DE2425467B1 - Festwertspeichermatrix - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft eine Festwertspeichermatrix, in der an den Kreuzungspunkten zwischen Zeilenleitern und den dazu orthogonalen Spaltenleitern eine Isolierschicht vorgesehen ist und bei der die Zeilenleiter im Bereich der Kreuzungspunkte über einen Fotowiderstand und eine mit dem Fotowiderstand in Reihe liegende, einen sperrenden Übergang erzeugende Halbleiter-Schicht mit den Spaltenleitern verbunden sind.

Eine derartige Matrix ist aus der DT-OS 23 49 233 bekannt. Bei dieser Matrixausführung besteht die Isolierschicht aus einer mit Füllstoffen angereicherten Epoxyverbindung, die vorzugsweise in Siebdrucktechnik aufgebracht und dann ausgehärtet wird. Eine solche Leiterisolation belastet die hitzeempfindlichen Bauelemente der Matrix weit weniger als die sonst gewöhnlich verwendeten Glasschichten oder Oberflächenoxydationstechniken, ist aber noch immer relativ aufwendig und zeitraubend.

Zur Schaffung einer einfach aufgebauten Matrix, bei deren Herstellung außerdem die Bauelemente besonders geschont werden, ist bei einer Festwertspeichermatrix der eingangs genannten Art erfindungsgemäß vorgesehen, daß der Fotowiderstand und die Halbleiter-Schicht selbst die Isolierschicht bilden und daß zumindest der von der Halbleiter-Schicht abgewandte Leiter (zweiter Leiter) aus einem strahlendurchlässigen Material besteht. Als Material für den ersten Leiter kommt dabei vor allem Ag in Frage. Eine solche Matrix kann kostengünstig und in einer für die Massenfertigung geeigneten Weise hergestellt werden, eine eigene Leiterisolation entfällt.

Bei einer erfindungsgemäßen Festwertspeichermatrix sind die Bauelemente in vergleichsweise weiten Grenzen an verschiedene Maskenformate (Lochkartennormen) anpaßbar; die Matrix kann somit überall dort Anwendung finden, wo über Licht eingegebene Information gespeichert oder umgesetzt werden soll, also ganz allgemein als Lesematrix bei der Programmsteuerung, beispielsweise im Rahmen industrieller Fertigungsprozesse, zur Programmierung von Telefonwahlautomaten oder auch in automatisierten Haushaltsgeräten wie Waschmaschinen.

Die Erfindung soll nun an Hand eines Ausführungsbeispiels in Verbindung mit den Figuren der Zeichnung näher erläutert werden. In den Figuren sind einander entsprechende Teile mit gleichen Bezugszeichen versehen. Es zeigt

F i g. 1 den Schaltplan einer herkömmlichen Festwertspeichermatrix,

Fig.2 das Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Matrix, in einem rein schematischen Seitenschnitt,

Fig.3 das Ausführungsbeispiel der Fig.2, im Schnitt IH-III.

F i g. 1 zeigt die Verschaltung der einzelnen Bauelemente einer Festwertspeichermatrix. Eine Schar von Spaltenleitern 1 wird von einer Schar von Zeilenleitern 2 in Kreuzungspunkten 3 geschnitten. In jedem dieser Kreuzungspunkte 3 schneidet sich ein Spaltenleiter, im folgenden auch als erster Leiter eines Leiterpaares bezeichnet, sowie ein Zeilenleiter, nachstehend zweiter Leiter des Leiterpaares genannt (die Zuordnung ist umkehrbar). Beide Leiter eines Leiterpaares sind im Bereich ihres Kreuzungspunktes 3 durch einen Schalterzweig 4, bestehend aus einem Fotowiderstand 6 und einem Gleichrichter (Diode 7), verbunden; die Diode 7 liegt dabei in der Stromflußrichtung vor dem Fotowiderstand 6. Im Kreuzungspunkt 3 sind beide Leiter durch eine Isolierschicht voneinander getrennt.

Die Diode ist deshalb in jeden Schalterzweig eingesetzt, weil sie in einem durchgeschalteten Leiterpaar nur eine Stromrichtung erlaubt und damit die Bildung von Umweg-Strompfaden, die gegebenenfalls bei Abtastung eines unbelichteten Speicherortes Falschsignale liefern könnten, verhindert. Somit besteht in der vorliegenden Lesematrix eine eindeutige Zuordnung zwischen den abgefragten Signalen und ihren entsprechenden Speicherorten.

Beim Ausführungsbeispiel der F i g. 2 und 3 ist einem aus Glas oder Keramik bestehenden Substratträger ein Muster von parallelen Streifen aus einem Leitglas als zweiten Leiter, beispielsweise SnO2 aufgedampft. Über das Streifenmuster aus Leitglas ist ein Streifenmuster aus CdS, CdSe, CdSxSei-*, PbS oder eine andere fotoempfindliche Schicht aufgebracht, die durch Thermodiffusion oder ein anderes Verfahren sensibilisiert ist Im rechten Winkel zu den Leitglasstreifen ist auf die fotoempfindliche Schicht (Fotowiderstand 6) ein Muster aus strahlungsdurchlässiger Halbleiter-Metall-Kombination aufgedampft, das einen sperrenden Kontakt auf der fotoempfindlichen Schicht ergibt. Wird ein Kreuzungspunkt der beiden Muster belichtet, so wird die dazwischenliegende fotoempfindliche Schicht nieder-

ohmig und verbindet die beiden Leiterbahnen. Der sperrende Kontakt ermöglicht dann wieder galvanische Trennung der Leiterbahnen und damit deren Entkopplung.

Eine zweite Ausführung könnte folgendermaßen s aufgebaut sein:

Eine Folie (Monokornfolie 7) enthält Fotowiderstände 6 aus sensibilisiertem fotoempfindlichen Material in Kristallitform. Der einen Folienseite ist ein strahlungsdurchlässiges Muster von parallelen Streifen (zweite Leiter) aus einem Metall oder einem Leitglas, beispielsweise SnO2, aufgedampft. Beide Materialien ergeben auf den Fotowiderständen, beispielsweise CdS, CdSe, CdSxSei -x oder PbS einen ohmschen Kontakt. Als Metalle kommen hierfür In, Ga oder Al beispielsweise in Frage. Der anderen Folienseite ist ein Muster von parallelen Streifen aus geeigneten Halbleiterschichten, beispielsweise Se und/oder Te aufgedampft und diesen Schichten ein Metall (erster Leiter) aufgedampft, das mit ihr einen sperrenden Übergang bildet, beispielsweise Ag. Die Fotoelemente 6 liegen als Monokristallite vor, sie haben etwa eine Größe von 60 μ.

Wird bei diesem Ausführungsbeispiel ein Kreuzungspunkt 3 der Metallstreifen auf Vorder- bzw. Rückseite der Monokornfolie 7 belichtet, so werden die dazwischenliegenden fotoleitenden Körner niederohmig und verbinden die Leiter. Durch andere Polung kann die Verbindung mit der Diode aufgehoben werden und so — wollte man die Lesematrix beispielsweise in einem Telefonwählautomaten einsetzen — stets ein Übersprechen verhindert werden.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (5)

Patentansprüche:

1. Festwertspeichermatrix, in der an den Kreuzungspunkten zwischen Zeilenleitern und den dazu orthogonalen Spaltenleitern eine isolierschicht vorgesehen ist und bei der die Zeilenleiter im Bereich der Kreuzungspunkte über einen Fotowiderstand und eine mit dem Fotowiderstand in Reihe liegende, einen sperrenden Übergang erzeugende Halbleiter-Schicht mit den Spaltenleitern verbunden sind, dadurch gekennzeichnet, daß der Fotowiderstand (6) und die Halbleiter-Schicht (9) selbst die Isolierschicht bilden und daß zumindest der von der Halbleiter-Schicht (9) abgewandte Leiter (zweite Leiter 2) aus einem strahlendurchlässigen Material besteht.

2. Festwertspeichermatrix nach Anspruch 1, bei welcher der zweite Leiter aus einem Metall besteht und der Fotowiderstand eine Halbleiterverbindung ist, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Leiter (2) aus In oder Ga und der Fotowiderstand (6) aus CdSxSei-xbestehen.

3. Festwertspeichermatrix nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Leiter (2) aus Leitglas besteht.

4. Festwertspeichermatrix nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Fotowiderstand (6) als Monokristallit in eine Folie (Monokornfolie 7) eingebracht ist und daß der zweite Leiter (2) als strahlungsdurchlässiger Streifen der einen und die Halbleiter-Schicht (9) mit dem der Halbleiter-Schicht zugewandten Leiter (erster Leiter 1) der anderen der beiden Monokornfolienseiten aufgedampft sind.

5. Festwertspeichermatrix nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Leiter (1) aus Ag besteht.