DE2437431A1 - Halbleiteraufbau zur verbesserung der druchbruchspannung an einem pn-uebergang - Google Patents

Halbleiteraufbau zur verbesserung der druchbruchspannung an einem pn-uebergang

Info

Publication number
DE2437431A1
DE2437431A1 DE2437431A DE2437431A DE2437431A1 DE 2437431 A1 DE2437431 A1 DE 2437431A1 DE 2437431 A DE2437431 A DE 2437431A DE 2437431 A DE2437431 A DE 2437431A DE 2437431 A1 DE2437431 A1 DE 2437431A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
substrate
junction
incisions
breakdown voltage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE2437431A
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Ezra David Metz
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Motorola Solutions Inc
Original Assignee
Motorola Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Motorola Inc filed Critical Motorola Inc
Publication of DE2437431A1 publication Critical patent/DE2437431A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H10P95/00—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H10W10/041—
    • H10W10/40—

Landscapes

  • Element Separation (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
DE2437431A 1973-08-03 1974-08-02 Halbleiteraufbau zur verbesserung der druchbruchspannung an einem pn-uebergang Pending DE2437431A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US38561973A 1973-08-03 1973-08-03

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE2437431A1 true DE2437431A1 (de) 1975-02-20

Family

ID=23522177

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2437431A Pending DE2437431A1 (de) 1973-08-03 1974-08-02 Halbleiteraufbau zur verbesserung der druchbruchspannung an einem pn-uebergang

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JPS5046085A (cg-RX-API-DMAC10.html)
DE (1) DE2437431A1 (cg-RX-API-DMAC10.html)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0008903A1 (en) * 1978-08-25 1980-03-19 Fujitsu Limited Semiconductor integrated circuit device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0008903A1 (en) * 1978-08-25 1980-03-19 Fujitsu Limited Semiconductor integrated circuit device

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5046085A (cg-RX-API-DMAC10.html) 1975-04-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3586268T2 (de) Eingangs-schutzanordnung fuer vlsi-schaltungsanordnungen.
DE69315239T2 (de) VDMOS-Transistor mit verbesserter Durchbruchsspannungscharakteristik
DE60033271T2 (de) Laterales dünnfilm-silizium-auf-isolator-(soi)-pmos-bauelement mit drain-ausdehnungszone
DE1944793C3 (de) Verfahren zur Herstellung einer integrierten Halbleiteranordnung
DE1789206C3 (de) Feldeffekt-Transistor
DE2502235A1 (de) Ladungskopplungs-halbleiteranordnung
DE102005018378B4 (de) Halbleitervorrichtung der Bauart mit dielektrischer Isolierung
DE19919955A1 (de) Halbleitervorrichtung mit hoher Spannungsfestigkeit
DE2904769A1 (de) Verfahren zum herstellen eines v-nut-mos-feldeffekttransistors und transistor dieses typs
DE10229146A1 (de) Laterales Superjunction-Halbleiterbauteil
DE2546314A1 (de) Feldeffekt-transistorstruktur und verfahren zur herstellung
DE1764274B2 (de) Monolithisch integrierte Halbleiterstruktur zur Zuleitung von Versorgungsspannungen für nachträglich zu integrierende Halbleiterbauelemente und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE1964979C3 (de) Halbleiterbauelement mit wenigstens einem lateralen Transistor und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2607203B2 (de) Feldeffekttransistor vom Anreicherungstyp
DE2453279C3 (de) Halbleiteranordnung
DE1589687A1 (de) Festkoerperschaltung mit isolierten Feldeffekt-Transistoren und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE3109074A1 (de) Halbleitervorrichtung und verfahren zu ihrer herstellung
DE102020115655B4 (de) Halbleiterbauteil und Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauteils
DE2406807A1 (de) Integrierte halbleiterschaltung
DE2953394C2 (cg-RX-API-DMAC10.html)
DE69518047T2 (de) Programmierbares Element in Anordnungen mit metallischen Barriere-Schichten und Verfahren
DE2044863A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Schottkydioden
DE69232679T2 (de) Halbleiterbauelement für hohe Durchbruchsspannungen
DE69416624T2 (de) Monolitisches Bauelement mit einer Schutzdiode, die mit einer Vielzahl von seriell geschalteten Diodenpaaren parallelgeschaltet ist, und dessen Verwendungen
DE2437431A1 (de) Halbleiteraufbau zur verbesserung der druchbruchspannung an einem pn-uebergang