DE2357332A1 - Integrierte schaltung - Google Patents

Integrierte schaltung

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DE2357332A1
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Germany
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transistor
supply voltage
epitaxial layer
integrated circuit
emitter
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Pending
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DE2357332A
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German (de)
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Edward Clive Bee
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Texas Instruments Inc
Original Assignee
Texas Instruments Inc
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D89/00—Aspects of integrated devices not covered by groups H10D84/00 - H10D88/00
    • H10D89/211—Design considerations for internal polarisation
    • H10D89/311—Design considerations for internal polarisation in bipolar devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D89/00—Aspects of integrated devices not covered by groups H10D84/00 - H10D88/00
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0177513A4 (en) * 1984-04-02 1986-04-15 Motorola Inc Integrated circuit and method for biasing an epitaxial layer.

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2514466B2 (de) * 1975-04-03 1977-04-21 Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart Integrierte halbleiterschaltung
NL176322C (nl) * 1976-02-24 1985-03-18 Philips Nv Halfgeleiderinrichting met beveiligingsschakeling.
DE2853116A1 (de) * 1978-12-08 1980-06-26 Bosch Gmbh Robert In monolithischer technik ausgefuehrtes widerstandselement
GB2174540B (en) * 1985-05-02 1989-02-15 Texas Instruments Ltd Intergrated circuits
GB9609276D0 (en) * 1996-05-07 1996-07-10 Plessey Semiconductors Ltd Integrated bipolar PNP transistors

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0177513A4 (en) * 1984-04-02 1986-04-15 Motorola Inc Integrated circuit and method for biasing an epitaxial layer.

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IT994442B (it) 1975-10-20
JPS501690A (en, 2012) 1975-01-09
GB1405503A (en) 1975-09-10
FR2217809A1 (en, 2012) 1974-09-06
CA985432A (en) 1976-03-09

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