DE2355405A1 - Verfahren zur herstellung einer referenzdiode und nach dem verfahren hergestellte referenzdiode - Google Patents

Verfahren zur herstellung einer referenzdiode und nach dem verfahren hergestellte referenzdiode

Info

Publication number
DE2355405A1
DE2355405A1 DE19732355405 DE2355405A DE2355405A1 DE 2355405 A1 DE2355405 A1 DE 2355405A1 DE 19732355405 DE19732355405 DE 19732355405 DE 2355405 A DE2355405 A DE 2355405A DE 2355405 A1 DE2355405 A1 DE 2355405A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
elevation
substrate
layer
semiconductor material
conductivity type
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19732355405
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Henri Valdman
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Thales SA
Original Assignee
Thomson CSF SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Thomson CSF SA filed Critical Thomson CSF SA
Publication of DE2355405A1 publication Critical patent/DE2355405A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07FACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F3/00Compounds containing elements of Groups 2 or 12 of the Periodic Table
    • C07F3/003Compounds containing elements of Groups 2 or 12 of the Periodic Table without C-Metal linkages
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00Subject matter not provided for in other groups of this subclass

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
DE19732355405 1972-11-07 1973-11-06 Verfahren zur herstellung einer referenzdiode und nach dem verfahren hergestellte referenzdiode Pending DE2355405A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR7239350A FR2205746B1 (enExample) 1972-11-07 1972-11-07

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE2355405A1 true DE2355405A1 (de) 1974-05-16

Family

ID=9106749

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19732355405 Pending DE2355405A1 (de) 1972-11-07 1973-11-06 Verfahren zur herstellung einer referenzdiode und nach dem verfahren hergestellte referenzdiode

Country Status (5)

Country Link
BE (1) BE807001A (enExample)
DE (1) DE2355405A1 (enExample)
FR (1) FR2205746B1 (enExample)
GB (1) GB1442838A (enExample)
IT (1) IT996388B (enExample)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2756268A1 (de) * 1976-12-23 1978-06-29 Hitachi Ltd Temperaturkompensierte bezugsspannungsdiode

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2501914A1 (fr) * 1981-03-13 1982-09-17 Thomson Csf Diode zener 4 a 8 volts fonctionnant en avalanche a faible niveau de courant et procede de fabrication
DE3930697A1 (de) * 1989-09-14 1991-03-28 Bosch Gmbh Robert Steuerbare temperaturkompensierte spannungsbegrenzungseinrichtung

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1522532A (fr) * 1967-03-17 1968-04-26 Europ Des Semiconducteurs Soc Perfectionnements aux diodes zener

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2756268A1 (de) * 1976-12-23 1978-06-29 Hitachi Ltd Temperaturkompensierte bezugsspannungsdiode

Also Published As

Publication number Publication date
FR2205746B1 (enExample) 1976-04-30
FR2205746A1 (enExample) 1974-05-31
BE807001A (fr) 1974-03-01
GB1442838A (en) 1976-07-14
IT996388B (it) 1975-12-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2109874C3 (de) Halbleiterbauelement mit einem monokristallinen Siliziumkörper und Verfahren zum Herstellen
DE1764281C3 (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung
DE1246890B (de) Diffusionsverfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements
DE1947300A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Kapazitaetsdioden durch selektive Diffusion im UEbergangsgebiet
DE2335799A1 (de) Sperrschicht-feldeffekttransistoren in dielektrisch isolierten mesas
DE2328090C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterkondensators
DE2019655C2 (de) Verfahren zur Eindiffundierung eines den Leitungstyp verändernden Aktivators in einen Oberflächenbereich eines Halbleiterkörpers
DE1564191B2 (de) Verfahren zum herstellen einer integrierten halbleiterschaltung mit verschiedenen, gegeneinander und gegen ein gemeinsames siliziumsubstrat elektrisch isolierten schaltungselementen
DE1764155B2 (de) Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes aus einem Siliciumkörper
DE2500775B2 (de) Hochspannungsfestes planares Halbleiterbauelement
DE1964837C3 (de) Verfahren zur Herstellung einer lichtemittierenden Halbleiterdiode
DE2627355C3 (de) Lichtemittierende Festkörpervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
DE1564940B1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halb leiteranordnung sowie danach hergestellte Anordnung, insbesondere Transistor
DE2010448A1 (enExample)
DE2114363A1 (de) Spannungsvariabler Kondensator mit erweiterbarem pn-Übergangsbereich
DE2355405A1 (de) Verfahren zur herstellung einer referenzdiode und nach dem verfahren hergestellte referenzdiode
DE2501074A1 (de) Transistoreinrichtung und verfahren zu ihrer herstellung
EP1050076A1 (de) Verfahren zur herstellung von dioden
DE2325351C3 (de) Verfahren zur Herstellung von Siliziumgleichrichtersäulen mit hoher Durchbruchsspannung
DE2460653C2 (de) Verfahren zur Erzeugung dünner, Halbleitervorrichtungen enthaltender Siliciumschichten auf einem dielektrischen Substrat
DE1285625C2 (de) Verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements
DE3831555A1 (de) Verfahren zum herstellen einer halbleitervorrichtung
DE2049696C3 (de) Halbleiterbauelement und Verfahren zum Herstellen
DE2511487C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines vertikalen Sperrschicht-Feldeffekttransistors
DE19908399B4 (de) Verfahren zur Herstellung von Mehrschichtdioden oder Thyristoren mit Emitterkurzschlusstruktur

Legal Events

Date Code Title Description
OHN Withdrawal