DE2437048A1 - Verfahren zur herstellung von halbleitertabletten mit definiertem randprofil - Google Patents

Verfahren zur herstellung von halbleitertabletten mit definiertem randprofil

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DE2437048A1
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Horst Schaefer
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Semikron GmbH and Co KG
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Semikron GmbH and Co KG
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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    • H01L21/30604—Chemical etching
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
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    • H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
    • H10D62/102—Constructional design considerations for preventing surface leakage or controlling electric field concentration
    • H10D62/103—Constructional design considerations for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse-biased devices
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1178526A3 (en) * 2000-07-31 2004-03-03 Mitsubishi Chemical Corporation Mixed acid solution in etching process, process for producing the same, etching process using the same and process for producing semiconductor device

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EP1178526A3 (en) * 2000-07-31 2004-03-03 Mitsubishi Chemical Corporation Mixed acid solution in etching process, process for producing the same, etching process using the same and process for producing semiconductor device

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CH593558A5 (instruction) 1977-12-15

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