DE2337060B2 - Mikrowellenoszillator - Google Patents
MikrowellenoszillatorInfo
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B7/00—Generation of oscillations using active element having a negative resistance between two of its electrodes
- H03B7/12—Generation of oscillations using active element having a negative resistance between two of its electrodes with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B7/14—Generation of oscillations using active element having a negative resistance between two of its electrodes with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance active element being semiconductor device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2201/00—Aspects of oscillators relating to varying the frequency of the oscillations
- H03B2201/01—Varying the frequency of the oscillations by manual means
- H03B2201/014—Varying the frequency of the oscillations by manual means the means being associated with an element comprising distributed inductances and capacitances
- H03B2201/015—Varying the frequency of the oscillations by manual means the means being associated with an element comprising distributed inductances and capacitances the element being a cavity
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- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Description
60
Die vorliegende Erfindung betrifft einen zweikreisigen Mikrowellenoszillator, bestehend aus einem
Hatiptkreis mit einem Halbleiterelement als aktivem
Element, das unter dem Einfluß einer angelegten Spannung einen negativen Widerstand aufweis' und eine
durch die Resonanz des Hauptkreises bestimmte Schwingung erzeugt, und einem an den Hauptkreis
über eine Kopplungsöffnung im Bereich des Halbteiterdementes
angekoppelten Stabilisierungsresonator mit hoher Kreisgüte, bei dem der Hauptkreis als inhomogene
Leitung ausgebildet ist, die aus einem metallischen Innenleiter und einem den Innenleiter abschließenden
Halbleiterelement besteht.
Bei MikroweUenoszillatoren mit einem Halbleiterelement
als aktivem Element beispielsweise aus dem Bericht »High Stability, High Power. Impatt Oscillator«,
von K. Wilson. A. J. Tebby and D. W.
Langdon. A. N ο ν e I, Proceedings 1971 European
Microwave Conference, A6/2:l-A/6 2:4. ist es bekannt, daß dieses Halbleiterelement in einem z. B. koaxialen
Hauptkreis angeordnet ist und daß zur Stabilisierung der in diesem Kreis erzeugten Schwingung ein Stabili
sierungsresonator mit hoher Kreisgüte angekoppelt ist. Der Hauptkreis des Oszillators besteht aus einem koaxialen
Leitungsstück, welches einerseits mit dem Halbleiterelement (Gunn-Diode) und andererseits mit
tinem. im Mikrowellenbereich als Kurzschluß wirkenden Körper abgeschlossen ist. Der Hauptkreis steht
über einen λ/4 langen rechteckigen Verbindungswellenleiter mit dem Stabilisierungsresonator in Verbindung.
Die Ankopplung der Diode an den Stabilisierungsresonator erfolgt über eine rechteckige Kopplungsöffnung
in der Resonatorwand und den erwähnten Verbindungswellenleiter. Der Stabilisierungsresonator
ist abstimmbar. Bei fest eingestelltem Hauptkreis kann bei dieser Art Oszillatoren, die erzeugte Frequenz
durch Veränderung der Resonanzfrequenz des Stabilisierungsresonators über einen Ziehbereich gezogen
werden (Pulling-Bereich). )e größer die Kreisgüte des Hauptkreises gewählt wird, um so schmäler wird der
Ziehbereich des Oszillators. Durch Verschieben des Kurzschlusses im Hauptkreis, d. h. durch Anpassen des
Hauptkreises an den Stabilisierungsresonator, kann der Abstimmbereich vergrößert werden. Diese bekannten
Mikrowellenoszillatoren haben den Nachteil, daß der Frequenzziehbereich relativ klein ist. Eine gleichzeitige
Veränderung der Resonanzfrequenz des Stabilisierungsresonators und des Hauptkreises läßt sich nicht
leicht realisieren, da die beiden betreffenden Abstimmcharakteristiken so verschieden sind, daß zum Errci
chen eines Gleichlaufes ein kompliziertes Funktionsgetriebe notwendig wäre. Die rechteckige Kopplungsöffnung
weist zusammen mit dem λ/4 Linien, rechteckigen,
für eine Frequenz ausgelegten Verbindungswellenleiter einen sehr schmalen Übertragungsbereich auf.
Zum Stand der Technik gehört ferner die DT-OS 23 19 632, in der ein Mikrowellenoszillator mit einer die
Resonanzfrequenz und die Impedanzanpassung bestimmenden Struktur beschrieben ist.
\us US-PS 35 93 192 ist ein weiterer abstimmbarer
Halbleitermikrowellenoszillator mit einer zweikreisigen Hohlraumresonatoranordnung bekannt. Ein mittels
eindrehbaren Stempeln abzustimmender Hilfskreis ist nach der auch beim Bau von Klystrons üblichen Art an
einen Haupikreis angekoppelt. Im Hauptkreis selbst befindet sich als Os/illatorelement ein Halbleiter
(Schwingende Diode). Dieser Halbleiter ist durch eine einerseits als Diodenhalterung und andererseits als ei
sie Zuleitung einer Richt-Spannung (Bias-Voltage) dienenden
Achse auf einer, mit der zweiten Zuleitung in Verbindung stpSipnclen .Stiftschraube fixier·.. Die Achse
ist auf der Halbleiterseite abgesetzt und in ihrem Mittelteil mit einer Eindrehung, zur Bildung einet
HF-Sperre (High-Frequenzy-Choke), versehen.
Die verwendete Rejonator-Ankopplung wirkt eben-
falls als Verbindungswellenleiter; der Ziehbereich der
Schwingungsfrequenz ist relativ schmal.
Die Aufgabe, die durch die vorliegende Erfindung gelöst werden soll, besteht darin, mit konstruktiv einfachen
Mitteln, unter Verwendung weniger Teile den Bau von MikrowellenosziDatoren mit hoher Kurzzeitstabilität
und großen FrequenzabstimmbereichTn, zu ermög
liehen. Insbesondere soll auch die Fi^equenzabstimmung
gegenüber den im Stand der Technik beschriebenen ».. e«n. .^w...—&
Anordnungen vereinfacht sein. Auf die bekannten, als io führt. Zwischen dem Zuführungsleiter H^ und <tem
bidllli ikd R^
9 isoliert. Im Zentrum der Leitung 1 ist ein Zuführungsleiter 11 vorhanden, der an einem Ende ein Gewinde 15
aufweist und in der Isolierplatte 12 eingeschraubt ist. Diese Isolierplatte 12 ist auf dem Flansch 8 befestigt.
Sie ist leicht federnd ausgeführt, so daß der Zuführungsleiter 11 auf das am anderen Ende liegende Halbleiterelement
3 drückt. Die über den Zuführungsleiter 11 geleitete Betriebsspannung wird auf diese Weise unter
gute<- Kontaktgabe dem Halbleiterelement 3 zuge-
Außenleiter 9 ist ein konzentrisch -mgeordnetes Teil
eingepreßt Es ist durch eine dünnwandige Isolierhülse 14 vom Zuführungsleiter U isoliert. Dieses Teil besteht
aus zwei aneinandergereihten Büchsen 6 und 13. Die vom Halbleiterelement 3 aus gesehene erste Büchse 6
stellt zusammen mit der Einschnürung 21 des Außenleiters
9 die erforderliche Inhomogenität dar und ist entsprechend dimensioniert. Die Stirnseite 4 der zweiten
oc... ^.....^..eog^...«.^.. .».^.^„t..t„^„,aiv„ 15l Büchse 13 bildet den Mikrowellen-Kurzschluß. In der
der Stabilisierungsresonator unmittelbar, d. h. ohne 20 der inhomogenen Leitung 1 gegenüberliegenden Wand
Anordnungen vereinfacht sein. Auf die bekannten, als
Verbindungswellenleiter wirkenden Rev»i.-.oran^opplungsglieder
soll verzichtet werden können
Der erfuKUingsgemäße Mikrowellenosziilaior ist dadurch
gekennzeichnet, daß der Außenleiter der inhomogenen Leitung koaxial zum Innenleiter und zum
Halbleiterelement verläuft und daß die Kopplungsöffnung /um Stabilisierungsresonator unmittelbar ·η den
Außenleiter eingelassen ist
Beim erfindungsgemäßen Mikrowellcnoszillaior ist
Zwischenschalten eines z. B. λ/4 langen Wellenleitersiückes,
an den Hauptkreis angekoppelt Durch die Ausbildung des Hauptkreises als inhomogene Leitung
und durch deren besondere Ausgestaltung vei läuft de
ren Impedanz mit der Frequenz derart, daß der Hauptkreis mit der Diode über einen großen Frequenzbereich
an den Stabilisierungsresonator angepaßt ist. Es ergibt sich daraus der Vorteil, daß der Oszillator einen
großen Ziehbereich (Pulling-Bereich) aufweist.
des Flansches 8 ist eine Schraube 16 eingelassen. Die an die Leitung 1 angrenzende Stirnseite der Schraube 16
ist mit einem Gewinde 17 versehen, mit welchem das Halbleiterelement 3 befestigt ist Die Lage des Halbleiterelementes
3 im Wellenleiter kann mittels der Schraube 16 eingestellt werden.
Der Stabilisierungsresonator 2 ist zylindrisch. Er ist mittels einer U-förmigen Kopplungsöffnung 5 unmittel-
olien z.ienDereicn vruniiig-Dereicnj auiweisi. bar an den Hauptkreis angekoppelt. Die durch die Um-
Darüber hinaus ist in einer anderen Ausführungsform 30 risse der U-Form gebildete Zunge 18 ist parallel zum
sowohl die inhomogene Leitung als auch eier als Mikro- elektrischen Feld E im Resonator 2 gerichtet Der Rewellenkurzschluß
wirkende Körper entlang der Lei- sonator 2 ist in bekannter Weise durch Verschieben des
tung verschiebbar angeordnet Die inhomogene Lei- Kolbens 19 abstimmbar.
tung ist in diesem Fall so gestaltet, daß die Abstimm- Der Ausgangswellenleiter 7 ist zwecks Anpassung an
Charakteristiken des Hauptkreises und des Stabilisie- 35 die Leitung 1 mit einer als Anpassungsglied wirkenden
rungsresonators praktisch gleich verlaufen. Hiermit Einstellschraube 20 versehen.
Der in F i g. 2 dargestellte Mikrowellenoszillator ist im Prinzip gleich aufgebaut wie derjenige in Fig.
Gleiche Teile wie in F i g. 1 sind mit denselben Bezugszeichen versehen. Der Oszillator unterscheidet sich insofern,
als die als Hauptkreis wirkende inhomogene Leitung 1 veränderbar aufgebaut ist. Die als Inhomogenität
wirkende Büchse 6 sowie die Büchse 13 mit der als Mikrowellen-Kurzschluß wirkenden Stirnseite 4 sind
entlang der Leitung 1 verschiebbai angeordnet. Der mechanische Aufbau der veränderbaren inhomogenen
Leitung 1 sieht folgendermaßen aus:
Im Zentrum der Leitung ist wiederum der Zufüh-
lator gemäE F 1 g. 2. rungsleiter 11 angeordnet. Er ist ebenfalls durch die
Der Mikrowellenoszillator gemäß Fig. la und Ib 50 Isolierplatte 12 gehaltert und mittels der Isolierbüchse
besteht aus der als Hauptkreis wirkenden inhomogenen 14 isoliert. Das zum Außenleiter 9 konzentrische Teil
""'" J— ist axial verschiebbar angeordnet
Zwischen diesem Teil und dem Außenleiter 9 ist eine dünnwandige Isolierbüchse 22 eingelegt. Das verschiebbare
Teil besteht aus vier aneinandergereihten Büchsen 6, 26, 27, 28. Die vom Halbleiterelement 3 aus
gesehen erste Büchse 6 stellt wiederum die Inhomogenität der Leitung 1 dar. Die zweite Büchse 26 liegt an
if. der Isolierbüchse 22 an. Durch diese Büchse 26 wird ein
Der mechanische Aufbau der inhomogenen Leitung 60 Hohlraum 26a mit einer ungefähren Länge von λ/4 ge-1
sieht folgendermaßen aus: bildet. Die dritte Büchse 27 liegt auf der Isolierbüchse
' ' " " ' ■ —"■-'——' 14 auf und bildet zusammen mit dem Außenleiter 9
einen ungefähr λ/4 langen Hohlraum 27a. Die zweite,
45
IUIIg->i Ijuiiuiuio K.„....,^.. e...... ._..„„... „
wird auf einfache Weise ein Gleichlauf erreicht, der einen sehr großen Abstimmbereich des Oszillators ermöglicht
An Hand der Zeichnung werden im folgenden Ausführungsbeispiele des erfindungsgemäßen Mikrowellenoszillators
näher erläutert
Die F i g. la und Ib zeigen dabei einen Mikrowellenoszillator,
bei dem der Hauptkreis fest abgestimmt aufgebaut ist;
F i g. 2 zeigt einen Mikrowellenoszillator, bei dem der Hauptkreis abstimmbar aufgebaut is·
l· i g. 3 zeigt einen Schnitt durch den Mikrowellenoszillator
gemäE F i g. 2.
Leitung 1. dem Stabilisierungsresonator 2 sowie dem Ausgangswellenleiter 7. Der Hauptkreis, d. h. die inhomogene
Leitung 1, ist in einem zwischen item Stabilisierungsresonator
2 und dem Ausgangswellenleiter 7 eingefügten Flansch 8 untergebracht Die Leitung 1 steht
senkrecht zum Ausgangswellenleiter 7. Der Flansch weist beidseitig eine kreisrunde Öffnung 10a bzw. 10i>
auf.
Die inhomogene Leitung 1 ist koaxial ausgeführt und ist einerseits mit einer Büchse 13 mit einer im Mikrowellenbcrcich
als Kurzschluß wirkenden Stirnseite und andererseits mit einem Halbleiterelement 3 abgeschlossen.
Der Innenleiter der Leitung 1 dient gleichzeitig der Zuführung der Betriebsspannung des Halbleiterelementes
3 und ist deshalb von dem Außenleiter
V111V.1. u,.6^.„ ~.o-
dritte und vierte Büchse 26, 27, 28 sowie der Ring aus absorbierendem Material bilden ein Sperrfilter für
die entlang der Isolierbüchsen 14, 22 laufenden Wellen. Die vierte Büchse weist ein Innengewinde 29 auf, in das
eine Mutter 30 eingeschraubt ist. Diese Mutter 30 weist
eine zentrale Bohrung auf, durch welche der Zuführungsleiter 11 hindurchgeführt ist. Mittels dieser Mutter
30 ist ein Ring 31 aus absorbierendem Material, sogenanntem Dämpfungsferrit, sowie eine Mitnehmerplatte
32 auf dem Teil 6, 26, 27, 28 befestigt. Am Flansch 8 ist ein Winkel 33 befestigt, in welchem eine Spindel 34
gelagert ist. Die Spindel 34 greift in ein Gewinde der Mitnehmerplalte 32 ein, so daß diese bei sich drehender
Spindel 34 hin- oder herbewegt wird und dabei das Teil 6, 26,27, 28 der inhomogenen Leitung 1 verschiebt. Auf
der Spindel 34 ist als Antriebselement ein Zahnrad 35 vorgesehen. Als Antriebselement zur Verschiebung des
Kolbens 19 des Stabilisierungsresonators 2 ist ein weiteres Zahnrad 36 vorgesehen. Die beiden Zahnräder 35
IO und 36 sind mit einem gemeinsamen Antrieb 37 versehen, was in der Zeichnung nur schematisch angedeutet
ist.
In F i g. 3 ist ein Schnitt durch den Mikrowellenoszillator in F i g. 2 dargestellt. Gleiche Teile sind ebenfalls
mit gleichen Bezugszeichen versehen. Der Kolben 19 wird mittels einer durch das Zahnrad 36 angetriebenen
Spindel 38 hin oder her verschoben. Im Gleichlauf mit dieser Bewegung wird über das Zahnrad 35 die inhomogene
Leitung verändert, d. h. der jeweiligen Resonanzfrequenz angepaßt.
An Stelle des Hauptkreises in Koaxial-Technik isi ebenso ein solcher in nicht koaxialer bzw. in Streifen·
leiterlechnik verwendbar.
Hierzu 3 Blatt Zeichnungen
-7
Claims (4)
- Patentansprüche:t. Zweikreisiger Mikrowellenoszillator, bestehend aus einem Hauptkreis mit einem Halbleiter- S dement als aktivem Element, das unter dem Einfluß «Her angelegten Spannung einen negativen Widerstand aufweist und eine durch die Resonanz des Hauptkreises bestimmte Schwingung erzeugt, und einem an den Hauptkreis über eine Kopplungsöff-Bung im Bereich des Halbleiterelementes angekoppelten Stabilisierungsresonator mit hohe Kreisgü-Ie, bei dem der Hauptkreis als inhomogene Leitung susgebildet ist. die aus einem metallischen Innenleiter und einem den Innenleiter abschließenden Halbleiterelement besteht, dadurch gekennzeichnet, daß der Außenleiter (8.9) der inhomogenen Leitung (1) koaxial zum Innenleiter (11) und zum Halbleiterelement (3) verläuft und daß die Kopplungsöffnung (106) zum Stabilisierungsresonator (2) unmittelbar in den Außenleiter (8. 9) eingelassen ist.
- 2. Mikrowellenoszillator nach Anspruch 1, bei dem der Hauptkreis fest abgestimmt aufgebaut ist und bei dem die Frequenz des Oszillators durch die Abstimmung des Stabilisierungsresonators innerhalb des Frequenzziehbereiches bestimmt ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Inhomogenität (6) der Leitung (1) derart gewählt ist, daß deren frequenzabhängige Imp?danzänderung, wenigstens über einen bestimmten Frequenzziehbereich, eine Anpassung des Hauptkreises an den Stabilisierungsresonator (2) bewirkt (Fig. 1).
- 3. Mikrowellenoszillator nach Anspruch 1. bei dem eine Veränderung der Resonanzfrequenz des Stabilisierungsresonators und eine frequenzabhängige Anpassung des Hauptkreises an den Stabilisierungsresonator vorgesehen sind, dadurch gekennzeichnet, daß die als Inhomogenität wirkende Büchse (6) und die im Mikrowellenbereich als Kurz-Schluß wirkende Stirnseite (4) entlang der Leitung (1) verschiebbar angeordnet und derart gewählt sind, daß die Abstimmcharakteristik der Leitung (1) bezüglich optimaler Anpassung an den Stabilisierungsresonator (2) annähernd gleich verläuft wie die Frequenz-Abstimmeharakterisiik des Stabilisierungsresonators (2) und daß ein mechanischer Gleichlauf erzielt ist (F i g. 2).
- 4. Mikrowellenoszillator nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem als Hauptkreis ein koaxiales Leiterstück vorhanden ist. welches einerseits mit dem Halbleiterelement und andererseits mit einem Kurzschluß abgeschlossen ist. dadurch gekennzeichnet, daß der Durchmesser des lnnenund/odei1 Außenleiters der Leitung (1) im Bereich zwischen dem Halbleiterelement (3) und dem Kurzschluß (4) abgestuft ist (F i g. 1 und 2).
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CH1097972A CH541252A (de) | 1972-07-21 | 1972-07-21 | Mikrowellenoszillator |
CH1097972 | 1972-07-21 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2337060A1 DE2337060A1 (de) | 1974-02-07 |
DE2337060B2 true DE2337060B2 (de) | 1975-07-17 |
DE2337060C3 DE2337060C3 (de) | 1976-02-26 |
Family
ID=
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2194073A1 (de) | 1974-02-22 |
IT992644B (it) | 1975-09-30 |
BE802695A (fr) | 1973-11-16 |
IL42795A0 (en) | 1973-11-28 |
CH541252A (de) | 1973-08-31 |
DE2337060A1 (de) | 1974-02-07 |
FR2194073B1 (de) | 1977-08-05 |
SE383460B (sv) | 1976-03-08 |
ZA734830B (en) | 1974-06-26 |
GB1443571A (en) | 1976-07-21 |
NL7310189A (de) | 1974-01-23 |
ES417125A1 (es) | 1976-03-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |