DE2518305C2 - Verfahren zum Anbringen mindestens eines Anschlußleiters an eine Halbleiteranordnung - Google Patents
Verfahren zum Anbringen mindestens eines Anschlußleiters an eine HalbleiteranordnungInfo
- Publication number
- DE2518305C2 DE2518305C2 DE2518305A DE2518305A DE2518305C2 DE 2518305 C2 DE2518305 C2 DE 2518305C2 DE 2518305 A DE2518305 A DE 2518305A DE 2518305 A DE2518305 A DE 2518305A DE 2518305 C2 DE2518305 C2 DE 2518305C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- semiconductor body
- contact plate
- semiconductor
- hard solder
- attaching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H10W72/00—
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
- B23K35/22—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
- B23K35/24—Selection of soldering or welding materials proper
- B23K35/30—Selection of soldering or welding materials proper with the principal constituent melting at less than 1550 degrees C
- B23K35/302—Cu as the principal constituent
-
- H10W70/24—
-
- H10W72/20—
-
- H10W72/30—
-
- H10W74/131—
-
- H10W74/137—
-
- H10W76/138—
-
- H10W72/073—
-
- H10W72/07336—
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49169—Assembling electrical component directly to terminal or elongated conductor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
- Joining Of Glass To Other Materials (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US05/463,678 US3930306A (en) | 1974-04-24 | 1974-04-24 | Process for attaching a lead member to a semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2518305A1 DE2518305A1 (de) | 1975-11-06 |
| DE2518305C2 true DE2518305C2 (de) | 1984-10-18 |
Family
ID=23840939
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE2518305A Expired DE2518305C2 (de) | 1974-04-24 | 1975-04-24 | Verfahren zum Anbringen mindestens eines Anschlußleiters an eine Halbleiteranordnung |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3930306A (enExample) |
| JP (1) | JPS50147285A (enExample) |
| CA (1) | CA1008566A (enExample) |
| DE (1) | DE2518305C2 (enExample) |
| FR (1) | FR2321193A1 (enExample) |
| GB (1) | GB1465010A (enExample) |
| HK (1) | HK87679A (enExample) |
| IT (1) | IT1029419B (enExample) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2514922C2 (de) * | 1975-04-05 | 1983-01-27 | SEMIKRON Gesellschaft für Gleichrichterbau u. Elektronik mbH, 8500 Nürnberg | Gegen thermische Wechselbelastung beständiges Halbleiterbauelement |
| US4059837A (en) * | 1975-04-07 | 1977-11-22 | Hitachi, Ltd. | Glass-moulded type semiconductor device |
| JPS54107455A (en) * | 1978-02-10 | 1979-08-23 | Hitachi Ltd | Self-melting brazing material |
| FR2549292B1 (fr) * | 1983-07-12 | 1986-10-10 | Silicium Semiconducteur Ssc | Procede de montage de diode |
| US4757610A (en) * | 1986-02-21 | 1988-07-19 | American Precision Industries, Inc. | Surface mount network and method of making |
| US5008735A (en) * | 1989-12-07 | 1991-04-16 | General Instrument Corporation | Packaged diode for high temperature operation |
| US6642078B2 (en) * | 2000-08-28 | 2003-11-04 | Transpo Electronics, Inc. | Method for manufacturing diode subassemblies used in rectifier assemblies of engine driven generators |
| US7216796B2 (en) * | 2004-05-10 | 2007-05-15 | General Electric, Company | Crevice corrosion-resistant liquid-cooled armature bar clip-to-strand connection and related method |
| US7414226B2 (en) * | 2004-11-19 | 2008-08-19 | General Electric Company | Movable heating method and system having fixed heating source for brazing stator bars |
| US7219827B2 (en) * | 2004-11-19 | 2007-05-22 | General Electric Company | Braze end isolation layer for generator armature winding bar and method for applying the isolation layer |
| CN105149813A (zh) * | 2015-09-30 | 2015-12-16 | 杭州华光焊接新材料股份有限公司 | 一种含微量铟的低银铜磷钎料 |
| CN107170727A (zh) * | 2017-06-02 | 2017-09-15 | 朝阳无线电元件有限责任公司 | 一种i类冶金键合二极管设计与制造技术 |
| CN108581269A (zh) * | 2018-05-02 | 2018-09-28 | 重庆金荣金属有限公司 | 一种铜基中温复合焊料 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3321828A (en) * | 1962-01-02 | 1967-05-30 | Gen Electric | Aluminum brazing |
| DE1207769B (de) * | 1962-02-13 | 1965-12-23 | Telefunken Patent | Ternaeres Hartlot auf Silber-Kupfer-Basis |
| DE1439160A1 (de) * | 1962-07-26 | 1969-10-23 | Siemens Ag | Elektrisch steuerbare Halbleiteranordnung bzw. Halbleiterstromtor |
| DE1614653C3 (de) * | 1967-11-15 | 1979-06-21 | Semikron Gesellschaft Fuer Gleichrichterbau Und Elektronik Mbh, 8500 Nuernberg | Halbleiteranordnung hoher Strombelastbarkeit |
| US3844029A (en) * | 1972-02-02 | 1974-10-29 | Trw Inc | High power double-slug diode package |
-
1974
- 1974-04-24 US US05/463,678 patent/US3930306A/en not_active Expired - Lifetime
-
1975
- 1975-01-15 CA CA217,950A patent/CA1008566A/en not_active Expired
- 1975-01-31 IT IT47943/75A patent/IT1029419B/it active
- 1975-02-07 GB GB543075A patent/GB1465010A/en not_active Expired
- 1975-04-21 JP JP50047620A patent/JPS50147285A/ja active Pending
- 1975-04-24 DE DE2518305A patent/DE2518305C2/de not_active Expired
- 1975-08-13 FR FR7525282A patent/FR2321193A1/fr active Granted
-
1979
- 1979-12-27 HK HK876/79A patent/HK87679A/xx unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB1465010A (en) | 1977-02-16 |
| JPS50147285A (enExample) | 1975-11-26 |
| IT1029419B (it) | 1979-03-10 |
| DE2518305A1 (de) | 1975-11-06 |
| FR2321193A1 (fr) | 1977-03-11 |
| CA1008566A (en) | 1977-04-12 |
| US3930306A (en) | 1976-01-06 |
| FR2321193B1 (enExample) | 1980-05-09 |
| AU7968175A (en) | 1976-10-07 |
| HK87679A (en) | 1980-01-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE2518305C2 (de) | Verfahren zum Anbringen mindestens eines Anschlußleiters an eine Halbleiteranordnung | |
| DE2514922C2 (de) | Gegen thermische Wechselbelastung beständiges Halbleiterbauelement | |
| DE3921990C2 (enExample) | ||
| DE102007061175B3 (de) | Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Durchführung | |
| DE2755435A1 (de) | Loetfolie, verfahren zu deren herstellung und deren verwendung | |
| DE2829553C2 (de) | Verfahren zur Verbindung von Metallen, insbesondere Aluminium oder Aluminiumlegierungen, unter Anwendung von Brom als Flußmittel | |
| DE3328975A1 (de) | Verfahren zum hartverloeten zweier bauteile mit unterschiedlichen waermeleitfaehigkeiten und hartgeloetetes schaltungsflachgehaeuse | |
| DE1180851B (de) | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung, z. B. eines Transistors oder einer Diode | |
| DE2260722A1 (de) | Loetkolbenspitze | |
| DE2454605C2 (de) | Halbleiterbauelement | |
| DE3905424C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer supraleitenden Verbindung zwischen oxidischen Supraleitern | |
| DE2747087C2 (de) | Elektrischer Kontakt und Verfahren zu dessen Herstellung | |
| DE3419125A1 (de) | Verfahren zum anloeten einer metallelektrode an einem elektrisch leitenden siliziumkarbid-keramikelement und nach dem verfahren hergestelltes siliziumkarbid-keramikelement | |
| EP0518047B1 (de) | Mit metallischen Leitern kontaktierte massive keramische Supraleiter sowie Herstellungsverfahren | |
| DE2310924A1 (de) | Verfahren zum herstellen eines wanderfeld-wechselwirkungskreises | |
| DE4308361C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Verbindung zweier Keramikteile bzw. eines Metall- und eines Keramikteils | |
| EP0410211A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer elektrisch leitenden Verbindung zwischen Kupferlackdrähten und Anschlusselementen | |
| DE2330256A1 (de) | Lotmaterial zum flussmittelfreien hartloeten von aluminium oder aluminiumlegierungen | |
| DE2715176A1 (de) | Verfahren zur verbindung zweier teile sowie zwei durch hartverloeten miteinander verbundene teile | |
| DE2934299A1 (de) | Verfahren zum verbinden eines kontaktteils aus hochschmelzendem metall mit einem halbleiterkoerper | |
| DE2145113A1 (de) | Verfahren zum Verbinden zweier Körper durch Hartlöten | |
| DE1199104B (de) | Hartlot und seine Verwendung zum Verloeten thermoelektrischer Schenkel mit elektrischen Leitern | |
| DE1514561C3 (de) | Verfahren zum serienmäßigen Herstellen von Halbleiterbauelementen | |
| DE2619869A1 (de) | Verfahren zum herstellen einer anschlusselektrode und nach diesem verfahren hergestellte kontaktanordnung | |
| DE3736671C1 (en) | Method for producing semiconductor components |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| Q176 | The application caused the suspense of an application |
Ref document number: 2619869 Country of ref document: DE |
|
| D2 | Grant after examination | ||
| 8363 | Opposition against the patent | ||
| 8331 | Complete revocation |