DE2406863A1

DE2406863A1 - Leuchtschirm fuer nachfokussier-farbbildroehren

Info

Publication number: DE2406863A1
Application number: DE19742406863
Authority: DE
Inventors: Shigemi Hirasawa; Hiromi Kanai; Masao Taniguchi; Eiichi Yamazaki
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1973-02-14
Filing date: 1974-02-13
Publication date: 1974-09-12
Also published as: US4221990A; DE2406863C3; FR2217793B1; DE2406863B2; FR2217793A1; JPS49107173A; GB1462205A

Description

Patentanwalts
ΟΙρΙ,-Ing. R. BSETZ sail,¹
Dfpl-lng. K. LAMPRECHT 2 406 8 6

Qr.-Ing. R. BEETZJr. ^

* München 22, Steinsdorfetr« Iff

81-22.184P(22.185H) 13- 2. 1974

HITACHI, LTD., Tokio (Japan)

Leuchtschirm für Nachfokussier-Farbbildröhren

Die Erfindung bezieht sich auf einen Leuchtschirm für Nachfokussier-Farbbildröhren .

Bei einer Nachfokussier-Farbbildröhre erzeugt man ein starkes elektrisches Feld, um eine Elektronenlinse zwischen dem Leuchtschirm und der Loch- oder Schattenmaske zu bilden, um damit Elektronenstrahlen, die durch die Loch- oder Schattenmaske durchgegangen sind, auf-

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grund der Linsenwirkung zum geeigneten und befriedigenden Auftreffen auf den Leuchtschirm zu fokussieren. Daher werden Elektronen, die an der Elektronenschleuderseite der Loch- oder Schattenmaske reflektiert sind, und/oder emittierte Sekundärelektronen neben den Löchern der Schattenmaske durch das starke elektrische Feld zwischen dem Leuchtschirm und der Schattenmaske beschleunigt und treffen dann auf den Leuchtschirm auf, was zur Beeinträchtigung der Farbreinheit führt. Weiter bewirkt der auf den Leuchtschirm auftreffende Elektronenstrahl, daß die vom Leuchtschirm emittierten Sekundärelektronen auf diesen unter Beeinträchtigung der Farbreinheit wieder auftreffen.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, unter Überwindung dieser Nachteile einen Leuchtschirm für Nachfokussier-Farbbildröhren mit ausgezeichneter Farbreinheit zu schaffen, der sich zur Unterdrückung der vom Leuchtschirm emittierten Sekundärelektronen und zum Ausblenden der auf den Leuchtschirm auftreffenden Sekundärelektronen eignet.

Gegenstand der Erfindung, womit diese Aufgabe gelöst wird, ist ein Leuchtschirm für eine Nachfokussier-Farbbildröhre mit einem Fokussierungsgrad von 1/3 bis 4/5, der eine Frontplatte, eine Leuchtstoff schicht auf der Frontplatte, eine Metallhinterschicht auf der Leuchtstoffschicht und eine Sekundärelektronenemissions-Unterdrükkungsschicht auf der Metallhinterschicht zum Unterdrücken einer Sekundärelektronenemission vom Leuchtschirm umfaßt, mit dem Kennzeichen, daß die Dicke der Metallhinterschicht etwa 4500 bis 7000 A ist und die Dichte der Sekundärelektronenemissions-Unterdrückungsschicht etwa 0,03 bis 0,15 mg/cm beträgt.

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Die Erfindung wird anhand des in der Zeichnung veranschaulichten Ausführungsbeispiels näher erläutert; darin zeigen:

Fig. 1 einen Teilquerschnitt eines Leuchtschirms für eine Nachfokussier-Farbbildröhre gemäß der Erfindung,

Fig. 2 a ein Diagramm zur Darstellung der Beziehung zwischen der Dichte der Sekundärelektronenemissions-Unterdrükkungsschicht und der Farbreinheit sowie der Helligkeit, und

Fig .2b ein Diagramm zur Darstellung der Beziehung zwischen der Dicke der Metallhinterschicht und der Farbreinheit sowie der Helligkeit.

Man erkennt in Fig. 1 eine Frontplatte 1 eines Leuchtschirms, auf der eine Leuchtstoff schicht 2 angebracht ist, auf der weiter eine Metallhinterschicht 3 z. B. aus Aluminium ausgebildet ist. Auf die Metallhinterschicht 3 ist schließlich die Sekundärelektronenemissions-Unterdrückungsschicht 4 zum Unterdrücken einer Sekundärelektronenemission vom Leuchtschirm aufgebracht, die z.B. aus Graphit oder Kohleruß besteht.

Es ist zu beachten, daß der Fokussierungsgrad, d. h. das Verhältnis der an eine Farbwählelektrode, z.B. die Loch- oder Schattenmaske angelegten Spannung zu der an den Leuchtschirm angelegten Span*- nung meist in einem Bereich von 1/3 bis 4/5 bei der Farbbildröhre liegt, für die sich der Leuchtschirm gemäß der Erfindung zum Einbau eignet.

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Fig. 2 a und 2 b zeigen Ergebnisse von im Rahmen der Erfindung durchgeführten Versuchen. Wenn man an den Leuchtschirm eine Spannung von 25 kV und an die (nicht dargestellte) Loch- oder Schattenmaske eine Spannung von 8 bis 20 kV anlegt, ergibt sich durch die Potentialdifferenz zwischen dem Leuchtschirm und der Loch- oder Schattenmaske ein elektrisches Feld von 5 bis 17 kV und bewirkt, daß die Sekundärelektronen angeregt werden und auf den Leuchtschirm auf treffen.

Fig. 2 a zeigt die Beziehung zwischen der Dichte der Sekundärelektronenemissions-Unterdrückungsschicht 4 aus Graphit und der Farbreinheit P sowie dem Helligkeitsverringerungsgrad B . Bei den dieser Figur zugrundeliegenden Versuchen wurde die Dicke der Metallhinterschicht 3 aus Aluminium mit 7 kA konstant gehalten. Andererseits zeigt Fig. 2 b die Beziehung zwischen der Dicke der Metallhinterschicht 3 aus Aluminium und der Farbreinheit P¹ sowie dem Helligkeitsverringerungsgrad B '. Bei den der Fig. 2 b zugrundeliegenden Versuchen wurde die Dichte der Sekundärelektronenemissions-Unterdrückungsschicht 4 aus Graphit mit 0,06 mg/cm konstant gehalten. Weiter zeigten die Versuche, daß auch bei einer Variation der Dicke der Metallhinterschicht 3 nach Fig. 2 a zwischen etwa 4000 und 7000 A die gegenseitige Beziehung zwischen der Farbreinheit P und dem Helligkeitsverringerungsgrad B_n einerseits und der Dichte der Sekundärelektronenemissions-Unterdrückungsschicht 4 andererseits im wesentlichen gleich der nach Fig. 2 a gehalten werden konnte und daß weiter auch bei Variation der Dichte der Graphitschicht 4 nach Fig. 2 b von etwa

0,03 bis 0,15 mg/cm die gegenseitige Beziehung zwischen der Farbreinheit P' und dem Helligkeitsverringerungsgrad B„' einerseits und

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der Dicke der Metallhinterschicht 3 andererseits im wesentlichen gleich der nach der Fig. 2b gehalten werden konnte.

Aus Fig. 2b ergibt sich, daß sich diese Sekundärelektronen durch die z.B. aus Aluminium bestehende Metallhinter schicht von etwa 4500 bis 7000 % Dicke wirksam ausblenden lassen. Weiter wird die auf das Auftreffen der Primärelektronen auf den Leuchtschirm zurückzuführende Emission der Sekundärelektronen durch die Schicht 4 aus Graphit oder Ruß auf der Metallhinter schicht 3 unterdrückt. Die Sekundärelektronenemissions-Unterdrückungsschicht 4 aus Graphit oder Ruß liefert keine ausreichende Unterdrückung der Sekundärelek-

tronen, wenn ihre Dichte weit unter 0,03 mg/cm ist, und ermöglicht eine gesättigte oder völlige Unterdrückung auch, wenn ihre Dichte weit

über 0,15 rag/cm ist. Nun kann sich jedoch die Helligkeit verschlechtern, wenn die Dichte der Sekundärelektronenemissions-Unterdrückungs-

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schicht auf weit über 0,15 mg/cm erhöht wird, wie Fig. 2a zeigt.

Unter Berücksichtigung dieser Gesichtspunkte ist eine solche Schicht

2 mit einer Dichte von etwa 0,03 bis 0,15 mg/cm vorzuziehen, die ziemlich dünn ist und bei deren Vorliegen die Helligkeit nur um 2 bis 7 % verringert wird.

Aus dem Vorstehenden ergibt sich, daß es die Erfindung möglich macht, die Sekundärelektronen auszublenden, die auf den Leuchtschirm auftreffen, und die Sekundärelektronen zu unterdrücken, die vom Leuchtschirm emittiert werden, so daß Bilder erhältlich sind, die eine ausgezeichnete Farbreinheit und weniger Lichthofbildung im Vergleich mit dem Stand der Technik aufweisen.

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Claims

Patentansprüche

\ly/ Leuchtschirm für eine Nachfokussier-Farbbildröhre mit einem Fokussierungsgrad von 1/3 bis 4/5, der eine Frontplatte, eine Leuchtstoffschicht auf der Frontplatte, eine Metallhinterschicht auf der Leuchtstoffschicht und eine Sekundärelektronenemissions-Unterdrückungsschicht auf der Metallhinterschicht zum Unterdrücken einer Sekundärelektronenemission vom Leuchtschirm umfaßt, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der Metallhinterschicht (3) etwa 4500 bis 7000 A ist und die Dichte der Sekundärelektronenemissions-Unterdrük-

kungsschicht (4) etwa 0,03 bis 0,15 mg/cm beträgt.
2. Leuchtschirm nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallhinter schicht (3) aus Aluminium besteht.
3. Leuchtschirm nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Sekundärelektronenemissions-Unterdrückungsschicht (4) aus Graphit oder Ruß besteht.

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