DE1764735A1 - Speicherroehre - Google Patents
SpeicherroehreInfo
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- DE1764735A1 DE1764735A1 DE19681764735 DE1764735A DE1764735A1 DE 1764735 A1 DE1764735 A1 DE 1764735A1 DE 19681764735 DE19681764735 DE 19681764735 DE 1764735 A DE1764735 A DE 1764735A DE 1764735 A1 DE1764735 A1 DE 1764735A1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/10—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
- H01J29/36—Photoelectric screens; Charge-storage screens
- H01J29/39—Charge-storage screens
- H01J29/44—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by particle radiation, e.g. bombardment-induced conductivity
Landscapes
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
Description
Mpl.-Phys. Leo Thul
Stuttgart-Feuerbach
Kurze Str. 8
ISE/Reg. 3936
B.C.Einstein - 2
B.C.Einstein - 2
INTEHNATIONAI STANDARD ELECTRIC CORPORATION, NEW YORK
Speicherröhre
Die Priorität der Anmeldung in den Vereinigten Staaten von Amerika vom 2.August 1967 Nr. 657 886,
Group 251 ist in Anspruch genommen.
Die Erfindung betrifft Speicherröhren, insbesondere eine Speicher elektrode hoher Auflösung für ein BiId-Orthikon, Vidikon oder
eine andere Fernseh-Kamera-Type oder Speicherröhre.
Bisher war es üblich, Speicherröhren mit einer Speicherelektrode zu verwenden, die eine durch Elektronenbeschuss induzierte Leitfähigkeits-Charakteristik
aufweist. Eine solche Speicherelektrode ist auch bekannt als Bildspeicherelektrode mit Sekundäremissionsleitung.
Bei einer derartigen älteren Anordnung besteht die Speicherelektrode aus einem aufgerauchten Film, Kalziumchlorid oder
einer anderen isolierenden Schicht auf einer festen, dünnen leitenden Platte.
Frühere Speicherelektroden der obenerwähnten Art litten unter mehreren schwerwiegenden Nachteilen. Einer davon ist die geringe
Auflösung. Wenn beispielsweise Primärelektronen von der Photokathode auf der Speicherelektrode mit einer Geschwindigkeit von
mehreren tausend Volt auftreffen, können Sekundärelektronen aus
der Speicherschicht zum Beschleunigungsgitter gelangen, welches üblicherweise in der Bahn des Abtaststrahles liegt. Wenn eine
grössere Anzahl von Sekundärelektronen für eine längere Zeitdauer vom Beschleunigungsgitter aufgefangen wird, wird das Potential
der Schichtoberfläche auf Beschleunigungsgitterpotential
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Ku/U A - 2 -
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ISE/Seg. 3936 - 2 - Λ^
aufgeladen. Der Abtaststrahl kann dann nicht mehr die Schichtoberfläche
auf Kathodenpotential entladen. Diese Erscheinung ist als "run away" beschrieben und hat einen teilweisen oder
vollständigen Verlust an Auflösung zur Folge. Er macht auch die Speicherung von Szenen mit relativ hellen Lichtern oder
grosser Helligkeit unmöglich.
Bei einer Speicherröhre mit einer Speicherelektrode aus einer leitenden Schicht, die an nur einer Seite mit einem nicht perforierten
Belag mit einer durch Elektronenbeschuss induzierten Leitfähigkeits-Charakteristik versehen ist, bei der Primärelektronen auf die leitende Schicht und ein Abtaststrahl auf den
P Belag gerichtet werden, besteht erfindungsgemäss die leitende
Schicht aus einem Metallnetz, welches einen Teil der Aussenflache
des Belags von Primärelektronen abschirmt, wodurch dieser Teil auf dem Kathodenpotential des Abtaststrahlerzeugungssysteme
gehalten werden kann. Dieser Teil wirkt als virtuelles Bremsgitter, welches den Austritt und Übergang einer übermässigen
Anzahl von Sekundärelektronen zum Beschleunigungsgitter verhindert.
Die erfindungsgemässe Speicherelektrode besitzt den Vorteil hoher
Auflösung, obwohl ihre Konstruktion einfach, stabil und billig ist. Sie besitzt auch einen grossen Dynamikbereich.
Die obenerwähnten und weitere Vorteile der Erfindung werden in der folgenden Beschreibung eines Ausführungsbeispiels an Hand
der Zeichnung verdeutlicht. Hierin ist
Fig. 1 eine teilweise im Schnitt gehaltene Seitenansicht einer Speicherröhre gemäss der Erfindung;
Fig. 2 ein Schnitt durch die Speicherelektrode der in Fig. 1
dargestellten Röhre.
In der Fig. 1 der Zeichhung ist eine Speicherröhre 10 mit einer
evakuierten Hülle 11 gezeigt. Eine Elektronenkanone 12 enthält
- 3 109842/0461
ISE/Reg. 3936 - 3 - ,
eine Kathode 13 zur Erzeugung eines Abtastelektronenstrahls 14.
Der Strahl 14 ist durch ein Beschleunigungsgitter oder -netz 16 auf eine Speicherelektrode 15 gerichtet. Von einem auf der linken
Seite der Hülle 11 angebrachten photoempfindlichen Belag 17 werden
Primärelektronen auf die Speicherelektrode 15 gerichtet. Der Belag 17 wird durch eine Spannungsquelle 19 auf einem negativen Potential
von mehreren tausend Volt gegenüber der Kathode 13 gehalten.
Das Beschleunigungsnetz 16 wird durch eine Spannungsquelle 18 auf einem positiven Potential von etwa 300 V gegenüber der Kathode
gehalten.
Wie Fig. 2 zeigt, besteht die Speicherelektrode 15 aus einem gewebten
Drahtnetz 20, auf dem ein eine durch Elektronenbeschuss induzierte Leitfähigkeit aufweisender Belag 21 aufgebracht ist.
Das Netz 20 wird auf einer gegenüber der Kathode 13 positiven Spannung von 1 bis 40 Volt gehalten, vorzugsweise auf 30 bis 40
Volt.
Der Belag 21 kann eine aufgerauchte, in konventioneller Weise niedergeschlagene Filmschicht sein, kann aber beispielsweise auch
aus Kalziumchlorid bestehen.
Jeder Belag 21 kann auf dem Netz 20 auf irgeneine konventionelle Weise niedergeschlagen werden. Er kann aufgedampft werden, und
zwar mit oder ohne Hilfe des üblichen Lackfilms.
Die Röhre 10 kann sowohl als Bild-Orthikon als auch als Vidikon
betrieben werden. Bei der Verwendung als Bild-Orthikon wird das Bildsignal beim Beschleunigungsgitter 16 abgenommen, bei der als
Vidikon jedoch am Targetnetz 20.
Während des Betriebes der Speicherelektrode 15 schirmt das Netz den oberen Teil der Belagoberfläche ab. Dadurch wird die Oberfläche
des Belags 21 direkt über dem Netz 20 in Fig. 2 nicht auf das Potential des Beschleunigungsgitters 16 gebracht, weil keine
Primärelektronen vom Belag 17 die beschattete Oberfläche erreichen
109842/CH61 " 4 ~
ISE/Reg. 3936 - 4 -
können. Auf diese Weise wird die Auflösung verbessert.
Das Netz 20 besteht aus einem zweckmässigen Metall, beispielsweise
Nickel, mit ca. 400 Drähten pro cm (1000 pro inch) und besitzt eine Durchlässigkeit von ca.50$.
Charakteristischerweise ist der Belag 21 nicht perforiert und besitzt
bei T in Fig. 2 eine Dicke von 0,01 mm.
Das Netz 20 kann ein gewebtes Drahtnetz oder auch ein auf elektrischem
Wege hergestelltes Metallnetz sein.
Der Belag 21 ist in Richtung des Netzes 20 zum Beschleunigungsfe
gitter 16 verstärkt, um ein Optimum an Elektronenabsorption und Leitfähigkeit zu erreichen.
1 Anspruch
1 Bl.Zeichng.
1 Bl.Zeichng.
Claims (1)
- AnspruchSpeicherröhre mit einer Speicherelektrode, bestehend aus einer leitenden Schicht, die an nur einer Seite mit einem nicht perforierten Belag mit einer durch Elektronenbeschuss induzierten leitfähigkeits-Gharakteristik versehen ist, bei der Primärelektronen auf die leitende Schicht und ein Abtaststrahl auf den Belag gerichtet werden, dadurch gekennzeichnet, dass die leitende Schicht aus einem Metallnetz besteht, welches einen Teil der Aussenflache des Belags von Primärelektronen abschirmt, wodurch dieser Teil auf dem Kathodenpotential des Abtaststrahlerzeugungssystems gehalten werden kann.25.7.68
Ku/U1098Α2/0ΛΒ1Leerseite
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Family Applications (1)
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1967
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-
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Also Published As
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