DE2364242A1 - Verfahren zum herstellen von keramikplatten - Google Patents

Verfahren zum herstellen von keramikplatten

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Description

Böblingen, den 18. Dezember 1973 oe - zi
Anmelderin: International Business Machines
Corporation, Armonk, N.Y. 10504
Amtliches Aktenzeichen: Neuanmeldung Aktenzeichen der Anmelderin: FI 972 033
Verfahren zum Herstellen von Keramikplatten
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von Keramikplatten, bei dem ein Pulver aus einem Keramikmaterial und einem Glasfrittenmaterial mit einem organischen Bindemittel vermengt wird und bei dem aus diesem Gemenge Schichten erzeugt werden, die nach Behandlung entsprechend dem angestrebten Verwendungszweck gebrannt und anschließend wieder abgekühlt werden.
Keramische Materialien sind ausgezeichnet durch ihre guten dielektrischen Eigenschaften, die sie in der elektrischen und elektronischen Industrie unentbehrlich machen. In den letzten Jahren hat Keramikmaterial mehr und mehr Eingang gefunden bei der Herstellung von mikrominiaturisierten Schaltungen, besonders in der Form von ein- oder mehrschichtigen dielektrischen Keramikplatten mit zwei oder mehr untereinander verbundenen Leiterzugebenen, wobei diese Keramikplatten oft als Substrat für HaIbleiterplättchen mit integrierten Schaltungen verwendet werden. . Speziell bei der letztgenannten Anwendung müssen die Keramikplatten sehr hohen Anforderungen in bezug auf Formgenauigkeit genügen? sie müssen ein fehlerfreies, festes Gefüge ohne Sprünge und ohne Einschlüße haben und benötigen außerdem eine gute Oberfläche ohne Ausbrüche. Produkte, die diesen hohen Ansprüchen genügen, können mit den bekannten Verfahren nur hergestellt werden,
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wenn die Prozeßparameter aufs sorgfältigste kontrolliert werden, und wenn man sich für die einzelnen Ve rf ahrens schritte viel Zeit läßt.
Ein typisches Beispiel der bekannten Verfahren haben H.D. Kaiser u.a. in Solid State Technology, Mai 1972, Seiten 35 ff. beschrieben. Bei diesem Verfahren wird ein Pulver aus Keramikmaterial, wie ζ ..B. Aluminiumoxid, und einem Glasfrittenmaterial mit geeigneten Weichmachern, Bindemitteln und Lösungsmitteln zur Erzeugung einer Dispersion gemischt, die dann in eine dünne Schicht ausgegossen und zur Entferung der Lösungmittel getrocknet wird. Anschließend wird die.dabei erhaltene Schicht aus ungesintertem Material entweder sofort gebrannt oder zunächst mit Löchern versehen, die dann im Wege eines Siebdruckverfahrens zum Aufbringen eines Leiterzugmusters auf eine oder beide Oberflächen der dünnen Schicht mit Leiterzugmaterial gefüllt werden, und dann - eventuell nachdem mehrere dieser dünnen Schichten laminiert worden sind - gebrannt wird. Einen für die bekannten Verfahren typischen Brennzyklus zeigt das Diagramm in der Fig. Der Brennzyklus läßt sich in drei wesentliche Phasen aufteilen. Das organische Bindemittel, das in den Lücken zwischen den Keramik- bzw. Glasfrittenmaterial teilchen sich befinden, wird während der Bindemittelabbrennphase ausgetrieben. Anschließend werden bei der Sintertemperatur die Keramikteilchen zusammengesintert und das Glasfrittenmaterial dringt in die Lücken ein* Schließlich wird kontrolliert über mehrere Stunden abgekühlt, damit das gesinterte Material keinem thermischen Schock ausgesetzt wird. Bei den bekannten Verfahren ist es sehr wesentlich, daß das Abbrennen des Bindemittels sehr langsam und kontrolliert vor sich geht, damit bei der dabei stattfindenden Oxydation und beim Entweichen von irgendwelchen Gasen das Material nicht reißt oder zerplatzt, d.h. mit anderen Worten, daß,um die mechanische und elektrische Unversehrtheit des gebrannten Produkts sicherzustellen, ein kontrolliertes und langsames Abbrennen des Bindemittels notwendig ist.
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Es ist die Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren anzugeben, mit dem keramische Produkte, an die in mechanischer und elektrischer Hinsicht hohe Anforderungen gestellt werden können und die innerhalb enger Toleranzen der geforderten Form entsprechen, wirtschaftlich und und in einem fabrikmäßigen Maßstab, d.h. mit einem Verfahren bei dem der Brennzyklus möglichst kurz ist und bei dem die Einhaltung der Prozeßparameter unkritisch ist, mit hoher Ausbeute herzustellen.
Diese Aufgabe wird mit einem Verfahren der eingangs genannten Art dadurch gelöst, daß ein Pulver aus dem keramischen Material und dem Glasfrittenmaterial mit einer durchschnittlichen Teilchengröße zwischen 1 und etwa 25 y und mit einer Teilchengrößenverteiiung in einem engen Bereich verwendet wird, daß beim Brennen direkt auf* die Sintertemperatur erhitzt und nach dem vollständigen Sintern rasch abgekühlt wird.
Die erfindungsgemäß hergestellten Platten aus ungesintertem Material sind ausgezeichnet durch Lücken etwa einheitlicher und festgelegter Größe zwischen den Keramik- und Glasfrittenmaterialteilchen. Die gleichmäßige Größe der Lücken ergibt sich daraus, daß die Teilchen etwa alle gleich groß sind, woraus sich schon zwingend - unter der Annahme einer etwa kugelförmigen Gestalt der Teilchen - eine einheitliche Größe der Lücken ergibt, wobei noch hinzukommt, was bei sehr unterschiedlichen Teilchengrößen nicht zu vermeiden wäre, daß kleine Teilchen nicht die Lücken zwischen den großen Teilchen ausfüllen können. Die Lücken stehen miteinander in Verbindung, wodurch ein System von Poren entsteht, welches das ganze Keramikmaterial durchzieht und bis zu den Oberflächen geht. Diese Poren haben, da die durchschnittliche Teilchengröße 1 u nicht unterschreitet, einen hinreichenden Durchmesser um das vollständige Entweichen des Bindemittels auch bei schnellem Aufheizen zu ermöglichen. Eine große Porengröße ist also offenbar günstig für ein schnelles Entfernen des Bindemittels. Andererseits muß aber berücksichtigt werden, daß zu große Teilchen eine grobe Struktur des Keramikmaterials verursachen und daß
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außerdem die Sintertemperatur mit zunehmender Teilchengröße gesteigert werden muß, was nicht nur den apparativen und energiemäßigen Aufwand bei der Herstellung erhöhte sondern solche hohen Temperaturen schädigen auch das Produkt, was insbesondere für Keramiksubstrate zutrifft, die metallische Leiterzugmuster enthalten. Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren ist also das Aufheizen des ungesinterten Materials auf die Sintertemperatur ein unkritischer und schnell verlaufender Verfahrensschritt. Insbesondere wird bei dem erfindungsgemäßen Verfahren der bei den bekannten Verfahren notwendige gesonderte Verfahrensschritt des Abbrennens des Bindemittels, der nicht nur zeitraubend, sondern auch schwer zn kontrollieren ist,entbehrlich, überraschenderweise läßt sich bei dem erfindungsgemäßen Verfahren das Sintern und das Abkühlen auf Zimmertemperatur wesentlich schneller durchführen, ohne daß deshalb das Produkt unvollständig durchgesintert ist und beim Abkühlen einen thermischen Schock erleidet. Aufgrund dieser Vorteile läßt sich die Seit, die zxxr Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens erforderlich ist gegenüber der Zeitdauer, die für die bekannten Verfahren notwendig ist, auf weniger als ein Drittel reduzieren.
Für eine besonders unkritische Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens ist es vorteilhaft, wenn der Bereich der Teilchengrößenverteilung, von mehr als zwei Drittel der Teilchen innerhalb eines Bereichs liegt, der so groß ist wie der Durchschnittswert. Eine solche Festlegung der Teilchengrößenverteilung, die eine sehr einheitliche Struktur bereits der Keramikschichten aus dem ungesinterten Material gewährleistet, erleichtert die Festlegung der günstigsten VerfahreBsparameter.
Bei der Durchführung des Verfahrens kann mit einer Rate von bis zu mehreren hundert 0C pro Minute direkt bis zur Sintertemperatur erhitzt werden. Es wird selten praktisch sein, so rasch aufzuheizen, jedoch leuchtet ein, daß bei Aufheizraten, bei denen im praktischen Betrieb vernünftigerweise gearbeitet wird, und die bei 5O bis 1OO °C pro Minute liegen, das Aufheizen zur
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Sintertemperatur ganz im Gegensatz zu den bekannten Verfahren ganz unkritisch ist.
Es ist vorteilhaft, wenn innerhalb von einer halben Stunde von der Sintertemperatur bis etwa auf Raumtemperatur abgekühlt wird. Bei dieser kurzen Abkühlzeit werden gegenüber den bekannten Verfahren beim Abkühlen 2 1/2 bis 3 Stunden eingespart. Trotzdem hat diese verkürzte Abkühlzeit keinen negativen Einfluß auf die Qualität des Keramikmaterials.
Ein Produkt mit vorteilhaften Eigenschaften wird erzielt, wenn ein Gemisch aus Aluminiumoxid und dem Glasfrittenmaterial durch Mahlen auf eine durchschnittliche Teilchengröße von etwa 4 μ gebracht wird, wenn beim Brennen innerhalb einer halben Stunde von 20 auf 1500 0C erhitzt wird und nach einer Sinterzeit von 3 Stunden bei 1500 0C innerhalb einer halben Stunden wieder auf etwa Zimmertemperatur abgekühlt wird.
Die Erfindung wird anhand von durch Zeichnungen erläuterten Ausführungsbeispielen beschrieben. Es zeigen:
Fig. 1 in einem Diagramm einen Brennzyklus, wie er
bei bekannten Verfahren zur Herstellung von Keramikmaterialien Üblicherwelse durchfahren wird und bei dem bei einer bestimmten Temperatur eine bestimmte Zeit lang das Bindemittel abgebrannt/ bei einer bestimmten Temperatur und über eine bestimmte Zeit gesintert.wird und bei dem schließlich kontrolliert abgekühlt wird,
Fig. 2 in einem Flußdiagramm die wesentlichen Verfahrensschritte zum Herstellen von Keramikplatten entsprechend dem beschriebenen Verfahren,
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Fig. 3 in einem Diagramm den Brennzyklus wie er bei
den beschriebenen Verfahren angewandt wird, wobei, wie das Diagramm zeigt, der Schritt in den das Bindemittel abgebrannt wird, im wesentlichen eliminiert 1st,
Fig. 4 in stark vergrößerter Darstellung ein Ausschnitt
aus der Keramikplatte aus ungesintertem Material vor dem Brennen,
Fig. 5 ein Querschnitt durch die in Fig. 4 gezeigte
Darstellung entlang der Linie 5-5,
Fig. 6 die in Fig. 4 gezeigte Struktur nach dem Brennen,
Fig, 7 einen Querschnitt durch die in Fig. 6 gezeigte
Darstellung entlang der Linie 7-7, und
Fig. 8 in einem Diagramm die Teilchengrößenverteilung,
die zur Herstellung der Keramikplatten entsprechend dem beschriebenen Verfahren notwendig ist.
Fig. 2 illustriert in einem Fiußdiagramm in allgemeiner Form die Verfahrenschritte zum Hersteilen des Keramikmaterials entsprechend dem beschriebenen Verfahren. Zu Beginn werden im Verfahrensschritt Nr. 10 die Teilchengrößen eines hochprozentigen Aluminiumoxidpulvers und des Pulvers aus dem Glasfrittenmaterial in einem Mahlschritt unter Verwendung konventioneller Vorrichtungen, wie z.B. einer Kugelmühle, oder einer Mühle, die mit einem Vibrator arbeitet, in den gewünschten Größenbereich gebracht. Das Mahlgut wird dann im Verfahrensschritt 12 getrocknet. Details des Mahlschritts soweit sie die richtige Teilchengrößenverteilung betreffen, werden erst weiter unten ausführlicher besprochen, denn die Fig. 2 führt die notwendigen Verfahrensschritte zur Herstellung des Keramikmaterials nur in allgemeiner Form an. Im Verfahrens-
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schritt 14 wird ein geeignetes organisches Bindend.ttel bereitet. Ebenso wie bei den bekannten Verfahren wird auch bei dem hier beschriebenen Verfahren ein Bindemittel verwendet, daß aus einem organischem Material, wie z.B. Polyvinglbutyral, einem Weichmacher, wie z.B. Dioctylphtalat, und einem organischen flüchtigen Lösungsmittel, wie z.B. einem Toluol-Alkohol-Gemisch und Cyclohexanon, besteht.
Hochprozentiges Aluminiumoxid-Pulver (Al-O.) ist im Handel erhältlich und besteht z.B. im wesentlichen aus 9 9,6 % Al3O3 und 0,4 % Na_O. Ein brauchbares Glasfrittenmaterial, das besonders geeignet ist, besteht im wesentlichen aus: 23,72 Gewichtsprozent Talk, das unter dem Handelnamen Ceramitalc erhältlich ist, 6 2,77 Gewichtsprozent Kaolin, das unter dem Handelsnamen Kaolin-Ajax P erhältlich ist, 2,66 Gewichtsprozent gebranntem SiO , das unter dem Handelsnamen Cab-O-Sil erhältlich ist und 10,83 Kalziumkarbonat.
Die Gießmasse aus den verschiedenen Bestandteilen wird im Verfahrensschritt 16 hergestellt und anschließend in dünne Schichten gegossen. Dann wird getrocknet, um die fertigen Keramikschichten aus ungesintertem Material herzustellen, wie der Verfahrensschritt 18 illustriert. Im Verfahrensschritt 20 werden in die getrockneten Keramikschichten aus ungesintertem Material durchgehende Löcher eingebracht, welche die Verbindungen zwischen verschiedenen Metallisierungsebenen aufnehmen sollen, sofern die keramische Schichten aus ungesintertem Material dazu benutzt werden sollen, eine mehrschichtige Keramikplatte mit verschiedenen Metallisierungsebenen herzustellen. Jedes gewünschte metallische Muster von elektrischen Verbindungen, unabhängig davon, ob das fertige Produkt ein- oder mehrschichtig sein soll, wird dann auf die keramische Schicht aus ungesintertem Material aufgebracht, beispielsweise, wie im Verfahrensschritt 22 gezeigt ist, mittels Siebdrucks. Mehrere gelochte und bedruckte Schichten von denen eine als Nr. 24 in der Fig. 2 dargestellt ist, werden dann, wie Verfahrensschritt 26 zeigt, laminiert und schließlich im Verfahrensschritt 28 gebrannt, um auf diese Weise eine mehrschich-FI 972 033
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tige Keramikplatte mit verschiedenen, untereinander verbundenen Metallisierungsebenen herzustellen.
Für eine detailliertere Beschreibung des Mahlens der Ausgangsmaterialien und des Brennens, die in den Verfahrensschritten 10 land 28 (siehe Fig. 2) in allgemeiner Form beschrieben worden sind, soll nun auf die Fign. 3-8 eingegangen werden. Während des Mahlens der Rohmaterialien ist es notwendig, Aluminiumoxidteilchen einer bestimmten festgelegten Größe herzustellen, ■damit beim Brennen direkt auf die Sintertemperatur gegangen werden kann, ohne vorher einen besonderen Bindemittel-Abbrenn-Schritt einzuschieben. Die ausgezogene Kurve 35 in der Fig. 8 illustriert die notwendige und kritische Teilchengrößenverteilung. Der Kurvenverlauf zwischen den Punkten 36 und 38 illustriert, daß die Teilchengrößen von 95 % der Partikel, die zum Herstellen der Keramikschichten aus nngesintertem Material benutzt werden, zwischen 1 und 10 μ liegen, Ss wurde weiter gefunden, daß es notwendig ist, daß die durchschnittliche Teilchengröße des ' hochprozentigen AluminiwmosdL&s von dem ausgegangen wird, größer als 1 μ sein muß. Diese Grenze" wird durch den Punkt 40 in der ausgezogenen Kurve repräsentiert. Ätas der ausgesogenen Kurve ergibt sieh, daß etwa 95 % der Teilchengrößen in einen Bereich ¥on ± 1 bis 2 μ um den durch "Punkt 40 repräsentierten Mittelwert liegen« Die gestrichelten 'Verteiluhgskurven 41 und 42 grenzen einen Bereich ein, innerhalb -dessen die Verteilungskurve der Teilchengrößen bei einer vernünftigen Durchführung des beschriebenen Verfahrens liegen sollte. Das Glasfrittenmaterial wird mit dem Aluminiumoxid gemahlen land hat am Ende des Mahlvorgangs, da es weicher ist wie das Aluminiumoxid, im wesentlichen die gleiche Teilchengrößenverteilung wie das Aluminiumoxid.
Wie die Fig. 4 und 5 zeigen, "enthalten die Keramikschichten aus ungesintertem'Material im Gewichtsverhältnis von etwa 10:1 aus einer Vielzahl von Aiuminiurooxtdtelichen 44 und Teilchen 46 aus dem Glasfrittenmaterial« Zwischen älesian Teilchen gibt es ein® VielsaJal von Lütikesi 4Be doren Volmt&n hauptsächlich clnarch die durchschnittliche l?©i-lchengs60env©E:tellung der iU.umin±umoxid-FI-2^72 033 . ■
teilchen 44 und des Glasfrittenmaterials definiert ist. Vor dem Brennen sind die vielen Lücken 48 mit dem organischen Bindemittel 50 ausgefüllt. Indem entsprechend der ausgezogenen Kurve 35 in der Fig. 8 die Teilchengrößenverteilung sorgfältig kontrolliert wird, haben die Lücken 48 ein ausreichendes Volumen, um ein schnelles Entfernen des Bindemittels beim Aufheizen der Keramikschichten aus ungesintertem Material auf die Sinterungstemperatur zu ermögliehen. Eine Teilchengrößenverteilung, wie sie die gestrichelte Kurve 42 in der Fig. 8 illustriert, würde bewirken, daß winzige Aluminiumoxidpartikel sich in den Lücken ablagern würden, die von den größeren Teilchen gebildet werden. Bei einem solchen Aufbau des ungesinterten Materials werden die Keramikschichten zerplatzen, wenn sie direkt auf die Sintertemperatur erhitzt werden. Auf der anderen Seite ist ein Keramikmaterial mit übermäßig großen Telichengrößen - eine solche Teilchengrößenverteilung liegt links von der gestrichelten Kurve 41 in der Fig. 8-unerwünscht und erfordert eine extrem hohe Sintertemperatur, die wesentlich über dem Bereich um 1500 0C liegt, bei dem heute üblicherweise Keramikmaterialien aus hochprozentigem Aluminiumoxid gesintert werden. Darüberhinaus zerstören extrem hohe Sintertemperaturen die meisten metallurgischen Systeme, die für die Herstellung von Leiterzügen auf Aluminiumoxidsubstraten benutzt werden.
Eine repräsentative Brennkurve 51 zum Herstellen von Keramikplatten entsprechend dem beschriebenen Verfahren, wobei die Stufe des Bindemittel-Abbrennens im wesentlichen eliminiert ist, zeigt die Fig. 3. Die Temperatur wird anfänglich von etwa 20 C auf 1500 0C in etwa 30 Minuten angehoben. Das Keramikmaterial wird dann bei seiner Sintertemperatur etwa 3 Stunden lang gehalten und anschließend innerhalb etwa einer halben Stunde wieder auf Raumtemperatur abgekühlt. Solche Temperatursteigerungen von 50 0C pro Minute haben sich als günstig herausgestellt. Es ist aber auch ohne weit«
zuheizen.
ohne weiteres möglich, mit einer Rate von 400 0C pro Minute auf-
Beim,Brennen entsteht ein Keramikmaterial, wie es schematisch in FI 972 033
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den Fign. 6 und 7 dargestellt ist. Das gebrannte Substrat besteht aus einer Vielzahl von gesinterten Keramikteilchen 6O und dem Glasfrittenmaterial 62, das die Lücken der Struktur ausfüllt. Das organische Bindemittel, das in dem ungesintertem Material, das in den Fign. 4 und 5 dargestellt ist, enthalten ist, wird schnell, während das Keramikmaterial auf seine Sintertemperatur erhitzt wird, oxydiert und/beziehungsweise vergast.
Die gebrannten Aluminiumoxidteilchen, die in den Fign. 6 und 7 dargestellt sind, haben im vergleich zu den in den Fign. 4 und 5 dargestellten Teilchen eine leicht unregelmäßige Gestalt. Dies ist darauf zurückzuführen,, daß eine leichte chemische Reaktion zwischen dem Glasfrittenmaterial und den Aluminiumoxidteilchen, bei der Durchführung des beschriebenen Verfahrens unter den geschilderten Bedingungen bei etwa 1500 0C stattfindet. Obwohl der in der Fig. 3 gezeigte Brennzyklus eine anfängliche Heizungsrate von 50 0C pro Minute als bevorzugt angibt, sei klargestellt, daß auch bei anfänglichen Heizungsraten von 400 0C pro Minute bis zu einer Temperatur von 1400 0C in einer trockenen und in einer feuchten (Taupunkt bei 25 0C) Formiergasatmosphäre erfolgreich gesintert wurde, ohne daß die laminierten Platten sich in die einzelnen Schichten auflösten oder zersprangen.
Andere Keramikschichten, aus ungesintertem Material die im wesentlichen, wie es oben beschrieben wurde, aus hochprozentigen Aluminiumoxidpartikeln und einem Glasfrittenmaterial bestanden, wurden erfolgreich in einer nassen Formiergäsatmosphäre mit einem Taupunkt von 25 0C gebrannt. Dabei wurde das ungesinterte Keramikmaterial am Anfang mit einer Steigerungsrate von 50 0C pro Minute von 20 °C auf 15 30 0C innerhalb von 30 Minuten erhitzt und dann bei der Sinterungstemperatur von 1530 0C etwa eine Stunde lang gehalten. Anschließend wurde die Struktur von 1530 0C auf etwa 2O °C in 30 Minuten abgekühlt. Gute Resultate wurden erzielt mit Teilen, deren Abmessungen sich im Bereich 1,7 χ 1,7 χ 0,21 cm und 2,57 χ 2,57 χ 2,19 cm bewegten. Diese speziellen Proben hatten im gebrannten Zustand eine Dichte von etwa 3,57 Gramm pro
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cm und die Schrumpfung während des Brennens lag zwischen 13,2 und 15,5 %. Die erwähnten Abmessungen sind nur beispielhaft, da das beschriebene Verfahren ebenso auf größere Teile anwendbar ist, solange ein thermischer Schock vermieden wird.
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Claims (8)

  1. - 12 PATENTANSPRÜCHE
    Verfahren zum Herstellen von Keramikplatten, bei dem ein < Pulver aus einem Keramikmaterial und einem Glasfrittenmaterial mit einem organischen Bindemittel vermengt wird und bei dem aus diesem Gemenge Schichten erzeugt werden, die nach der Behandlung entsprechend dem angestrebten Verwendungszweck gebrannt und anschließend wieder abgekühlt werden, dadurch gekennzeichnet, daß ein Pulver aus dem keramischen Material und dem Glasfrittenmaterial mit einer durchschnittlichen Teilchengröße zwischen 1 und etwa 25 μ und mit einer Teilchengrößenverteilung mit einem engen Bereich verwendet wird, daß beim Brennen direkt auf die Sintertemperatur erhitzt und nach dem vollständigen Sintern rasch abgekühlt wird.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
    der Bereich der Teilchengrößenverteilung von mehr als zwei Drittel der Teilchen innerhalb eines Bereichs liegt, der so groß ist wie der Durchschnittswert.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
    daß mit einer Rate von bis zu mehreren 1OO 0C pro Minute direkt bis zur Sintertemperatur erhitzt wird.
  4. 4. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß in einem Bereich zwischen 1500 und 1550 C je nach der Temperatur und der durchschnittlichen Teilchengröße bis zu 4 Stunden gesintert wird.
  5. 5. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß innerhalb von einer halben Stunde von der Sintertemperatur bis etwa auf Raumtemperatur abgekühlt wird.
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  6. 6. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß als keramisches Material hochprozentiges Aluminiumoxid verwendet wird.
  7. 7. Verfahren nach den Ansprüchen 2, 3, 4, 5 und 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Gemisch aus Aluminiumoxid und dem Glasfrittenmaterial durch Mahlen auf eine durchschnittliche Teilchengröße von etwa 4μ gebracht wird, daß beim Brennen innerhalb einer halben Stunden von 20 auf 1500 0C erhitzt wird und daß bei 1500 0C drei Stunden lang gesintert wird.
  8. 8. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 7, gekennzeichnet durch seine Anwendung beim Herstellen von mehrschichtigen, dielektrischen Keramikplatten mit verschiedenen, untereinander verbundenen Leiterzugebenen.
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DE2364242A 1972-12-29 1973-12-22 Keramikplatten und ihre Verwendung Expired DE2364242C2 (de)

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