DE2354552A1 - Niederfrequenz-leistungsverstaerker - Google Patents

Niederfrequenz-leistungsverstaerker

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DE2354552A1
DE2354552A1 DE19732354552 DE2354552A DE2354552A1 DE 2354552 A1 DE2354552 A1 DE 2354552A1 DE 19732354552 DE19732354552 DE 19732354552 DE 2354552 A DE2354552 A DE 2354552A DE 2354552 A1 DE2354552 A1 DE 2354552A1
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Description

PATENTANWÄLTE
Berlin, den 29. Oktober 1973 Niederfrequenz-Leietungeverstärker
Die Erfindung betrifft Niederfrequenz-Leistungeverstärker mit einer Niederfrequenz-Leistnngs-Verstärkerstufe, die mit Leietunge-Feldeffekt-Transistoren ausgerüstet sind, deren Kollektorspannung/Kollektorstromkenndaten den statischen Anodenspannung/Anodenetromkenndaten einer Triodenröhre (hiernach als Triodenkenndaten bezeichnet) ähnlich sind« Diese Ausführung erlaubt ee, die Stromkreisaueführung einer Treiberstufe zum Treiben des Leietungeverstärkerkreiseβ zu vereinfachen und ebenfalls Töne hoher
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Güte in Hi-Fi-Qualität wiederzugeben.
Die Niederfrequenz-Leistungsveretärker geiiis dai Stand der Technik lassen sich ie grossen und ganzen in zwei Arten aufteilen, nämlich in solche mit Elektrodenröhren und solche ait Transistoren. Die Niederfrequenz-RShren-Leistungsverstärker schliessen solche mit Pentoden und solche mit Trioden ein.
Bei der Verwendung von Pentoden IKsst sich eine grosse Verstärkung und hohe Leistung erreichen« us grosse Verstärkerleistung zu erreichen. In diesem Fall traten jedoch Probleme bezüglich der Nichtlinearität τοη Pentoden auf, wodurch es zu vielen ungeraden harmonischen Verzerrungen am Verstäräkerausgang kommt, was vom akustischen Standpunkt unerwünscht ist. Ebenfalls muss in diesem Falle infolge des grossen Innenwiderstandee der Pentode ein Ausgangstransformator verwendet werden. Dies stellt ebenfalls einen Faktor für die Erzeugung von Verzerrungen dar. Ausserdem zwingt die Verwendung eines Ausgangetranaformators su Beschrankungen in Bezug auf geringe Grosse und kleines Gewicht·
Andererseits bietet die Verwendung von Trioden gegenüber den Pentodenveritärker eine bessere Linearität, ao dass geringere negative Gegenkopplung erforderlich ist, um einen kleineren Verserrungsfaktor zu erreichen. Auch kann in diesem Fall der Ausgangstransformator weggelassen werden, da der
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Innenwiderstand einer Tri©d® geringer ist als der einer Pentode» Weiterhin bilden gerade haffBs®jais©he- Verzerrungen den Hauptanteil der Verzerrungen des VerstMrlserauegangee· De dlem· geringere» nachteilig®, akuetisehe Effekte zeigen, lässt sieh ein Ton besserer Qualität wiedergeben« Jedoch igt der innere Widerstand der Triode doch verhältnismäßig ι hoch, obgleich er, verglichen mit einer Pentode, relativ niedrig ist. Auch ist es notwendig, in hohem Masse eine negative Gegenkopplung zu schaffen, wenn der Ausgangstransformator weggelassen wird, wodurch sich Probleme hinsichtlich der Übergangskenndaten ergeben.
Schliesslich benötigt der Röhrenverstärker, ganz gleich, ob alt Pentoden oder Trioden bestückt, Heizspannung, wodurch sich ein erhöhter Kraftbedarf ergibt und es zu Beschränkungen hinsichtlich der geringen Grosse könnt.
Beim Transistor-Leistungsverstärker lässt sich die Verminderung von Grosse und Gewicht und auch ein verringerter Energiebedarf verwirklichen. Jedoch hat der Transistor Verzerrungekenndaten, die denen der Pentode ähnlich sind» die hauptsächlich aus ungeraden, harmonischen Verzerrungen bestehen. Daher ist dia Güte des wiedergegebenen Tons geringwertiger als bei einem Leistungsverstärker mit einer Triodenröhre, so dass der Translstor-Leistungsverstärker für einen hochwertigen Hiederfrequenz-Leistuiägsveretärker mit Hi-Fi-Tonqualität ungeeignet ist.
Hauptaufgabe der vorliegenden Erfindung ist gemäss den oben-
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erwähnten Gesichtspunkten die Schaffung ein·* Niederfrequenz· Lelstixngeverst&rkers, der es ermöglicht, Töne hoher Qualität wiederzugeben und zwar bei verringerten, ungeraden, harmonischen Anteilen, der gleiehoraassen eine .Vereinfachung dos Stroakreises erlaubt sowie ein· geringe Grosse und kleines Gewicht aufweist; dies sind die Vorteile des Transistor-LelstungaverstKrkers·
Die Lösung dieser Aufgabe ergibt sich aus Anspruch 1·
Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist die Schaffung eines Niederfrequenz-LeistungsverstSrkers, bei welchesi die letzte LeistungeveretSrkeretufe sit Leistungs-Feldeffekt-Transistoren ausgerüstet ist (hiernach als Leistung*-FETs bezeichnet), di© Triodenkensida ten aufweisen und es hierdurch erlauben, eine bisherige Spannungeverstfirkerstufe und eine Treiber stufe als ®is*e einsige Stufe auszuführen·
Sine weitere Aufgabe der Erfindung ist die Schaffung «ines Kiederfrequenss-Leistungsver stärkere, bestehend aus einem Paar Laistunge-FETs, die Triodenkenndaten aufweisen und den LaistuageirerstSrkerkrei* al® letzte Stufe bilden, und au· einen gewöhnlichen FET, der einen SpannungsrerstMrkerkreis bildet »tEB. Treiben «isae® LeistungeveretSrkerkreises· -
Sine weitere Aufgab® der Erfindung ist die Schaffang eines Ni©(Serfrequmz-Leist^nge^®rstärkerst bestehend au· Spannungs~ verstSs-kerstufeis, di® all® as it gewöhnlichen FITs und eines
ale letzte Stufe aufgebaut sind,
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die wiederum ait einen Paar FETa aufgebaut sind5 die Triodenkenndaten enfweieen.
Eise weitere Aufgabe der Erfindung ist die Schaffung eine« Niederfrequenz-Leistungsverstärkere, bestehend ans einer Phasenumkehr- und Treiberstufe, aufgebaut aus 'eines Paar Translatoren in epiegalbildlieh-sysaraetrieeher Anordnung, und einem Leistungsverstatrkerlrels al® letzte Stafe,. bestehend aua eineiB Paar Leistungs-FETs, dl® Triedenkenndaten aufweisen und in spiegelbildlich-isyHaaetyiseiser Ara®s*dBung vorgesehen sind.
Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist aie ©elaaCftsag eines Niederfrequenz-Leistungsverstiirksrs, bestellend aus einer ersten SpannungsverstMrkerstufe, bectefeend au® ©iaesa Paar Transistoren in epieg©lfeildlieSi-gsyHfflaets*±se!i©ir ¥er>bindung und einer Treiberstufe, die ebenfalls atss ©ia®a Paar Transistoren in spiegelbildlich-syaeaetrisehar äM&Tawmng besteht, und einem Leistungsverstärker als Istzt® Stuf«, bestehend aus einem Paar LeistungenFETs, die daten aufweisen und ebenfalle splegelbildl angeordnet sind.
Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist die Schaffung eines Niederfrequenz-Leistungsverstärkers, bestehend ans einer Treiberstufe und einem Leistungsverstärkerkreie als letzte Stufe, wobei jede der Stufen mit einem Paar FETs aufge-, baut sind, die Triodenkenndaten aufweisen.
Die Lösung dieser zusätzlichen Aufgaben ergibt «ich aus den
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Uhteranaprüchen 2 bis 10. Die Erfindung selbet, zuaanen mit weiteren Einzelheiten und Vorteilen derselben, wird an beaten aua der nachfolgenden Beschreibung in Verbindung alt den beigegebenen Zeichnungen verständlichf die lediglieh ala Beiapiel einige bevorzugte Aueführungen der Erfindung zeigen und dieddurchweg gleiche Bezugssahlen zur Kennzeichnung gleicher Teile zeigen.
Fig. 1 zeigt Kollektorspannung/Kollektorstroarieenndaten einea Leiatunga-PETa1 der erfindungsgeaa*· ale Leistungsverstärker verwendet wird.
Fig. 2 iat ein Schaltbild, daß eine erate Ausführungsforai des erfindongsgemässen Niederfrequenz-Lsistungsverstärkers zeigt.
Fig. 3 &et ein Schaltbild, das eine zweite Auaführungaforai des erfindungsgemässen Niedarfrequenz-Leistungsverstärkera zeigt·
Fig. k ist ein Schaltbild, das eine dritte Aueführungeform des erfindungagenKaaen Niederfrequenz-Leistungsverstärkers zeigt.
Fig. 5 iat ein Schaltbild, das eine v£»£te Auaführungaforai
des erfindungagemäasen Niaderfrequenz-Leiatungsverstürkera zeigt.
Fig. 6 iat ein Schaltbild, das eine fünfte Autfuhnmg·-
fora des erfindnngsgesSssen Niederfrequenz-Leietungsveratürkera zeigte
Figo 7 ist ein Schaltbild, das eine sechst· Ausführungsforai
des erfindungegeasäasen Niederfrequenz-Leistungsverstärkers ζβ±β*· 409818/1120
Fig. 3 ist *ia icfeöltteild, d©s ©£sa® des
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Der Transistor Tr- ist mit seinem Kollektor über einen Widerstand Rg und dem parallelgeschalteten Xreis, bestehend aus einem veränderlichen Widerstand VR. und dem Kondensator C^, mit einer Anschlussklemme t. verbunden, die auf einem
Potential - B. gehalten wird.
Der Emitter des Transistors Tr. ist direkt mit dem Emitter des Transistors Tr2 verbunden; die Transistoren Tr. und Tr« bilden einen Spannungsverstfirkerkreia als erste Stufe eines Differentialverstärkere.
Die Emitter der Transistoren Tr. und Tr2 sind gemeinsam über die Widerstände R- und Rt mit einer Anschlussklemme t„ verbunden, die auf einem Potential + B, gehalten wird. Die Verbindungsstelle zwischen den Widerständen R. und Rt. 1st über einen Kondensator C- mit Erde verbunden·
Der Kollektor des Transistors Tr2 ist über einen Widerstand R- und einen Parallelkreis mit dem veränderlichen Widerstand VR mid dem Kondeneator C. mit der Anschlussklemme t, verbunden, und seine Basis ist tiber einen Serienkreis mit dem
Widerstand R£ und dem Kondeneator C- mit Erde verbunden· ο 5
Der Kollektor der Transistoren Tr. und Tr2 ist ebenfalls direkt mit der Basis u®r Transietoren Tr. bzw. Tr^ verbunden.
Die Emitier der. Transistoren Tr, und Tr^ sind ait den Widerstände» R7 bzw. Ra verbunden, die miteinander im Punkt P. verbunden sind, wobei dieser Punkt nun seinerseits mit einen Widerstand R- in Verbindung steht, ausserdem über einen
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Parallelkreis mit dem Widerstand R10 und dem Kondensator Cg ait Erde und über einen Widerstand R-. mit der Anschlussklemme t..
Wie gezeigt wirdr ist der Transistor Tr. ein E-p~n-Txansistor, während der Transistor TrL ein ρ-n-p-Transistor ist. Diese Transistoren Tr, und Tr^ bilden einen Spannungsverstärkerkreis als zweite Stufe, die sowohl als Phasenumkehr- als auch als Treib er stufe..' dient.
Der Transistor Tr. ist mit seinem Kollektor über die Widerstände R12 und H.«, die miteinander in Serie liegea. Bit der Anschlussklemme t_ verbunden. Der Kollektor des Transistors Tr^ ist über einen Widerstand R-t mit ümr Anschlussklemme tj verbunden. Die Kollektoren der beides. Transistoren Tr« und Trι sind ebenfalls Kit dem Satte? der ent» sprechenden Feldeffekttransistoren Tr. und Tr £ (hiernach bezeichnet als Leistungg-PETs), die Triodenkenndaten aufweisen.
Die Leistung β-FET» Tr- und Tzv haben Triodenkmgndateia und bilden einen Leistungsverstärkerkreis als letzte Stufe. Der Leistung«-FET Tr-* der Triodenkenndaten aufweist, ist alt seinem Kollektor direkt alt der AneehlueeklewKe t. und sein Emitter über einen Widerstand R1- mit der Ausgangsanschlussklemae T. verbunden. Der Leistungs-FET Trg hat Triodenkenndaten und ist mit seinem Kollektor direkt alt der Auegangsanschlussklemae T1 und sein Emitter über einen
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Videratand R_, mit einer Anschlussklemme t, rerbnnden, die auf einem Potential -B. gehalten wird.
Der Auegang, der zwischen der Ausgangeanschlussklemme T. und einer anderen Auegangsanschlussklemme T, liegt, die geerdet ist, wird für das Ausgangssignal bereitgestellt.
Die Ausgangsanschlussklemme T. ist über einen Transistor R17 ait der Basis eines Transistors Tr. verbunden, um eine negative Gegenkopplung zum Hauptkreis zu schaffen, und steht ebenfalls über einen Kondensator C- mit einen Verbindungepunkt, der ^zwischen den Widerständen R__ und R._ liegt, zur Bildung eines Sehleifenkreises (als positive Gegen» kopplung) in Verbindung.
Die veränderlichen Widerstände VP-, und VR« erlauben da« Machstellen des Gleichstrompegel« am Ausgang, der zwischen den Ausgangeanschluesklemmen T- und T_ liegt. Genauer gesagt ermöglichen sie die Änderung der Baβisvorspannungen an den Transistoren Tr* und Tr^ stur Einstellung de« Nullpegels des Gleichstromanteile des Auegangssignale.
Der Widerstand des Serienkreise« «it den Widerständen R.« und R-- und der Widerstand des Widerstandes R-. wurden angemessen gewählt, «o das« sie etwa die Vorspannung für die Gatt« der Leistungβ-FETs Tr- und Tr g abgeben, die Triddenkenndaten aufweisen. Das Potential -B. an der Anschlussklemme t. wird negativer gemacht als das Potential -B- an der Anschlussklemme t-, da das Gattpotential am FET
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Tzvt der Triedenkenndaten aufweist, klaisier seisr μιά&β als das Emitterpotential.
Bei dem er£±ndung»g€iEiK8e®HL
nach ©b®sa aag®g®lb®aiey Bauart wird «im -Signal an die Eingengsansehlwe di® sueret dtirels di© erste Stufe des
ι -
kreise» dsr TraEsisteroa Tr, tmi Tf^ wird, die einen Diff'©r®Mtialv©rotO3Sr&©r bildssa
tmd Tr2 an und werden
Transistoren Tr« und
awecka weiterer Phaeennaikehrung bild ©si. .
Trasslstoren
als
saal ©atepreeliend an die Gatter der L©£©tsmga=> e di® Triod@Ea
©Is let st© Sttaf© lbildoa des
der
diea©
der LeistBsag£jisr®r0tirk©2*st®f©i ö@r ©a tte T- liegt, ist ©Is sigaal über den Wi#@s*et®acä M11= ait d©E3
Ero-ic über den
an dan Traaai-ator
ö©s Wic!©s·
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Daa leistungsverstärkte Niederfrequenzsignal, das nuneehr zwischen den Ausgangsanschlusskleanen T- und T. liegt, iat weniger beeinflusst von ungeraden, harmonischen Verzerrungen, da die Leistungs-PETs Tr- und Tr^ in der Leistmigsverstärlcerstufe Kenndaten aufweisen,' die denen einer Triodenröhre ähnlich sind.
Es wird zwar in obenerwähnten Beispiel ein DifferentialverstSrker als Spannungsverstärkerkreis der ersten Stufe verwendet, der aus einea Paar Transistoren Tr- und Tr- gebildet wird, jedoch ist dies keineswegs einschränkend geaeint. Ein gewöhnlicher Transistorverstärker kann fur diese Stufe ebenfalls verwendet werden· Auch kann dieser Spannungsverstärkerkreis aus zwei Differentialverstärkerstufen bestehen.
Fig. 3 zeigt ein zweites Ausführungebeispiel der Erfindung. In dieser Figur bezeichnet das Bezugszeichen IN eine Elngangsanschlusskleflune, an die ein Niederfrequenssignal abgelegt wird.
Die Eingangsklesne IN ist über einen Kondensator Cg alt der Basis eines Transistors Tr- verbunden. Die Basis dieses Transietors ist ebenfalls ait eines verschiebbaren Abgriff eines veränderlichen Widerstandes VR. verbunden.
Der veränderliche Widerstand VR. liegt parallel zu eine« Diodenkreis, der in Serie geschaltfettist, bestehend aus den beiden hlntereinandergeschalteten Dioden D. und Dg. Die Diode D- ist seit ihrer Anodenseite «it Erde und ihre Katho-
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denseite über einen Widerstand R_g mit der Anschlussklemme t_ in Verbindung steht.
Der Emitter dec Transistor« Tr. ist über die Widerstände
R-Q und R«0f ^** Ilin*ereinan<*erSeecna^*e* sind, mit der Anschlussklemme t. und die Verbindung »wischen den Widerständen R-Q und R20 über einen Kondensator C__ mit Erde verbunden.
Der Kollektor des Transistors Tr- ist über einen Widerstand R2- mit der Anschlussklemme t. verbunden« Er ist ebenfalls mit dem Gatter' eines gewöhnlichen Feldeffekttransistors Tr« (hiernach bezeichnet als FET) direkt verbundene
Der Transistor Tr7 bildet einen Spannungsverstärkerkreis als erste Stufe and der FET Trg einen Spamrongeverstärkerkreis als streite Stufe. FET Tr« dient sowohl als Phasenumkehr· als auch als Treiberstufe.
Der Kollektor des FETs Trg ist über die Widerstände Rg- und R2V die in Serie geschaltet sind, mit der Klemme t_ und ebenfalls direkt mit dem Better eines Leistung»-FETa Tr-, der Triodenkenndaten aufweist, verbunden.
Der Emitter des FETs Trg ist über einen Widerstand R„^ mit der Klemme t, und ebenfalls direkt mit dem Gattereines Leistungs-FETs Tr10, der Triodenkenndaten aufweist, verbunden.
Die Leistungs-FETs Tr* und Tr.Q bilden einen Leistungsverstärkerstromkreis in GegentaktSchaltung als letzte Stufe. Der
Leiatungs-FET Tr9 ist mit seinem Kollektor mit der An-
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schlussKlemme t„ über einen Widerstand R3- verbunden. Sein Emitter steht mit der Ausgangsanschlussklemme T-, der Kollektor des Leietunge-FETe Tr,ö direkt mit der Ausgangsanschlussklemme T. und sein Emitter über einen Widerstand Rgg mit der Anschlussklemme T. in Verbindung«'
Der Ausgang des Leistungsverstärkerkreises der Leietungs-FETs Tr_ und Tr-Q tritt als leistung«verstärktes Niederfrequenz-Signal zwischen den Ausgangsanechlussklemmen T.. und der geerdeten Au·gangvaneehlnesklemme T„ auf.
Die Ausgangsanschlussklemme T, ist über einen Widerstand R__ mit dem Emitter des Transistors Tr7 des Spannungsverstärkerstromkreises der ersten Stufe zur Schaffung einer negativen Gegenkopplung an den Haisp'fksreie verbunden und ebenfalls über einen Kondensator C^ mit dem Verbindungspunkt zwischen den beiden Widerständen R2O un<* **21 ver~ bundenf um einen Schleifenstromkreie zu bilden.
Der veränderliche Widerstand VR ist zum Voreinstellen der Basisvorspannung am Transistor Tr- vorgesehen. Durch ungefähres Einstellen der Basiβvorspannung lässt sich ein Einstellen des Nullpegels des Gleiehstromanteils des Ausgangesignal erreichen, das zwischen den Ausgangsanschlussklemmen T^ und T- ankommt. Die Dioden D_ und D sind vorgesehen, tos die Spannung zu stabilisieren, die läng· des veränderlichen Widerstandes VR angelegt ist.
Bei dem erfindungsgemässen Niederfrequenz-LeistungeverstSrker nach der obenerwähnten Ausbildung wird ein Niederfre-
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quenz-Signal, das an die EingangeanschlueekleiBme IH gelegt wird, zwecke Spannungsveratitrkung mn ate Basis de· Transistors Tr_ gegeben.
Das Ausgangssignal, das ara Kollektor <äe@ Transistor· Tr. liegt, wird an das Gatter des FSTs Tr® sw © elks weiterer Span« nungsverstärkung
Siaa Ausgangs si giaa X, das ύ&ιβ lSollakt"©s* des FST Tr© komat ητ&ύ In der entgegengesets-tgsa Pfeaso ale- Sfiedssrfspsqra gang am (Satter dieses Transistors liegt, wird ©ss das Gatter des Leistungs-FSTs Tr„ ©zig@l®gt? der Tricüdmkemidaten weist. Gleichzeitig ersehe la t ein Ausgangssiigaal vea des PETs Trg and in der gleieh'era Fha@@ am Mi© der frequenz eingang an Ggt*rdieses Transistors ηηά wird &n das des Leistung®*-FSTs Tr... g©gebesa0 Hieraus lässt isish dass der FET Tr« «ucSa dasia dient, di® Leiettisagß^FETe Tr
Mit des Niederfrequenz-Eingängen ©s? d©ssi L©istuiage°FETe j die die Leistungsverstärker stuff© bildes, erder Ausgang dieser Stuf® asu der Ä^sg^Bgaa^sehlm
&l©s@ae T_ und wird als negativ©« 6@genkop^®lsigsaial fiber Widerstand R_„ ηηά dea Trasasister Tr85, mad ©Tbessfalls ®ls Seisleifenkreis über den Koaidensato^r C^ miß daa ¥ider@t«E<ä M,.^ an die FETs TrÄ .gegebene
Da is leistungsverstärlfes Ki«derfr©qsa@siz.elgaaXfl de® derart den Ausgangsansehlussklessien T, ^rad T» ©rscheisnt-
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ist geringer geneigt, harmonische Verzerrungen hinzuzufügen, da die die Leistungsverstärkerstufe bildenden Leistung«-FETa Tr. und Tr.-MKenndaten aufweisen, die danen ei· ner Triodenröhre ähnlich sind.
Fig. 4 zeigt eine dritte Ausführungsform der Erfindung. In dieser Figur bezeichnet das Bezugsseichen IN eine Eingangsanschlussklemme, an welche das Niederfrequenzsignal gegeben wird und die über einen Kondensator C-- mit dem Gatter eine· p-Ianal-FET* Tr11 verbunden ist« Das Gatter dieses Transistors ist auch über einen Widerstand R2„mit Erde und die Eingangsanschlussklemme IN ebenfalls über einen
Widerstand R-,ο mit Erde verbunden. Der Kollektor des FETs Tr.. ist direkt mit dem Kollektor
eines ähnlichen p-Kanal-FETs Tr12 verbunden, und diese Kollektoren liegen gemeinsam über einen Widerstand R,o an Erde; sie sind über einen Widerstand R«, mit der Anschlussklemme t.. verbunden.
Wie aus dieser Figur entnommen werden kann, bilden diese beiden FETs Tr11 und Tr12 einen Differentialverstärker und einen SpannungsverstärkerStromkreis als erste Stufe· Der Emitter des FETs Tr11 ist mit der Anschlussklemme t1 über einen veränderlichen Widerstand VR^ verbunden, während der Emitter des FETs Tr12 direkt mit der Anschlussklemme t, verbunden ist.
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Dae Gatter des PETs Tri2 iet über den Serienkrei« aus Wider
stand R«2 "^d Kondensator C_2 mit Erde verbunden. Der Emitter dee FETs Tr1-, ist direkt mit dem Gatt er eise« n-KanaleFETs Tr--nverbunden.
Der FET Tr,- bildet einen Spannungsverstärkerkreis als zweite Stufe und dient ebenfalls als Treiberetufe. Sein Emitter ist über den Widerstand R-, mit der Anschlussklemme t. und auch direkt mit dem Gattnr.des Leistung*-FETe Tr11 verbunden, der Triodenkenndaten aufweist, wie hiernach beschrieben werden wird« Sein Kollektor ist über einen Serienkreis aus den Widerständen R.. bis K~- mit den Anschlussklemme t_ verbunden.
Die Verbindungstelle zwischen den Widerständeis R,^ und R,-ist mit dem Gatter dee FETs Tr-- verbunden» FET Tz·-,» ist zur Temperaturkompensation vorgesehen. Sein Emitter ist direkt mit dem Kollektor des FETs Tr„« und dessen Kollektor mit dem Gatter eines anderen Leistungs-FETg 1Kr^ verbunden, der Triodenkenndaten aufweist.
Die Hochlei st ungs- FETs Tr,. und Tr.g, die Triodenkeisadaten aufweisen, bilden einen Leistungsverstärkerkreia sles letzte Stufe. Der Leistungs-FET Tr1^ ist mit seinem Kollektor direkt mit der Anschlussklemme t„ und sein Emitter über den Widerstand R.» rait der Ausgangsanschlussklemme T1 verbunden. Der Leistungs-FET Tr1. steht mit seinem Kollektor direkt mit der Ausgangsanschlussklemme T-. und dessen Emitter Über
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den Widerstand R„_ mit der Anschlussklemme t_ in Verbindung«
Der Ausgang des Leistungs-Verstärkerkrelses, der von den Leistungs-FETs Tr,. und Tr.g gebildet wird, erscheint als leistungsverstärktes Niederfrequenz-Signal zwischen der Ausgangsanschluesklemme T.. und der geerdeten Anschlusskleame T-. Die Ausgangsanschlussklemme T^ ist über den Widerstand R.Q mit dem Gatte" dee PETe Tr12 verbunden, um eine negative Gegenkopplung zu schaffen, und ist auch über den Kondensator C.. mit dem Verbindungepunkt zwischen den Widerständen R-.r und R~7 zur Schaffung eines Schleifenkreisee verbunden*
Der veränderliche Widerstand VR. ist zur Voreinstellung der Gattvorspannung dee FETs Tr., vorgesehen* Durch ungefähre Einstellung dieser Gattvorspannung ist es möglich, die Einstellung des Nullpegels des Gleichströmanteile des Ausgangssignals vorzusehen, das zwischen den Ausgangsanschlussklsateen T1 und T^ liegt.
Beim erfindungegemässen Niederfrequenz-LeistungsverstHrker nach der obenerwähnten Ausführung geht ein Niederfreqwriwsignal, das an die Eingangsanschlussklemne IN gelegt wird, an das Galter des PET Tr., zwecke Spanntrag »verstärkung durch die Differentialverstärkerstufe, die aus den PETs Tr., und Tr12 besteht.
Das Auegangssignal kommt von der DifferentialverstMrkerstufe as Emitter des FETs Tr.. an und wird an das Gatter des FETs Tr-, angelegt, der einen Spannungsverstärkerkreis als zweit·
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Stufe zwecks weiterer Spannusigsverstärkung gebildet
Das Ausgangssignal, das vom Emitter des FETθ Tr«« kommt, wird an das Gatterde» Leietungs-FET@ Tri% angelegt* Gleichzeitig wird der Ausgang, der vom Kollaktor des FETe Tr.~ kosmt, an das Gatfca?des anderen Leistumgs-FETs ^r,^- ibsr die Widerstände R^o und R-,- gegeben. Wi© m&n erkennen kann, dient der FET Tr,, sowohl zur Spannungsves* Stärkung d@e Ausgangs vom .FET Tr-- ala auch %mm Treiben der Leietmage-FETs Tr.i und
Zusaramen mit den Niederfrequenz-Eingängen zn den Leistungs-FETs Tr1. und Tr.g, die die Leistiangsverstärkerstufe bilden, wird der Ausgang dieser Stufe an di® 'Ausgangeklenaie T_ gelegt und als negatives Gegenkoppltogssignal über den Widerstand Rt_ an den FET Tr-2 und ebenfalls als Sc&l©±fenkr®ia, über den Kondensator C-. und die Widerstand® ^^gs ^«e und R-r as» den FET Tr__ gekoppelte
Das leistungsverstärkte Niederfrequonssignal, da® zwischen den Ausgangsanschlusskleoiraen T1 und T auftritt, ist weniger su ungeraden harmonischen Verzerrungen geneigt„ de dar Leistungs-FET Tr.g, der die L@istuingfi3^@rstlrksrstiif® bildet 9 Kenndaten aufweist, die donem eiiaar "Tri©d@ns?6hre Misslich sind. " ■
Fig.-5 zeigt eine vierte AuefUhrungeform der Erfindung. 3ja der Figur bezeichnet das Besugeseiefoan IN ©ine Eingangesnschlussklemsie,aä die ein Ni®derfr©que'nzsignal angelegt wird» Die Bingengsanschlussklenne- IM'ist mit einer
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klemme eine« Anechlueaklemmepaaree eine* Kraftverstärker« AMP verbunden, dessen andere Eingangsaaschluseklemme über einen Widerstand R.. mit Erde verbunden ist. Der Kraftverstärker ANP hat auch ein Paar Stromzuführklsmnen.; die negative Zuführklenme ist über eine Diode D_ mit Erde und die positive Stromzuführklemme über eine Diode D. mit Erde verbunden. Die negativen und positiven Stromzufuhrklemeen des Kraftverstärkers AMP sind auch über die Widerstände Rt2 und R. . mit den entsprechenden Anschlussklemmen t_ und t. verbunden.
Zwischen den Anschlussklemmen t_ und t_ liegt ein Kreis, bestehend aus den hintereinandergeschalteten Widerständen Rl·κ und H._, einer Diode D_ und dem Widerstand P^g. Die Verbindungsstelle zwischen den Widerständen Rii und R.-ist mit der Basis eines n-p-n-Transistore Tr,- und die Verbindungsstelle zwischen der Diode D_ und dem Widerstand R·g mit der Basis eines p-n-p-Transistore Ir.« verbunden· Die Emitter beider Transistoren Tr1- und Tr,o sind gemeinsam über einen Widerstand Rr- mit Erde verbunden.
Der Kollektor dee Transistors Tr.- istnüber einen Widerstand R-- mit der Anschlussklemme t. verbunden. Der Kollektor des Transistors Tr.g steht überfeinen Widerstand R^g mit der Anschlussklemme t. in Verbindung. Die Transietoren Tr._ und Tr.g, die in spiegelbildlich-symmetrischer Anordnung verbunden sind, bilden einen Verstärkerkreis als zweite Stufe und dienen sowohl als Phasenumkehr- als auch als Treiberetufe.
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Der Kollektor dee Transietors Tr.- ist mit dem Ga ttar eines ρ-Kanal-FETs Tr__ verbunden, der Triodenkenndaten auf-weist, und der Kollektor des Traneistore Trifl ^8* m^ ^em Gatter eines n-Kanal-Leistusigs-FETs Tr0 verbunden, der ebenfalls Triodenkenndaten auiVeiet.
Der Leistungs-FET Tr, „ ist mit seinem Kollektor über einen Widerstand R_o mit der Äusgangeklemrae T. und sein Emitter mit der Anschlussklemme t.. verbunden. Die beiden Leistungs-FETs Tr1n und Tron, die Triodenkenndaten aufweisen *nd in spiegelbildlich—symmetrischer Anordnung verbunden sind, bilden einen Leistungsverstärkerkreis als letzte Stufe.
Der Ausgang dieses Leistungsverstärkerkreises liegt zwischen den Anschlussklemmen T- und der geerdeten Ausgangsanschlussklemrne T0. Die Auegangsanechlussklemme T1 ist über einen Widerstand R-- mit der vorerwähnten anderen Eingangsanschlussklemrae des KraftVerstärkers AMP zwecks negativer Gegen· kopplung verbunden.
Bei dem Niederfrequenz-Leistungeverstärker der obenerwähnten Ausführung wird ein Niederfrequenzsignal an die Eingangsanschlussklemme IN gegeben und zuerst durch den Kraftverstärker AMP verstärkt.
Der Ausgang des Kraftverstärkers AMP wird über die Diode D_ und den Widerstand Rr1. an die Basis des Transistors Tr._ und ebenfalls direkt an die Basis des Transistors Tr.o zwecks weiterer Spannungsverstärkung und zur Phasenumkehrung gekoppelt.
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Die niasenumkehrausgangseignale, die an den Kollektoren der
Transistoren T**.- und Trjg erscheinen, werden als Treiber-Signale an das Gatterder Leistunge-FETs Tr1Q bzw. Tr_- gekoppelt. Auf diese Weise wird das Niederfrequemaignal leistongsverstärkt.
Das Auegangssignal der Leistungsverstärkerstufe, die aus den Leistung»-FET» Tr, und Tr_0 besteht, erscheint an der Ausgangsanschlussklennne T- und wird über den Widerstand R-, an den Kraftverstärker AMP gekoppelt. Das leiitungeveretärkte Niederfrequenzsignal, das derart zwischen den Auegangeanschlussklemmen T, und T erscheint, neigt weniger zu ungeraden harmoniechen Verzerrungen, da die Leistunge-FET«
Tr,„ und Tr_0, die die Leistungsverstärkerstufe bilden, Kenndaten aufweisen, die denen einer Triodenröhre ähnlich sind. Die Verminderung ungerader harmonischer Verzerrungen wird weiterhin durch die spiegelbildlich-symmetrische Anordnung der zweiten Stufe und der letzten Verstärkerstufe begünstigt, so dass ein Ton sehr guter Qualität von einen Lautsprecher wiedergegeben werden kann, der zwischen den Auegangeanschlussklemmen T. und T anschliessbar sind·
Fig. 6 zeigt eine andere Aueführungsform des zuvor gezeigten Beispiels nach Fig. 5. In dieser Figur werden die gleichen Teile wie in Fig. 5 verwendet, auch in gleicher Weise bezeichnet und 'werden daher nicht weiter beschrieben.
In diesem Ausführungsbeispiel wird ein Differentialverstärker verwendet, der aus dem Transistorenpaar Tr2- und Tr besteht, das als erste Verstärkerstufe anstelle des Kraftver-
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stärkere AMP gemäss dem Ausführungsbeispiel nach Fig. 5 verwendet werden. Die Basis des Transistors Tr«, wird über einen Kondensator Ik mit der Eingangsanschlussklemme IN und ebenfalls über einen Widerstand R-«mit Erde verbunden.
Die Transistoren Tr und Tr00 sind mit ihren Emittern gemeinsam über xdie Widerstände R,t und R.« mit der Anschlussklemme t_ verbunden; die Verbindungsstelle zwischen den Widerständen R-. und R.» steht über einen Kondensator C1- mit Erde in Verbindung. .
Der Kollektor des Transistors Tr21 ist über einen Widerstand R-- mit der Anschlussklemme tΊ und der Transistor Tr00 mit seinem Kollektor direkt mit der Anschlussklemme t_ verbunden, während seine Basis über den Widerstand R-g und den Kondensator C..g, die hintereinandergeschaltet sind, mit Erde verbunden ist.
Der Kollektor des Transistors Tr0. ist ebenfalls mit der Basis eines Transistors Tr0- verbunden. Dieser Transistor Tr0- ist zur Phasenumkehr trag vorgesehen. Sein Emitter wird über einen Widerstand R-- mit der Anschlussklemme t.. und sein Kollektor über einen Widerstand R..,· den Dioden Dg und D- und dem Widerstand R.., die hintereinandergeschaltet sind, mit der Anschlussklemme t_ verbunden. Die Dioden
Dg und D- sind für die Temperaturkompensation vorgesehen.
Der Kollektor des Transistors Tr2- ist ebenfalls mit der Basis des Transistors Tr.« und die Verbindungsstelle zwischen
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den Widerstand R^ und der Diode Dg mit der Baal* eines Traneistore T^17 verbunden.
Bei der obenerwähnten Ausführung wird ein Niederfrequenzeignal an die Eingangsanschlussklerame IN gelegt und spannung everetärkt durch den Verstärkerfolie der ersten Stufe, bestehend aus den Transistoren Tr2. und Tr22. 9er Ausgang dieser Stufe, der vom Kollektor des Transistors Tr», kommt, wird an die Basis des Transistors Tr Z3 2sifecke Phasenumkehrung gegeben.
Das phasenverkehrte Ausgangssignal, das vom Kollektor des Traneistors Tr2- könnet, wird über den Widerstand R._ und die Dioden D- und Dg an die Basis des Transistors Tr,» angelegt, während es ebenfalls direkt mit der Haeis des Transistors Tr..« verbunden ist.
Das phagenverkehrte Signal wird derart an die Basen der Transistoren Tr,- und Tr.0 gegeben, das« in der gleichen Weise wie zuvor im Ausfiihrungsbeispiel nach Fig. 5 das leistungsverstärkt© Niederfreqiienzeignal aus dem Leistungsverstärkerkreis dmr Leistung«» FET» T^1- und Tr_o, die Triodenkenndaten aufweisen? an der Ausgangsklemme T. erscheint.
Fig. 7 seigt ein sechstes Aueführungsbeispiel der Erfindung. In der Figur bezeichnet das Bezugszeichen IN eine Eingangsklemme, an die ein Ni@derfrequenzsignal gelegt wird. Die Eingangskleram« XH ist über einen Kondensator C17 mit der Basis eines Transistors Tr^* und ebenfalls über einen Xonden-
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eator C-g mit der Basis eines Transistors Tr«- verbunden.
Zwischen den Basen der beiden Transistoren Tr.^ und Trgist ein hintereinandergeachalteter Kreis angeschlossen, bestehend aus eine» Widerstand Ren» einem Kondensator C_- und einem Widerstand R>q· Die Basis des Transistors Tr3. ist ebenfalls über die Widerstände Rg1 und Rg5» die hintereinandergeschaltet sind, mit der-Anschlussklemme t_ verbunden. Die Verbindungsstelle zwischen den Widerständen Rg1 und Rg. ist über einen Kondensator C . mit Erde verbunden.
Die Basis des Transistors Tr2C ist über die hintereinandergeschalteten Widerstände R^g und Rg/. mit der Anschlussklemme t_ und der Verbindungepunkt zwischen den Widerständen und Rgh über einen Kondensator C_, mit Erde verbunden.
Die Transistoren Tr2^ und Tr2- sind mit ihren Emittern gemeinsam über einen Widerstand Rg- mit Erde verbunden*
Der Kollektor des Transistors Tr.. 1st über einen Widerstand R/-_ mit der Verbindungsstelle zwischen den Widerständen Rg- und Rg_ und der Kollektor des Transistors T^g- über einen Widerstand Rgg mit der Verbindungseteile zwischen den Widerständen Rg„ und Rj»t verbunden. Der n-p-n-Transistor Tr2L und der p-n-p-Transistor Tr-- sind miteinander in spiegelbildlich-symmetrischer Anordnung verbunden und bilden einen Spannungsverstärkerkreis als erste Stufe*
Ϊ
Der Kollektor des ransistore Tr-^ ist ebenfalls direkt ait der Basis eines Transistors Tr„g und der Kollektor des
Transistors Tr2- ebenfalls direkt mit der Basis des Transistorf
2- verbunden.
Der Kollektor dee Transistors Tr - steht über einen Widerstand RgQ mit der Anschlussklemme t, in Verbindung; ebenfalls der Kollektor dee Transistors Tr4- über einen Widerstand RgQ mit der Anschlussklemme t..
Der Emitter des Traneistors Tr.g ist über die Widerstände R70 und HL·-. ( die hintereinandergeechaltet sind, mit der Anschlussklemme t_ verbunden, die Verbindungsstelle zwischen den Widerständen H70 und R1-, ist über einen Kondensator Cg2 mit Erde verbunden.
In gleicher Weise ist der Emitter des Transistors Tr-- über die hintereinandergeschalteten Widerstände R-. und R-. ■it der Anschlussklemme t, und die Verbindungsstelle zwischen den Widerständen R-. und R-. über einen Kondensator
t & 7j
C4. mit Erde verbunden.
Der p-n-p-Transistor Tr2^ und der n-p-n-Transistor Tr-_, die in spiegelbildlich-symmetrischer Anordnung verbunden sind, bilden einen Verstärkerkreis als zweite Stufe, der sowohl als Phasenumkehr- als auch als reiberstufe dient.
Der Kollektor des Transistors Tr«/- steht ebenfalls eit den Gatt eines n-Kanal-Leistunge-FETs Tr„o in Verbindung, der Triodenkenndaten aufweist, während der Kollektor a*m Transistors Tr2- ebenfalls mit dem Gatt eines p-Kanal-Leietungs-FETs Tr00 verbunden ist, der Triodenkenndaten aufweist.
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Der Leistung«-FET Tr-ο let mit seinem Kollektor mit der Anschlussklemme t_ und sein Emitter über einen Widerstand R_» pit der Ausgangsklemme T- verbunden; der Leistung*·» PET Tr00 steht mit seinem Kollektor über einen Widerstand R__ mit der Ausgangsklemme T. und sein Emitter mit der Anschlussklemme t., in Verbindung. DAe Leistung«-FETs Tr„n und Tr001 ,die in spiegelbildlich-symiaetrischer Anordnung verbunden sind und beide Triodenkenndaten aufweisen, bilden einen Gegentakt-Leistungsverstärkerkreis als letzt« Stufe.
Bei dem Niederfrequenz-Leistungsverstärker nach obenbeschrie· bener Ausführung wird ein Niederfrequenz-Signal an die Eingangskiemme IN gelegt und geht über die Kondensatoren C und C-o an die Basis der Transistoren Tr . bzw. Tr«-, die die erste Spanntmgsverstärkersiiaf e zwecks Spannungeverstärkung bilden.
Die Äusgangssignale, die vom Kollektor der entsprechenden Transistoren Troi, und Tr2- kommen, werden an die Basis der Transistoren Tr^t und Tr_„ zwecks weiterer Spannungsverctärkung und PhasenunakehrMiig angelegt.
Die Phaeenurakehr-auag&ngssi-g-n&le wesrdsu. an den Kollektor der Transistoren Tr_g und Tr „ gelegt und als Treibersignal as das Gatterder Leistnangg-FETs Trgn bzv. Tr„o gelegt..
Ber Ausgang der Leistungsverstärkerstmfe, die aus dera
Leistungs-PETs Tr„g und Tr„Q begtefst, wird als Ausgaagssigvon der Ausgangsanschlusskleoffiii® T. abgenommen.
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Dieser Ausgang neigt weniger zu ungeraden harmonischen Verzerrungen, da die Leistungs-FETs ?ro8 und Tr29' die die Leistungsverstärkerstufe bilden, Kenndaten aufweisen, die denen einer Triodenröhre ähnlich sind. Die Verminderung der ungeraden harmonischen Verzerrungen wird weiterhin durch die spiegelbildlich-symmetrische Anordnung aller, von der ersten bis zur letzten Verstärkerstufen begünstigt, so dass ein Ton sehr guter Qualität durch einen Lautsprecher wiedergegeben wird, der zwischen den AusgangsanSchlussklemmen T- und T angeschlossen ist.
Fig. 8 zeigt ein siebentes Ausftihrungsbeispiel der Erfindung. In der Figur bezeichnet das Bezugszeichen IN eine Eingangsklemme, an die ein Niederfrequenzsignal angelegt wird und über einen Kondensator C . mit der Basis eines Transistors
Tr„- verbunden ist. Die Eingangsanschlusskletnme IN und die Basis des Transistors Tr _Q ist ebenfalls über die entsprechenden Widerstände R_/- bzw. R-- mit Erde verbunden.
Der Emitter des Transistors Tr->0 ist mit dem Emitter eines Transistors Tr^1 direkt verbunden und die gemeinsame Emitterverbindung über einen Widerstand R_g mit einer Anschlussklemme t. verbunden, die auf einem Potential + B. gehalten wird.
Wie gezeigt wird, bilden die Transistoren Tr«0 und Tr«, einen Differentialverstärker mit einem Spannungsverstärkerkreis als erste Stufe.
Die Basis des Transistors Tr^1 ist über einen Widerstand R__
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und einen Kondensator C._, die hintereinandergeechaltet sind, mit Erde verbunden und ebenfalls über einen Widerstand Rg. mit der Ausgangsanschlussklemme T. als negative Gegenkopplung.
Der Transistor Tr„ steht mit seinem Kollektor über einen Widerstand Rg- mit einer Anschlussklemme t_ in Verbindung, die auf einem Potential - B. gehalten wird, während der Transistor Tr... mit seinem Kollektor direkt mit der Anschlussklemme t- verbunden ist.
Der Kollektor des Transistors Tr,.iist ebenfalls mit der Basis eines Transistors Tr->P verbunden, der zur Verstärkung vorgesehen ist. Der Transistor Tr.„ ist mit seines Emitter mit der Anschlussklemme t„ und sein Kollektor mit dem Gatt eines Leistungs-FETs Tr., verbunden, der Triodenkenndaten aufweist und hiernach beschrieben wird. Der Kollektor des Transistors Tr,_ ist ebenfalls über die hintereinandergeschalteten Widerstände Rg2 b*8 ^r7 Btit der Anschlussklemme t_ gekoppelt* Die Verbindungsstelle zwischen den Widerständen R0-- und Rq,- steht mit dem Getier eines FETs in Verbindung, der Triodenkenndaten aufweist. Die Verbindungs stelle zwischen den Widerständen Rn, und RgA ist mit dem Gatter eines FETs Tr . verbunden, der für die Temperaturkompensation vorgesehen ist. FET Tr . steht mit seinem Emitter mit der Verbindungsstelle zwischen den Widerständen und Rq. und sein Kollektor mit der Verbindungsstelle zwischen den Widerständen Rg. und Rg1. in Verbindung. Die
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Verbindungsstelle zwischen den Widerständen Rgg und Rg7 ist über einen Kondensator Cg mit der Ausgangsklemsie T-geioppelt.
FET Tr,, ist ein n-Kanal-Traneistor und FET Tr__ ein p-Kanal-Transistor. FET Tr«, ist mit seinem Kollektor mit der Ausgangsanachlussklemme T1 und sein Emitter über den Widerstand Ro- mit einer Anschlussklemme ti !".verbunden, während der FET Tr.- mit seinem Kollektor mit der Ausgangeklemme T- und «ein Emitter über einen Widerstand Rno mit einer Anschlussklemme t- verbunden ist. Die Anschlussklemmen t. und t, werden auf die Potentiale + B bzw. - B gehalten. Die Leiatungs-FETs Tr,, und Tr__ sind in spiegelbildlich-symmetrischer
Anordnung verbunden und bilden dertert eine Treiberetufe.
Der Emitter des FETs Tr,, ist mit dem Gatter eines Leietungs-FETs Tr./- verbunden, der TrAodenkenndaten aufweist. Leistungβ-FET Tr,/ steht mit seinem Kollektor über einen Widerstand RQ1 mit der Auegangeklemme T1 und sein Emitter mit einer Anschlussklemme t,- in Verbindung. Der Emitter des FETs Tr.- iet mit dem Gattereines Leistung«-FETe Tr,- verbunden, der Triodenkenndaten aufweist. Leistungs-FET Tr.- ist alt seinem Kollektor mit einer Anschlussklemme t-und sein Emitter über einen Widerstand RqQ mit der Ausgangsklemme Tl verbunden. Die Anschlussklemmen t_ und tc werden auf den Poten-
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tial + B1 bzw. - B1 gehalten. Die beiden Leistung«-FET« Tr.g und Tr._, die Triodenkenndaten aufweisen und epiegelbildlich-symmetrisch verbunden sind, bilden derart einen
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Leistungsverstärkerkreis als letzte Stufe, dessen Ausgang zwischen den Ausgangsklemmen T.» und T2 liegt. Wie aus der Figur ersichtlich ist, ist der Leistungs-FET Tr«g «in n-Kanal-^ransistor und der Leistungs-FET Tr,™, ein p-Kanal-Transistor. Der Leistungs-FET Tr«g ist geeignet, durch das Ausgangssignal vom η-Kanal-FET Tr«« angetrieben zu werden, der Triodenkenndatsn aufweist} der Leistungs-FET Tr«« ist geeignet, durch das Aus gangs signal vom p-Kan®l-FET Τγ,,ι der Triodenkenndaten aufweist, angetrieben zu werden.
Bei dem Niederfrequenz-Verstärker geraäss der oben beschriebenen Ausführung wird. ein. Niederfrequenz-Signal, das an der Eingangsklemme IN liegt, über den Kondensator C_. an die Basis eines Transietors ^r„0 xwr Spasmiagsverstärlcung über den Spannungsverstärkerkreis der ersten Stufe mit den Transistoren Tr.« und Tr,,, gegeben*
Der Ausgang dieser Stufe tritt am Kollektor des Transistors
Tr_rt auf und wird an die Basis des Transistors Tr«o zwecks j** . Je
weiterer hier stattfindender Verstärkung angelegt.
Der Ausgang, der am Kollektor des Transistors Tr„„ anliagt, wird direkt mit" dem Gatterder anderen Treiberatwf« mit . FET Tr_« gekoppelt, der Triodenkenndaten-aufweist und über die Widerstände Rg^ bis Rg- «it dem G&fäs®r der anderen Treiberstefe mit FET Tr_c, der ebenfalls Ts*±od@nlsenndaten afuweist', gekoppelt ist.
Auf diese Weise wird das Aus gange signal vom Transistor durch die FETs Tr», und Tr-^ verstärkt und phesenverkehrt," wobei die FETg Tr«« und Tr«-.. Triodenkenndeten aufweisen, so
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dass phaβenverkehrte Ausgangesignale aa Emitter dee PETe
Tr-_ und am Emitter des FETa Tr*- erscheinen.
Diese Ausgangesignale werden ale Treibersignal an das Gatter der Leistungβ-FETs Tr-r bzw. Tr-- gegebene die einen Leistungsverstärkerkreis zur Leistungsverstärkung des Ausgange der vorhergehenden Stufe bilden.
Der Ausgang des Leistungsverstärkerkreises der Leistungs-
PETs Tr-g und T*"__ wird als Ausgangssignal von der Ausgangsklemne T1 abgenommen.
Das leistungeverstärkte Niederfrequenzsignal, das durch den Leistungsverstärkerkreis erhalten wird, neigt weniger zu ungeraden harmonischen Verzerrungen, da sowohl die ^reiberals auch die Leistungsstufe aus je einem Paar FETs bestehen, die Triodenkenndaten aufweisen und in spiegelbildlichsymmetrischer Anordnung miteinander verbunden sind, so dass ein Ton sehr guter Qualität von einem Lautsprecher wiedergegeben werden kann, der zwischen den Ansgangssnechlus>klemraen T und T angeschlossen ist.
Fig. 9 zeigt ein Beispiel eines erfindungsgemässen Niederfrequenzverstärker s, einen Differentialveretärkerkreie 10, der Niederfrequenzsignale verstärkt* den Differentialverstärkerkreis 10, der sich aus zwei N-Kanal-FETs T*"«o und Tr.. zusammensetzt.
Ein Stromkreis 11 mit konstantem Strom regelt ständig den
elektrischen Strom, der dem Differentialverstärkerkreis 10 zugeführt wird, der aus dem Transistor Tr,. besteht.
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Ein Stromkreis 12 bestimmt die Vorspannung der FETs Tr-oi Tr-Q des Differentialverstärkerkreises IQ und des Transistors Tr.fl des Stromkreises 11 mit konstantem Strom.
Rin durch JParallelwiderstand geregelter GegentsktStromkreis 13 einschliesslich einer TnsLberatufe besteht aus viern-Kanal-FETs Tr.- bis Tr^, wobei seine Eingangeseite mit der Ausgangeseite des Differentialverstärkerkreises 10 verbunden ist.
Ein Stromkreis Xk mit konstantem Strom regelt beständig den elektrischen Strom, der an den Gegentaktkreis 13 angelegt wird, der durch Parallelwiderstand geregelt wird und aus dem Transistor Tr^o besteht.
Ein paralleler Gegentaktkreis 15 besteht aus einer Leistungsverstärkerstufe und setzt sich aus vier Leistung«-FETs TrjLg bis Tr.. zusammen, die Triodenkenndaten aufweisen.
Ein Stromkreis l6, der die Gattvorspannung der Leistungs-FETs Tr£g bis Tr.„ bestimmt, ist mit einem Punkt verbunden, der zwischen der Eingangsseite des parallelen Gegentaktkreises 15 und der Ausgangsseite des Gegentaktkreises 13 liegt, der durch Parallelwiderstand geregelt wird. In der Leistungsverstärkerstufe ist die Verbindungsstelle P, zwi-f sehen dem Emitter des Leistungs-FETs Tr./ und dem Kollektor des Leistungs-FETs Trig mit der Verbindungsstelle P- verbunden, die zwischen dem Emitter des Leistungs-FETs Tr._ und dem Kollektor des Leietunge-ffETs Tri. gelegen ist. Jeder dieser Verbindungsstellen P, oder V ist mit der Ausgangβ-klemme T1 verbunden.
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235455?
Fig. 10 zeigt ein anderes Ausführungsbeispiel der Leistungsveretärkerstufe und des Stromkreises l6t der die Vorspannung bestimmt, wie in Pig. 9 gezeigt wird. Dieser Leietungsverstarkerkreis 15, der vier Leistungs-FETe Tr, g bis Try in Brückenschaltung miteinander verbindet, die Triodenkenndaten aufweisen, hat eine Ausgangeklemme T1 am Verbindungspunkt P_, die den Emitter S des Leistung»-FETs Tr^/- und den Kollektor D des Leistungs-FETs Tr.« verbindet und besitzt weiterhin eine Anschlussklemme T am Verbindungspunkt P_, den Emitter S des Leistungs-FETs Tr,_ und den Kollektor des Leistunge-
FETe Tr1-Q verbindend. Zwischen diesen Anschlussklemmen T
und T wird ein Lautsprecher 17 angeschlossen. Der Leistunge-▼erstürkerkreia 15 iet also im Gleichlauf* und traneforaatorloe.
Fernerhin ist das Gatter G der Leistungs-FETs Tr^g und in Leietungsverstarkerkreis mit der Stelle zwischen dem Emitter de* FETe Trr. und dem Kollektor des FETe ^2 im Gegentaktkreis 31 verbunden, der durch einen Parallelwiderstand geregelt wird.
Das GattcrG der Leistungs-FETs Tr^. und Tr. g ist zwischen dem Emitter des FETs Tr^- und dem Kollektor des FETs Tr^. im Gegentaktkreis 13 verbunden, der durch einen Parallelwiderstand geregelt wird;die Gattvorspannungen der Leistungs FETs Tr. /■ bis Tr.. werden durch die veränderlichen Widerstände VR_ bis VRn gebildet, die parallel zueinander liegen.
Pa t e η tans pr üche
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Claims (10)

PATENTANSPRÜCHE
1. Niederfrequenz-Leietungsverstärker, dadurch gekennzeichnet, dass er besteht aus einem SpannungeverstSrkerkreis als erste. Stufe, einschliesslich Transistoren zur Spanmmgsverstärkung eines Niederfrequenzeignale, einem Spannungaverstärkerkreis als zweite Stufe, einschliesslich Transistoren zur Phasenurakehrung der Ausgangseignale von diesen Spannungsverstärkerkreis, um.einen entsprechenden phasenverkehrten Ausgang zu erhalten, einem Spannungsverstärkerkreis, gleichfalls als Treiberstufe dienend, und einem Leistungsverstärkerkreis als letzte Stufe, einschliesslich einem Paar Leistung! Feldeffekttransistoren, die Triodenkenndaten aufweisen, zur Leistungsverstärkung der AusgangsSignaIe des Spannung«- verstärkerkrises der zweiten Stufe.
,insbesondere nach Anspruch 1
2» Niederfrequenz-Leistungsverstärker^, dadurch gekennzeichnet, dass er besteht aus einem Spannungsverstärkerkreis als erste Stufe, einechliesslich einem Transistor zur Verstärkung eines Niederfrequenzeignais, einem Spannungsverstärkerkreis als zweite Stufe, einschliesslich eines Transistors zur Spannungsverstärkung und Phasenumkehrung des Ausgangseignais von diesem Spannungsverstärkerkreis der ersten Stufe, wobei- der Spannungsverstärkerkreis ebenfalls als Treiberstufe dient, und einem Leistungsverstärkerkreis'als letzte Stufe, einschliesslich eines Paars Leistungs-Feldeffekttransistorsn, die Triodenkenndaten aufweisen, zur Leistungsverstärkung des Auegangssignals des Spannungsverstärkerkreises der zweiten Stufe.
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,insbesondere nach Anspruch 1/
3. Niederfrequenz-LeistungsverstärkerY dadurch gekennzeichnet, dass er besteht aus einem Spannungerverefrärkerkvaie als erste Stufe ale Differentialverstärker, einschliesslich eines Paars Feldeffekttransistoren zur SpannungeverStärkung eines Niederfrequenzmignals» einem Spaixnungsveratnrkerkreis als zweite Stufe, einschliesslick eines Feldeffekttransistors zur Spannungsverstärkung des Ausgangesignals von diesem Spannungsverstärkerkreis der ersten Stufe, ebenfalls als Treiberstufe dienend, und einem Leistungsverstärkerkreis als letzte Stufe, einschliesslich eines Paars Leistungs-Feldeffekttransistoren, die Triodenkenndaten aufweisen, zur LeistungsverstMrkung der Ausgangssignale des
Spannungsverstärkerkreises der zweiten Stufe·
insbesondere nach Anspruch I^
4. Niederfrequenz-Leistung»verstärker^ dadurch gekennzeichnet, dass er besteht aus einem Verstärkerkreis als erste Stufe, der ein Niederfrequenzsignal verstärkt, einem Verstärkerkreis als zweite Stufe, einvchliesslich eines n-p-n-Transistors und eines p-n-p-Traneistore zur Phasenumkehrung der Ausgangssignale von diesem Spannunfsverstärkerkreis in spiegelbildlich-symmetrischer Anordnung zur Phasenumkehrimg des Auegangssignals der ersten Verstärkerstufe und ebenfalls als reiberstufe dienend, und einem Leistungsverstärkerkreis als letzte Stufe, einschliesslich eines Paars p-Kanal-- und n-Xanal-Leistungs-FeldeffekttraneiiJfetoren, die Triodenkenndaten aufweisen, zur LeistungsverStärkung der Auegangesignale des Spannungsverstärkerkreises der zweiten Stufe, wobei die1 beiden Leistunga-Feldeffekttransistoren
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spiegelbildlich-symmetrisch angeordnet sind und wobei das Ausgangssignal dee n-p-n—Transistors geeignet ist, den ρ-Kanal-Feldeffekttransistor zu treiben* der Triodenkenndaten afuweist, und wobei das Auegangssignal von diesen p-n-p-Transistor geeignet ist, den η-Kanal-Feldeffekttransistor anzutreiben, der Triodenkenndaten aufweist»
5 · NiederfrequenzilieiKtmngsverstärfcer gemäss' Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Verstärkerkreis als erste Stufe zur Verstärkung eines Niederfrequenzsignals aus einem Kraftverstärker besteht.
6. Niederfrequenz-Leisttmgsverstärker gemäss Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Verstärkerkreis als erste Stufe zur Verstärkung eines Niederfrequenzsignals ein Differ entialverstärker ist, der ein Paar Transistoren einschliesst.
^insbesondere nach Anspruch T ,
7· Niederfrequenz-LeistungsverstärkerX dadurch gekennzeichnet, dass er besteht aus einem Verstärkerkreis als erste Stufe, einschIiesslich eines n-p-n-Transistors und ein»B p-n-p-Transistors, wobei die Transistoren in spiegelbildlich-symmetrischer Anordnung zur Verstärkung eines Niederfrequenzsignals verbunden sind, aus einem Verstärkerkreis als zweite Stufe, verbunden mit der Ausgangsseite des Verstärkerkreises als erste Stufe, einschliesslich eines zweiten n-p-n-Transistors und eines zweiten p-n-p-Transistore, wobei die zweiten Transistoren in spiegelbildlich-syenetrischer Anordnung verbunden sind .und wobei der Verstärkerkreis
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als zweite Stufe als auch als Treiberstufe dient, und aus einem Leietungs-Veretnrkerkrele als letzte Stufen einschliesslich eines ρ-Kanal-Leistungs-Feldeffekttransistor« und eines n-Kanal-Leistungs-Feldeffekttraneistors, wobei die Leietungs-Feldeffekttransistoren Triodenkenndaten aufweisen und in spiegelbildlich-symmetrischer Anordnung zur Verstärkung von Auesangssignalen dem Verstärkerkreises der zweiten Stufe verbunden sind und das Ausgangssignal von diesem n-p-n-Transistor geeignet ist, den p-Kanal-Leistungs-Feldeffekttransistor zu treiben und das Ausgangesignal von diese« zweiten p-n-p-Traneietor geeignet ist, den n-Kanal-
Leistungs-Feldeffekttransistor zu treiben.
,insbesondere nach Anspruch T,
8. Niederfrequenz-Leistungsverstärker\ dadurch gekennzeichnet, dass er besteht aus einem Verstärkerkreis als erste Stufe zur Verstärkung eines Niederfrequenzsignale, einen Verstärkerkreis als zweite Stufe einschllesslich eines ρ-Kanal-Feldeffekt transistors und eines n-Kanal-Feldeffekttransistors, wobei die Feldeffekttransistoren Triodenkenndaten aufweisen und in spiegelbildlich-symmetrischer Anordnung zur VerstSrkoiig des Aus gangs signals von diesem Verstärkerkreis als erste Stufe verbunden sind, und aus einem Leistungs-Verstärkerkreis als letzte Stufe, einschliesslich eines ρ-Kanal-Leistungs-Feldeffekttransistors,und eines n-Kanal-Leistungs-Fetde"ffekttransistors, wobei diese Eeistrings-Feldeffekttransistoren Triodenkenndaten aufweisen und in spiegelbildlich-symmetrischer Anordnung zur Verstärkung von Ausgangssignalen des Verstärkerkreises der zweiten Stufe verbunden
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sind, wobei das Ausgangesignal von diesem p-Kanal-Feldeffekttransistor, der Triodenkenndaten aufweist, geeignet ist, den p-Kahal-Leistungs-Feldeffekttransistor zu treiben und das Ausgangssignal von diesem zweiten n-Kanal-Feldeffekttransistor, der Triodenkenndaten aufweist, geeignet ist, den n-Kanal-Leistungs-Feldeffekttransistor zu treiben.
insbesondere nach Anspruch 1/
9. Niederfreqüenz-Le i stungsverstärker^i da durch gekennzeichnet, dass er besteht aus einem Verstärkerkreis als Differentialverstärker als erste Stufe, einschliesslich eines Paars Feldeffekttransistoren zur SpannungsverStärkung eines Niederfrequenzsignals, einem, mit Parallelwiderstand geregelten Gegentaktkreis, einschliesslich vier Feldeffekttransistoren zur Spannungsverstärkung des Ausgangssignals von diesem Spannungsverstärkerkreia, ebenfalls als Treiberstufe dienend, aus einem Parallelgegentaktkreis, das Ausgangesignal von diesem paralleVidevvaandsgeregelten Gegentakt· kreis verstärkend, ebenfalls als Treiberstufe dienend, einschliesslich $k Leistungs-Feldeffekttransistoren, die Triodenkenndaten als Leistungsverstärkerstufe aufweisen, eine· Stromkreis, der stromstabilisiert ist und den elektrischen Strom iregelt, der an den Differentialverstärkerkreis geliefert wird, wobei der stromstabilisierte Stromkreis ebenfalls den elektrischen Strom regelt, der an den durch Parallelwiderstand geregelten GegentaktStromkreis geliefert wird· (insbesondere nach Anspruch 1;
10. Nieder frequenz-Lei st ungsverstarker>r dadurch gekennzeichnet, dass er besteht aus einem Verstärkerkreis als Differen-
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tialverst&rker al· erste Stufe, einschliesslich eine· Paar» Feldeffekttransistoren zur Spannungsverstiirkung eine· Niederfrequenzsignals, einem mit Parallelwiderstand geregeltes Gegentaktkrei·, einschliesslich vier Feldeffekttransistoren zur Spannungsverstärkung de· AusgangssignaIs von diesem Spannungaver et ärkerkr ei s, ebenfalls ala Treiber etui" β dienend, au· einem Parallelgegentaktkreis, das Ausgangssignal von diese« parallelwiderstandsgeregelten Gegentaktkreis verstärkend, ebenfalls als Treiberetufe dienend, einem LeistungeverstSrkerkreie ohne Traneifer»ator und im Gleichlauf nit den Feldeffekttransistoren verbunden, die Triodenk·ηη-daten aufweisen, und zwar in Brückenechaltung, wobei der Lautsprecher mit der Anschlussklemme des Ausgangs der Brückenechaltung verbunden wird und der stromkonstanthaItende Stromkreis den elektrischen Strom regelt, der an den DifferentialverstSrkerkreia und den parallelwiderstandsgeregelten Gegentaktkreis geliefert wird.
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