DE2444881C3 - Legierungsverfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes - Google Patents
Legierungsverfahren zum Herstellen eines HalbleiterbauelementesInfo
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 13
- 238000005275 alloying Methods 0.000 title claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 230000035515 penetration Effects 0.000 claims description 17
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 12
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical compound [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910021344 molybdenum silicide Inorganic materials 0.000 claims description 11
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 9
- CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N alumanylidynesilicon Chemical compound [Al].[Si] CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 7
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 claims description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 238000010587 phase diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/24—Alloying of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, with a semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D18/00—Thyristors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Thyristors (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE2444881A DE2444881C3 (de) | 1974-09-19 | 1974-09-19 | Legierungsverfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes |
| JP11356675A JPS5421707B2 (enExample) | 1974-09-19 | 1975-09-19 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE2444881A DE2444881C3 (de) | 1974-09-19 | 1974-09-19 | Legierungsverfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2444881A1 DE2444881A1 (de) | 1976-04-29 |
| DE2444881B2 DE2444881B2 (de) | 1979-06-13 |
| DE2444881C3 true DE2444881C3 (de) | 1980-02-21 |
Family
ID=5926255
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE2444881A Expired DE2444881C3 (de) | 1974-09-19 | 1974-09-19 | Legierungsverfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5421707B2 (enExample) |
| DE (1) | DE2444881C3 (enExample) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57108352U (enExample) * | 1980-12-25 | 1982-07-03 | ||
| DE102009053818A1 (de) | 2009-11-18 | 2011-05-19 | Evonik Degussa Gmbh | Dotierung von Siliciumschichten aus flüssigen Silanen für Elektronik- und Solar-Anwendungen |
-
1974
- 1974-09-19 DE DE2444881A patent/DE2444881C3/de not_active Expired
-
1975
- 1975-09-19 JP JP11356675A patent/JPS5421707B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE2444881A1 (de) | 1976-04-29 |
| JPS5157163A (enExample) | 1976-05-19 |
| JPS5421707B2 (enExample) | 1979-08-01 |
| DE2444881B2 (de) | 1979-06-13 |
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| Date | Code | Title | Description |
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| C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |