DE2355405A1 - Verfahren zur herstellung einer referenzdiode und nach dem verfahren hergestellte referenzdiode - Google Patents
Verfahren zur herstellung einer referenzdiode und nach dem verfahren hergestellte referenzdiodeInfo
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR7239350A FR2205746B1 (enExample) | 1972-11-07 | 1972-11-07 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2355405A1 true DE2355405A1 (de) | 1974-05-16 |
Family
ID=9106749
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19732355405 Pending DE2355405A1 (de) | 1972-11-07 | 1973-11-06 | Verfahren zur herstellung einer referenzdiode und nach dem verfahren hergestellte referenzdiode |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| BE (1) | BE807001A (enExample) |
| DE (1) | DE2355405A1 (enExample) |
| FR (1) | FR2205746B1 (enExample) |
| GB (1) | GB1442838A (enExample) |
| IT (1) | IT996388B (enExample) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2756268A1 (de) * | 1976-12-23 | 1978-06-29 | Hitachi Ltd | Temperaturkompensierte bezugsspannungsdiode |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2501914A1 (fr) * | 1981-03-13 | 1982-09-17 | Thomson Csf | Diode zener 4 a 8 volts fonctionnant en avalanche a faible niveau de courant et procede de fabrication |
| DE3930697A1 (de) * | 1989-09-14 | 1991-03-28 | Bosch Gmbh Robert | Steuerbare temperaturkompensierte spannungsbegrenzungseinrichtung |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR1522532A (fr) * | 1967-03-17 | 1968-04-26 | Europ Des Semiconducteurs Soc | Perfectionnements aux diodes zener |
-
1972
- 1972-11-07 FR FR7239350A patent/FR2205746B1/fr not_active Expired
-
1973
- 1973-11-06 DE DE19732355405 patent/DE2355405A1/de active Pending
- 1973-11-06 IT IT53523/73A patent/IT996388B/it active
- 1973-11-07 BE BE137477A patent/BE807001A/xx unknown
- 1973-11-07 GB GB5173373A patent/GB1442838A/en not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2756268A1 (de) * | 1976-12-23 | 1978-06-29 | Hitachi Ltd | Temperaturkompensierte bezugsspannungsdiode |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2205746B1 (enExample) | 1976-04-30 |
| FR2205746A1 (enExample) | 1974-05-31 |
| BE807001A (fr) | 1974-03-01 |
| GB1442838A (en) | 1976-07-14 |
| IT996388B (it) | 1975-12-10 |
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