DE2424468B2 - Thermoschalteinrichtung - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft eine Thermoschalteinrichtung der in den Oberbegriffen der Ansprüche I, 6 und 8 angegebenen Gattung.

Aus der CA-PS 9 38 735 ist ein Thermoschaltelement bekannt, das als »Mehrfachleiter« bezeichnet werden könnte. Dabei handelt es sich um ein Thermoschaltelement, das seinen Zustand umkehrbar von einem Isolator in ein Metall umwandeln kann, wobei die Umwandlung

jeweils bei einer vorgegebenen Temperatur auftritt Ein solches Thermoschaltelement kann seinen Widerstand von etwa 100 KOhm auf etwa 100 Ohm ändern. Unter Ausnutzung dieser Widerstandsänderungen können Schalteinrichtungen gebaut werden, die als Thermofühler und Relais dienea

Ein solcher Thermofühler wird in Abhängigkeit von der Umgebungstemperatur geschaltet und weist gegebenenfalls eine Heizeinrichtung auf, um diesen Mehrfachleiter auf eine Temperatur im Bereich seiner ι ο Obergangstemperatur aufzuheizen.

Bei der Verwendung als Thermorelais wird ein Heizelement verwendet, das thermisch mit dem Mehrfachleiter gekoppelt ist, um diesen einzuschalten.

Eine solche Thermoschalteinrichtung hat jedoch den Nachteil, daß sie äußerst empfindlich auf Temperaturschwankungen anspricht Diese Schwankungen lassen sich in dsr Praxis nie ganz vermeiden und sind insbesondere auf Änderungen der Umgebungstemperatur, der Größe der Speisespannung für die Heizeinrichlung, der Spannung des Thermoschaltebmentes und der Schaltfrequenzen dieser Spannungen sowie auf Pakkung und mechanischen Aufbau einer solchen Thermoschalteinrichtung zurückzuführen.

Der Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde, eine Temperaturschalteinrichtung der angegebenen Gattung zu schaffen, die auf rasche und doch zuverlässige Weise unabhängig von Temperaturschwankungen geschaltet werden kann.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die in J< > den kennzeichnenden Teilen der nebengeordneten Ansprüche angegebenen Merkmale gelöst

Die mit der Erfindung erzielten Vorteile beruhen insbesondere darauf, daß das erste Thermoschaltelement rasch über seine Übergangstemperatur hinaus )"> erwärmt und einige Grad über dieser Temperatur gehalten wird, wodurch sich die Einschalt- und Ausschaltzeit einer solchen Thermoschalteinrichtung verkürzen lassen. Weiterhin beeinflussen Temperaturschwankungen die Funktionsweise der Thermoschalt- -m einrichtung nur noch äußerst wenig, so daß auch bei starken Änderungen der Umgebungs- oder Betriebstemperatur sowie Schwankungen der Versorgungsspannungen keine Schwierigkeiten auftreten. Dazu trägt auch wesentlich bei, daß sich auf konstruktiv einfache Weise zur Kompensation von Änderungen der Betriebsbedingungen die an die Heizeinrichtung angelegte Energie rasch variieren läßt, um die gewünschte Temperaturstabilität zu erreichen.

Zweckmäßige Ausführungsformen solcher Thermo- 5m schalteinrkhtungen sind in den Unteransprüchen zusammengestellt.

Die Erfindung wird im folgenden anhand von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die schematischen Zeichnungen näher erläutert. Es zeigt

Fig. 1 und 2 Thermoschalteinrichtungen nach der Erfindung mit einem Transistorverstärker mit geschlossener, thermoelektrischer Schleife,

Fig. 3 und 6 Thermoschalteinrichtungen mit einem Element mit positivem Temperaturkoeffizienten, um die w der Heizeinrichtung zuzuführende Leistung mittels eines Thermosystems mit geschlossener Schleife einzustellen,

Fig.4 und 7 ein Diagramm des Aufbaus des Elementes mit positivem Temperaturkoeffizienten nach den F i g. 3 und 6, un«J zwar in Verbindung mit der Thermoschalteinrichlung, und

F i g. 5 und 8 eine graphische Darstellung, bei welcher der Widerstand über der Temperatur aufgetragen ist. Diese graphische Darstellung bezieht sich auf die Thermoschalteinrichtungen nach den F i g. 4 bzw. 6.

In der F i g. 1 ist eine erste Ausführungsform einer transistorisierten Relaiseinrichtung dargestellt, die ein Schaltelement AiI und eine Heizeinrichtung WI zur Beheizung des Schaltelementes AfI aufweist Eine solche Thermorelaiseinrichtung kann von demjenigen Typ sein, wie er in der obigen kanadischen Patentschrift beschrieben ist und kann ein Thermoschaltelement M i mit einem negativen Temperaturkoeffizienten aufweisen (ein normalerweise geöffnetes Thermorelais), hergestellt aus einem dünnen Film oder einer dünnen Folie aus Vanadiumdioxid, das auf ein geeignetes Substrat aufgebracht ist Es können auch andere Arten von Thermorelais verwendet werden, und die Erfindung ist auch anwendbar auf Thermoschaltelemente mit positivem Temperaturkoeffizienten (normalerweise geschlossene Thermorelais). Die Heizeinrichtung Hi ist mit einer zweiten Heizeinrichtung H 2 in Reihe geschaltet, der ein zweites Schaltelement Af 2 zugeordnet ist, das in der vorliegenden Ausführun^sform einen negativen Temperaturk.oeffizienten aufweist. Die Heizeinrichtungen Wl und W 2 sind in Reihe mit der Kollektor-Emitter-Strecke eines Transistors Ti parallel zu einer geeigneten Gleichstromquelle geschaltet, während das zweite Thermoschaltelement Af 2 parallel zu den Basis-Emitter-Elektroden des Transistors Ti liegt

Ein Widerstand R 1 ist in Reihe mit dem Thermoschaltelement Af 2 parallel zu der Gleichstromquelle geschaltet, und der Verbindungspunkt zwischen dem Widerstand R I und dem Thermoschaltelement Af 2 ist mit der Basis des Transistors 7*1 verbunden. Der Widerstandswert des Widerstandes R1 ist derart gewählt, daß dann, wenn der Schalter SWi geschlossen ist, der Transistor 7*1 derart durchlässig ist, daß ein ausreichend starker Strom durch die Heizeinrichtung Hi fließt, um das Thermoschaltelement AfI rascti auf eine Temperatur oberhalb seiner Obergangstemperatur aufzuheizen, so daß das Schaltelement Af 1 deshalb in seinen Zustand mit geringer Impedanz umschaltet. Die Heizeinrichtung H 2 wird ebenfalls mit Energie versorgt, da sie mit der Heizeinrichtung H1 in Reihe liegt, und somit wird auch das Schaltelement M 2 in seinen Zustand mit geringer Impedanz umgeschaltet. Dadurch wird die an die Basis des Transistors Ti gelegte Vorspannung vermindert und folglich auch der durch die Heizeinrichtungen Wl und W2 fließende Strom. Der Wert des Widerstandes R 1 muß deshalb auch derart gewähll sein, daß der Wert geringer Impedanz des Schaltelementes Af 2 noch einen ausreichenden Strom durch den Transistor TX fließen läßt, um das Schaltelement AfI einige Grad über seiner Übergangstemperatur zu halten. Das Schaltelement AfI wird somit schnell eingeschaltet und dafin einige Grad über seiner Übergangstemperatur gehalten. Dadurch werden sowohl die Einschalt- als auch die Ausschaltzeit des Relais stark vermindert.

Das Schaltelement Af 2 ist thermisch eng mit dem Schaltelement MX gekoppelt und liefert eine Temperaturkompensation für das Relais. Wenn nämlich die Umgebungstemperatur oder die Betriebstemperatur des Thermoschaltelementes AfI absinkt, fällt auch die Temperatur des Thernoschaltelementes Af 2 ab, da die Thermoschaltelemente AfI und Af 2 thermisch eng gekoppelt sind. Das Thermoschaltelement Af 2 erhöht somit seine Impedanz, wodurch auch die Treiberspan-

nung des Transistors Tt erhöht wird. Dadurch wird die Leistung erhöht, welche den Heizeinrichtungen zugeführt wird, wodurch auch die Temperatur der Thermoschaltelemente AfI und Af 2 erhöht wird, und zwar derart, daß ihre Impedanz jeweils auf den eingestellten Wert absinkt. Der umgekehrte Vorgang tritt auf, wenn die Umgebungs- oder die Betriebstemperatur ansteigt, f.jne ähnliche Kompensationswirkung ergibt sich dann, wenn sich die Versorgungsspannung ändert.

Das Heizelement H 1 ist in Reihe geschaltet mit dem Heizelement H 2. so daß derselbe Strom durch die zwei Heizeinrichtungen fließt. Ein Vorspannungswiderstand R 2 ist parallel geschaltet zu der Heizeinrichtung /72. um den durch die Heizeinrichtung /72 fließenden Strom etwas zu vermindern derart, daß das Thermoschaltelement M 1 stets auf einer geringeren Impedanz gehalten ist als das Thermoschaltelement M2. Dadurch ist gewährleistet, daß das Thermoschaltelement M\ stets den Pegel geringster Imnedan7 im pingpsrhalipipn Zustand erreicht und daß etwas mehr Leistung dem Thermoschaltelement M1 zugeführt wird als dem Thermoschaltelement M2. so daß dieses vollständig eingeschaltet wird, bevor die Leistung abnimmt. Weiterhin wird das Thermoschaltelement M2 im wesentlichen auf der Übergangstemperatur im eingeschalteten Zustand des Relais gehalten, so daß eine bessere Temperaturkompensation gewährleistet ist.

Dieselbe Wirkung läßt sich erreichen, wenn unterschiedliche Widerstandswerte für die Heizeinrichtungen Hi und H2 verwendet werden, um das oben durch Hinzunahme des Widerstandes R 2 erreichte Verhältnis einzustellen. Diese Heizeinrichtungen können parallel geschaltet werden, anstatt in Reihe zu liegen, wenn die Einstellung entsprechend gewählt wird. Eine weitere Alternative, die sich als zweckmäßiger erweisen kann, besteht darin, eine einzige Heizeinrichtung für die zwei Thermoschaltelemente M t und M2 zu verwenden. Die Heizeinrichtung muß derart angeordnet sein, daß dem Thermoschaltelement Λ/ 1 mehr Wärme zugeführt wird als dem Thermoschaltelement M2. und zwar aus den oben dargelegten Gründen.

Beliebige Transistortypen oder Verstärker mit integrierter Schaltung können verwendet werden, um die der Heizeinrichtung des Thermoschaltelementes Λ/ I zugeführte Leistung zu liefern und einzustellen. Der Transistor Ti kann beispielsweise durch eine Darlingtonschaltung oder eine andere geeignete Schaltung ersetzt werden, mit welcher dieselbe Wirkung ausgelöst werden kann.

Obwohl die Erfindung oben anhand eines Thermoschaltelementes M 1 mit einem negativen Temperaturkoeffizienten beschrieben wurde, sei darauf hingewiesen, daß auch Thermoschaltelemente M\ mit einem positiven Temperaturkoeffizienten verwendet werden können, wenn ein normalerweise geschlossenes Relais verwendet wird Weiterhin kann das Thermoschaltelement M2 auch einen positiven Temperaturkoeffizienten unter der Voraussetzung haben, daß das Thermoschaltelement A/2 und der Widerstand R i in dem Transistorvorspannungskreis ausgetauscht werden.

Um die Einschaltzeit des Thermoschaltelementes M1 weiter zu verkürzen, kann die Schaltung gemäß F i g. 1 in der in der F i g. 2 dargestellten Weise modifiziert werden. Diese Anordnung ist der Anordnung gemäß F i g. 1 ähnlich, mit der Ausnahme, daß ein Transistor Tl entgegengesetzter Leitfähigkeit verwendet ist, und daß die Polarität der Quelle umgekehrt ist. Die Heizeinrichtungen Hi und H 2 sind noch in Reihe mit den Emitter-Kollektor-Elektroden des Transistors geschaltet, und der Widerstand /7 2 liegt parallel zu der Heizeinrichtung H 2, um die dieser Einrichtung zugeführte Leistung zu vermindern. Ein Widerstand R 3 liegt

■> in Reihe mit dem Thermoschaltelement M2 parallel zu der Energiequelle. Der Wert eines solchen Widerstandes R 3 ist derart gewählt, daß ein gerade ausreichender Strom durch den Transistor T2 fließt, um das Thermoschaltelement AfI einige Grade unterhalb

ίο seiner Übergangstemperatur zu halten. Ein Widerstand ff 4 ist derart gewählt, daß er parallel zu dem Widerstand R 3 liegt, um den Transistorschalter T2 in den stark leitenden Zustand zu bringen. Der Widerstand /?4 shuntet den Widerstand R 3 und übt dieselbe • Funktion aus wie der Widerstand Ri in der Ausführungsform gemäß Fig. I. Die Schaltung der F i g. 2 liefert somit eine Vorheiziing des Schaltelementes A/ I und vermindert die Einschalt/.eit des Relais.
Es kann auch eine aliernaiive Konfiguration cr-

?" wünscht sein, welche Thermoschaltelemente M i und Af 2 mit verschiedener Geometrie und deshalb mit verschiedenen Impedanzpegeln verwendet. Oft ist es erforderlich, daß die Ausgangsthermoschalteinrichtung M 1 eine sehr geringe Impedanz erreicht (weniger als

?"' 100 Ohm), wenn das Relais erregt wird. Es ist zweckmäßig, daß die Thermoschalteinrichtung M2 in einem Bereich höherer Impedanz arbeitet (etwa 2000 Oh M), so daß der Widerstand R 3 ausreichend groß ist, um den Strom im Basiskreis zu begrenzen und auf

i" diese Weise die erforderliche Leistung für die Einrichtung zu vermindern.

Bei allen diesen Konfigurationen ist es wesentlich, daß das Thermoschaltelement M i derart angeordnet ist. daß die elektrische Isolation zwischen diesem

i"> Element und allen Komponenten des Eingangskreises derart vollständig ist, daß eine hohe Spannung (typischerweise höher als 1500 Volt Wechselspannung) zwischen die zwei Eingangs- und die zwei Ausgangskreise gelegt werden kann, ohne daß ein Spannungs-

■i'i durchschlag oder ein Leckstrom auftritt. Dies kann durch große Abstände in der Luft oder durch die Verwendung eines geeigneten Isolationsmaterials mit einer hohen Durchschlagfestigkeit erreicht werden.

Eine zweite Ausführungsform der Erfindung ist in den

ί Fig. 3 und 4 der Zeichnung erläutert, wobei eine Ralaiseinrichtung mit einem Schaltelement A/3 und eine Heizeinrichtung H3 durch eine Wechseispannungs- oder eine Gleichspannungsquelle in den eingeschalteten Zustand versetzt werden, wobei die

V) Energie über eine Heizeinrichtung PTCi mit einem positiven Temperaturkoeffizienten zugeführt wird, die eine Übergangstemperatur Tm ι aufweist, die höher liegt als die Übergangstemperatur TM 3 des Schaltelementes M3. Beim Schließen des Schalters SWA wird ein starker Strom der Heizeinrichtung H3 und der Einrichtung PTC i zugeführt um das Volumen auf dem thermisch isolierenden Substrat aufzuheizen, so daß das Schaltelement A/3 seine Ubergangstemperatur rasch überschreitet Dies geschieht, weil die Übergangstemperatur TM 3 der Thermoschalteinrichtung A/3 etwas unterhalb der Übergangstemperatur Tprc ι der Heizeinrichtung PTC1 liegt, wie es in der F i g. 5 dargestellt ist. Wenn jedoch die Impedanz der Einrichtung FTCi ansteigt, wird der Strom durch die Heizeinrichtung H3 und die Einrichtung FTCl auf einen derartigen Wert vermindert, daß das Schaltelement Af 3 gerade oberhalb seiner Übergangstemperatur am Punkt Tptc\ liegt. Dadurch werden die Einschalt- und die Ausschaltzeitpn

des Relais vermindert. Eine Temperaturkompensation wird erreicht, indem die Heizeinrichtung PTC1 und die Thermoschalteinrichtung thermisch eng miteinander gekoppelt werden. Dies kann dadurch erfolgen, daß die zwei Einrichtungen auf ein thermisch gut leitendes Substrat aufgebracht werden, daß seinerseits auf einem thermisch isolierenden Substrat angebracht ist, wie es schematisch in der Fig. 4 dargestellt ist. PTC-Ei η richtungen weisen die Eigenschaft auf, eine konstante Temperatur beizubehalten, wenn ihnen Energie zugeführt wird. Somit ist verständlich, daß die Umgebungsoder die Betriebsbedingungen bei einem Schaltelement M3 bei etwa Trn ι konstant gehalten werden, weil die Impedanz von PTC \ sich derart ändert, daß der Strom durch die Heizeinrichtung PTC\ und die Heizeinrichtung //3 derart eingestellt wird, daß die Temperatur Trn \ beibehalten wird. Dadurch wird die zugeführte Leistung vermindert, wenn ein Ansteigen der Umgebungs- oder der Betriebstemperatur auftritt. Der üiTigckchriC Vorgang Spielt SiCn ab, WCiIiI die LJlIIgC-bungs- oder die Betriebstemperatur abnimmt.

Die Schaltungsanordnung gemäß F i g. 6 und 7 ist der Anordnung gemäß Fig. 3 und 4 ähnlich, mit der Ausnahme, daß eine zusätzliche Heizeinrichtung PTC?. zur Vorheizung des Schaltelementes Λ-/3 vorhanden ist. Wenn somit der Schalter SW5 alleine geschlossen ist. wird das Schaltelement M3 auf eine Temperatur vorgeheizt, die um einige Grad unterhalb der Übergangstemperatur liegt (Übergangstemperatur Trn-2 der Einrichtung PTC2, gemäß F i g. 8). Wenn jedoch der Schalter SVV6 ebenfalls geschlossen ist. wird das Schalte¹.ment M3 über seine Übergangstemperatur aufgeheizt, um das Relais gemäß den obigen Erläuterungen umzuschalten. Die Einrichtung PTC2 muß ebenfalls thermisch eng mit dem Schaltelement M3 gekoppelt sein, wie es in der F i g. 7 dargestellt ist.

In den Ausführungsformen gemäß F i g. 3, 4, 6 und 7 sollten die Einrichtungen PTCso klein wie möglich sein.

um kurze Ansprechzeiten zu erreichen. Weiterhin sollte ihre Masse größer sein als diejenige der Relaiseinrichtung, so daß sie ihre Temperatur und somit ihre Impedanz langsamer ändern als die Relaiseinrichtung.

Die Auswahl der PTC-Einrichtungen ist in bezug auf die Arbeitsweise der Relaiseinrichtung kritisch und hängt von Veränderlichen ab wie von der Größe der Relaiseinrichtung, dem Material und der Konfiguration des Gehäuses bzw. der Kapselung, von der Größe der PTC-Einrichtungen und der Übergangstemperatur des thermischen Schaltelementes. Die PTC-Einrichtungen können klein sein, so daß sie sich schnell abkühlen, wenn die Leistung abgeschaltet wird, und die Packung muß derart gewühlt sein, daß das thermische Schaltelement

!5 rasch abgekühlt wird. Die Packung m ui.) MMgiäilig aufgebaut sein, und alle Bauteile müssen entsprechend klein ausgebildet sein, so daß beim Abschalten der Leistung das Thermoschaltelement rasch abkühlt, während gleichzeitig die Ausbildung der Packung ein 1 ,iiuics Aiiiiici/L-ii mnügiichi, ohne daß ein übermaßiger Energiebedarf besteht.

Es sei weiterhin darauf hingewiesen, daß in bestimmten Fällen auch die /'7'C-Einrichtungen allein verwendet werden können, um das Thermoschalterment A/3 aufzuheizen, und daß die Heizeinrichtung // 3 dann entfallen kann. Eine wesentliche Funktion der Heizeinrichtung H3 besteht darin, den Strom durch die PTC-Einrichtungen zu begrenzen, wenn die Energie zunächst eingeschaltet wird, und auf diese Weise die Größe der /TC-Einrichtungen zu vermindern. Wenn dies nicht notwendig ist, so kann die Heizeinrichtung H3 entfallen.

Weiterhin sei darauf hingewiesen, daß das Thermoschaltelement M3 einen positiven oder einen negativen Temperaturkoeffizienten aufweisen kann, was von der Art des erforderlichen Schalters abhängt (normalerweise geschlossen oder normalerwweise geöffnet bzw. Arbeitskontakt oder Ruhekontakt).

Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims (8)

Patentansprüche:

1. Thermoschalteinrichtung mit einem bei einer vorgegebenen Obergangstemperatur plötzlich von einem ersten Impedanzwert auf einen zweiten Impedanzwert übergehenden Thermoschaltelement und mit einer mit einer Energiequelle verbindbaren Heizeinrichtung für das Thermoschaltelement, g e kennzeichnet durch eine die Heizeinrichtung (H I) mit der Energiequelle verbindende Schaltungsanordnung mit einem Transistorverstärker (Ti), der in Reihe zu der Heizeinrichtung (H i) parallel zu der Energiequelle liegt, und mit einer ebenfalls parallel zur Energiequelle liegenden Vorspannschaltung für die Vorspannung des Transistorverstärkers (Ti) mit einem Widerstand (R 1, R 4) und einem dazu in Reihe liegenden, weiteren Thermoschaltelement (M 2), das mit dem ersten Thermoschaltelement (Mi) ihermisch gekoppelt ist, wobei der Verbindungspunkt zwischen dem Widerstand (R 1, R 4) und dem weiteren Thermoschaltelement (M 2) an die Basis des Transistorverstärkers {Ti) angeschlossen ist, und durch eine solche Bemessung der Bauelemente, daß der Transistorverstärker (Ti) aufgrund der Anfangsimpedanz der Vorspannschaltung (R 1, R 4) einen durch die Heizeinrichtung (H 1) fließenden und das erste Thermoschaltelement (M I) rasch über seine Obergangstemperatur erwärmenden Strom erzeugt, während bei der Erwärmung des anderen Thermoschaltelementes (Ml) durch die Heizeinrichtung (Hi) die Impedanz des zweiten Schaltelemente» (M 2) auf einen Wert verringert wird, bei dem der dann durch dt-. Transistorverstärker (Ti) und die Heizeinrichtung (Hi) fließende Strom das erste Thermoschaltelen ;nt (M 1) gerade über seiner Übergangstemperatur hält, und daß das zweite Thermoschaltelement (MT) auf Änderungen der Betriebsbedingungen anspricht und durch Änderung der Vorspannung des Transistorverstärkers (Ti) die an die Heizeinrichtung (H 1) angelegte Energie zur Kompensation dieser Änderungen steuert.

2. Thermoschalteinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß dem ersten Thermoschaltelement (M i) mehr Energie zugeführt wird als dem zweiten Thermoschaltelement (M 2).

3. Thermoschalteinrichtung nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Heizeinrichtung (Hi) nur das erste Thermoschaltelement (Mi) erwärmt, und daß eine zweite Heizeinrichtung (Hl) für die Erwärmung des zweiten Thermoschaltelementes (Ml) vorgesehen ist.

4. Thermoschalteinrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die erste und zweite Heizeinrichtung (Hi, Hl) in Reihe geschaltet sind, und daß zur Verringerung der dieser Heizeinrichtung zugeführten Energie ein Widerstand (R 2) parallel zu der zweiten Heizeinrichtung (H2) geschaltet ist.

5. Thermoschalteinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, gekennzeichnet durch ein zusätzliches Bauelement (R3) für die Vorspannung des Transistorverstärkers (Ti, Tl), wobei das erste Thermoschaltelement (Mi) im eingeschalteten Zustand wenige Grad unter seiner Übertemperatur gehalten wird.

6. Thermoschalteinrichtung mit einem bei einer

vorgegebenen Obergangstemperatur plötzlich von einem ersten Impedanzwert auf einen zweiten Impedanzwert übergehenden Thermoschaltelement und mit einer mit einer Energiequelle verbindbaren Heizeinrichtung für das Thermoschaltelement, gekennzeichnet durch eine die Heizeinrichtung (H3) mit der Energiequelle verbindende Schaltungsanordnung mit einem in Reihe zu der Heizeinrichtung (H3) liegenden und thermisch mit dem TTermoschaltelement (M3) gekoppeltes Element mit positivem Temperaturkoeffizienten (PTVi), das eine Obergangstemperatur hat, die höher als die Obergangstemperatur des Thermoschaltelementes (M3) ist, und durch eine solche Bemessung der Bauelemente, daß zu Beginn der Heizeinrichtung (H3) eine große Energiemenge zugeführt wird, die sich anschließend aufgrund des positiven Temperaturkoeffizienten verringert, und daß das Element mit posiiivem Temperaturkoeffizienten (FTCi) auf Änderungen der Betriebsbedingungen anspricht und durch Kompensation solcher Änderungen die der Heizeinrichtung (H3) zugeführte Energie steuert

7. Thermoschalteinrichtung nach Anspruch 6, gekennzeichnet durch ein zweites, in Reihe zu der Heizeinrichtung (H3) liegendes und thermisch mit dem Thermoschaltelement (M3) gekoppeltes Element mit posi'jven Temperaturkoeffizienten (PTCl), das eine Übergangstemperatur hat, die geringer als die Übergangstemperatur des Thermoschaltelementes (M 3) ist, wobei der Heizeinrichtung (H3) durch das zweite Element mit positivem Temperaturkoeffizienten (PTCl) eine Energiemenge zugeführt wird, die im ausgeschalteten Zustand das Thermoschaltelement (M3) weniger Grad unterhalb seiner Übergangstemperatur hält.

8. Thermoschalteinrichtung mit einem bei einer vorgegebenen Übergangstemperatur plötzlich von einem ersten Impedanzwert auf einen zweiten Impedanzwert übergehenden Tnermoschaltelement und mit einer mit einer Energiequelle verbindbaren Heizeinrichtung für das Thermoschaltelement, dadurch gekennzeichnet, daß die Heizeinrichtung aus einem thermisch mit dem Thermoschaltelement (M3) gekoppelten Element mit positivem Temperaturkoeffizienten (PTCX) besteht, dessen Übergangstemperatur höher als die Übergangstemperatur des Thermoschaltelementes (M 3) ist, wobei dem Thermoschaltelement (M3) zu Beginn eir.e große Wärmemenge zugeführt wird, die sich aufgrund des positiven Temperaturkoeffizienten anschließend verringert, und daß das Element (PTCX) mit positivem Temperaturkoeffizienten auf Änderungen der Betriebsbedingungen anspricht und zur Kompensation dieser Änderungen die dem Thermoschaltelement (M3) zugeführte Wärmemenge steuert.