DE2355701A1 - Verfahren zur herstellung von resistmasken - Google Patents
Verfahren zur herstellung von resistmaskenInfo
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- DE2355701A1 DE2355701A1 DE19732355701 DE2355701A DE2355701A1 DE 2355701 A1 DE2355701 A1 DE 2355701A1 DE 19732355701 DE19732355701 DE 19732355701 DE 2355701 A DE2355701 A DE 2355701A DE 2355701 A1 DE2355701 A1 DE 2355701A1
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Description
Verfahren zur Herstellung von Resist-Masken
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung
von PositiVi-Resist-Masken.
Die Bildung von ätzbeständigen Positiv-Resist-Masken oder Positiv-Photolackmasken
unter Verwendung von durch Strahlung zersetzbaren Polymeren und Copolymeren ist beispielsweise in der US-Patentschrift
3 535 137 beschrieben. Eine Polymerschicht wird auf eine
Unterlage aufgebracht, und die zur entfernenden TeILe der Schicht werden einem Elektronenstrahl oder einer anderen Strahlung ausgesetzt.,
der bzw. die eine Herabsetzung des Molekulargewichts des Polymeren in den der Energie ausgesetzten Bereichen bewirkt.
Das Polymere in den der Energie ausgesetzten Bereichen wird dann selektiv mit einer Lösungsmittelentwicklerlösung entfernt, die
bevorzugt das Material mit niedrigerem Molekulargewicht löst, wobei eine Polymerschutzschicht in einem Muster zurückbleibt, die
die nicht<=bestrahlten Bereiche bedeckt.
Solche Verfahren sind insbesondere zur Verwendung bei der Herstellung
von hochgradig dichten mikrominiaturisierten elektro-
409820/0897
«•Ρ··
nisohen integrierten Sehaltungsstrukturen wegen der hohen Auf«
lösung, die durch die Bestrahlung unter Verwendung eines Elektronenstrahls
erhältlich ist, brauchbar. Zur Herabsetzung der zur Bildung von Schaltungsstrukturen, unter Verwendung der Elek«
tronenstrahllithographie erforderlichen Zeit sind Polymere mit erhöhter
Strahlungsempfindlichkeit erwünscht.
Die vorliegende Erfindung betrifft nun ein Verfahren zur Her«
stellung von Resist«Masken und insbesondere zur Bildung von Posi«
tiv«Resist«Masken aus 01efin-Sehwefeldioxyd«Polymeren, beispiels«
weise durch Anwendung einer Bestrahlung mit einem Elektronenstrahl,
Erfindungsgemäss wird somit ein Positiv«Bestrahlungs«Resistverfahren
geschaffen, bei dem als Resistmaterial ein Klasse von Polymeren verwendet wird, deren'Instabilität sie bisher nur begrenzt
verwendbar machte. Diese Polymeren sind Po3=ysulfone« die durch
Umsetzung von Olefinen mit Schwefeldioxid hergestellt werden
können.
Ein Film aus Olefin«sulfon«polynierem wird bildweise mit ausreichender
Energie bestrahlt, um zu bewirken« dass sich die bestrahlten Bereiche des Polymerfilms zersetzen, um ein Positiv«
Resistbild zu erzeugen. Gemäss einer Ausführungsform der Er«
findung wird das Bild unter Verwendung eines Lösungsmittels, das die bestrahlten Bereiche des Films bevorzugt löst, entwickelt.
Gemäss einer anderen Ausführungsform der Erfindung werden die bestrahlten Bereiche des Films während der Bestrahlung verfluch«
tigt, so dass das Bild gleichzeitig bestrahlt und entwickelt wird.
Die Polymeren erfordern nur etwa 1/8 der Energiemenge, die erforderlich
ist, um beispielsweise Polymethylmethacrylat zu bestrahlen, und sind doch als ätzbeständige Maske zum Schutz der Unterlage
in den nlcht-bestrahlten Bereichen wirksam.
Polymere, die sich zur Verwendung bei dem erfinäungsgemässen Ver«
409820/0897
fahren eignen^ sind Polysulfone mit sich wiederholenden Einheiten
von 1:1 Olefinmonomerem zu SOg und 2s 1 olefinmonomerem zu SO« wie
folgt;
i]n « SO2^ wobei η ■ 1 oder» 2* Bevorzugt sind
beispielsweise Polsmiere des
4 [C (R1H)-O (RgH) InSOg^, worin H1 ein Wassers toff atom oder
einen Alkyl·* oder Arylrest bedeutet oder zusammen mit R« ©inea.
cycloaliphatisehen Ring bildet und Rg ein Wasserstoffatom oder
einen Aryl« oder Alkylrest bedeutet oder mit R1, einen eycloali«
phatischen Ring bildet« Ein Beispiel für .n = 1 - ist Poly«[buten«»
(1)-sulfon]o Ein Beispiel für n.~ 2 ist Poly«(styrolsulfön).
Die Polymeren können durch Umsetzung von Olefinen mit Schwefel«
dioxyd erhalten iferdeno Di® Polymeren sind beispielsweise in
The Encyclopaedia of Polymer Technology "Olefin Sulfur Dioxide Polymers''^ Seite 460=485 und in Advances in Maoromoleoular Che«
mistry*. Band 1S Polysulfones? Organic and Physical Chemistry von
IvIn und Roses Seiten J35«4o6 beschriebene Die Polymeren sind
bei dem erfindungsgemägsen Verfahren infolge der relativen In«
Stabilität der Sulfonbindung und der Flüchtigkeit der Zersetzungs»
produkte brauchbare Dies ermöglicht eine Zersetzung der Polymeren mit geringen Energiemengen/ so dass das Verfahren aur Bildung des
Resistbilds rasch und mit geringem Energiebedarf durchgeführt wer*»
den kann«, Geeignete Sulfonpolymere sind diejenigen, die oberhalb Zimmertemperatur
stabil sind und deren Lösllchkeitseigenschaften j die Bildung von Filmen ermöglichen,, j
Die zur Verwendung bei dem erfindungsgemässen Verfahren bevor« J
zugten Sulfonpolymeren sind diejenigen, die von Olefinen der allgemeinen
Formel R1HO=GHRp stammen,, in der R. ein Wasser stoff atom
oder einen Alkyl« oder Arylrest bedeutet oder zusammen mit Rp !
einen cycloaliphatischen Ring bildet und Rp ein Wasserstoffatom
oder einen Aryl·=- oder Alkylrest bedeutet oder zusammen mit R.
einen cycloaliphatischen Ring bildet. Zu Beispielen für solche
409820/0B37
m 4 »
Öle fine gehören Buten« (1), Buten« (2), 4-Br cmbuten« (1}, Pent en« (1),
Cyclopentene(1), Hexen~(1) und Styrol. Polyisobutylensulfon hat
zwar die erforderliehe Instabilität, ist Jedoch in organischen Lösungsmitteln nicht löslich»
Die Polymeren können dureh radikallsehe Polymerisationen mit Schwefeldioxyd
hergestellt werden und haben Molekulargewichte im film«
bildenden Bereieh "/on etwa 5000 bis etwa 5 000 OCO (Oewiohtsdurchschnitt),
wobei Molekulargewicht© über etwa 50 000 bevorzugt sind.
Filme der Polymeren werden aus Löemigsmittellusungen der Polymeren
gegossen., deren Polymergehalt etwa 1 bis etwa 20 Gew.-%
beträgt. Geeignete Lösungsmittel sollten Siedepunkte haben, die unter dem Zersetzungspunkt des Polymeren liegen, um die Entfernung
des Lösungsmittels aus dem gegossenen Film durch Erhitzen zu ermöglichen. Beispiele für geeignete Lösungsmittel
sind organische Flüssigkeiten, wie beispielsweise Toluol^ Cyclohexanon, Benzol, Chlorbenaol, Butylacetat, Chloroform, Aceton,
Dioxan, Xylol, Methyläthylketon, Tetrahydrofuran, Cellosolveace«
tat, Cyclohexanon, Bimethylsulfoxyd und n-Butylacetat.
Die Filme können in verschiedenen Dicken von etwa 50 & bis etwa
ί 10 Mikron, wie es üblich ist, je naeh der beabsichtigten Verwendung
des Resistbilds gegossen werden. Beispielsweise ist eine Dicke · von etwa 0,5 bis etwa 2,0 Mikron für ein Ätzverfahren geeignet
und ©ine Dicke von etwa 1,5 bis etwa 3 Mikron für ein metallur«
gieehes Ablöseverfahren. Da® Giessve^fahrea 1st ein übliches,
wie beispielsweise ein Zeht^ifugalbesshichtungsverfahren oder
st be-vforaugfcs den Resistfilai ea &%·%>
Luift oder* wnt©r Vakuum
bei slner £emp2i?sfcur üblieli©F?;iei3@ @b®rhalb dex» dlas« oder Ein«
friertemperatui» des Polymeren, $®&®Qh unterhalb eier thermischen
ZersetzwngsteRspsratur vor^uerhitzen. Duroh das Vorerhitzen werden
Spuren von Lusungemlttel entfernt und jegliche Spannungen in
den Film auageitempsrt, Geeignete Erhits«ngetamperatur«n liegen im
40S820/0"8 97
raj«
Bereich von etwa 25 *C bis zu einigen Grad unter d©r>
gersatzungstemperatur
des Polymeren. . . :
Das Resistmaterial wird bildweis© bestrahlt, beispielsweise mit ;
Ultraviolettiiehfc* Elektronensteahlen» Röntgenstrahlen und Gammastrahlen,
die rasch eine Zersetzimg des Polymeren bewirken. Die Empfindlichkeit der Polymeren macht--sie besonders geeignet bei Ver« ;
fahren, bei denen mit einem Elektronenstrahl niedriger Energie j
von etwa TO bis etwa 20 keV mit Ladungsdlohten von etwa 1.10 C/m
bis etwa 1 C/om bestrahlt wirde Die erforderliche Dosierung kann
durch ,Erhitzen des Polymeren während des Bestrahiens herabgesetzt
werden.
i Die Endprodukte der Za^sttsuag dar Polysulfone sind die I
Monomeren, Schwefaldioxyd und v©r»a©hi©d@n© Polyrae^fraJctionen, so j
dass gemäss eines» .AusfUhrungsweis®· dar Srfiadtang dursh Verwen- i
dung von Bestrahlungsladungsdlc.ht@.n über ®twa 1-. 10 C/cm das i
Bild gleichzeitig bestrahlt vsaä ©atwick@lt werden kami«, Oemäss j
einer anderen Auafitirungsform dar Erfindwig wird das Bild unter i
Verwendung von Lösungsmitteln^ öi© bevorzugt die abgebauten Poly-!
meren mit niedrigerem Molekulargewicht in den bestrahlten Berei- j
chen des Films lösen, entwickelt„ Zu geeigneten IsÖsimgsmitteln I
gehören beispielsweise ToIuOl9 - Methyllsobutylketon» Butylacetat, j
Xylol, Cyclohexanon^ Cellosolv©ae©tati Benzol, Chlorbenzol, Äthanol, Methanol, Butanol vsnä Cyclohexanolo Die Entwicklungsrate
kann durch Erhitzen ©der Abkühlen des Lösungsmittels eingestellt werden.
Die Lösungsmittelentwioklung wird vorzugsweise bei einer TemperaJ
tür im Bereich von etwa 10 bis etwa 50*C durchgeführt. Es können;
odrel Arten von Lösungsmittelentwicklungsverfahren angewendet werden. Bei dem ersten wird ein gutes Lösungsmittel sowohl für das j
bestrahlte als auch das unbestrahlte Polymer® zur Erzielung erhöhter
Geschwindigkeit verwendet.Die Resistmaterialdicke wird so
eingestellt, dass trotz eines gewissen Verluste an nioht-bestrahl«·
tem Resistmaterial d@r zurückbleibende nieht-bestrahlte Resistfilm
diek genug ist* um die Unterlage während der anschl!essenden
409820/0897
Behandlung jsu schützen. Alternativ wird ein Lösungsmittel für
nur die bestrahlten Bereiche verwendet. Bei dem dritten Typ
von Entwicklung wird ein Gemisch von einem Lösungsmittel für sowohl das bestrahlte als auch das unfoestrahlte Polymere und einem
Lösungsmittel für nur das bestrahlte Polymere verwendet. Die
optimale Entwicklungszeit wird für jeden Fall durch die Paktoren
der Bestrahlungsdosierung, der Filmdicke, des Lösungsmittel^·- , staris und der Lösungsmittel temperatur in üblicher Weise bestimmt, i
nur die bestrahlten Bereiche verwendet. Bei dem dritten Typ
von Entwicklung wird ein Gemisch von einem Lösungsmittel für sowohl das bestrahlte als auch das unfoestrahlte Polymere und einem
Lösungsmittel für nur das bestrahlte Polymere verwendet. Die
optimale Entwicklungszeit wird für jeden Fall durch die Paktoren
der Bestrahlungsdosierung, der Filmdicke, des Lösungsmittel^·- , staris und der Lösungsmittel temperatur in üblicher Weise bestimmt, i
Das Resistbild erfordert kein Naoherhitzen und besitzt hohe !
Auflösungen von weniger als der Filmdicke. So lassen sich bei« :
spielsweise Bilder von 0,50 Mikron in einer Pilmdicke von 1,0
Mikron ausbilden und trennen. Das Polysulfonresistmaterial ist j für die Säuren, die, beispielsweise bei der Herstellung von Integrier« ten Schaltungen, verwendet we*rderv undurchlässig. Die Resistfilnie - besitzen jedoch eine geringe Ätzbeständigkeit gegen starkes Alka«; Ii (pH 14,0). " :
Mikron ausbilden und trennen. Das Polysulfonresistmaterial ist j für die Säuren, die, beispielsweise bei der Herstellung von Integrier« ten Schaltungen, verwendet we*rderv undurchlässig. Die Resistfilnie - besitzen jedoch eine geringe Ätzbeständigkeit gegen starkes Alka«; Ii (pH 14,0). " :
Die Resistfilme können durch Lösungsmittel von der Unterlage nach]
dem Ätzverfahren entfernt werden. Geeignete Lösungsmittel für !
diese Entfernung sind Lösungsmittel, wie beispielsweise alipha- j
tische und aromatische Kohlenwasserstoffe, Ketone und Acetate, j die auf etwa 21 bis 100*C erhitzt sind. Ein einziges Lösungs« j
mittel kann bei dem Verfahren als Oiesslösungsmittel, Entwickler
] und Entfernungsmittel durch Einstellung der Arbeitstemperatur
j dienen. So kann beispielsweise Toluol bei Zimmertemperatur zur j
! Aufbringung und Entwicklung des Reslstmaterials verwendet werden,,
und auf 50 *C erhitztes Toluol kann zur Entfernung des Resistmate-i
ί ί
S rials verwendet werden. \
I-
Die folgenden Beispiele, in denen die Teile Oewiohtsteile sind, j ; falls es nicht anders angegeben ist, dienen zur weiteren Erläuterung
der Erfindung. ί
• Beispiel 1
j
! Ein Buten-(1)»^3chwefeldioxyd«Copolymeres wird naoh der folgenden
j
! Ein Buten-(1)»^3chwefeldioxyd«Copolymeres wird naoh der folgenden
! "40982 07 0897
Arbeitsweise hergestellt3
56a1 g (1,0 MoI)' Buten«(1) und 192 g 0pö Mol) Soitmefeldloxyd
werden in einen § l«Parr«*H$ähraut0fclaven aus r©atfr@i@ra Stahl bsi
etwa ~78eC kondensierte .'Der Katalysator, 0*5 g (3*10°^ Mol)
Äzo^bis^isobutjronitrili wird dann zugegeben0 Da® Re&ktiosag©®
fass wird verschlossen und 18 Htwnd@n,bei etwa -1J-S0C erhitzte Danni tfird das Reaktionsgefäss auf Zimmertemperatur abgekühlt und ge« ι öffnet j, und der viskos® Inhalt wird in Chloroform gelöst» Die
ChloroforsilÖsung wird filtriert \md'daim tropfenifeise &u kaltem j Petroläther zisgegebenp vm ©in i-ieisses Polymeres ausgufäll@n0 !
etwa ~78eC kondensierte .'Der Katalysator, 0*5 g (3*10°^ Mol)
Äzo^bis^isobutjronitrili wird dann zugegeben0 Da® Re&ktiosag©®
fass wird verschlossen und 18 Htwnd@n,bei etwa -1J-S0C erhitzte Danni tfird das Reaktionsgefäss auf Zimmertemperatur abgekühlt und ge« ι öffnet j, und der viskos® Inhalt wird in Chloroform gelöst» Die
ChloroforsilÖsung wird filtriert \md'daim tropfenifeise &u kaltem j Petroläther zisgegebenp vm ©in i-ieisses Polymeres ausgufäll@n0 !
das durch EX<Bm<Bnt&F&n&,ly&<30 lnfrarot«Sp©ktro@kopi© und ltffl«Sp©ktrö»
skopi® als Fol^«[buten«(1 )«s«lfon3 ideatifizie^t
Di© Ärbeitgsijeis© von Bsispl©! 1 wurd© sur H©rst©ll«Bg ά©%>
folgen- j
den Sülfonpolpnsrsn ified@rh©ltg Poly«Eeis«but©n«(2)-sulfoaL Poly·*
• - ι {) wird nmh dex» f©lg©aö©a Arbeite» !
hergestellt § das Moaojaer©ö 135 S (V© Mol) ^«Brombuten»(1)j!
19g g-(Ji)O Mol) Sohw©f©ldio'3tyd wurden to @in©n 2 l«Parr-Rühr-|
autoklaven aus rostfreiem Stahl bei ©iner femperatur von 8e
vm.d d©r Katalysator^ 0p8 g (4*8..1Οβ* Mol)
vm.d d©r Katalysator^ 0p8 g (4*8..1Οβ* Mol)
j, wurd© zugegeben o Der Autoklav wurde versohlos-.
sen tand <iaxm 18 Stunden bei 450C ©rhitat« Das viskos© ■ Reaktions-
: gemisch ward© anschliessend iii 2^5 1 Methylalkohol gtgossan,- um
, ein weisses festes Produkt ©iisgufällen0 Das Polpi©3E°f wurde duroh tfied.erholtes Auflösen und Ausfällen aus Chlorofom/iMe&hanol gereinigt rad dann bei 300C is* Vakuum getrocknete Es wurden 8 g
■ weisses Polymeres erhalten«. Si© Glas temperatur betrug 36 eG.
Es wurde eine Elementaranalys© mit folgendem Ergebnis, berechnet
für (C^H7BrO2S)n* durchg©führts . ■
, ein weisses festes Produkt ©iisgufällen0 Das Polpi©3E°f wurde duroh tfied.erholtes Auflösen und Ausfällen aus Chlorofom/iMe&hanol gereinigt rad dann bei 300C is* Vakuum getrocknete Es wurden 8 g
■ weisses Polymeres erhalten«. Si© Glas temperatur betrug 36 eG.
Es wurde eine Elementaranalys© mit folgendem Ergebnis, berechnet
für (C^H7BrO2S)n* durchg©führts . ■
4 09820/0897. ; ''
«"t 8 "·
Berechnet: C - 24,13* H = 5,54, Br - 4O,14, S « 16,11, O - 16,O8 %
Gefundem
24,59
3,71
39,88
14,37
17*65
Die obigen Polymeren wurden weiter bezüglich ihrer Glastemperaturen,
dem Molekulargewicht und der Zersetzungs temperatur (tner*·
mogravimetrische Analyse unter Verwendung einer Du Pont-Thermowaage) mit den in der nachfolgenden Tabelle I gezeigten Ergebnissen charakterisiert.
| 64 | 125 | Molekular« gewicht |
|
| 47 | 110 | Mw 3 080 000 Mn 1 320 000 |
|
| Tabelle I | 36 | 110 | Mw 1 180 000 Mn 148 000 |
| Glastemperatur Einsetzen der Polymeres (Tg)*C termischen Zersetzung *C |
68 | 130 | met |
| Poly-[buten« (1)-sulfön] |
142 | 129 | «■»«· |
| Poly-[cis- buten-(2)- sulfön J |
60 122 |
115 | «•ff» |
| Poly-[4« brombuten«· (1)-sulfön] |
78 | 130 | Mw 611 500 |
| Poly-[penten- (1)-sulfön] |
Mw 366 000 | ||
| Poly-(cyclo» pentensuLfon) |
|||
| Poly- [hexen- (1)-sulfön] |
|||
| Poly·» [styroli· sulfon] |
|||
| Beispiel 3 |
8,0 g Poly-(i-butensulfon) (Molekulargewicht Mw 3.10 ) wurden in
72 ml Toluol gelöst und mit 3000 U/min durch Zentrifugieren bis zu
einer Dicke von 1,25 /U (12 500 i?) auf 5000 R thermisch erzeugtes
Sillclumoxyd gegossen. Der Film wurde an der Luft bei 95*C 1 Stunde
409820/0897
m 9 m
lang vorerhitzt. Der Film, wurde dann unter Vakuum mit einem
Strahl von 0,5 /U mit einer Dosierung von 3,0.10 C/em mit
15 keV bestrahlt. Dann wurde der Film in Methylisobutylketon ; 90 Sekunden bei 21*C entwickelt. Der bestrahlte Bereich wurde
Strahl von 0,5 /U mit einer Dosierung von 3,0.10 C/em mit
15 keV bestrahlt. Dann wurde der Film in Methylisobutylketon ; 90 Sekunden bei 21*C entwickelt. Der bestrahlte Bereich wurde
durch das Lösungemittel entfernt, wobei ein Positivbild erhalten j
wurde. Die in dem uribestrahlten Bereich zurückbleibende reine >
Filmdicke betrug 6200 Ä, Die Probe wurde in Methanol gespült und1
bei 95*C 10 Minuten lang getrocknet. Die 5000 $ Oxydsehicht wur«j
de mit'gepuffertem HF bei 210C geätzt, wobei 0,5 /U«Bilder für !
/ i
die Diffusionsdotierung erhalten wurden. Der Film wurde dann !
während mehrerer Minuten mit Aceton bei 40*C entfernt, wonach mit!
Alkohol und Wasser gespült wurde. Ein entsprechendes Verfahren j wurde zum Ätzen von Bildern in Siliciumoxyd unter Verwendung der j
nach den Arbeitsweisen der Beispiele 1 und 2 hergestellten Poly- ! meren angewendet, wie in der nachfolgenden Tabelle II gezeigt ist.
409820/089
| Giesslösung | TABELLE | II | Entwickler | Entfernungsmittel | |
| Polymeres | 7 #ig in Toluol |
Minimale Dosierung bei 15 keV |
Xylol bei 21*C | Tetrahydrofuran bei 50 *C |
|
| PoIy-[CiS- buten-(2)- sulfönj |
7 #ig in Toluol |
6,5.1O*"6 | Xylol bei 21#C | Tetrahydrofuran bei 50 eC |
|
| Poly-[4- j^. brombuten- o (1)-sulfon] |
7 #ig in Toluol |
7*0.10"6 | Butylacetat bei 21 mC |
Tetrahydrofuran bei 50 *c |
|
| CD oo Poly-[penten- ^° (i)-sulfon] |
7 ^ig in Toluol |
5,0.10"6 | Cellosolveacetat bei 21 *C |
Tetrahydrofuran bei 50 *C |
|
| co penten- iD sulfon) |
8 #ig in Toluol |
4,5.10"6 | Cellosolveacetat bei 21 #C |
Tetrahydrofuran bei 50 *C |
|
| Poly-[hexen- (1)-sulfon] |
7 #ig in Cyclohexanon |
6,5.10"6 | Cyclohexanon bei 21 *C |
Cyclohexanon bei 50 "C |
|
| Poly-(styrol- sulfon) |
3,0.1O*"6 | ||||
« 11 .
Wenn es sich um ultradünne Filme handelt, d.h. mit Dioken £ 0»
dann.muss ein Verlust an nicht-bestrahltem Resistmaterial während
der Flüssigkeitsentwiöklung vermieden werden. Gemäss einer Aus« führungsform des erfindungsgemässen Verfahrens wird die Tatsache
ausgenutzt, dass dia Olefln^Schwefeldioxyd-Polymeren in den
«κ ρ
bestrahlten Bereichen bei Dosierungen von etwa 1.10 C/cm
im Vakuum verdampft i^erden können. Dies ist ein Mittel zur Aus« :
schaltung der Flussigkeitsentwicklunga da die zersetzten Monomer*»
komponenten des Polymeren gleichzeitig mit der Bestrahlung ent« fernt werden*
409 8 207 0-89
Claims (18)
1. Verfahren zur Herstellung einer Resistmaske, dadurch gekennzeichnet,
dass ein Film aus einem Olefin-sulfon-polymerem auf der Oberfläche einer Unterlage gebildet wird und dass der Film
bild- oder mustermässig so ausgebildet wird, dass ein Teil der Oberfläche freigelegt wird, wobei die bild- oder mustermässige
Ausbildung das Bestrahlen von Teilen des Films mit zersetzender Strahlung umfasst.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Bestrahlung mit Elektronen mit einer Energie von 10 bis 30 keV
durchgeführt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Bestrahlung mit einem fokussierten Abtastelektronenstrahl mit
einer Ladungsdichte von 1.10 · bis 1 C/cm vorgenommen wird.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass eine Ladungsdichte von zumindest 1.10"3 C/cm angewendet wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet,
dass ein Film aus einem Olefin-sulfon-polymeren auf einer Unterlage gebildet wird, Teile des Films mit Strahlung bei
einem ausreichenden Bestrahlungspegel, um das Polymere in den bestrahlten
Teilen zu zersetzen, bestrahlt wird und anschliessend die bestrahlten Bereiche des Films entfernt werden.
6. Verfahren nach Anspruch 5» dadurch gekennzeichnet, dass die Entfernung durch Auflösen der bestrahlten Bereiche mit einem
Lösungsmittelentwickler vorgenommen wird.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5» dadurch gekennzeichnet,
dass ein Film aus einem Olefin-sulfon-polymeren auf einer Unterlage gebildet wird und Teile des Films duroh bildweises Bestrahlen
des Films mit Elektronen mit einer Energie von 10 bis 30 keV
409820/0897
mit einer Ladungsdichte über 1.10"^ C/cmS, die ausreicht, um das ·
Polymere in den bestrahlten Teilen zu seinen monomeren Komponenten zu zersetzen, entfernt wird.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeich«-
net, dass auf einer Unterlage ein Film aus einem Öle fin-sulfonpolymeren
gebildet wird, das sich wiederholende Einheiten ■f [C(R1H)-C(RgH)InSOg^ aufweist, worin η den Wert 1 oder 2 darstellt, R1 ein Wasserstoffatom oder einen Alkyl« oder Arylrest be*·
deutet oder zusammen mit Rg einen cycloaliphatlschen Ring bildet
und Rg ein Wasserstoffatom oder einen Aryl- oder Alkylrest be«
deutet oder zusammen mit R1 einen eycloaliphatischen Ring bildet,
und der Film bildweise mit Elektronen mit einer Energie von 10 bis J>Q keV und einer Ladungsdichte von 1.10 bis 1 C/cm bestrahlt wirde
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass an«
schliessend die bestrahlten Bereiche des Films mit einem Lösungsmittelentwickler
entfernt werden,
10. Verfahren nach Anspruch 9* dadurch gekennzeichnet, dass das
Polymere Poly-[buten«(1)«sulfon3 ist.
11. Verfahren nach Anspruch 9» dadurch gekennzeichnet, dass das
Polymere Poly«[cis-buten«(2)«sulfon] ist.
12. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass das Polymere Poly«[4-brombuten«(1)«sulfon] ist.
13. Verfahren nach Anspruch 9,dadurch gekennzeichnet, dass das
Polymere Poly-[penten-(1)~sulfon] ist.
14. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass das
Polymere Poly»(cyclopentensuifon) ist.
15. Verfahren nach Anspruch 9* dadurch gekennzeichnet, dass
das Polymere Poly-[hexen«(1)«sulfon] ist.
409820/08 9 7
16. Verfahren nach Anspruch 9* dadurch gekennzeichnet, dass das Polymere Poly-(styrolsulfon) 1st.
17. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass eine
Ladungsdichte von über I.10"* C/cm angewendet wird.
18. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass der
Film durch Lösungsmittelbesohichtung aufgebracht wird, der durch
Lösungsmittelbeschiohtung aufgebrachte Film zur Entfernung des Lösungsmittels erhitzt wird, der Film mit einem fokussierten
Abtastelektronenstrahl bestrahlt wird und die bestrahlten Bereiche des Films durch Eintauchen des Films in ein Lösungsmittel entfernt
werden.
4098 2 0/0897
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US30623472A | 1972-11-13 | 1972-11-13 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2355701A1 true DE2355701A1 (de) | 1974-05-16 |
Family
ID=23184410
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19732355701 Pending DE2355701A1 (de) | 1972-11-13 | 1973-11-07 | Verfahren zur herstellung von resistmasken |
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|---|---|
| JP (1) | JPS4979525A (de) |
| CA (1) | CA1286905C (de) |
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1973
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| DE19917790A1 (de) * | 1999-04-20 | 2000-11-02 | Hoechst Trespaphan Gmbh | Biaxial orientierte Folie für die Herstellung von Keramikkondensatoren |
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| GB1421805A (en) | 1976-01-21 |
| FR2206527B1 (de) | 1978-01-13 |
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