DE2424468C3 - Thermosclialteinrichtung - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft eine Tnermosghaltein.richtung der in den Oberbegriffen der Ansprüche I₁ 6 und 8 angegebenen Gattung.

Aus der CA-PS 9 38 735 ist ein Thermoschallelement bekannt, das als »Mehrfachleiter« bezeichnet werden könnte* Dabei handelt es sich Um ein Thermoschaltelemenl, das seinen Zustand umkehrbar von einem Isolator in ein Metall umwandeln kann, wobei die Umwandlung

jeweils bei einer vorgegebenen Temperatur auftritt Ein solches Tnermoschaltelement kann seinen Widerstand von etwa 100 KOhm auf etwa 100 0hm ändern. Unter Ausnutzung dieser Widerstandsänderungen können Schalteinrichtungen gebaut werden, die als Thermofühler und Relais dienen.

Ein solcher Thermofühler wird in Abhängigkeit von der Umgebungstemperatur geschaltet und weist gegebenenfalls eine Heizeinrichtung auf, um diesen Mehrfachleiter auf eine Temperatur im Bereich seiner w Übergangstemperatur aufzuheizen.

Bei der Verwendung als Thermorelais wird ein Heizelement verwendet, das thermisch mit dem Mehrfachleiter gekoppelt ist, um diesen einzuschalten.

Eine solche Thermoschalteinrichtung hat jedoch den ι *> Nachteil, daß sie äußerst empfindlich auf Temperaturschwankungen anspricht Diese Schwankungen lassen sich in der Praxis nie ganz vermeiden und sind insbesondere auf Änderungen der Umgebungstemperatur, der Größe der Speisespannung für die Heizeinrich- 2« tung, der Spannung des Thermoschalteiementes und der Schaltfrequenzen dieser Spannungen sowie auf Pakkung und mechanischen Aufbau einer solchen fhermoschalteinrichtung zurückzuführen.

Der Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde, -'"> eine Temperaturschalteinrichtung der angegebenen Gattung zu schaffen, die auf rasche und doch zuverlässige Weise unabhängig von Temperaturschwankungen geschaltet werden kann.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die in J'> den kennzeichnenden Teilen der nebengeordneten Ansprüche angegebenen Merkmale gelöst.

Die mit der Erfindung erzielten Vorteile beruhen insbesondere darauf, daß das erste Thermoschaltelement rasch über seine Übergangstemperatur hinaus i> erwärmt und einige Grad über dieser Temperatur gehalten wird, wodurch sich die Einschalt- und Ausschaltzeit einer solchen Thermoschalteinrichtung verkürzen lassen. Weiterhin beeinflussen Temperaturschwankungen die Funktionsweise der Thermoschalteinrichtung nur noch äußerst wenig, so daß auch bei starken Änderungen der Umgebungs- oder Betriebstemperatur sowie Schwankungen der Veisorgungsspannungen keine Schwierigkeiten auftreten. Dazu trägt auch wesentlich bei, daß sich auf konstruktiv <"· einfache Weise zur Kompensation von Änderungen der Betriebsbedingungen die an die Heizeinrichtung angelegte Energie rasch variieren läßt, um die gewünschte Temperaturstabilität zu erreichen.

Zweckmäßige Ausführungsformen solcher Thermo- ^r>» Schalteinrichtungen sind in den Unteransprüchen zusammengestellt

Die Erfindung wird im folgenden anhand von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die schematischen Zeichnung*, η näher erläutert. Es zeigt

Fig. 1 und 2 Thermoschalteinrichtungen nach der Erfindung mit einem Transistorverstärker mit geschlossener, thermoelektrischer Schleife,

Fig. 3 und 6 Thermoschalteinrichlungen mit einem Element mit positivem Temperaturkoeffizienten, um die wi der Heizeinrichtung zuzuführende Leistung mittels eines Thermosystems mit geschlossener Schleife einzustellen,

Fig,4 und 7 ein Diagramm des Aufbaus des Elementes mit positivem Temperaturkoeffizienten nach den Figi3 und G, und zwar in Verbindung mit der Thermoschalteinrichtung, und

F i g. 5 Und 8 eine grapft/sche Darstellung, bei welcher der Widerstand über der Temperatur aufgetragen ist. Diese graphische Darstellung bezieht sich auf die Thermoschalteinrichtungen nach den F i g. 4 bzw. 6.

In der F i g. 1 ist eine erste Ausführungsform einer transistorisierten Relaiseinrichtung dargestellt, die ein Schaltelement M\ und eine Heizeinrichtung HX zur Beheizung des Schaltelementes Mi aufweist Eine solche Thermorelaiseinrichtung kann von demjenigen Typ sein, wie er in der obigen kanadischen Patentschrift beschrieben ist und kann ein Thermoschaltelement M1 mit einem negativen Temperaturkoeffizienten aufweisen (ein normalerweise geöffnetes Thermorelais), hergestellt aus einem dünnen Film oder einer dünnen Folie aus Vanadiumdioxid, das auf ein geeignetes Substrat aufgebracht ist Es können auch andere Arten von Thermorelais verwendet werden, und die Erfindung ist auch anwendbar auf Thermoschaltelemente mit positivem Temperaturkoeffizienten (normalerweise geschlossene Thermorelais). Die Heizeinrichtung H1 ist mit einer /weiten Heizeinrichtung H2 in Reihe geschaltet, der ein zweites Scnaltele· nt M 2 zugeordnet ist, das in der vorliegenden Ausfunru'igsform einen negativen Temperaturkoeffizienten aufweist. Die Heizeinrichtungen Hi und H 2 sind in Reihe mit der Kollektor-Emitter-Strecke eines Transistors 7"1 parallel zu ein· r geeigneten Gleichstromquelle geschaltet, während das zweite Thermoschaltelement M 2 parallel zu den Basis-Emitter-Elektroden des Transistors Ti liegt.

Ein Widerstand R 1 ist in Reihe mii dem Thermoschaltelement M2 parallel zu der Gleichstromquelle geschaltet, und der Verbindungspunkt zwischen dem Widerstand R 1 und dem Thermoset-altelement M 2 ist mit der Basis des Transistors T\ verbunden Der Widerstandswert des Widerstandes R1 ist derart gewählt, daß dann, wenn der Schalter SW1 geschlossen ist, der Transistor Ti derart durchlässig ist, daß ein ausreichend starker Strom durch die Heizeinrichtung Hi fließt, um das Thermoschaltelement Λί 1 rasö auf eine Temperatur oberhalb seiner Übergangstemperatur aufzuheizen, so daß das Schaltelement M1 deshalb in seii.en Zustand mit geringer Impedanz umschaltet. Die Heizeinrichtung H2 wird ebenfalls mit Energie versorgt, da sie mit der Heizeinrichtung H 1 in Reihe liegt, und somit wird auch das Schaltelement M2 in seinen Zustand mit geringer Impedanz umgeschaltet. Dadurch wird die an die Basis des Transistors 71 gelegte Vorspannung vermindert und folglich auch der durch die Heizeinrichtungen Hi und H2 fließende Strom. Der Wert des Widerstandes R 1 muß deshalb auch derart gewählt sein, daß der Wert geringer Impedanz des Schaltelementes M2 noch einen ausreichenden Strom durch der Transistor Ti fließen läßt, um das Schaltelement M1 einige Grad über seiner Übergangstemperatur zu halten. Das Schaltelement M i wird somit scli.iell eingeschaltet und dann einige Grad über seiner Übergangstemperatur gehalten. Dadurch werden sowohl die Einschalt· als auch die Ausschaltzeit des Relais stark vermindert.

Das Schaltelement M2 ist thermisch eng mit dem Sehaltelemfeiit M1 gekoppelt und liefert eine Temperaturkompensation für das Relais. Wenn nämlich die Umgebungstemperatür öder die Betriebstemperatur des Thermoschaltelementes Mi absinkt, fällt auch die Temperatur des Thermoschaltelementes Ml ab, da die Thermoschaltelemente Mi und M2 thermisch eng gekoppelt sind. Das Thermoschaltelement M2 erhöht somit seine Impedanz, wodurch auch die Treiberspan-

flung des Transistors Ti erhöht wird. Dadurch wird die Leistung erhöhl, welche den Heizeinrichtungen zuge^ führt wird, wodurch auch die Temperatur der Thefmoschalleleinente Ml und Mi erhöht wirdj und zwar derart, daß ihre Impedanz jeweils auf den eingestellten Wert absinkt Der umgekehrte Vorgang tritt auf, wenn die Ufngebungs- oder die Betriebstemperatur ansteigt. Eine ähnliche Kompensationswirkung ergibt sich dann, wenn sich die Versorgiingsspannung ändert.

Das Heizelement HX ist in Reihe geschaltet mit dem Heizelement H 2, so daß derselbe Strom durch die zwei Heizeinrichtungen fließt. Ein Vorspannungswiderstand R 2 ist parallel geschaltet zu der Heizeinrichtung H2, um den durch die Heizeinrichtung A/2 fließenden Strom etwas zu vermindern derart, daß das Thermoschaltelement M1 stets auf einer geringeren Impedanz gehalten ist als das Thermoschaltelement M2. Dadurch ist gewährleistet, daß das Thermoschaltelement Mi stets den Pegel geringster Impedanz im eingeschalteten Zustand erreicht und daß etwas mehr Leistung dem Thermoschaltelement Mi zugeführt wird als dem Thermoschaltelement M2, zo daß dieses vollständig eingeschaltet wird, bevor die Leistung abnimmt. Weiterhin wird das Thermoschaltelement M2 im wesentlichen auf der Übergangstemperatur im eingeschalteten Zustand des Relais gehalten, so daß eine bessere Temperaturkompensation gewährleistet ist.

Dieselbe Wirkung läßt sich erreichen, wenn unterschiedliche Widerstandswerte für die Heizeinrichtungen Hi und H 2 verwendet werden, um das oben durch Hinzunahme des Widerstandes R 2 erreichte Verhältnis einzustellen. Diese Heizeinrichiungen können parallel geschaltet werden, anstatt in Reihe zu liegen, wenn die Einstellung entsprechend gewählt wird. Eine weitere Alternative, die sich als zweckmäßiger erweisen kann, besteht darin, eine einzige Heizeinrichtung für die zwei Thermoschaltelemente Mi und M 2 zu verwenden. Die Heizeinrichtung muß derart angeordnet sein, daß dem Thermoschaltelement M i mehr Wärme zugeführt wird als dem Thermoschaltelement M2, und zwar aus den oben dargelegten Gründen.

Beliebige Transistortypen oder Verstärker mit integrierter bchaitung können verwendet werden, um die der Heizeinrichtung des Thermoschaltelementes M1 zugeführte Leistung zu liefern und einzustellen. Der Transistor Ti kann beispielsweise durch eine Darlington-Schaltung oder eine andere geeignete Schaltung ersetzt werden, mit welcher dieselbe Wirkung ausgelöst werden kann.

Obwohl die Erfindung oben anhand eines Thermoschaltelementes M i mit einem negativen Temperaturkoeffizienten beschrieben wurde, sei darauf hingewiesen, daß auch Thermoschaltelemente Ml mit einem positiven Temperaturkoeffizienten verwendet werden können, wenn ein normalerweise geschlossenes Relais verwendet wird. Weiterhin kann das Thermoschaltelement M 2 auch einen positiven Temperaturkoeffizienten unter der Voraussetzung haben, daß das Thermoschaltelement Λ/2 und der Widerstand R1 in dem Transistorvorspannungskreis ausgetauscht werden.

Um die Einschaltzeit des Thermoschaltelementes Λ/1 weiter zu verkürzen, kann die Schaltung gemäß F i g. 1 in der in der Fig.2 dargestellten Weise modifiziert werden. Diese Anordnung ist der Anordnung gemäß Fig. 1 ähnlich, mit der Ausnahme, daß ein Transistor T2 entgegengesetzter Leitfähigkeit verwendet ist, und daß die Polarität der Quelle umgekehrt ist Die Heizeinrichtungen Hi und H 2 sind noch in Reihe mit den

EmiUer-Koilektor-Elektraden des Transistors geschaltet, und der Widerstand R 2 liegt parallel zu der Heizeinrichtung H 2, Urn die dieser Einrichtung zugeführte Leistung zu vermindern. Ein Widerstand /?3 liegt in Reihe mit dem Thermoschaltelement M2 parallel zu der Energiequelle. Der Wert eines solchen Widerstandes /?3 ist derart gewählt, daß ein gerade ausreichender Strom durch den Transistor T2 fließl, um das Thermoschalteiement M1 einige Grade unterhalb seiner Übergangstemperatur zu halten. Ein Widerstand R 4 ist derart gewählt, daß er parallel zu dem Widerstand R 3 liegt, um den Transistorschalter Tl in den stark leitenden Zustand zu bringen. Der Widerstand R 4 shunlel den Widerstand Λ 3 und übt dieselbe Funktion aus wie der Widerstand R1 in der Ausführungsform gemäß Fig. 1. Die Schaltung der Fig.2 liefert somit eine Vorheizung des Schaltelementes M1 und vermindert die Einschaltzeit des Relais.

Es kann auch eine alternative Konfiguration erwünscht sein, welche Thennoschaltelemente M1 und M2 mit verschiedener Geometrie und deshalb mit verschiedenen Impedanzpegeln verwendet. Oft ist es erforderlich, daß die Ausgangsthermoschalteinrichtung Mi eine sehr geringe Impedanz erreicht (weniger als lüOOhm), wenn das Relais erregt wird. Es ist zweckmäßig, daß die Thermoschalteinrichtung M 2 in einem Bereich höherer Impedanz arbeitet (etwa 2000 Ohm), so daß der Widerstand R 3 ausreichend groß ist, um den Strom im Basiskreis zu begrenzen und auf diese Weise die erforderliche Leistung für die Einrichtung zu vermindern.

Bei allen diesen Konfigurationen ist es wesentlich, daß das Thermoschaltelement Ml derart angeordnet ist, daß die elektrische Isolation zwischen diesem Element und allen Komponenten des Eingangskreises derart vollständig ist, daß eine hohe Spannung (typischerweise höher als 1500 Volt Wechselspannung) zwischen die zwei Eingangs- und die zwei Ausgangskreise gelegt werden kann, ohne daß ein Spannungsdurchschlag oder ein Leckstrom auftritt. Dies kann durch große Abstände in der Luft oder durch die Verwendung eines geeigneten Isolationsmaterials mit tip-ci huhcii Duri.hbi.hiagreMigkcitcrfcii.lit werden.

Eine zweite Ausführungsform der Erfindung ist in den F i g. 3 und 4 der Zeichnung erläutert, wobei eine Ralaiseinrichtung mit einem Schaltelement M 3 und eine Heizeinrichtung H 3 durch eine Wechselspannungs- oder eine Gleichspannungsquelle in den eingeschalteten Zustand versetzt werden, wobei die Energie über eine Heizeinrichtung PTCl mit einem positiven Temperaturkoeffizienten zugeführt w^:rd, die eine Übergangstemperatur Tprri aufweist, die höher liegt als die Übergangstemperatur TM3 des Schaltelementes Λί3. Beim Schließen des Schalters SW4 wird ein starker Strom der Heizeinrichtung //3 und der Einrichtung PTC1 zugeführt, um das Volumen auf dem thermisch isolierenden Substrat aufzuheizen, so daß das Schaltelement M3 seine Übergangstemperatur rasch überschreitet Dies geschieht, weil die Übergangstemperatur TM3 der Thermoschalteinrichtung M3 etwas unterhalb der Übergangstemperatur Tpnr ι der Heizeinrichtung PTCi liegt, wie es in der Fig.5 dargestellt ist Wenn jedoch die Impedanz der Einrichtung PTCl ansteigt, wird der Strom durch die Heizeinrichtung H3 und die Einrichtung PTCl auf einen derartigen Wert vermindert, daß das Schaltelement M 3 gerade oberhalb seiner Übergangstemperatur am Punkt Thri liegt Dadurch werden die Einschalt- und die Ausschaltzeiten

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des Relais vermindert Etna Temperaturkompensation wird erreicht, indem die Heizeinrichtung PTCl und die TherrnoschalteinrichtUng thermisch eng miteinander gekoppelt werden. Dies kann dadurch erfolgen, daß die zwei Einrichtungen auf ein thermisch gut leitendes Substrat aufgebracht werden, daß seinerseits auf einem thermisch isolierenden Substrat angebracht _ ist* wie es •cb#natisch in der Fig;4 dargestellt ist. PTU-Einfichtungen weisen die Eigenschaft auf, eine konstante Temperatur beizubehalten, wenn ihnen Energie zugeführt wird. Somit ist verständlich, daß die Umgebüngs- oder die Betriebsbedingungen bei einem Schaltelement A/3 bei etwa 7>jci konstant gehalten werden, weil die Impedanz von PTC1 sich derart ändert, daß der Strom durch die Heizeinrichtung PTC \ und die Heizeinrichtung HZ derart eingestellt wird, daß die Temperatur TpTci beibehalten wird. Dadurch svird die zugeführte Leistung vermindert, wenn ein Ansteigen der Umgebungs- oder der Betriebstemperatur auftritt. Der umgekehrte Vorgang spielt sich ab, wenn die Umgebungs- oder die Betriebstemperatur abnimmt.

Die Schaltungsanordnung gemäß F i g. 6 und 7 ist der Anordnung gemäß Fig.3 und 4 ähnlich, mit der Ausnahme, daß eine zusätzliche Heizeinrichtung PTC2 zur Vorheizung des Schalteiementes Λ/3 vorhanden ist. Wenn somit der Schalter SW5 alleine geschlossen ist, Wird das Schaltelement A/3 auf eine Temperatur vorgeheizt, die um einige Grad unterhalb der Obergangstemperatur liegt (Übergangsternperatur Tprc 2 der Einrichtung PTCl, gemäß Fig.8). Wenn jedoch der Schalter SW% ebenfalls geschlossen ist, wird das Schaltelement A/3 über seine Übergangstemperatur aufgeheizt, um das Relais gemäß den obigen Erläuterungen umzuschalten. Die Einrichtung PTC2 muß ebenfalls thermisch eng mit dem Schaltelement M 3 gekoppelt sein, wie es in der F i g. 7 dargestellt ist.

In den Ausführungsformen gemäß F i g. 3, 4, 6 und 7 sollten die Einrichtungen PTCso klein wie möglich sein, um kurze Ansprechzeiten zu erreichen. Weiterhin sollte ihre Masse größei¹ sein als diejenige der Relaiseinrich^ tung, so daß sie ihre Temperatur und somit ihre Impedanz langsamer ändern als die Relaiseinrichtung.

Die Auswahl der /TC-Einfichtungen ist in bezug auf die Arbeitsweise der Relaiscinrichtung kritisch Und hängt von Veränderlichen ab wie von der Größe der Relaiseinrichtung, dem Material und der Konfiguration des Gehäuses bzv/. der Kapselung, von der Größe der

/TC-Einrichtungen und der Übergangstemperätur des thermischen Schsiltelementes. Die PTC-Einrichtungen können klein sein, so daß sie sich schnell abkühlen, wenn die Leistung abgeschaltet wird, und die Packung muß derart gewählt sein, daß das thermische Schaltelement rasch abgekühlt wird. Die Packung muß sorgfältig aufgebaut sein, und alle Bauteile müssen entsprechend klein ausgebildet sein, so daß beim Abschalten der Leistung das Thermoschalteiement rasch abkühlt, während gleichzeitig die Ausbildung der Packung ein

JO rasches Aufheizen ermöglicht, ohne daö ein übermäßiger Energiebedarf besteht

Es sei weiterhin darauf hingewiesen, daß in bestimmten Fällen auch die PTC-Einrichtungen allein verwendet werden können, um das Thermoschaltelement Af 3 aufzuheizen, und daß die Heizeinrichtung H3 dann entfallen kann. Eine wesentliche Funktion der Heizeinrichtung A/3 besteht darin, den Strom durch die PTC-Einrichtungen zu begrenzen, wenn die Energie zunächst eingeschaltet wird, und auf diese Weise die Größe der FTC-Einrichtungen zu vermindern. Wenn dies nicht notwendig ist, so kann die Heizeinrichtung H3 entfallen.

Weiterhin sei darauf hingewiesen, daß das Thermoschalteiement M'A einen positiven oder einen negativen Temperaturkoeffizienten aufweisen kann, was von der Art des erforderlichen Schalters abhängt (normalerweise geschlossen oder normalerwweise geöffnet bzw. Arbeitskontakt oder Ruhekontakt).

Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims (8)

Patentansprüche:

1. Thermoschalteinrichtung mit einem bei einer vorgegebenen Übergangstemperatur plötzlich von einem ersten Impedanzwert auf einen zweiten Impedanzwert übergehenden Thermoschaltelement und mit einer mit einer Energiequelle verbindbaren Heizßinrichtung für das Thermoschaltelement, |j e kennzeichnet durch eine die Heizeinrichtung (H 5) mit der Energiequelle verbindende Schaltungsanordnung mit einem Transistorverstärker (Tl), der in Reihe zu der Heizeinrichtung (Hi) parallel zu der Energiequelle liegt, end mit einer ebenfalls parallel zur Energiequelle liegenden Vorspannschaltung für die Vorspannung des Transistorverstärkers (Ti) mit einem Widerstand (R 1, R 4) und einem dazu in Reihe liegenden, weiteren Thermoschaltelement (M2), das mit dem ersten Thermoschaltelement (Mi) thermisch gekoppelt ist, wobei der Verbindungspunkt zwischen dem Widerstand (Ri, R 4) und dem weiteren Thermoschalteiement (M 2) an die Basis des Transistorverstärkers (Ti) angeschlossen ist, und durch eine solche Bemessung der Bauelemente, daß der Transistorverstärker (Ti) aufgrund der Anfangsimpedanz der Vorspannschaltung (R 1, Λ 4) einen durch die Heizeinrichtung (Hi) fließenden und das erste Thermoscha!.element (Mi) rasch über seine Übergangstemperatur erwärmenden Strom erzeugt, während bei der Erwärmung des anderen Thermoschaltelementes (M2) durch die Heizeinrichtung (Hi) die Impedanz des zweiten Schaltelemer^es (M 2) auf einen Wert verringert wird, bei dem der dann durch d -n Transistorverstärker (Ti) und die Heizeinrichtung (Wl) fließende Strom das erste Thermosclvaliel -ment (M 1) gerade über seiner Übergangstemperatur hält, und daß das zweite Thermoschaltelement (M2) auf Änderungen der Betriebsbedingungen anspricht und durch Änderung der Vorspannung des Transistorversiärkers (Ti) die an die Heizeinrichtung (Hi) angelegte Energie zur Kompensation dieser Änderungen steuert.

2. Thermoschalteinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß dem ersten Thermoschaltelement (M 1) mehr Energie zugeführt wird als dem zweiten Thermoschaltelement (M 2).

3. Thermoschalteinrichtung nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Heizeinrichtung (Hi) nur das erste Thermoschaltelement (M \) erwärmt, und daß eine zweite Heizeinrichtung (Hl) für die Erwärmung des zweiten Thermoschaltelementes (M2) vorgesehen ist.

4. Thermoschalteinrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die erste und zweite Heizeinrichtung (Hi. H2) in Reihe geschaltet sind, und daß zur Verringerung der dieser Heizeinrichtung zugeführten Energie ein Widerstand (R 2) parallel zu der zweiten Heizeinrichtung (H 2) geschaltet ist.

5. Thermoschalteinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, gekennzeichnet durch ein zusätzliches Bauelement (7? 3) für die Vorspannung des Tränsistorverstärkers (Ti, T2), wobei das enste Thermoschaitelement (Ml) im eingeschalteten Zustand wenige Grad unter seiner Übertemperatur gehalten wird.

6. Thermoschalteinrichtung mit einem bei einer

vorgegebenen Übergangstemperatur plötzlich von einem ersten Impedanzwert auf einen zweiten Impedanzwert übergehenden Thermoschaltelement und mit einer mit einer Energiequelle verbindbaren Heizeinrichtung für das Thermoschaltelement, gekennzeichnet durch eine die Heizeinrichtung ff/3) mit der Energiequelle verbindende Schaltungsanordnung' mit einem in Reihe zu der Heizeinrichtung (7/3) liegenden und thermisch mit dem Thermoschaltelement (M3) gekoppeltes Element mit positivem Temperaturkoeffizienten (PTVi), das eine Übergangstemperatur hat, die höher als die Übergangstemperatur des Thermoschaltelementes (MZ) ist, und durch eine solche Bemessung der Bauelemente, daß zu Beginn der Heizeinrichtung (HS) eine große Energiemenge zugeführt wird, die sich anschließend aufgrund des positiven Temperaturkoeffizienten verringert, und daß das Element mit positivem Temperaturkoeffizienten (PTCi) auf Änderungen der Betriebsbedingungen anspricht und durch Kompensation solcher Änderungen die der Heizeinrichtung (H 3) zugeführte Energie steuert.

7. Thermoschalteinrichtung nach Anspruch 6, gekennzeichnet durch ein zweites, in Reihe zu der Heizeinrichtung (H 3) liegendes und thermisch mit dem Thermoschaltelement (M 3) gekoppeltes Element mit positiven Temperaturkoeffizienten (PTC2), das eine Übergangstemperatur hat, die geringer als die Übergangstemperatur des Thermoschaltelementes (M 3) ist, wobei der Heizeinrichtung (H 3) durch das zweite Element mit positivem Temperaturkoeffizienten (PTC2) eine Energiemenge zugeführt wird, die im ausgeschalteten Zustand das Thermoschaltelement (M 3) weniger Grad unterhalb seiner Übergangstemperatur hält.

8. Thermoschalteinrichtung mit einem bei einer vorgegebenen Übergangstemperatur plötzlich von einem ersten Impedanzwert auf einen zweiten Impedanzwert übergehenden Thermoschaltelement und mit einer mit einer Energiequelle verbindbaren Heizeinrichtung für das Thermoschaltelement, dadurch gekennzeichnet, daß die Heizeinrichtung aus einem thermisch mit dem Thermoschaltelement (M3) gekoppelten Element mit positivem Temperaturkoeffizienten (PTCi) besteht, dessen Übergangstemperatur höher als die Übergangstemperatur des Thermoschaltelementes (M3) ist, wobei dem Thermoschaltelement (M 3) zu Beginn eine große Wärmemenge zugeführt wird, die sich aufgrund des positiven Temperaturkoeffizienten anschließend verringert, und daß das Element (PTCi) mit positivem Temperaturkoeffizienten auf Änderungen der Betriebsbedingungen anspricht und zur Kompensation dieser Änderungen die dem Thermoschaltelement (M3) zugeführte Wärmemenge steuert.