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Hochfrequenz-Transistor und Verfahren zu dessen Herstellung Die Erfindung
betrifft einen Hochfrequenz-Transistor mit einem Substrat einer ersten Leitfähigkeit,
aus welchem ein mesaförmiger Teil mit gleicher Leitfähigkeit hervorsteht und dessen
Oberfläche benachbart zur Oberfläche des Substrates liegt, und mit einer auf dieser
Oberfläche liegenden Passivierungsschicht, durch welche Basis -und Emitterkontaktanschlüsse
verlaufen.
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Bipolare Hochfrequenz-Transistoren wurden unter Anwendung unterschiedlicher
Techniken wesentlich verbessert. Dabei ergab sich eine wesentliche Verbesserung
durch das Vorsehen flacher Basis-Emitterbereiche für den PN-Übergang. Eine wesentliche
Notwendigkeit für derartige Hochfrequenz-Bipolar-Transistoren ist das Vorhandensein
einer Passivierung
Passivierung des Basis -Emitterübergangs, um
niedere Basis -Emitter -durchbruchspannungen zu vermeiden. Obwohl eine Ionenimplantation
für die Herstellung sehr flacher Bereiche und auch die Überwachung der Dotierung
sehr geeignet ist, ergibt sich zumindest ein Nachteil, der darin besteht, daß sich
die durch Implantation bearbeiteten Bereiche!nicht unter die Oxydschicht in demselben
Umfang erstrecken, wie dies bei Diffusionsverfahren der Fall ist. Dadurch wird die
Hochfrequenzeigenschaft von bipolaren Transistoren wesentlich nachteilig beeinflußt.
Mit Hilfe der Ionenimplantation läßt sich maximal eine seitliche Ausdehnung von
100, bezogen auf die Vertikale, erreichen. Dies ist jedoch für eine ausreichende
Passivierung des PN-Uberganges nicht genügend, so daß eine zusätzliche Temperaturbehandlung
notwendig wird, um die dotierten' Bereiche weiter unter die Passivierungsschicht
vorzutreiben. Damit werden jedoch die Vorteile preisgegeben, die sich aus der zuvor
durchgeführten Ionenimplantation ergeben. Durch die Temperaturbehandlung ergibt
sich eine Umverteilung des durch Implantation eingeführten Materials und ebenfalls
eine Änderung der Dotierungstiefe. Da jedoch für Hochfrequenz-Halbleiteranordnungen
normalerweise sehr kleine Emitterbereiche erforderlich sind, ist es wünschenswert,
die Ionenimplantation durchzuführen, ohne die durch eine Wärmebehandlung sich ergebenden
Nachteile in Kauf nshmen zu müssen. Aufgrund der Notwendigkeit, in dem Emitterbereich
eine Öffnung für die Emitterkontaktierung vorzusehen, müssen diese Emitterbereiche
immer noch etwas größer ausgeführt werden als die kleinste Emitterfläche, die technisch
möglich ist. Aus diesem Grund müssen auch die durch Ionenimplantation hergestellten
Emitter bereiche immer noch größer sein, als dies eigentlich notwendig ist, Der
Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Hochfrequenz-Halbleiteranordnung zu schaffen,
die einen sehr niederen Basis-Emitterwiderstand und eine sehr hohe Basis-Emitterdurchbruchspannung
hat. Insbesondere sollen die Hochfrequenzeigenschaften von Bipolar-Transistoren
verbessert und die Möglichkeit der Verwendung der IonenimplantaOion für die Herstellung
des
des Emitterbereiches vorgesehen werden, wobei dieser Emitterbereich
flächenmäßig nicht größer ist als der für die Ionenimplantation erforderliche Flächenbereich,
Für diesen Emitterbereich soll der Basis-Emitterübergang trotz Verwendung der Ionenimplantation
voll passiviert sein, ohne daß eine Wärmebehandlung zum Eintreiben der Dotierungsschicht
unter die Passivierungsschicht notwendig ist.
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Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß ein erster
Halbleiterbereich entgegengesetzter Leitfähigkeit innerhalb des Substrates angeordnet
ist, den mesaförmigen Teil zumindest teilweise umgibt und mit dem Substrat einen
ersten PN-Übergang bildet, daß der erste Halbleiterbereich ein erstes Leitfähigkeitsniveau
hat und als Kontaktbasisbereich für den Transistor dient, daß ein zweiter Halbleiterbereich
entgegengesetzter Leitfähigkeit im mesaförmigen Teil angeordnet ist, an den ersten
Halbleiterbereich anschließt und als Arbeitsbasisbereich für den Transistor arbeitet,
daß der zweite Halbleiterbereich ein zweites niedrigeres Leitfähigkeitsniveau hat,
und daß der zweite Halbleiterbereich einen Bereich einer ersten Leitfähigkeit umfaßt,
welcher den Emitter des Transistors bildet.
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Zur Herstellung der. Hochfrequenz-Halbienteranordnung sieht die Eründung
ein Verfahren vor, das erfindungsgemäS! aadurch gekennzeichnet ist, daß) im freigelegten
Substrat ein Kontaktbasisbereich ausgebiluet wird daß der Halbleiterkörper einer
Wärmebehandlung z: m Aufwachsen einer sicken Oxydschicht über dem Kontaktbasisbereich
unterzogen wird, um einen mesaförmigen Teil zu schaffen und eine Störstellenumverteilung
derart zu bewirken, daß der Kontaktbasisbereich teilweise in den mesaförmigen Bereich
sich erstreckt, daß die verbleibenden Teile der ersten Seinchentfernt werden, um
Öffnungen rür den Arbeitsbasishereich and den Emitterbereich zu schaffen, daß der
Arbeftsbasisbereich gleiche Größe rie der mesaförmige Bereich hat, welcher in Verbindung
mit dern zuvor geschaffenen Kontaktbasisbereich steht, daß der Ermitterbereich ebenfallgleiche
gleiche
Größe wie der mesaförmige Teil hat, daß die dicke Oxydschicht und die Basis-Emitteröffnungen
mit einer Photoresistschicht überzogen werden, daß die Photoresistschicht mit einem
Muster versehen wird, um die dicke Oxydschicht bereichsweise entfernen zu können
und Teile des Kontaktbasisbcreiches für die Kontaktgabe freizulegen, und daß nach
der Entfernung der Photoresistschicht durch die Basis-Emitteröffnungen Kontaktanschlüsse
an dem Arbeitsbasisbereich und dem Emitterbereich angebracht werden.
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Die Vorteile und Merkmale der Erfindung ergeben sich auch aus der
nach folgenden Beschreibung eines Ausführungsbeispieles in Verbindung mit den Ansprüchen
und der Zeichnung. Es zeigen: Fig. 1 einen Schnitt durch das Ausgangsmaterial zur
Herstellung eines Transistors mit einer Anfangsoxydschicht; Fig. 2 die Ausbildung
eines Musters in der Anfangsoxydschicht sowie einer dünnen Oxydschicht und einer
dünnen Nitridschicht; Fig. 3 die Ausbildung eines Musters in den kombinierten Oxyd-Nitridschichten
sowie eine schematische Andeutung einer Ionenimplantation; Fig. 4 ein dadurch Ionenimplantation
hergestellter Kontaktbasisbereich und die Hinterschneidung der Nitridschicht; Fig.
5 das Aufwachsen einer Oxydschicht und das Eintreiben des Basiskontaktbereiches;
Fig. 6 einen Schnitt durch den Halbleiteraufbau nach der Ausbildung des
des
Arbeitsbasis- und Emitterbereichs; Fig. 7 einen Schnitt durch die'Halbleiteranordnung
mit einer angebrachten Basis-Emittermetallisierung sowie einer Kollektormetallisierung;
Fig, 8 den Halbleiteraufbau, wie er sich für eine integrierte Schaltung eignet.
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Hochfrequenz-Bipolar-Transistoren werden gegenwàrtig unter Verwendung
verschiedener Verfahren hergestellt, um ihre Hochfrequenzeigenschaften zu verbessern,
Am erfolgreichsten ist bisher die Verwendung von sehr flachen Basis- und Emitterbereichen.
Bei geläufigen Transistoren dieser Art bewegen sich die Abmessungen dieser Bereiche
in der Größenordnung von /um/10 oder einem oder mehreren 1000 . Um derartige bipolare
Transistoren in integrierter Form oder auch als diskrete Transistoren herzustellen,
wird zur Zeit auch die Ionenimplantation benutzt. Ein großer Vorteil ergibt sich
aus der Benutzung der Ionenimplantation dadurch, daß die Eindringtiefe und die Dotierungsmenge
sehr genau überwacht werden kann. Ein ganz wesentlicher Nachteil der Ionenimplantation
in der Verwendung für'Hochfrequenz-Halbleiteranordnungen ergibt sich aus der Tatsache,
daß bei einer Ionenimplantation das Dotierungsmittel sich nicht seitlich ausbreitet,
was jedoch bei einer herkömmlichen Diffusion der Fall ist, wobei die seitliche Ausbreitung
des Dotierungsmaterials etwa die Hälfte der Ausbreitung in die Tiefe beträgt. Bei
einer Ionenimplantation ergibt sich für die seitliche Ausbreitung ein Winkel von
maximal 10°.
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Dieser Anteil der seitlichen Ausbreitung reicht jedoch nicht aus,
um im selben Verfahrensschritt eine genügende Oberflächenpassivation in der Weise
zu bewirken, daß beim Auswaschen des Emitterbereiches der Basisbereich kontaktiert
werden kann. Bei diesem Auswaschen des Emitterbereiches
bereiches
wird ein Emitterbereich durch eine Öffnung derart gebildet, daß der Emitterübergang
seitlich um einen ausreichend großen Betrag unter die Oxydschicht greift und damit
eine gute Passivierung erfährt.
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Während der Herstellung des Emitters entsteht eine sehr dünne Oxydschicht
in der Ernitteröffnung. Dieser Aufbau kann anschließend einem Ätzverfahren unterzogen
werden, um die dünne Oxydschicht zu entfernen, ohne jedoch den Basisemitterübergang
freizulegen. Anschließend kann durch dieselbe Öffnung die Emittermetallisierung
aufgebracht werden. Auf diese Weise kann der Emitter beliebig klein gemacht werden,
wobei die Verkleinerung lediglich durch die durch das Photoresist- und Ätzverfahren
bedingten Grenzen begrenzt ist. Bei der Verwendung einer Ionenimplantat-ion zur
Herstellung des Emitterbereiches bereitet sich der Emitterübergang nicht weit genug
unter die Oxydschicht aus, um nach einem Auswaschverfahren noch einen passivierten
Emitterübergang zu behalten. Um diese Schwierigkeiten zu überwinden, gibt es zwei
Möglichkeiten. Die erste sieht die Verwendung eines Arbeitsschrittes zum Eintreiben
bei hohen Temperaturen derart vor, daß der Emitterübergang weiter unter die passivierende
Oxydschicht vorgetrieben wird und während des Auswaschschrittes der Emitterübergang
nicht freigelegt wird. Die zweite Maßnahme sieht die Herstellung einer thermischen
Oxydschicht über dem durch Ionenimplantation hergestellten Emitterbereich vor, in
der eine Öffnung für die Kontaktierung des Emitters angebracht wird. Ein offensichtlicher
Nachteil dieses letzteren Schrittes besteht darin, daß der ursprüngliche Emitterbereich
größer als notwendig sein muß, damit eine Justierung für das Herstellen der zur
Metallisierung benötigten Öffnung innerhalb des Emitterbereiches möglich ist.
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Der nachfolgend beschriebene Hochfrequehz-Bipolar-Transistor überwindet
all diese Nachteile und bietet trotzdem die Vorteile, die sich aus der Ionenimplantation
für die Herstellung des Emitterbereiches ergeben einschließlich der Vorteile, die
sich aus einem selbstausrichtenden Emitter -
Emitterbereich derart
ableiten, daß ein Auswaschen des Emitterbereiches verwendet werden kann, um eine
Kontaktierung anzubringen. Diese Vorteile leiten sich zum Teil davon ab, daß ein
Basisbereich Verwendung findet, der aus zwei Bereichen besteht, wovon der erste
eine höhere Leitfähigkeit hat und als Kontaktbasisbereich bezeichnet wird und der
zweite, nämlich der Arbeitsbasisbereich, mit einer niederen Leitfähigkeit ausgebildet
ist. Durch diese Aufteilung des Basis bereiches ergibt sich eine höhere Basis emitterdurchbruchspannung
sowie ein geringerer Basiswiderstand. Dabei kann eine Selbstausrichtung in Verbindung
mit der Ionenimplantation für den Emitterbereich Verwendung finden, wobei ein Verarmunsbereich
zur vollen Passivierung des Emitterüberganges Verwendung findet.
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Ein derartiger bipolare Transistor ist für Halbleiteranordnungen geeignet,
bei denen der Emitterübergang eine Tiefe von weniger als 1000 A hat.
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In Fig. 1 ist ein Schnitt durch das Ausgangsmaterial, bestehend aus
einer monokristallinen Siliciumscheibe mit N-Dotierung als Substrat 10 und einer
darüberliegenden Anfangsoxydschicht 12, dargestellt. Die weitere Be -trachtung ist
lediglich auf einen einzigen NPN-Transistor gerichtet, obwohl dies auch für einen
PNP-Transistor gilt, indem lediglich die Leitfähigkeit der Materialien umgedreht
wird. Die Anfangsoxydschicht 12 auf dem Substrat dient der Passivation.
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Entsprechend der Darstellung gemäß Fig. 2 wird in der Anfangsoxydschicht
12 eine Öffnung 14 angebracht, um den Teil der Oberfläche 16 des Substrates 10 freizulegen,
in welchem der Hochfrequenz-Bipolar-Transistor ausgebildet werden soll. Innerhalb
dieser Öffnung 14 wird entweder durch thermische oder andere Verfahren eine dünne
flächige Oxydschicht 18 aufgebracht, Über dieser Oxydschicht wird ferner eine Nitridschicht
20 ausgebildet, die die gesamte Oberfläche der Halbleiterscheibe überzieht. Schließlich
lichwird
über der Nitridschicht eine weitere dünne Oxydschicht 22 vorgesehen.
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Diese als Oxyd -Nitrid-Oxydschicht aufgebaute Dreifachs chicht ist
nur eine Kombination von Oberflächenschichten, die Verwendung finden kann.
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Die Nitridschicht wird verwendet, um ein Oxydwachstum während des
der Darstellung gemäß Fig. 5 zugeordneten Verfahrensschrittes zu vermeiden. Die
untere Oxydschicht dient der Oberflächenpassivation und ferner als Ätzebene für
eine unterschiedliche Ätzung, wie sie in oder Darstellung gemäß Fig. 4 erkennbar
ist, wonach die untere Oxydschicht teilweise unterschnitten ist, um die Basis-Emftteröftnung
kleiner zu machen als den kleinsten Bereich) der heutzutage mit Hilfe der Photoresistmethode
hergestellt werden kann. Die obere Oxydschicht wird zum Aufbringen eines Musters
auf die Nitridschicht verwendet. Ob die einzelnen Oxydschichten, nachdem sie ihre
primäre Funktion erfüllt haben, entfernt werden müssen, hängt vom Entwurf ab und
von der Tatsache, ob eine Ionenimplantation oder eine Diffusion verwendet werden
soll, um den Basiskontaktbereich herzustellen. Wenn eine Diffusion Verwendung findet,
werden die Teile der unteren Schicht gemäß Fig. 3, die mit 24 und 26 bezeichnet
sind, entfernt.
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Aus Fig. 3 geht die Musterung der Oxydschicht 22 und der Nitridschicht
20 hervor, um einen zentral angeordneten Oxyd-Nitrid-Aufbau aus den Schichten 20
und 22 auf der dünnen Oxydschicht 18 bestehen zu lassen. Von dieser Oxydschicht
18 werden Teile in den Bereichen 24 und 26 freigelegt, und zwar derart, daß die
Ionenirnplantation durch diese dünne Oxydschicht in den Bereichen 24 und 26 hindurch
erfolgen kann. Als Alternative dazu kann die Schicht 18 völlig entfernt werden und
die Ionenimplantation direkt in das Substrat 10 erfolgen. Zusätzlich kann auch eine
Diffusion vorgesehen werden, um die Kontaktbasisbereiche 28 und 30 gemäß Fig. 4
im Substrat 10 vorzusehen. Die durch Implantation gewonnen Bereiche 28 und 30 sind
im Haupt-
Hauptteil'des Substrates begrenzt antgeordnet. Diese
Bereiche dehnen sich in Teile des mesageformten Bereiches während des Oxydationsschrittes'
aus, der in Zusammenhang mit Fig, 5 erläutert wird.
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Es ist durchaus bekannt, verschiedene Kombinationen von Oxyd- und
Nitridschichten vorzusehen, um die mit 23 bezeichnete zentrale Mehrfachschicht aufzubauen.
Daher werden diese Verfahren nicht im einzelnen erläutert.
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Nachdem die Köntaktbasisbereiche durch Diffusion oder Ionenimplantation
hergestellt sind, wird die Halbleiterscheibe in ein Ätzmittel getaucht, um die Nitridschicht
zu unterschneiden. Die Nitridschicht wird auf einen bestimmten-Abstand entfernt,
um eine Trennung der Basismetallisation vom Emitterbereich zu erzielen. Da die Nitridschicht
mit einem anderen Ätzmittel als die Oxydschicht geätzt wird, kann die Nitridschicht
auch exklusiv entfernt werden, wobei die Oxydschichten unverändert bleiben. Der
Umfang des ;hierbei wegzuätzenden Nitrids chichtmaterials ist bekannt. Die einzige
Notwendigkeit, die sich hierfür ergibt, ist daß ein ausreichend großer Anteil der
Nitridschicht zurückbleibt, damit das in den Basisbereich wachsende Oxyd sich nicht
dort ausbildet, wo das Silicium durch die Nitridschicht geschützt ist.
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In Fig. 5 ist eine dicke, auf der Halbleiterscheibe angebrachte Oxydschicht
32 dargestellt, die thermisch aufgewachsen ist. Dadurch werden Teile des Substrates
10 erfaßt und ein Mesabereich 34 aus monokristallinem Silicium geschaffen, in welchen
anschließend der Emitterbereich und der Arbeitsbasisbereich ausgebildet wird. Diese
thermische Oxydation treibt auch den Kontaktbasisbereich weiter in das Material
hinein, wodurch eine stark dotierte tiefe Diffusion in den Bereichen entsteht, die
mit 36 und 38 gekennzeichnet sind. Das Aufwachsen der dicken Oxydschicht ist derart,
daß Wände für monokristalline Inselbereiche 40 und 42 entstehen, die im wesent -lichen
rechteckige Form haben. Die Oberftäche dieser Inselbereiche 40 und 42 grenzen an
die Oberflfichen der H&U'pt'teile des Substrates 10 an. Diese' Ober-
Oberflächenbereiche
des Hauptteiles des Substrates 10 sind mit 43 und 43a bezeichnet. Da sich die Oxydschicht
nicht an denjenigen Stellen ausbildet, an denen die Nitridschicht angeordnet ist,
ergibt sich durch die Unterschneidung der Oxydschicht gemäß Fig. 4, daß diese die
Nähe der in dem Mesateil 34 auszubildenden Arbeitsbasis zu den Kontaktbasisbereichen
36 und 38 bestimmt. Die Oxydschicht 22, die gemäß Fig. 4 die Nitridschicht überragt,
bricht ab oder wird während der Ausbildung der dicken Oxydschicht 32 gemäß Fig.
5 verbraucht. Am Ende des in Fig. 5 dargestellten Verfahrensschrittes ergibt sich
ein sehr schmaler Mesabereich 34, was von Wichtigkeit ist. Die in Fig. 3 angedeuteten
Öffnungen 24 und 26 werden mit Hilfe herkömmlicher Ätzverfahren so schmal wie möglich
gemacht. Der Mehrschichtbereich 23 wird durch das Unterschneiden der Nitridschicht
gemäß Fig. 4' noch kleiner ausgebildet, woraus sich ergibt, daß der Mesabereich
34 gemäß Fig. 5 noch kleiner ist als der kleinste mittels Ätzung oder Ausrichtung
herstellbare Bereich, der sich aus den Verhältnissen gemäß Fig. 3 ergibt. Die einzeln
in Fig. 5 dargestellten Verfahrensschritte sind selbstausrichtender Natur, so daß
auch keine zusätzliche Ausrichtung benötigt wird, um den Arbeitsbasisbereich oder
den Emitterbereich bzw. den Metallisatlonsbereich für den Emitter festzulegen und
auszubilden. Dies schließt auch das Entfernen der Oxydschicht 22 und der Nitridschicht
20 mit ein. Die Oxydschicht 18 kann auch entfernt und durch eine neue dünne Schicht
ersetzt werden. Die Ionenimplantation für den Emitter und die Basis kann in das
Silicium direkt oder durch eine dünne Oxydschicht hindurch erfolgen.
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Durch das Entfernen der passivierenden Schicht 23 entsteht eine Öffnung
durch den Arbeitsbasisbereich 44 für die Ausbildung des Emitters 46.
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In Fig. 6 ist die Herstellung des Arbeitsbasisbereiches 44 mit Hilfe
der Ionenimplantation angedeutet. Dieser Arbeitsbasisbereich 44 vereinigt sich mit
dem Kontaktbasisbereich 36 und 38, Dieser Kontaktbasisbereich kann bei einer gegebenen
Ausführungsforr;l den Arbeitsbasisbereich 44 völlig umgeben, wodurch sich ein ringförmig
ausgelegter Kontaktbasisbereich ergibt
gibt, der im wesentlichen
in dem Substrat des Halbleiterkörpers liegt, sich jedoch bis zu dem mesageformten
Teil des Halbleiterkörpers erstreckt, um sich mit dem Arbeitsbasisbereich zu verbinden.
Als weitere Alternative kann der Kontaktbasisbereich nur einen Teilring umfassen
oder aus Segmenten eines solchen Ringes bestehen. Die Leitfähigkeit des Arbeitsbasisberelches
ist kleiner als die des Kontaktbasisbereiches. Da-durch ergibt sich ein Hochfrequenz-Bipolar-Transistor
mit einer höheren Basis-Emltterdurchbruchspannung. Der Basis-Emitterwiderstand ist
jedoch klein wegen der höheren Leitfähigkeit des Kontaktbasisbereiches 36 und 38'.
Mit Ausnahme des Arbeitsbasisbereiches, welcher eine verhältnismäßig niedere Leitfähigkeit
hat, ist t das Leitfähigkeitsniveau verhältnismäßig hoch, wodurch sich die Verringerung
des Basis-Emitterwiderstandes ergibt. Der Emitterbereich 46 wird durch die-selbe
Öffnung hindurch durch Ionen-Implantation ausgebildet. Da die Wände 40 und 42 nahezu
senkrecht verlaufen, kann sich der Emitterbereich nur sehr geringfügig seitlich
ausdehnen und befindet sich in unmittelbarer Nähe der Wände 40 und 42. Die Wirkungsweise
der vorliegenden Halbleiteranordnung beruht auf der Existenz der Ausbreitung der
Emitterverarmungszone, um den Emitterübergang voll zu passivieren.
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Aus Fig. 7 kann entnommen werden, wie die dicke Oxydschicht 32 mit
einem Muster mit Hilfe herkömmlicher Photoresist- und Ätzmaßnahmen zu versehen ist,
um die Öffnungen 48 und 50 auszubilden. Während der Herstellung dieser Öffnungen
in der Oxydschicht wird der Bereich über dem Emitter durch eine Photoresistschicht
geschützt. Die Abmessungen und auch die relativen Größen zueinander sind in der
Darstellung gemäß Fig. 7 nicht maßstäblich, um die Übersichtlichkeit zu erhalten.
Jedoch können die Öffnungen 48 und 50 viel größer sein als der Emitterbereich. Das
bedeutet, daß die Ausrichtung für die Herstellung dieser Öffnungen weniger kritisch
ist und daß die Basismetallisierung 52 und 54 wesentlich größer als der Emitterbereich
sein kann, was dazu beiträgt, daß diese Verfahrensschritte weniger
weniger
kritisch sind. Nachdem die Öffnungen über der Basis ausgebildet sind, wird die Photoresistschicht
über dem Emitter entfernt und die Oberflächen werden gereinigt. Diese Reinigung
der Oberfläche und die Entfernung der Photoresistschicht hat keinen Einfluß auf
den Emitterübergang, da der Emitterübergang durch die verbleibende Oxydschicht 32
und eine Kombination der sich ausbreitenden Ionenimplantationsbereiche sowie der
Ausbreitung der Verarmungszone geschützt ist. Selbst wenn der Emitterübergang in
Durchlaßrichtung vorgespannt wird und sich dadurch der kleinste Bereich für die
Verarmungszone ergibt, bleibt der Emitterübergang immer noch voll unterhalb der
Oxydschicht 32 passiviert.
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In Fig. 8 ist im wesentlichen derselbe Aufbau wie in Fig. 7 dargestellt,
lediglich sind eine vergrabene Schicht 56 und ein tiefer Diffusionsbereich 58 vorgesehen,
der die Kontaktverbindung zur vergrabenen Schicht 56 bewirkt. Der Kollektorkontakt
60 wird an der Oberfläche angebracht. Der in Fig. 8 dargestellte Aufbau wird insbesondere
für integrierte Schaltkreise verwendet.
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Patentansprüche