DE2458680C3 - Verfahren zur Herstellung von dielektrisch isolierten Substraten geringer Durchbiegung für monolithisch integrierte Halbleiterschaltungen - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von dielektrisch isolierten Substraten geringer Durchbiegung für monolithisch integrierte Halbleiterschaltungen

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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5718341B2 (enExample) * 1974-12-11 1982-04-16
JPS5353320A (en) * 1976-10-25 1978-05-15 Kobe Kikou Kk Device for supplying slide for slide projector
JPS62124754A (ja) * 1985-11-25 1987-06-06 Matsushita Electric Works Ltd 絶縁層分離基板の製法
JPS62124753A (ja) * 1985-11-25 1987-06-06 Matsushita Electric Works Ltd 絶縁層分離基板の製法
JPS63182836A (ja) * 1987-01-24 1988-07-28 Matsushita Electric Works Ltd 絶縁層分離基板の製法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1521400B1 (de) * 1962-06-04 1970-07-16 Philips Nv Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes
DE1290925B (de) * 1963-06-10 1969-03-20 Philips Nv Verfahren zum Abscheiden von Silicium auf einem Halbleiterkoerper
DE1243274C2 (de) * 1964-05-08 1973-01-11 Licentia Gmbh Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen mit einem Halbleiterkoerper aus Silizium
DE1261480B (de) * 1964-09-17 1968-02-22 Telefunken Patent Verfahren zur Erzeugung einer elektrisch isolierenden Schicht auf einem Halbleiterkoerper
US3461003A (en) * 1964-12-14 1969-08-12 Motorola Inc Method of fabricating a semiconductor structure with an electrically isolated region of semiconductor material
CH428947A (fr) * 1966-01-31 1967-01-31 Centre Electron Horloger Procédé de fabrication d'un circuit intégré
US3624463A (en) * 1969-10-17 1971-11-30 Motorola Inc Method of and apparatus for indicating semiconductor island thickness and for increasing isolation and decreasing capacity between islands
DE2047998A1 (de) * 1970-09-30 1972-04-06 Licentia Gmbh Verfahren zum Herstellen einer Planaranordnung

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DE2458680B2 (de) 1979-02-01

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