 2007-10-11 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마를 분리 가속시키는 중성 빔 에칭 장치 |
JP4798635B2 (ja) * | 2005-09-16 | 2011-10-19 | 国立大学法人東北大学 | プラズマ発生装置およびプラズマ発生方法 |
US7833322B2 (en) | 2006-02-28 | 2010-11-16 | Sharper Image Acquisition Llc | Air treatment apparatus having a voltage control device responsive to current sensing |
US7517437B2 (en) * | 2006-03-29 | 2009-04-14 | Applied Materials, Inc. | RF powered target for increasing deposition uniformity in sputtering systems |
US20080017794A1 (en) * | 2006-07-18 | 2008-01-24 | Zyvex Corporation | Coaxial ring ion trap |
US8075734B2 (en) * | 2007-07-06 | 2011-12-13 | Applied Materials, Inc. | Remote inductively coupled plasma source for CVD chamber cleaning |
US8349125B2 (en) * | 2009-07-24 | 2013-01-08 | Xei Scientific, Inc. | Cleaning device for transmission electron microscopes |
EP2341525B1 (de) | 2009-12-30 | 2013-10-23 | FEI Company | Plasmaquelle für ein Teilchenstrahlsystem |
US8987678B2 (en) | 2009-12-30 | 2015-03-24 | Fei Company | Encapsulation of electrodes in solid media |
US8642974B2 (en) | 2009-12-30 | 2014-02-04 | Fei Company | Encapsulation of electrodes in solid media for use in conjunction with fluid high voltage isolation |
US20130098871A1 (en) | 2011-10-19 | 2013-04-25 | Fei Company | Internal Split Faraday Shield for an Inductively Coupled Plasma Source |
US9378928B2 (en) | 2014-05-29 | 2016-06-28 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for treating a gas in a conduit |
KR20170137718A (ko) | 2015-04-15 | 2017-12-13 | 오카도 이노베이션 리미티드 | 건물 또는 보관고의 구성을 위한 시스템 및 방법 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB735655A (en) * | 1951-12-28 | 1955-08-24 | Olin Ind Inc | Improvements in or relating to a method for producing hydrazine |
US3526584A (en) * | 1964-09-25 | 1970-09-01 | Western Electric Co | Method of providing a field free region above a substrate during sputter-depositing thereon |
US3503711A (en) * | 1965-12-23 | 1970-03-31 | Gen Electric | Ammonia detection apparatus and method |
US3410776A (en) * | 1966-02-01 | 1968-11-12 | Lab For Electronics Inc | Gas reaction apparatus |
US3437864A (en) * | 1966-08-29 | 1969-04-08 | Boeing Co | Method of producing high temperature,low pressure plasma |
US3428548A (en) * | 1966-09-27 | 1969-02-18 | Lab For Electronics Inc | Plasma reaction system for reacting a gas with a non-gaseous material |
US3536602A (en) * | 1967-01-27 | 1970-10-27 | Gen Electric | Glow inhibiting method for glow discharge apparatus |
US3671195A (en) * | 1968-08-19 | 1972-06-20 | Int Plasma Corp | Method and apparatus for ashing organic substance |
US3573192A (en) * | 1968-08-19 | 1971-03-30 | Int Plasma Corp | Plasma generating apparatus |
US3647676A (en) * | 1968-08-19 | 1972-03-07 | Int Plasma Corp | Method and apparatus for reacting ionized gas with a non-gaseous substance |
US3616461A (en) * | 1969-12-05 | 1971-10-26 | Lfe Corp | Apparatus for exciting a gas by means of an electrodeless discharge |
US3619403A (en) * | 1970-06-30 | 1971-11-09 | Lfe Corp | Gas reaction apparatus |
US3674666A (en) * | 1970-08-19 | 1972-07-04 | Richard N Foster | Enhancing reaction rates |
JPS5016977Y2 (de) * | 1971-05-11 | 1975-05-26 | ||
BE788661A (fr) * | 1971-10-05 | 1973-03-12 | Lefe Corp | Dispositif d'attaque d'une matiere par un gaz dans un champ electromagnetique |
JPS48102774A (de) * | 1972-04-10 | 1973-12-24 | ||
US3775621A (en) * | 1972-12-29 | 1973-11-27 | Lfe Corp | Gas reaction apparatus |
US3879597A (en) * | 1974-08-16 | 1975-04-22 | Int Plasma Corp | Plasma etching device and process |
-
1974
- 1974-08-02 US US05/494,024 patent/US4362632A/en not_active Expired - Lifetime
-
1975
- 1975-07-16 DE DE2531812A patent/DE2531812C3/de not_active Expired
- 1975-07-17 CA CA231,849A patent/CA1064862A/en not_active Expired
- 1975-07-22 GB GB30521/75A patent/GB1518115A/en not_active Expired
- 1975-07-24 JP JP8969175A patent/JPS5544449B2/ja not_active Expired
- 1975-07-25 NL NL7508873.A patent/NL165663C/xx not_active IP Right Cessation
- 1975-08-01 CH CH1010275A patent/CH592999A5/xx not_active IP Right Cessation
- 1975-08-01 FR FR7524197A patent/FR2280972A1/fr active Granted
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3048441A1 (de) * | 1980-01-25 | 1981-09-24 | Mitsubishi Denki K.K., Tokyo | Trockenaetzvorrichtung |
DE3102174A1 (de) * | 1980-01-25 | 1981-12-10 | Mitsubishi Denki K.K., Tokyo | Plasmareaktionsvorrichtung zur behandlung von halbleitern u.dgl. |
WO1991010341A1 (en) * | 1990-01-04 | 1991-07-11 | Savas Stephen E | A low frequency inductive rf plasma reactor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2280972A1 (fr) | 1976-02-27 |
DE2531812A1 (de) | 1976-02-19 |
NL165663B (nl) | 1980-12-15 |
NL165663C (nl) | 1981-05-15 |
NL7508873A (nl) | 1976-02-04 |
DE2531812C3 (de) | 1979-09-20 |
CH592999A5 (de) | 1977-11-15 |
JPS5544449B2 (de) | 1980-11-12 |
FR2280972B1 (de) | 1980-07-25 |
CA1064862A (en) | 1979-10-23 |
GB1518115A (en) | 1978-07-19 |
JPS5144566A (de) | 1976-04-16 |
US4362632A (en) | 1982-12-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2531812C3 (de) | Gasentladungsgerät | |
DE3102174C2 (de) | Plasmareaktor zur Behandlung von Halbleitern | |
DE69631349T2 (de) | Reinigungsverfahren und Vorrichtung für Vakuumröhre in einem CVD-System | |
DE2632194C2 (de) | Aktivgas-Reaktionsvorrichtung | |
DE3750115T2 (de) | Plasmabearbeitungsgerät. | |
DE2933850C2 (de) | Plasma-Ätzvorrichtung | |
DE3140237C2 (de) | Vorrichtung zum Plasmaätzen einer Probe | |
WO2000035256A1 (de) | Vorrichtung zur erzeugung eines freien kalten plasmastrahles | |
DE4123959C1 (de) | ||
DE2102352C3 (de) | Hochfrequenzbetriebene Sprühvorrichtung | |
DE3011686A1 (de) | Vorrichtung zur plasma-oberflaechenbehandlung von werkstoffen | |
DE2601288A1 (de) | Gasaetzvorrichtung, insbesondere zur herstellung von halbleitervorrichtungen | |
DE2610444C2 (de) | Verfahren und Einrichtung zur Beschichtung von Trägermaterialien, insbesondere durch Kathodenzerstäubung | |
CH652148A5 (de) | Vorrichtung zum beschichten von plaettchen. | |
DE19505268A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Behandlung von Substratoberflächen | |
DE60307062T2 (de) | Verfahren zum plasmareinigen von mit einer organischen substanz beschichteten materialoberflächen und vorrichtung dafür | |
DE2245753A1 (de) | Vorrichtung zum durchfuehren einer reaktion zwischen einem gas und einem material in einem elektromagnetischen feld | |
DE3507337A1 (de) | Vorrichtung zur durchfuehrung von prozessen im vakuum | |
DE3048441A1 (de) | Trockenaetzvorrichtung | |
EP0034706B1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Plasmaätzen oder zur Plasma CVD | |
DE112008000047T5 (de) | Veraschungsvorrichtung | |
DE202007018327U1 (de) | Vorrichtung zum Erzeugen eines Plasmas | |
EP1946623B1 (de) | Vorrichtung zum zünden und erzeugen eines sich ausdehnenden, diffusen mikrowellenplasmas vorrichtung zur plasmabehandlung von oberflächen und stoffen mittels dieses plasmas | |
DE4115706A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur plasmabehandlung von halbleiteranordnungen | |
EP0801952A2 (de) | Vorrichtung zum Sterilisieren der Innenflächen von druck-empfindlichen Behältern |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
8320 | Willingness to grant licences declared (paragraph 23) | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |