DE1116201B - Verfahren zur Herstellung von kristallinem Borphosphid - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von kristallinem BorphosphidInfo
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Description
BlEiIOTHEK
BEKANNTMACHUNG
DER ANMELDUNG
UNDAUSGABE DER
AUSLEGESCHRIFT:
28. FEBRUAR 1959
2. NOVEMBER 1961
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung von kristallinem Borphosphid.
Gemäß der Erfindung wird ein Verfahren zur Herstellung von kristallinem Borphosphid geschaffen,
bei welchem man eine gasförmige Borverbindung, insbesondere Bortrichlorid, mit Phosphor und Wasserstoff
bei oberhalb 590° C umsetzt.
Gemäß einer besonderen Ausführungsform der Erfindung wird 1 Mol Bortrichlorid mit 1 bis 1,5 Mol
Phosphor und 1,5 bis 5 Mol Wasserstoff umgesetzt.
Bei dem Verfahren gemäß der Erfindung kann man ferner die Umsetzung zwecks Herstellung von
zusammenhängenden, kristallines Borphosphid aufweisenden Formteilen auf inerten Unterlagen bei
Umsetzungstemperatur vollziehen lassen und gegebenenfalls die erhaltenen Borphosphidformteile von
den Unterlagen abtrennen.
Das nach dem Verfahren gemäß der Erfindung hergestellte kristalline Borphosphid stellt ein Material
mit besonderen technischen Eigenschaften dar, wie großer Härte, thermischer Stabilität und chemisch
inertem Verhalten. So ist es beispielsweise auf Grund der hervorragenden Eigenschaften des kristallinen
Borphosphids, welches unter anderem in körnigkristalliner Form erhalten werden kann, möglich, daß
man daraus ein Schleifmaterial mit hoher Schleifwirkung fertigt. Ferner können nach dem Verfahren
gemäß der Erfindung geformte Gegenstände, welche chemisch inert und feuerfest sind, wie chemische
Apparate, Turbinenschaufeln und Bauteile von Verbrennungsemrichtungen, z.B. Brennkammern und
Düsen, hergestellt werden.
Das Verfahren gemäß der Erfindung zur Herstellung von kristallinem Borphosphid wird im allgemeinen
in der Gasphase bei erhöhten Temperaturen als Reaktion zwischen einer gasförmigen Borverbindung,
elementarem Phosphor und Wasserstoff durchgeführt.
Unter den angewendeten Reaktionsbedingungen gasförmiger Borverbindungen sind Borhalogenide,
wie Bortrichlorid, Bortribromid und Bortrijodid, Alkylborverbindungen, wie Trimethylbor, Triäthylbor,
Triisopropylbor und Tri-tert.-butylbor, äthylalkyliertes Pentaboran und äthylalkyliertes Dekaboran,
die Borhydride, z.B. Diboran, Pentaboran, Decaboran od. dgl.
Die Temperatur der Reaktion zwsichen der Borverbindung
und dem elementaren Phosphor und Wasserstoff liegt im allgemeinen über etwa 590° C;
sie kann auch bis zu 1980° C betragen; ein bevorzugter Bereich ist 870 bis 1480° C. Die für die Reaktion
erforderliche Zeit ist von der Temperatur und Verfahren zur Herstellung
von kristallinem Borphosphid
von kristallinem Borphosphid
Anmelder:
Monsanto Chemical Company,
St. Louis, Mo. (V. St. A.)
St. Louis, Mo. (V. St. A.)
Vertreter: Dr. E. Wiegand,
München 15, Nußbaumstr. 10,
und Dipl.-Ing. W. Niemann, Hamburg 1,
Patentanwälte
Beanspruchte Priorität:
V. St. v. Amerika vom 3. März 1958 (Nr. 718 464)
V. St. v. Amerika vom 3. März 1958 (Nr. 718 464)
Forrest Vaughan Williams, Dayton, Ohio,
und Therald Moeller, Urbana, 111. (V. St. Α.),
sind als Erfinder genannt worden
dem Grad der Vermischung der Reaktionskomponenten abhängig.
Die anzuwendenden Anteile der drei Komponenten können in Abhängigkeit von der Art des herzustellenden
Produktes beträchtlich abgewandelt werden; im allgemeinen werden jedoch 1 bis 1,5 Mol elementarer
Phosphor (berechnet als monoatomare Form) und 1,5 bis 5 Mol Wasserstoff je Mol der Borverbindung
eingesetzt. Gegebenenfalls können größere Anteile einer der Komponenten zur Anwendung gelangen.
Dabei kann die Borverbindung auch einen Teil des erforderlichen Wasserstoffs liefern, z. B. bei
der Verwendung von Borhydriden. Die bei dem Verfahren gemäß der Erfindung erhaltenen Ausbeuten
liegen sehr hoch und sind praktisch quantitativ.
Bei der praktischen Ausführung des Verfahrens gemäß der Erfindung hat es sich als zweckmäßig herausgestellt,
einen Hochtemperaturofen, z.B. einen Widerstands- oder Induktionsofen, zu benutzen. In
diesem werden ein Strahl der Borverbindung, z.B. Bortrichlorid, und ein getrennt eingeführter Strahl
von elementarem Phosphor und Wasserstoff in Vermischung gebracht. Dabei solllen das Gasgemisch
bzw. die einzelnen Gasströme eine Wirbelmischung erfahren; es wird auf diese Weise eine vollständige
Reaktion unter Bildung der kubisch kristallinen
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Form von Borphosphid gewährleistet. Der Phosphor
kann unmittelbar in das System hinein verdampft oder in einem inerten Gasstrom eingebracht werden.
Eine praktische Ausführungsform der Erfindung" besteht darin, geformte Gegenstände aus kristallinem
Borphosphid unmittelbar aus den gasförmigen Reaktionskomponenten zu bilden, d.h. aus der Borverbindung,
dem elementaren Phosphor und dem Wasserstoff. Hierbei wird zunächst ein Muster der
erwünschten Form, z. B. ein nadeiförmiger oder abgestumpfter Kopfkonus für einen gelenkten Flugkörper
oder ein gelenktes Geschoß, aus einem thermisch stabilen Material, wie metallischem Molybdän,
gebildet. Diese Form wird in einen Hochtemperaturofen eingebracht, welcher auf der gewünschten Temperatur
von etwa 870 bis 1480° C gehalten werden kann und mit Ansätzen zum Einleiten von Bortrichlorid,
elementarem Phosphor und Wasserstoff versehen ist. Gegebenenfalls ist es auch möglich, die
Gase bei niedrigeren Temperaturen vorzumischen und ein solches Gemisch in die Hochtemperaturzone
einzuleiten.
Die Reaktionsmischung aus Bortrichlorid, Phosphor und Wasserstoff wird so gerichtet, daß sie in
der Hochtemperaturzone gegen das Formstück konvergiert. Gegebenenfalls kann das Stück auch gedreht
werden, z.B. mittels einer äußeren magnetischen Steuerung, um das gleichförmige Absetzen von Borphosphid
auf dem Formstück zu gewährleisten. Es hat sich herausgestellt, daß bei der oben beschriebenen
chemischen Reaktion ein anhaftender Überzug von Borphosphid in der kubisch kristallinen
Modifikation auf dem Formstück niedergeschlagen wird. Nach Erreichen der gewünschten Dicke von
kristallinem Borphosphid wird das System gekühlt und das Formstück mit dem Borphosphidüberzug
aus dem Ofen herausgenommen.
Gegebenenfalls kann auch der Überzug zusammen mit dem Muster bzw. der Form als einheitliches Gebilde
hergestellt werden, z. B. als Überzug von kristallinem Borphosphid auf Molybdän. Auf diese
Weise kann man einen Kopfkonus mit hoher Temperaturstabilität erhalten. Andererseits kann man den
Überzug stets von dem Muster bzw. der Form entfernen. Der Überzug von kristallinem Borphosphid
entweder in Form einer abtrennbaren Hülle oder in Form eines überzogenen Grundkörpers, hergestellt
gemäß vorstehend genannter Arbeitsweise, ist ein sehr harter, gekrümmt gestalteter Gegenstand, so daß
z.B. ein solches Kopfstück für die Anwendung fertig ist.
Das kristalline Borphosphid kann nach dem Verfahren gemäß der Erfindung vollständig im Gasstrom
erzeugt werden. Es ist jedoch besonders vorteilhaft, wenn man das kubisch kristalline Borphosphid auf
einer Oberfläche, z.B. der Form eines Musters, bildet, wobei diese mit dem kristallinen Produkt zu
überziehen ist. Es kann jedoch auch das Borphosphid an den Wandungen einer Sammelkammer aufgefangen
werden. Es hat sich herausgestellt, daß sich das Produkt in Form eines zusammenhängenden
Materials leicht von den Wänden der Sammelkammer entfernen läßt; gegebenenfalls kann es weiter
zerkleinert werden. Die Ausbeute an Borphosphid liegt sehr hoch und ist praktisch quantitativ.
Das nach dem Verfahren gemäß der Erfindung erhaltene Borphosphid ist ein hochkristallines Material
mit einer kubischen Kristallstruktur und einer Einheitszellenlänge von etwa 4,537 Ä-Einheiten. Die
Härte liegt zwischen 8 und 9 auf der Mosschen Skala (Diamant = 10). Es ist jedoch nicht ganz so hart
wie Siliciumkarbid, jedoch hat sich herausgestellt, daß es Quarz, Porzellan, Achat, zementiertes
Wolframkarbid und möglicherweise Saphir ritzt und schleift. Das kristalline Material ist verhältnismäßig
leicht und weist eine Teilchendichte, bestimmt nach der Pyknometer-Methode, von 2,94 (theoretisch
ίο 2,97) auf.
Das kristalline Borphosphid ist oxydationsresistent, wie sich zeigt, wenn man es z. B. der Flamme eines
Knallgasgebläses bei einer Temperatur von etwa 22000C aussetzt. Ferner ist gefunden worden, daß
das Material bei dieser Temperatur einem Sauerstoffstrahl aus einem Schneidbrenner unterworfen werden
kann, ohne daß eine Schädigung des kristallinen Borphosphids erkennbar ist.
Während das Material etwas geringere Oxydation Resistenz zeigt, wenn es auf solche hohen Temperaturen erhitzt wird, ist jedoch in einer neutralen oder reduzierenden Atmosphäre eine solche Beeinträchtigung ausgeschaltet. Wenn es bei 11500C in Luft einer Flamme ausgesetzt wird, brennt es nicht. Auf der betreffenden Oberfläche bildet sich scheinbar ein dünner Überzug, der das Borphosphid bei diesen hohen Temperaturen schützt. Der Schmelzpunkt des Materials liegt sehr hoch; auf Grund von theoretischen Betrachtungen und Analogie mit Werten ähnlicher Verbindungen soll es bei einer Temperatur über etwa 3000° C schmelzen.
Während das Material etwas geringere Oxydation Resistenz zeigt, wenn es auf solche hohen Temperaturen erhitzt wird, ist jedoch in einer neutralen oder reduzierenden Atmosphäre eine solche Beeinträchtigung ausgeschaltet. Wenn es bei 11500C in Luft einer Flamme ausgesetzt wird, brennt es nicht. Auf der betreffenden Oberfläche bildet sich scheinbar ein dünner Überzug, der das Borphosphid bei diesen hohen Temperaturen schützt. Der Schmelzpunkt des Materials liegt sehr hoch; auf Grund von theoretischen Betrachtungen und Analogie mit Werten ähnlicher Verbindungen soll es bei einer Temperatur über etwa 3000° C schmelzen.
Das nach dem Verfahren gemäß der Erfindung hergestellte, kubisch kristalline Borphosphit wird
durch keines der bekannten flüssigen Reagenzien angegriffen. So ist es z. B. vollständig stabil gegenüber
siedender Salpetersäure und gegenüber siedendem Königswasser.
Die Erfindung wird nachstehend an Hand einiger Beispiele näher erläutert.
Zwei elektrische Widerstandsöfen wurden so angeordnet, daß sie ein Quarzrohr umgaben, wobei
zwei getrennte Temperaturzonen erhalten wurden. Die erste Zone wurde mit einem Graphitschiffchen
beschickt, das roten Phosphor enthielt; es erfolgte Erwärmung auf etwa 480 bis 5400C, so daß elementarer
Phosphor verdampft wurde. Das Quarzrohr wies getrennte Ansätze zum Einleiten von Bortrichlorid
und Wasserstoff auf. Zwischen den in der Dampfphase befindlichen Reaktionskomponenten
Bortrichlorid, Phosphor und Wasserstoff trat eine chemische Reaktion ein; es wurde eine kubisch
kristalline Form von Borphosphid in der zweiten Hochtemperaturzone, die auf etwa 1040° C gehalten
wurde, gebildet. Am Ausgangsende des Quarzrohres befand sich eine kalte Vorlage; es stellte sich jedoch
heraus, daß sich darin kein Borphosphid ansammelte, da das Absetzen des Materials vollständig in der
Hochtemperaturzone erfolgte.
Die Bildung eines gekrümmten bzw. gebogenen Gegenstandes aus kristallinem Borphosphid wurde
so ausgeführt, daß eine Molybdänstange verwendet wurde, welche in der zweiten Zone des vorstehend
5 6
beschriebenen Ofens lag, wobei das Molybdän auf eignet. Es kann ferner für korrosionsfeste Auskleieiner
Temperatur von etwa 1040° C gehalten wurde. düngen von Brennkammern, Brennstofftanks od. dgl.,
Ein Gasgemisch aus 1 Mol Bortrichlorid, 1 Mol welche flüssigen oder festen Brennstoffen, Treibelementarem
Phosphor (berechnet in der monoato- stoffen und Oxydationsmitteln ausgesetzt sind, beimaren
Form) und 1,5 Mol Wasserstoff wurde durch 5 spielsweise Ammoniumperchlorat, rauchender SaI-das
Quarzrohr geleitet und gegen die Moiybdänform petersäure, Alkyiborverbindungen od. dgl., Verwengerichtet.
Die in Gasphase befindlichen Reaktions- dung finden.
komponenten gingen unter Bildung einer Schicht von Auch können Bauelemente von Raumgeschossen
kristallinem Borphosphid auf der Molydänform eine oder Flugkörpern, welche gegenüber äußerst hohem
chemische Reaktion ein. Nach Erzielung einer ge- 10 Abtrieb und hohen Temperaturstößen widerstandsnügend
dicken Schicht von Borphosphid wurde der fähig sein müssen, aus dem nach dem Verfahren geOfen
abgekühlt und die Molybdänform mit ihrem maß der Erfindung erzeuten kristallinen Borphosphid
Überzug aus kubisch kristallinem Borphosphid aus hergestellt werden. Beispiele hierfür sind die konischen
dem Ofen herausgenommen. Es wurde gefunden, Köpfe und Düsen von Raketen, ferner Düsenklappen,
daß das Borphosphid chemisch inert sowohl gegen- 15 Höhenruder und Steuerflächen,
über Salpetersäure und Königswasser als auch gegen- Nach dem Verfahren gemäß der Erfindung können
über der Flamme eines Knallgasgebläses war. Es gebogene oder gekrümmte Gegenstände leicht in
konnte ein Sintern des Überzugs erzielt werden, einer durch hohe Festigkeit ausgezeichneten Form
wenn man den geformten Gegenstand einer hohen hergestellt werden. Es führt dabei die Bildung der
Temperatur, z. B. oberhalb etwa 1480° C, unterwirft. zo kristallinen Modifikation von Borphosphid zur Erzeugung
einer Teilchenstruktur, bei welcher ein
Beispiel 3 gegenseitiges Ineinandergreifen der Kristallite vor
handen ist. Diese Tatsache ist insbesondere bei der
Die Herstellung eines Venturirohres bzw. einer Herstellung von gebogenen oder gekrümmten, geDüse
für eine Rakete wurde unter Benutzung eines 25 formten Gegenständen vorteilhaft, da das Ineinander-Graphitmusters
der gewünschten Form ausgeführt. greifen der Kristallite gewährleistet, daß glatte, ge-Die
Form wurde in einen Ofen gebracht; dieser war krümmte Oberflächen erzeugt werden. Dies ist für
mit einem elektrischen Heizelement versehen, welches hohe thermische Beanspruchungen wesentlich, beiauf
eine Temperatur von 11000C erhitzt werden spielsweise bei den konischen Köpfen von Raketen,
konnte. Es wurden getrennte Ströme von 1 Mol Bor- 30 Flugkörpern und Raumgeschossen,
trichlorid, 1 Mol elementarem Phosphor und 1,5 Mol Es hat sich auch herausgestellt, daß das gemäß der
Wasserstoff in die Reaktionszone geleitet. Die Graphit- Erfindung hergestellte kristalline Borphosphid stabil
form stellte, wie gefunden wurde, eine Reaktions- gegenüber Verbrennungsgasen ist; es erfolgt bei ihrer
fläche dar, auf der das Bortrichlorid mit dem ele- Einwirkung kein erkennbarer Angriff, so daß das
mentaren Phosphor und dem Wasserstoff unter ent- 35 kristalline Borphosphid gemäß der Erfindung als
sprechender Umwandlung zu kristallinem Borphos- Material für Brennkammern und Düsen vorteilphid
und Ausbildung eines Überzugs auf dem haft ist.
Graphitmuster reagierte. Das Überziehen wurde fort- Da das kristalline Borphosphid eine Härte zwischen
gesetzt, bis ein Niederschlag von etwa 0,025 mm 8 und 9 nach der Mosschen Skala (Diamant = 10)
Dicke erhalten war. Die Probe wurde dann aus dem 40 aufweist, ist es zur Herstellung von Laufrädern für
Ofen herausgenommen; es stellte sich heraus, daß sie Brennstoffpumpen in Raumgeschossen, Raketen,
einen sehr glatten Überzug von kristallinem Bor- Raumschiffen und anderen sich bewegenden Körpern
phosphid aufwies; die so hergestellte Düse konnte gut geeignet. Die hohe Temperaturstabilität von
unmittelbar verwendet werden, ohne daß eine kristallinem Borphosphid macht dieses Material für
mechanische Nachbehandlung erforderlich war. 45 die Herstellung von Turbinenteilen, z.B. bei Ver-
Das nach dem Verfahren gemäß der Erfindung brennungsturbinen, Dampfturbinen od. dgl., insbesonhergestellte,
kubisch kristalline Borphosphid ist un- dere für die Düsen eines Wasserdampf- oder eines
gewöhnlich temperaturstabil. Es ist gefunden worden, Verbrennungsstromes, wobei gegebenenfalls Flugdaß
das Material während kurzer Zeitdauer Tempe- asche und Metallteilchen darin enthalten sind, ferner
raturen von etwa 3300° C ausgesetzt werden kann. 50 für Turbinenschaufeln und -lager wertvoll.
Es ist auch gegenüber dem Angriff beispielsweise Da sich das kristalline Borphosphid inert gegender
bekannten flüssigen Chemikalien, wie Mineral- über korrodierenden Atmosphären verhält, ist es
säuren, z.B.Schwefelsäure,Salzsäure oder rauchende auch bei der Herstellung von Dampfstrahlejektoren
Salpetersäure, ferner basischen Materialien, wie Ätz- und Unterbrechungsscheiben brauchbar,
alkali oder Hydrazin, widerstandsfähig. Königswasser 55 Das kristalline Borphosphid ist gut als Schleifgreift
das kristalline Borphosphid nicht an; auch die material oder in Schneidwerkzeugen geeignet, d. h.
Flamme eines Knallgasgebläses, die intermittierend als feinteiliges Produkt oder in verarbeiteter Form,
gegen das kristalline Produkt gerichtet wird, verur- z.B. als Schneidwerkzeug in einer Drehbank. Teilsacht keine merkbare Oxydation. chenförmiges, kristallines Borphosphid kann auch
Die Anwendung des gemäß der Erfindung er- 60 bei der Herstellung von Schleifwerkzeugen oder
haltenen kristallinen Borphosphids ist auf Grund der Schleifscheiben angewendet werden, bei welchen die
besonderen Eigenschaften des Materials, wie seiner Teilchen in einem harzartigen Bindemittel einge-Härte,
seiner thermischen Stabilität und seines bunden sind, ferner für Schleifpapier und andere
chemisch inerten Verhaltens, für zahlreiche tech- Schleifprodukte, z. B. auf einer Unterlage aus Papier,
nische Zwecke vorteilhaft. 65 Gewebe od. dgl. unter Anwendung von Leim oder So ist das gemäß der Erfindung hergestellte Pro- Harz. Eine weitere Anwendung des kristallinen Bordukt
beispielsweise gut für die Herstellung von Ra- phosphids bietet sich bei Schleifmaschinen oder Zerketen-
und Strahltriebwerkteilen und -beschlagen ge- kleinerungsmaschinen für Mineralien oder Gestein
zum Schleifen von Holzbrei bei der Herstellung von Papier usw.
Auf Grund der vorteilhaften Eigenschaften des nach dem Verfahren gemäß der Erfindung hergestellten
kristallinen Borphosphids, beispielsweise der Härte, der thermischen Stabilität und des chemisch
inerten Verhaltens des Materials, sind weitere Anwendungsgebiete, die Herstellung von chemischen
Apparaten, Tiegeln, Reaktoren od. dgl., welche insbesondere zur Anwendung bei hohen Temperaturen
bestimmt sind, ferner die Herstellung von Bauteilen für Kernreaktoren und Strahlungsmesser. Ein weiteres
Anwendungsgebiet ist die Herstellung von Halbleitervorrichtungen. Es können dabei die in
der Technik üblichen Verfahren zur Erzielung der erwünschten Gestalten und Formen angewendet
werden, beispielsweise heißes oder kaltes Verpressen, Umsetzung in einem Reaktionsmedium bzw. in einer
Matrix, Aufbringen von Überzügen oder Plattierungen durch Versprühen, durch Elektrophorese
od. dgl., ferner Gießverfahren. Die Arbeitsweisen können gegebenenfalls unter Beimischung von geeigneten
Zusatzstoffen, wie Metallen, Oxyden, Bindemitteln od. dgl., durchgeführt werden.
Claims (3)
1. Verfahren zur Herstellung von kristallinem Borphosphid, dadurch gekennzeichnet, daß man
eine gasförmige Borverbindung, insbesondere Bortrichlorid, mit Phosphor und Wasserstoff bei
oberhalb 590° C umsetzt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß 1 Mol Bortrichlorid mit 1 bis
1,5 Mol Phosphor und 1,5 bis 5 Mol Wasserstoff umgesetzt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß man sich die Umsetzung
zwecks Herstellung von zusammenhängenden, kristallines Borphosphid aufweisenden Formteilen
auf inerten Unterlagen bei Umsetzungstemperatur vollziehen läßt und gegebenenfalls die erhaltenen
Borphosphidformteile von den Unterlagen abtrennt.
© 109 737/367 10.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US718464A US2974064A (en) | 1958-03-03 | 1958-03-03 | Process for the production of boron phosphide |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1116201B true DE1116201B (de) | 1961-11-02 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEM40647A Pending DE1116201B (de) | 1958-03-03 | 1959-02-28 | Verfahren zur Herstellung von kristallinem Borphosphid |
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---|---|
US (1) | US2974064A (de) |
DE (1) | DE1116201B (de) |
FR (1) | FR1221986A (de) |
NL (2) | NL236715A (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1242580B (de) * | 1963-10-28 | 1967-06-22 | Philips Nv | Verfahren zum Herstellen oder Umkristallisieren von Borphosphid |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3090703A (en) * | 1958-03-03 | 1963-05-21 | Monsanto Chemicals | Boron phosphide articles and coatings |
US3413092A (en) * | 1958-07-21 | 1968-11-26 | Monsanto Co | Process for preparing crystalline boron arsenide |
US3363984A (en) * | 1959-06-18 | 1968-01-16 | Monsanto Co | Preparation of iii-v compounds |
NL252729A (de) * | 1959-06-18 | |||
US3312570A (en) * | 1961-05-29 | 1967-04-04 | Monsanto Co | Production of epitaxial films of semiconductor compound material |
NL265948A (de) * | 1960-06-14 | 1900-01-01 | ||
US3218203A (en) * | 1961-10-09 | 1965-11-16 | Monsanto Co | Altering proportions in vapor deposition process to form a mixed crystal graded energy gap |
US3256697A (en) * | 1962-01-29 | 1966-06-21 | Monsanto Co | Thermoelectric unit and process of using to interconvert heat and electrical energy |
US3218205A (en) * | 1962-07-13 | 1965-11-16 | Monsanto Co | Use of hydrogen halide and hydrogen in separate streams as carrier gases in vapor deposition of iii-v compounds |
US3224912A (en) * | 1962-07-13 | 1965-12-21 | Monsanto Co | Use of hydrogen halide and hydrogen in separate streams as carrier gases in vapor deposition of ii-vi compounds |
US3218204A (en) * | 1962-07-13 | 1965-11-16 | Monsanto Co | Use of hydrogen halide as a carrier gas in forming ii-vi compound from a crude ii-vicompound |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2026086A (en) * | 1933-03-27 | 1935-12-31 | Corning Glass Works | Blue coated ceramic article and method and means for producing it |
US2467647A (en) * | 1945-06-07 | 1949-04-19 | Metal Hydrides Inc | Process for the production of metal nitrides |
DE970420C (de) * | 1951-03-10 | 1958-09-18 | Siemens Ag | Elektrisches Halbleitergeraet |
US2832672A (en) * | 1953-09-16 | 1958-04-29 | Norton Co | Process for the manufactur of boron nitride |
US2759861A (en) * | 1954-09-22 | 1956-08-21 | Bell Telephone Labor Inc | Process of making photoconductive compounds |
NL233423A (de) * | 1957-11-21 |
-
0
- NL NL125018D patent/NL125018C/xx active
- NL NL236715D patent/NL236715A/xx unknown
-
1958
- 1958-03-03 US US718464A patent/US2974064A/en not_active Expired - Lifetime
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1959
- 1959-02-28 DE DEM40647A patent/DE1116201B/de active Pending
- 1959-03-03 FR FR788270A patent/FR1221986A/fr not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1242580B (de) * | 1963-10-28 | 1967-06-22 | Philips Nv | Verfahren zum Herstellen oder Umkristallisieren von Borphosphid |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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NL125018C (de) | |
NL236715A (de) | |
US2974064A (en) | 1961-03-07 |
FR1221986A (fr) | 1960-06-07 |
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