DE2518950A1 - Gesintertes siliziumkarbidpulver und verfahren zu dessen herstellung - Google Patents
Gesintertes siliziumkarbidpulver und verfahren zu dessen herstellungInfo
- Publication number
- DE2518950A1 DE2518950A1 DE19752518950 DE2518950A DE2518950A1 DE 2518950 A1 DE2518950 A1 DE 2518950A1 DE 19752518950 DE19752518950 DE 19752518950 DE 2518950 A DE2518950 A DE 2518950A DE 2518950 A1 DE2518950 A1 DE 2518950A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- silicon carbide
- dispersion
- boron
- reaction zone
- powder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J12/00—Chemical processes in general for reacting gaseous media with gaseous media; Apparatus specially adapted therefor
- B01J12/002—Chemical processes in general for reacting gaseous media with gaseous media; Apparatus specially adapted therefor carried out in the plasma state
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/90—Carbides
- C01B32/914—Carbides of single elements
- C01B32/956—Silicon carbide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/90—Carbides
- C01B32/914—Carbides of single elements
- C01B32/956—Silicon carbide
- C01B32/963—Preparation from compounds containing silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/56—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides
- C04B35/565—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on silicon carbide
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J2219/0894—Processes carried out in the presence of a plasma
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
- C01P2004/62—Submicrometer sized, i.e. from 0.1-1 micrometer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/12—Surface area
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/60—Optical properties, e.g. expressed in CIELAB-values
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Description
Gesintertes Siliziumkarbidpulver und Verfahren zu dessen Herstellung
Die chemischen und physikalischen Eigenschaften von Siliziumkarbid machen es zu einem ausgezeichneten Material für Konstruktionen, die hohen Temperaturen ausgesetzt werden. Diese Eigenschaften schließen gute Oxidationsbeständigkeit und gutes Korrosionsverhalten, gute Wärmeübertagungskoeffizienten, geringe
thermische Ausdehnungskoeffizienten sowie hohe thermische Schockr beständigkeit und hohe Festigkeit bei erhöhten Temperaturen ein.
Diese einzigartige Kombination von Eigenschaften legt das Einsetzen von Siliziumkarbid für Bestandteil· von Gasturbinen, Fegulierventlle für die Handhabung korrosiver Flüssigkeiten und
flüssiger Metalle, Auskleidungen für Kugelmühlen, Wärmeaustauscher
und Hochtemperaturöfen, Pumpen für Gießmaschinen und Verbrennungsrohre nahe.
509849/0862
In der älteren Patentanmeldung P 24 49 662.6 der Anmelderin 1st
ein neues Verfahren zum Herstellen von geformten Teilen aus Siliziumkarbid beschrieben, bei dem eine einfache, billige und übliche
Technik aus der Keramikformung verwendet wird. Dieses neue Verfahren
ist auf die Herstellung einer dichten Siliziumkarbid-Keramik gerichtet durch Zubereiten einer homogenen Suspersion
eines Submikronpulvers, das im wesentlichen aus Siliziumkarbid, einem borhaltigen Additiv und einem kohlenstoffhaltigen Additiv
besteht. Die Dispersion wird dann zu einem ungesinterten Körper gepreßt und drucklos in einer kontrollierten Atmosphäre gesintert,
die gegenüber Siliziumkarbid bei einer Temperatur von 1900 bis 2100 G Inert ist, wobei man einen geformten Siliziumkarbidkörper
mit einer Dichte von mindestens 85 % der theoretischen Dichte erhält. Das bevorzugte Produkt weist eine Dichte von mindestens
98 % der theoretischen Dichte auf. Dieses Material ist geeignet als Werkstoff für bei hoher Temperatur arbeitenden Gasturbinen
für Flugzeuge, Kraftfahrzeuge und zur Herstellung elektrischer Energie. Dieses Verfahren macht es möglich, die Keramik zu einer
hohen Dichte ohne gleichzeitige Anwendung von Druck zu sintern.
Um das Sintern des Siliziumkarbids ohne Druck zu induzieren, muß das Ausgangsmaterial ein sauerstofffreies Pulver mit einer
Größe im Submikronbereich sein, das homogen darin dispergiert eine wirksame Menge eines borhaltigen Additivs und Kohlenstoff
enthält. Es können verschiedene Verfahren angewendet werden, um das Bor und den Kohlenstoff in das Siliziumkarbidpulver einzuführen.
Die Verteilung auf einem Submlkronniveau ist jedoch
schwierig und durch übliches Vermischen der Pulver nicht möglich, da Kohlenstoff eine starke Tendenz aufweist, sich zu voluminösen
Anhäufungen bzw. Nestern zusammenzuballen. Ein anderes Erfordernis ist es, daß das Pulver nur das kubische ß-Siliziumkarbid
enthält.
In der vorliegenden Erfindung wurde nun ein Pulver mit einer Teilchengröße im Submikronbereich gefunden, das unter Bildung
eines einphasigen, dichten Siliziumkarbid-Körpers mit einer Dichte
509849/0862
von mindestens 95 % der theoretischen Dichte des Siliziumkarbids
gesintert werden kann. Das Pulver ist im wesentlichen eine homogene Dispersion von ß-Siliziumkarbid, 0,2 bis 1 Gew.-I Bor und
0,2 bis 1 Gew.-? freiem Kohlenstoff, wobei die Dispersion charakterisiert
ist als nicht zusammengeballte Kristallite, die durch DampAhasenreaktion gebildet sind. Die Erfindung umfaßt weiter
ein Verfahren zum Herstellen des Submikronpulvers, das zu dem einphasigen dichten Siliziumkarbidkörper gesintert werden kann,
welches das Hineinführen eines Dampfes einer Mischung in ein Ende einer Plasmastrahl-Reaktionszone einschließt, wobei die Mischung
aus flüchtigen Verbindungen des Siliziums un·- Bors und einem
Kohlenwasserstoff besteht, wie Siliziumhalogenid, Silan, Alkylhalogensilan,
Borhalogenid, Bor usw., und das Hineinführen mit einer Geschwindigkeit geschieht, die ausreicht, eine Strömung
darin zu erzeugen, die einen stromauf gelegenen Teil der Reaktionszone bei einer ausreichenden Temperatur hält, um eine thermische
Anregungs- und Ionisierungsaktivierung der reaktiven Bestandteile zuverursachen und schließlich das Gewinnen einer Zusammensetzung
aus dem anderen Ende der Reaktionszone, die im wesentlichen aus einer homogenen Dispersion von ß-Siliziumkarbid
besteht, die 0,2 bis 1 Gew.-? Bor und 0,2 bis 1 Gew.-? freien
Kohlenstoff enthält. Die Dispersion ist charakterisiert als aus nicht-zusammengeballten Submikron-Kristalliten gebildet.
Diskussionen und Besprechungen der Plasmachemie sind in folgenden Druckschriften enthalten: Industrial and Engineering Chemistry,
Band 61, Nr. 11 (November 1969), Seiten 48 - 61, und Industrial
and Engineering Chemistry, Band 62, Nr. 6, (Juni 1970), Seiten 8 - 22. In diesen Druckschriften sind chemische Synthesen und
Reaktionen beschrieben, die in einem Plasma geringer Temperatur, d. h. einem quasi neutralen Gas vorkommen, das durch eine partielle
oder vollständige Ionisation der Gase charakterisiert ist. Plasma kann üblicherweise in Gleich- und Wechselstrom-Plasmageneratoren
erzeugt werden und ebenso in einem Induktionsplasmabrenrier oder einem Mikrowellen-Plasmagenerator.
509849/0862
-H-
Die Erfindung wird im folgenden unter Bezugnahme auf die Zeichnung
näher erläutert, in der eine schematische Abbildung eines Gleichstrom-Plasmastrahlgenerators gezeigt ist, wie er brauchbar
ist, um das sinterbare Silikonkarbid-Pulver der vorliegenden Erfindung chemisch zu synthetisieren. Dieses Verfahren der Plasmaproduktion
schließt die Freisetzung elektrischer Energie mittels einer elektrischen Entladung in ein plasmabildendes Gas, wie Argon,
Helium oder Wasserstoff, ein. Die Kathode 12 kann aus Wolfram, Molybdän, Kohlenstoff oder Kupfer (wassergekühlt) hergestellt
sein und sie kann so ausgebildet sein, daß das plasmabildende Gas um die Kathode 12 herum durch das konzentrische
Rohr m zugeführt wird und in eine Reaktionszone 20 gelangt. Die
Anode 16 ist aus Kupfer hergestellt und wird durch die Kanäle 18 mit Wasser gekühlt. Die Reaktionsgasmischung wird durch den Einlaß
22 in die Reaktionszone 20 geführt und durch das Einlaßtor tangential injiziert, so daß sie eine Wirbelströmung bildet. Die
Gase passieren dann eine gekühlte Düse 26, die wassergekühlte Kanäle 28 enthält, und tritt durch den Auslaß 30 aus. Danach werden
die Reaktionsprodukte gekühlt, um das gewünschte Produkt zu gewinnen, üblicherweise wird in einer Plasmareaktion ein Abschrecken
benötigt, da aber Siliziumkarbid die stabilste Verbindung in dem System ist, ist hier ein rasches Abschrecken nicht
erforderlich. Das außerordentlich feine Siliziumkarbid ist jedoch bei erhöhten ffemperaturen oxidationsempfindlich und das Reaktionsprodukt
muß daher vor Luft geschützt werden, bevor es auf Zimmertemperatur abgekühlt ist.
Es gibt verschiedene Verfahren; um Wärme aus Gasen abzuführen,
z. B. indem man sie durch einen wassergefüllten Kanal leitet,
durch Einleiten eines zusätzlichen kalten Inertgases, durch Einsprühen einer inerten Flüssigkeit, durch Hindurchleiten durch
ein Fluidbett usw. Die Auswahl des richtigen Verfahrens hängt hauptsächlich von der Fabrikationsmenge ab, d. h. von der Wärmemenge,
die zu entziehen ist.
509849/0862
Ein wassergekühlter Kanal aus rostfreiem Stahl kombiniert mit der Gewinnung des SiC-Pulvers durch Waschen der Gase in Trichloräthylen
ist eine zufriedenstellende Prozedur für einen Plasmastrahlreaktor. Die nach dem Durchgang durch den Kanal in den Gasen
verbliebene Hitze wird durch die Flüssigkeit entfernt, die dadurch zum Sieden kommt, verdampft und durch Wasserkühlung des
Gasauslaßkanals des Waschgefäßes kondensiert wird.
Die Reaktionsgasmischung enthält flüchtige Silizium- und Borverbindungen,
wie Siliziumchlorid oder -fluorid und Bortrifluorid und Bortrichlorid zusammen mit einem Kohlenwasserstoff, wie Toluol
und Wasserstoff als Trägergas. Die Verhältnisse dieser Reaktanten sind derart, daß nach der Reaktion die erhaltene homogene Dispersion
ß-Siliziumkarbid sein wird, das 0,2 bis 1 Gew.-X Bor
und 0,2 bis 1 Gew.-Jt freien Kohlenstoff enthält.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand von Beispielen näher erläutert.
Zur Verwendung in im wesentlichen dem ir der Zeichnung abgebildeten
Gleichstrom-Plasmastrahlreaktor wurde eine Lösung aus Siliziumtetrachlorid, Bortrichlorid und Toluol in den folgenden Anteilen
hergestellt:
Gew.-Teile
SiCl11 170
Toluol 11,9
BCl3 1,0
Bortrichlorid, das bei Zimmertemperatur ein Gas ist, wurde zu der flüssigen Mischung der anderen Bestandteile unter Kühlen mit Trockeneis
hinzugefügt, um Verdampfungsverluste zu vermeiden. Die Mischung
509849/0862
wurde mit einer Geschwindigkeit von etwa 60 cm-Vmin einem Wasserstoffstrom
von 32 l/min dm ;h eine Koaxialdüse zugeführt. Das Wasserstoffgas ist stromauf auf etwa 25O°C vorerhitzt, um alle
Flüssigkeiten zu verdampfen und eine Dampfmischung zu bilden.
Diese gasförmige Mischung der Reaktanten wurde in die Reaktionskamrner
des Plasmaitrahlreaktors eingeführt, der mit einer Energie
von etwa 15 Kilowatt in Argon betrieben wurde.
Das aus den umgesetzten Gasen gewonnene Produkt war ein Siliziumkarbidpulver
mit Teilchengrößen im Submikronbereich, das etwa
0,4 Gew.-* Bor und 0,5 Gew.-%/Kohlenstoff enthielt. Dieses Pulver
wurde im wesentlichen in Form isolierter Kristallite erhalten, die eine durchschnittliche Teilchengröße von etwa 0,2 Mikron und
eine Oberfläche von 8 m /g hatten. Das Pulver war nicht zusammengeballt und konnte ohne Hilfe mechanischer Prozeduren zu den genannten Kristalliten zerteilt werden und es konnte ohne Anwendung
von Druck zu mehr als 95 % seiner theoretischen Dichte gesintert werden.
Aus dem nach Beispiel I hergestellten Submikron-Siliziumkarbidpulver
wurde durch Vermischen von 400 g des Pulvers mit 200 ml
destilliertem Wasser und Zugeben von 2 cnr Natriumsilikatlösung
mit 20 % Na2O · 3 SiO2 (22 Be), eine wäßrige Aufschlämmung hergestellt.
Diese Aufschlämmung wurde zwei Stunden mit gesinterten Karbidkugeln kugelgemahlen und durch ein Sieb mit einer lichten
Maschenweite von etwa 0,1 mm (entsprechend 150 Maschen/Zoll) passiert.
Aus der Aufschlämmung wurden dann durch Entwässerungsgießen in Gipsformen Tiegel hergestellt mit einem Durchmesser von etwa
37 mm und einer Höhe ebenfalls von etwa 37 mm. Die Gußstücke wurden getrocknet und danach in strömendem Stickstoff bei 40 mm Hg
nach folgendem Temperatur-Zeit-Plan geglüht:
509849/0862
Zimmertemperatur | 200 | bis | 200° | C | 10 | min |
400 | bis | 400° | C | 50 | fl | |
1500 | bis | 1500° | C | 30 | Il | |
Halt bei | 1500 | 0C | 30 | It | ||
1950 | bis | 1950° | C | 20 | Il | |
2020 | bis- | 2020° | C | 30 | Il | |
Halt bei | 0C | HO | Il |
Danach wurde der Ofen abgestellt und mit Stickstoff von Atmosphärendruck
gefüllt, und man ließ ihn sich auf Raumtemperatur abkühlen. Die Enddichte betrug 95,5 % der theoretischen und die
Schrumpfung 18,5 %.
509849/0862
Claims (4)
- Patentansprüche(l) Submlkronpulver, das unter Bildung eines dichten Silizium-Karbidkörpers mit einer Dichte von mindestens 95 % der theoretischen Dichte des Siliziumkarbids gesintert werden kann, dadurch gekennzeichnet, daß das Pulver im wesentlichen aus einer homogenen Dispersion von ß-Siliziumkarbid, 0,2 bis 1 Gew.-? Bor und 0,2 bis 1,0 Gew.-% freiem Kohlenstoff besteht und die Dispersion als nicht-zusammengeballte Kristallite durch Dampfphasenreaktion erhalten wurae.
- 2. Pulver nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Dispersion im wesentlichen aus ß-Siliziumkarbid, etwa 0,4 Gew.-? Bor und etwa 0,5 Gew.-? Kohlenstoff besteht.
- 3. Pulver nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Dispersion im wesentlichen in Form von nicht-zusammengeballte? Kristalliten vorliegt, die eine durchschnittliche Teilchengröße von 0,2 Mikron und eine2
Oberfläche von mehr als 5 m /g haben. - 4. Verfahren zum Herstellen eines Submikronpulvers, das unter Bildung ein.s dichten Siliziumkarbidkörpers gesintert werden kann, gekennzeichnet durch folgende Stufen:a) Schaffen einer Plasmastrahl-Reaktionszoneb) Einführen eines Dampfes einer Mischung, die im wesentlichen aus einem Siliziumhalogenid, einem Borhalogenid und einem Kohlenwasserstoff besteht, in ein Ende der Reaktionszone mit einer Geschwindigkeit, die zu einer turbulenten Strömung darin führt,c) Halten eines stromauf liegenden Teiles der Reaktionszone bei einer ausreichenden Temperatur, um thermische Anregung509849/0862una Ionisierungs-Aktivierung der reaktiven Bestandteile zu verursachen undd) Gewinnen einer Zusammensetzung vom anderen Ende der Reaktionszone, die im wesentlichen aus einer homogenen Dispersion von ß-Siliziumkarbid, 0,2 bis 1,0 Gew.-ί Bor und 0,2 bis 1,0 Gew.-J freiem Kohlenstoff besteht, wobei die Dispersion aus nicht-zusammengeballten Kristallite! besteht.509849/0862JO .Leerseite
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US47130374A | 1974-05-20 | 1974-05-20 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2518950A1 true DE2518950A1 (de) | 1975-12-04 |
Family
ID=23871083
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19752518950 Pending DE2518950A1 (de) | 1974-05-20 | 1975-04-29 | Gesintertes siliziumkarbidpulver und verfahren zu dessen herstellung |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS50160200A (de) |
DE (1) | DE2518950A1 (de) |
FR (1) | FR2272032A1 (de) |
NL (1) | NL7505601A (de) |
NO (1) | NO751762L (de) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4295890A (en) * | 1975-12-03 | 1981-10-20 | Ppg Industries, Inc. | Submicron beta silicon carbide powder and sintered articles of high density prepared therefrom |
US5080879A (en) * | 1988-12-01 | 1992-01-14 | Alcan International Limited | Process for producing silicon carbide platelets and the platelets so produced |
US5087592A (en) * | 1990-05-25 | 1992-02-11 | Alcan International Limited | Method of producing platelets of borides of refractory metals |
DE102008064642A1 (de) | 2008-09-30 | 2010-04-01 | Evonik Degussa Gmbh | Zusammensetzung oder Kit für ein Verfahren zur Herstellung von hochreinem Siliciumcarbid aus Kohlenhydraten und Siliciumoxid sowie darauf basierende Artikel |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4860015A (en) * | 1972-08-29 | 1989-08-22 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Delay line null command generator test set for sarcalm |
JPS606908B2 (ja) * | 1977-08-04 | 1985-02-21 | 日本坩堝株式会社 | 硼素成分を含有する活性な炭化珪素質粉末の製造方法 |
DE2744636A1 (de) * | 1977-10-04 | 1979-05-17 | Wolfgang Dipl Ing Boecker | Verfahren und vorrichtung zur herstellung von hochreinem siliciumcarbidpulver und seine verwendung |
JPS56500008A (de) * | 1978-12-21 | 1981-01-08 | ||
US4423303A (en) * | 1980-05-06 | 1983-12-27 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus for treating powdery materials utilizing microwave plasma |
US4529575A (en) * | 1982-08-27 | 1985-07-16 | Ibiden Kabushiki Kaisha | Process for producing ultrafine silicon carbide powder |
EP0199482B1 (de) * | 1985-04-04 | 1993-01-13 | Nippon Steel Corporation | Verfahren zum Erzeugen von Siliciumkarbidteilchen und eines Siliciumkarbidsinterkörpers |
US5173283A (en) * | 1990-10-01 | 1992-12-22 | Alcan International Limited | Platelets for producing silicon carbide platelets and the platelets so-produced |
-
1975
- 1975-04-29 DE DE19752518950 patent/DE2518950A1/de active Pending
- 1975-05-13 NL NL7505601A patent/NL7505601A/xx unknown
- 1975-05-16 NO NO751762A patent/NO751762L/no unknown
- 1975-05-20 FR FR7515692A patent/FR2272032A1/fr active Granted
- 1975-05-20 JP JP50059325A patent/JPS50160200A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4295890A (en) * | 1975-12-03 | 1981-10-20 | Ppg Industries, Inc. | Submicron beta silicon carbide powder and sintered articles of high density prepared therefrom |
US5080879A (en) * | 1988-12-01 | 1992-01-14 | Alcan International Limited | Process for producing silicon carbide platelets and the platelets so produced |
US5087592A (en) * | 1990-05-25 | 1992-02-11 | Alcan International Limited | Method of producing platelets of borides of refractory metals |
DE102008064642A1 (de) | 2008-09-30 | 2010-04-01 | Evonik Degussa Gmbh | Zusammensetzung oder Kit für ein Verfahren zur Herstellung von hochreinem Siliciumcarbid aus Kohlenhydraten und Siliciumoxid sowie darauf basierende Artikel |
DE102008042499A1 (de) | 2008-09-30 | 2010-04-01 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von hochreinem Siliciumcarbid aus Kohlenhydraten und Siliciumoxid durch Kalzinierung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS50160200A (de) | 1975-12-25 |
FR2272032B1 (de) | 1977-04-15 |
NL7505601A (nl) | 1975-11-24 |
NO751762L (de) | 1975-11-21 |
FR2272032A1 (en) | 1975-12-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69621348T2 (de) | Verfahren und vorrichtung zur herstellung von polykristallinem silizium und verfahren zur herstellung eines siliziumsubstrats für eine solarzelle | |
DE2915023C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Metallnitridpulver | |
DE2449662C2 (de) | Verfahren zum Herstellen eines dichten Gegenstandes aus Siliziumkarbidkeramik sowie vorgeformter, drucklos gesinterter keramischer Gegenstand aus Siliziumkarbid | |
DE3326176C2 (de) | ||
DE2919086C2 (de) | Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung von hochreinem Silizium durch thermische Zersetzung von Tribromsilan | |
DE2518950A1 (de) | Gesintertes siliziumkarbidpulver und verfahren zu dessen herstellung | |
DE1646796A1 (de) | Verfahren zur Herstellung hochfeuerfester Formkoerper aus Siliciumnitrid | |
DE2759243A1 (de) | Polykristalliner siliziumnitrid- sinterkoerper und verfahren zu dessen herstellung | |
EP2364271B1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur herstellung von reinstsilzium | |
DE1193485B (de) | Verfahren und Anlage zur Herstellung von Nitriden der Elemente Aluminium, Bor, Silizium oder Zirkonium | |
DE69714275T2 (de) | Verfahren zum herstellen rissfreier diffusionskomponenten aus siliziumcarbid | |
DE2909104A1 (de) | Sinternde siliziumkarbidpulver und verfahren zu deren herstellung | |
DE69014717T2 (de) | Stabilisierte Zusammensetzungen von Metalloxidpulver. | |
DE2833909C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von aktivem Borcarbid enthaltendem Siliziumcarbidpulver | |
DE2910059A1 (de) | Feinteiliges siliziumkarbid mit hohem anteil an 2h-typ-siliziumkarbid und verfahren zu dessen herstellung sowie dessen verwendung zur herstellung von hochdichten sinterkoerpern | |
DE3910328C2 (de) | Wirbelschicht-Verfahren und -Reaktor für die Herstellung von polykristallinem Silicium | |
DE2523423A1 (de) | Feuerfeste metallboridpulver und verfahren zu ihrer herstellung | |
DE2923729A1 (de) | Sinterkeramisches produkt und verfahren zu seiner herstellung | |
DE3638031A1 (de) | Feinverteiltes oxid und seine herstellung | |
DE1116201B (de) | Verfahren zur Herstellung von kristallinem Borphosphid | |
DE3910343C2 (de) | ||
DE1201315B (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung feinstkoernigen, insbesondere feuerfesten Materials | |
DE69310284T2 (de) | Kohlenstoff und Keramik enthaltende Schichten zur Verwendung beim Sintern von Siliciumnitridkörpern | |
EP0006921A1 (de) | Verfahren zur herstellung von siliciumcarbidpulver. | |
DE69518669T2 (de) | Verfahren zur herstellung eines synthetischen quarzpulvers |