DE2343386A1 - Quarzkristalloszillatorschaltung - Google Patents

Quarzkristalloszillatorschaltung

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Description

BLUMBACH · WESER ■ BERBERN & KRÄMER
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73/8720
Kabushiki Kaisha Suwa Seikosha Tokyo / Japan
Quarzkristalloszillatorschaltung
Die Erfindung "betrifft eine Quarzkristalloszillator schaltung, durch die ein Quarzkristallschwinger zum Schwingen gebracht wird, unter Verwendung von Feldeffekttransistoren (FETs), wobei eine ungerade Anzahl von Stufen von komplementären Isolierschicht-Peldeffekttransistor-Invertera (IG-FET-Invertern) in Serie geschaltet ist. Insbesondere bezieht sich die Erfindung auf eine Quarzkristalloszillatorschaltung, bei der der Arbeitspunkt abhängig von einer automatischen Vorspannung eingestellt und eine Eigenschwingung erzeugt wird.
Es sind Quarzkristalloszillatorschaltungen bekannt, bei denen sich der einer automatischen Vorspannung entsprechende Arbeitspunkt einstellt, wenn eine Eigenschwingung erzeugt wird. Die bei Verwendung eines Metalloxid-Feldeffekttransistors (MOS-IETs) an der Drainelektrode abgegriffene Ausgangsspannung wird zur Gateelektrode zurückgekoppelt, der eine geeignete Gatespannung zugeführt wird, um die Schwingung schnell in Gang su setzen. Zur Einstellung des Arbeitspunktes wird ein Rückkopplungswider-
**"* Ccm 4^
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PATENTANWÄLTE BUUMBACH, WESci-i. C)ERGENA KnAMER. S MÖNCHEN 6O PLOSBMANN' Ί f: .
stand verwendet, für den ein grosser Widerstandswert erforderlich ist. Wird als Sückkopplungswiderstand ein Dünnfilmwiderstand eingesetzt, dann entsteht eine integrierte Schaltung des Hybridtyps und durch die Kontakte wird die Zuverlässigkeit vermindert. Wird eine Diffusionsschicht verwendet, so stösst dies bei der geforderten Grössenordnung des Widerstandswertes auf Herstellungsschwierigkeiten. Polykristallines Silizium als Rückkopplungswiderstand verursacht eine verhältnismässig grosse Instabilität durch die Temperaturabhängigkeit.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, bei einer Schaltung der einleitend genannten Art den Eückkopplungswiderstand durch ein Element zu ersetzen, das gleichzeitig mit den übrigen Schaltungselementen als monolithische integrierte Schaltung ausgebildet werden kann, und das eine grosse TemperaturStabilität der Oszillatorfrequenz ermöglicht. Die Herstellungskosten und die Zuverlässigkeit sollen, im "Vergleich zu den bekannten Schaltungen, verbessert werden. Die Schaltung soll insbesondere für die Verwendung in einer elektronischen Uhr geeignet sein.
Die Aufgabe ist erfindungsgemäas durch die im Kennzeichen des Patentanspruches 1 angegebenen Merkmale gelöst. Weitere wesentliche Merkmale der Erfindung sind in den Unter ansprächen angegeben.
Bei der erfindungsgemässen Lösung dient als Widerstandselemer-t
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.TENT/ KiWALTE BUUMBACH. WEWcFv BtRGENd1KhMMER, 8 MÜNCHEN 6O, FLOSSMANNSTR.15
eines hohen Widerstandswertes ein MOS-FET, dessen Source- und Brainelektrode mit dem Ausgang bzw. dem Eingang der Oszillatorschaltung in Verbindung stehen. Vorzugsweise werden zwei komplementäre MOS-FETs als Rückkopplungswiderstand verwendet.
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PATENTANWÄLTE BLUMBACH, WEStK BERGEN S KIiAMER, ti MDNCHKN BCi. FLOSS M AlJN HT R ->'.:-
Die Erfindung wird durch. Ausführungsbeispiele anhand von sechs Figuren näher erläutert. Es zeigen
Pig. 1 einen aus komplementären MOS-FETS bestehenden Inverter, Fig. 2 eine allgemeine Quarzkristalloszillatorschaltung,
Fig. 3 die Drainstrom-Drainspannungscharakteristik eines MOS-FETS,
Fig. 4· eine Ausführungsform eines MOS-FETS gemäss dieser Erfindung, der als Widerstand dient,
Fig. 5 eine Ausführungsform einer erfindungsgemässen Quarz-,kristalloszillatorschaltung,
Fig. 6 eine Ausführungsfora einer eriindiingsgemässen Quarzkristalloszillatorsclialtung, die mit einer Phasen schaltung versehen ist,
Fig. 1 stellt' einen üblichen Inverter lar, der aus einer Serienschaltung eines p-Kanal- und eines n-Xanai-MOS-FET besteht. In der Zeichnung bedeuten
Trp * p-£anal-MOS-FET
Trn ■ n-Kanal-MOS-FET
Sp, Dp, Gp * Source, Drain und Gate des Trp Sn, Dn, Gn ■ Source, Drain bzw. Gate des Trn.
Die in Fig. 2 dargestellte allgemeine Quarzkristalloszillatorschaltung; ist aus den in Fig. 1 dargestellten Invertern Ii aufgebaut. Es sind komplementäre Inverter I. bis In zu einer η-stufigen Serienschaltung verbunden, Eine beliebige Stufe Ii
- 4 409811/0930
P ' TEN ■' "■· JWAL TK BLUMBACH". WESfcH. Es [.TJG EN A K KAM ER. fi MÖNCHEN 6ΰ, KLOSSMANNSTR If
ist mit einer Phasenschaltung PO versehen. Die Ausgangsgrösse am Ausgang Do, d.h. am Drainanschluss des letzten Inverters In wird durch einen Quarzkristallschwinger X zum Eingang Go zurückgekoppelt, der den Gateanschluss des Inverters Iy, der ersten Stufe darstellt. Zur Phasenkompensation ist ausserdem an den den Ausgang der Serienschaltung bildenden Drainanschluss Do eine Ausgangskapazität Cd und an den den Eingang der Serienschaltung bildenden Gateanschluss eine Eingangskapazität Cg angeschlossen. Der Arbeitspunkt dieser Inverterserienschaltung wird durch Hückkopplung der Ausgangsgrösse des Drainanschlusses Di des Inverters Ii einer beliebigen Stufe zum Gateanschluss des Eingangs der Serienschaltung unter Verwendung eines Widerstandes Rf eingestellt. Abhängig von der Vorspannung wird sodann eine Eigenschwingung erzeugt. Im allgemeinen ist der Widerstandswert des Widerstandes Ef grosser als mehrere Megohm. Er soll so gross wie möglich sein, ohne jedoch einen Einfluss auf die Phasenbeziehung der Schaltung auszuüben. Im allgemeinen wird ein Widerstand von aussen eingefügt oder unter Verwendung eines Dünnfilmwiderstandes eine integrierte Schaltung des Hybridtyps hergestellt. Die zusätzlichen Eontakte verursachen viele Fehler und verringern damit die Zuverlässigkeit. Es ist deshalb erwünscht, den Widerstand zusammen mit den anderen Schaltungselementen als eine monolithische integrierte Schaltung auszubilden. Wird jedoch eine Diffusionssch!ent verwendet, dann stellt der spezifische Widerstand eine Grenze aar, und ein kleiner 3?lächenbereich macht die Herstellung eines Widerstandes
4 0 9 8 1 1/0930
P' TENT ANWÄLTE BUUMBACH. WES.KR. BERQEiNA KRAMER, β MOHCHEN 6Ο FLObhMANNS! ί
dieser Grössenordnung schwierig. Vird polykristallines Silizium verwendet, so wird wegen der (Eemperaturabhängigkeit eine Instabilität der Schwingfrequenz verursacht.
Durch die Erfindung werden diese Mangel dadurch eliminiert, dass als Widerstand der Kanalwiderstand eines MOS-FETS verwendet wird, welcher einen hohen Widerstandswert aufweist. Die Beziehung zwischen dem Strom und der Spannung eines MOS-FEiES genügt im allgemeinen den folgenden Bedingungen:
O <Vö. <Vge Id m/i ( Vge.VD - 1/2Vd2) Vge < Vd Id- 1/2ßVge2
wobei Vge » effektive Gatespannung,
Vd - Drainspannung,
Id ■ Drainstrom,
Beweglichkeit an der Kanalfläche, Cox » Kapazität pro Flächeneinheit der Gate-Isolierschicht und
W/L » das Verhältnis von Breite zu Länge des Kanals.
Ein äquivalenter Widerstand Re entspricht dem Verhältnis Vd/Id, d.h. dem Verhältnis von Drainspannung zu Drainstrom, und wirdj wie auE Fig. 3 ersichtlich, zu einem Minimum Remini, wenn Vd - Oj
Vd 1
Re
Id * (Vge -
O 9 8 i 1/0930
i:r r ,; v/AKTE Bl-UMBACH. WEi-KR, BERGEN S KRAMER. 8 MÖNCHEN 6O, FLOSSMAMNSTR ".D
Aus diesen Gleichungen geht hervor, dass wegen /J.©uW/L leicht ein Widerstandswert von wenigstens einigen Megohm erhalten werden kann, wenn das Verhältnis V/L klein genug gemacht wird. Die Gleichung gilt für den Fall, dass die effektive Gatespannung Vge festgehalten wird. .Ändert sich die effektive Gatespannung Tge abhängig von der Drainspannung Vd, dann wird der effektive Widerstand Re umgekehrt proportional zu W/L, d.h. zum Verhältnis von Breite zu Länge des Kanals, In Wirklichkeit beträgt die Beweglichkeit an der n-Kanalseite etwa 600 cm /Vsec und an der
p-Kanalseite etwa 300 cm /Vsec, Wenn die Gatekapazität Oox pro
—8 ?
Flächeneinheit 3 χ 10" E/cm und die effektive Gatespannung Vge an der n-Kanalseite 0,5 V beträgt, kann innerhalb eines kleinen Bereiches ein minimaler effektiver Widerstand von 5 Megohm durch Verringerung des Verhältnisses W/L von Breite zu Länge des Kanals auf nicht mehr als 0,02 an der η-Kanalseit«und nicht mehr als 0,075 an der p-Kanalseite erhalten werden« Hinsichtlich der Temperaturabhängigkeit sind die Verhältnisse wesentlich besser als bei einem Widerstand aus polykristallinem Silizium, da bei einer Temperaturzuηahme die Beweglichkeit U verringert und die effektive Gatespannung Vge vergrössert werden, sojäass sich die beiden Wirkungen aufheben.
In Fig. 4 ist ein konkretes Ausführungsbeispiel gemäss dieser Erfindung dargestellt. Es sind hier ein η-Kanal MOS-Ii1ET Tm und ein p-Kanal MOS-FET Trp parallelgeschaltet. Hierdurch wird der Widerstand Rf realisiert.
_ 7 „ A0981 1 /0930
PATENTANWÄLTE BLUMBACH WESER, BERGEN * KRAMER, 8 MUNCHKN 6O, FLOSSMANNSTR.iB
Fig. 5 stellt tLie Anwendung der den Widerstand Ef realisierenden Schaltung in einer Oszillatorschaltung dar, die aus einem einstufigen komplementären Inverter "besteht. Die an die Gateelektroden Gn und Gp der Transistoren Traf und Trpf, welche einen effektiv hohen Widerstand aufweisen und deren am Drainanschluss abgenommene Ausgangsgrösse zum als Eingang dienenden Gateanschluss zurückgekoppelt wird, angelegten Spannungen sind so gewählt, dass "beide oder jeweils abwechselnd in einer Halbperiode jeweils ein Transistor eingeschaltet wird.Z.B. wird der positive Pol einer Spannungsquelle mit der Gateelektrode Gn des n-Kanaltransistors Trnf und der negative Pol der Spannungsquelle mit der Gateelektrode Gp verbunden« Pie Potentiale des Drainanechlusses Do und des Gateanschlusses Go können bequem verwendet werden.
Während bei der Ausführungsform nach Fig» 5 der p-Xanal MOS-FET Trpf und der η-Kanal MOS-FET Trnf als Sückkopplungswiderstand wirken, kann der in Fig. 4 dargestellte Widerstand auch als Widerstand einer Phasenschaltnnig5 z.B. zur Phasenkompensation eingesetzt werden. Dieser Fall iat in Fig. 6 dargestellt, wobei als Kapazität die parasitäre Drainkapazität Gd eines MOS-FET dient. Der phasenkompensierende p-Kanal MOS-FET ist mit Trpc und der phasenkompensierende η-Kanal MOS-FET mit Trnc bezeichnet. In dieaem Fall können die Gates Gnc und Gpc der Transistoren Trnc und Trpc der Phasenschaltung entsprechend einer äquivalenten Spannung wie die Rückkopplungstransistoren Trnf und
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PATEtJTANWALTE BUViMBAO . WESfcf;. UERQEH S KRAMER, β MÜNCHEN 6O, FLOSSMANNSTRiK
Trpf betrieben werden.
Die Erfindung eignet sich insbesondere für die Verwendung in einer elektronischen Uhr. Wenn in einen Chip eine Kapazität eingebaut wird, wird auf einfache Weise eine, mit Ausnahme des Quarzkristallstückes, vollständig monolithische integrierte Schaltung erhalten. Die die Frequenz regulierende Kapazität wird von aussen angebracht. Hierdurch können die Kosten für eine kleine elektronische Uhr grosser Zuverlässigkeit beträchtlich gesenkt werden.
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Claims (6)

  1. PATENTANWÄLTE BLUMBACH. WEi-L:."?, BZFiGEN,: KRÄMER, "3 MOfCHEN 6O. f LOSSMAN'Ji.i.
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    Patentansprüche
    ; 1. jQuarzkristalloszillatorschaltung, durch die ein Quarzkristallschwinger zum Schwingen gebracht wird, unter Verwendung von Feldeffekttransistoren, wobei eine ungerade Anzahl von Stufen von komplementären Isolierschicht-Feldeffekttransistor-Invertern (IG-FET-Invertern) in Serie geschaltet ist, dadurch gekennzeichnet, dass der Quarzkristallschwinger (X) zwischen den Ausgang (Do) der letzten Stufe (In) und den Eingang (Go) der ersten Stufe (1^) geschaltet ist, um einen Rückkopplungskreis zu bilden, und zwischen den Ausgang und den Eingang die Source- und die Drainelektrode eines Isolierschicht-Feldeffekttransistors (IG-J1EOJs, Traf bzw. Trpf) geschaltet sind.
  2. 2. Quarzkristalloszillatorschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der IG-FET-Inverter wenigstens zwei komplementäre Metalloxid-Feldeffekttransistoren (MOS-FETs, Trnf bzw. Trpf) umfasst und an seiner Ausgangsseite eine Phasensteuereinrichtung (PC., Trac bzw. Trpc) vorgesehen ist, um der Schaltung über die Phasensteuereinrichtung eine Vorspannung zuzuführen.
    - 2 40981 1/0930
    ■f-Tt. NT/ NWALTE BLUMBACH. WEGZr, ECRQEf- Λ KHAMER, 8 Ml1NCHEN 6O, FLOSSMANNSTR.1E
  3. 3. Quarzkristalloszillatorschaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Phasensteuereinrichtung wenigstens einen MOS-IET (Trac bzw. Trpc) enthält.
  4. 4. Quarzkristalloszillatorschaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Phasensteuereinrichtung wenigstens ein Paar komplementärer MOS-FET s enthält.
  5. 5. Quarzkristalloszillatorschaltung, nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Rückkopplungskreis wenigstens ein Paar komplementärer MOS-FETs enthält,und die Phasensteuereinrichtung ein Widerstandselement umfasst.
  6. 6. Quarzkristalloszillatorschaltung nach einem der Ansprüche 1-5> dadurch gekennzeichnet, dass zwischen den Drainanschluss (Do) der letzten Stufe (In), die mit dem einen Ende des Quarzkristallschwingers (X) in Verbindung steht, und Masse und/oder zwischen den Gate anschluss (Go) der ersten Stufe (1^,), die mit dem anderen Ende des Quarzkristallschwingers (X) in Verbindung steht, und Masse eine Kapazität (Gd bzw. Og) geschaltet ist, und dass der betreffende Drain- und der betreffende Gateanschluss durch einen Hückkopplungs-Feldeffekt-iransistor verbunden
    - 3 40981 1/0930
    PATENTANWÄLTE BLUMBACH, WE 3 L Γ, Γ "RGEf IKHAMER, ti MÜNCHEN βο FLOSSMANNSTR.15
    sind, um den Arbeitspunkt des schwingenden komplementären Transistors einzustellen.
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DE2343386A 1972-08-28 1973-08-28 Quarzkristalloszillatorschaltung Withdrawn DE2343386B2 (de)

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IT (1) IT990242B (de)
MY (1) MY7800073A (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2826900A1 (de) * 1977-06-20 1978-12-21 Hitachi Ltd Spannungsabgestimmter oszillator

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH580358A5 (de) * 1974-09-20 1976-09-30 Centre Electron Horloger
JPS5199454A (de) * 1975-02-28 1976-09-02 Hitachi Ltd
JPS5212446U (de) * 1975-07-16 1977-01-28
CH600678A5 (de) * 1975-08-12 1978-06-30 Centre Electron Horloger
US4048590A (en) * 1976-07-21 1977-09-13 General Electric Company Integrated crystal oscillator circuit with few external components
JPS5318944U (de) * 1976-07-26 1978-02-17
US4142161A (en) * 1978-02-16 1979-02-27 Timex Corporation Crystal oscillator
JPS6165409A (ja) * 1984-09-06 1986-04-04 Koushinraido Hakuyo Suishin Plant Gijutsu Kenkyu Kumiai 電磁石
US4821096A (en) * 1985-12-23 1989-04-11 Intel Corporation Excess energy protection device
JPH0372669A (ja) * 1989-05-17 1991-03-27 Toshiba Corp 半導体集積回路装置およびその製造方法
US5331296A (en) * 1992-10-16 1994-07-19 National Semiconductor Corporation Oscillator having controllable frequency compensation for suppressing undesired frequency of oscillation
JPH07162237A (ja) * 1993-12-07 1995-06-23 Nec Corp 発振回路
US5450042A (en) * 1994-06-08 1995-09-12 Delco Electronics Corporation Low distortion crystal oscillator circuit
JP3204211B2 (ja) * 1998-04-27 2001-09-04 松下電器産業株式会社 発振装置
EP2779456B1 (de) * 2013-03-15 2018-08-29 Dialog Semiconductor B.V. Verfahren zur Verringerung des Übersteuerungsbedarfs bei MOS-Schaltung und Logikschaltung
US10734958B2 (en) * 2016-08-09 2020-08-04 Mediatek Inc. Low-voltage high-speed receiver

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH417779A (fr) * 1964-03-26 1966-07-31 Suisse Horlogerie Dispositif électronique comprenant au moins un circuit électronique intégré
US3392341A (en) * 1965-09-10 1968-07-09 Rca Corp Self-biased field effect transistor amplifier
US3568091A (en) * 1969-02-26 1971-03-02 Hamilton Watch Co Astable multivibrator using two complementary transistor pairs
US3676801A (en) * 1970-10-28 1972-07-11 Motorola Inc Stabilized complementary micro-power square wave oscillator
US3678293A (en) * 1971-01-08 1972-07-18 Gen Instrument Corp Self-biasing inverter
US3757510A (en) * 1972-07-03 1973-09-11 Hughes Aircraft Co High frequency electronic watch with low power dissipation

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2826900A1 (de) * 1977-06-20 1978-12-21 Hitachi Ltd Spannungsabgestimmter oszillator

Also Published As

Publication number Publication date
JPS4941055A (de) 1974-04-17
DE2343386B2 (de) 1978-04-27
HK4278A (en) 1978-01-27
CH618834GA3 (de) 1980-08-29
FR2198309A1 (de) 1974-03-29
US3889211A (en) 1975-06-10
GB1412549A (en) 1975-11-05
CH641924B (de)
FR2198309B1 (de) 1977-09-09
CH618834B (fr)
CH641924GA3 (de) 1984-03-30
IT990242B (it) 1975-06-20
ES418029A1 (es) 1976-02-01
MY7800073A (en) 1978-12-31

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