DE2338742B2 - Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial - Google Patents
Elektrophotographisches AufzeichnungsmaterialInfo
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- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/043—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
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Description
Die Erfindung betrifft ein elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial mit einem Schichtträger, einer »5
halbleitenden Zwischenschicht und einer photoleitenden Schicht.
In der Elektrophotographie wird ein für eine aktivierende Strahlung, z. B. für Licht- oder Röntgenstrahlen,
empfindliches Material verwendet, das im wesentlichen aus einer photoleitenden isolierenden
Schicht auf einem leitenden Substrat besteht. Das Substrat oder der Aufzeichnungsträger kann eine
flache Platte, eine zylindrische Fläche oder ein biegsames bandförmiges Material od. dgl. sein, je nachdem
wie es für den speziellen Zweck erforderlich ist. Auf diesem Aufzeichnungsmaterial wird ein elektrostatisches
latentes Bild dadurch erzeugt, daß eine auf die photoleitende Schicht aufgebrachte elektrostatische
Ladung unter der Wirkung aktivierender Strahlung, z. B. einer Bildprojektion mit sichtbarer Strahlung,
selektiv leitend wird.
Bei diesem elektrophotographischen Verfahren ist es von wesentlicher Bedeutung, daß die auf der Oberfläche
der photoleitenden Schicht befindliche elektrostatische Ladung bei fehlender Strahlung über einen
möglichst langen Zeitraum erhalten bleiben soll. Anderenfalls tritt eine Verschlechterung des Kontrastes
auf. Es wird aber auch als nachteilig angesehen, daß ζ. B. in der Röntgenelektrophotographie die notwenige
Arbeitszeit zu kurz wird und damit die Durchführung des Verfahrens nicht nur erschwert, sondern
sogar unmöglich wird.
Das Abfließen der elektrostatischen Ladung läßt sich durch Verwendung eines Photoleiters mit sehr
hohem Dunkelwiderstand beheben. Da die gängigen Photoleiter nicht alle eine derartig hohe Dunkelleitfähigkeit
aufweisen, wird in vielen Fällen zwischen der photoleitenden Schicht und dem leitenden Substrat
eine isolierende Zwischenschicht vorgesehen. Diese Zwischenschichten sollen einerseits einen Abbau der
elektrostatischen Ladung im unbelichteten Zustand verhindern, andererseits aber bei einsetzender Belichtung
einen Abfluß der Ladungsträger zu dem leitenden Substrat ermöglichen. Es ist auch bekannt, daß halbleitende
Materialien als Zwischenschichten verwendbar sind, wie dies etwa in der DT-AS 10 22 091 beschrieben
worden ist.
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Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, daß einige Zwischenschichten, wie z. B Gallium oder das
Substrat selbst, im unbelichteten^ Zustand Ladung*,
träeer in die photoleitendc Schicht injizieren. Dieser
Effekt wird insbesondere bei Verwendung von Stahl als Substrat beobachtet. .
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine
Zwischenschicht zu schaffen, die bei Belichtung des Photoleiters ein ausreichendes Abfließen der elektrostatischen
Ladung ermöglicht und andererseits im unbelichteten Zustand eine Injektion von Ladungsträgern
mit zur Oberflächenladung entgegengesetzter Polarität verhindert. r- c j A A .
Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung dadurch eelöst, daß das Aufzeichnungsmaterial eine Zwischenschicht
enthält, in der die Beweglichkeit der Ladungsträgersorte, dit nicht in die Zwischenschicht eindringen
soil mindestens zwei Zehnerpotenzen geringer ist als die'Beweglichkeit der eindringenden Sorte und nicht
größer als 10-· cma/Volf see.
Der für die Zwischenschicht verwendete Halbleiter muß nicht notwendig ein Photoleiter sein.
Un'er der Beweglichkeit der Ladungsträger, fur die
in Halbleitern Elektronen und Löcher in Betracht kommen, wird die Geschwindigkeit (z. B. in cm/sec)
der Drift der Ladungsträger innerhalb eines Atomgitters für eine Feldstärke von 1 Volt/cm verstanden.
Als Maß für die Beweglichkeit ergibt sich dann
= cmTVolt-sec.
Volt/cm
Die Einzelleitfähigkeit der Elektronen und Löcher wird durch die nachstehenden Formeln bestimmt
ae = η ■
\e\
Hierin bedeutet
η =
= spezifische Leitfähigkeit der Elektronen
(Ω-1 cm-1),
(Ω-1 cm-1),
Elektronendichte (cm"3),
Elektronenbeweglichkeit (cm2/Volt · sec),
Betrag der Elementarladung (A · see),
spezifische Leitfähigkeit der Löcher
(Ω-1 cm-1),
Elektronenbeweglichkeit (cm2/Volt · sec),
Betrag der Elementarladung (A · see),
spezifische Leitfähigkeit der Löcher
(Ω-1 cm-1),
ρ = Löcherdichte (cm-3),
μζ, = Löcherbeweglichkeit (cm*/Volt · see).
μζ, = Löcherbeweglichkeit (cm*/Volt · see).
Unter im übrigen gleichen Bedingungen der Größen von ρ und η ergibt sich daraus, daß die Beweglichkeit
der Ladungsträgersorte deren Leitfähigkeit bestimmt.
Das elektrophotographische Aufzeichnungsmaterial gemäß der Erfindung wird zweckmäßig derart ausgewählt,
daß bei unter Betriebsbedingungen positiver Oberflächenladung auf der Oberfläche der photoleitenden
Schicht die Beweglichkeit der Elektronen in der Zwischenschicht klein ist gegenüber der Beweglichkeit
der Löcher oder bei unter Betriebsbedingungen negativer Ladung auf der Oberfläche der nhotoleitenden
Schicht die Beweglichkeit der Löcher in der Zwischenschicht klein gegenüber der Elektronenbeweglichkeit
ist.
Bei positiver Oberflächenladung wird als Material für die Zwischenschicht in vorteilhafter Weise Arsenselenid,
Arsen sulfid oder eine Mischung derselben verwendet. Gute Ergebnisse lassen sich auch bei Verwendung
eines PVK-Halbleiters (Polyvinylcarbazol) erzielen. Als bevorzugtes Material bei negativer Ober-
flächenladung kann ein TNF-Halbleiter (Trinitrofluorenon)
Verwendung finden. Als weitere Beispiele seien etwa P8Se3 oder die Mischsysteme
χ (P2Se3) · (1-x) (As8Se3) und * (As2S3) · (l-x) (P2Se3)
mit 0 < χ < 1 oder gegebenenfalls auch Mischungen
aus diesen genannt
Zur Erläuterung der Erfindung wird auf die Figur verwiesen, die in scheniatischer Darstellung ein elektrophotographisches
Aufzeichnungsmaterial gemäi) der Erfindung wiedergibt. Das Aufzeichnungsmaterial 1
besteht aus dem Substrat 2, das beispielsweise plattenförmig ausgebildet sein kann, der photoleitenden
Schicht 4 und einer zwischen der photoleitenden Schicht 4 und dem Substrat 2 angeordneten Zwischenscliicht
3, die nach den erSndungSijemäßen Merkmalen
ausgesucht ist. Im Ausführungsbeispiel wurde eine positive Oberflächenladung auf der photoleitenden
Schicht angenommen, wobei, wie bereits erwähnt, die Zwischenschicht vorteilhaft aus Arsenselenid oder
Arsensulfid bestehen kann. Sollte aus Haftungsgründen bereits eine Zwischenschicht vorgesehen sein, die
ihrerseits jedoch Ladungsträger in die photoleiiende
Lo Schicht injiziert, so wird die erfindungsgemäße Zwischenschicht zusätzlich auf der ersten Zwischenschicht
angeordnet. In diesem Fall besteht das Substrat aus einer leitenden Unterlage und einer darüberliegenden
ersten Zwischenschicht.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (2)
1. Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial mit einem Schichtträger, einer halbleitenden
Zwischenschicht und einer photoleitf ähigen Schicht, dadurch gekennzeichnet, daß es eine
Zwischenschicht enthält, in der die Beweglichkeit der Ladungsträgersorte, die nicht in die Zwischenschicht
eindringen soll, mindestens zwei Zehnerpotenzen geringer ist als die Beweglichkeit der
eindringenden Sorte und nicht größei als 10~e cm*/
Volt · see.
2. Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß es eine Zwischenschicht aus Arsenselenid, Arsensulfid, einer Mischung aus Arsensdenid und
ATseusulfid, Polyvinylcarbazol oder Trinitrofiuoienon
enthält.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19732338742 DE2338742B2 (de) | 1973-07-31 | 1973-07-31 | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial |
NL7410217A NL7410217A (nl) | 1973-07-31 | 1974-07-30 | Elektrofotografisch registratiemateriaal. |
FR7426645A FR2239711A1 (en) | 1973-07-31 | 1974-07-31 | Electrophotographic recording assembly - with semiconductor charge injection intermediate layer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19732338742 DE2338742B2 (de) | 1973-07-31 | 1973-07-31 | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2338742A1 DE2338742A1 (de) | 1975-02-20 |
DE2338742B2 true DE2338742B2 (de) | 1975-07-24 |
Family
ID=5888459
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19732338742 Pending DE2338742B2 (de) | 1973-07-31 | 1973-07-31 | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE2338742B2 (de) |
FR (1) | FR2239711A1 (de) |
NL (1) | NL7410217A (de) |
-
1973
- 1973-07-31 DE DE19732338742 patent/DE2338742B2/de active Pending
-
1974
- 1974-07-30 NL NL7410217A patent/NL7410217A/xx unknown
- 1974-07-31 FR FR7426645A patent/FR2239711A1/fr not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL7410217A (nl) | 1975-02-04 |
FR2239711A1 (en) | 1975-02-28 |
DE2338742A1 (de) | 1975-02-20 |
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