DE2328303A1 - Vorrichtung zum herstellen von staeben oder rohren aus silicium o.dgl - Google Patents
Vorrichtung zum herstellen von staeben oder rohren aus silicium o.dglInfo
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Description
!Berlin iind "München wit+plsbf nhp^nlri1"1· P
Vorrichtung zum Herstellen von Stäben oder Rohren aus Silicium oder dergl.
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung""zum Herstellen von
Stäben und Rohren aus Silicium od.er^dergl, durch Abscheiden
des betreffenden Halbleitermaterial'aV/der Mantelfläche
eines erhitzten langgestreckten Trägers, insbesondere aus Silicium oder Graphit, bestehend aus einem eine Grundplatte
aus Metall aufweisenden Reaktionsgefäß mit mindestens einer zur Halterung eines Endes des langgestreckten Trägers und
zur Beheizung des Trägers dienenden.Elektrode versehen ist,
die elektrisch isoliert und dicht durch die Grundplatte
hindurchgeführt ist.
Das Reäktionsgefäß bei bekannten Vorrichtungen dieser Art '
besteht in der Regel aus einer metallischen Grundplatte und einer gasdicht auf die Grundplatte aufgesetzten Glocke aus
Quarz oder Glas. Die Grundplatte ist mit einer Zuführung für das frische Reaktionsgas und mit einem Abzug für das verbrauchte
Gas versehen. Außerdem sind durch die Grundplatte zwei Elektroden gasdicht und voneinander elektrisch isoliert hindurchgeführt.
Jede dieser beiden Elektroden weist an ihrer freien Oberfläche eine Passfläche, z.B. eine Vertiefung auf,
an welcher ein Träger mit seinem Ende fest aufsetzbar ist. Gewöhnlich verwendet man zwei in ihrer Geometrie übereinstimmende
Träger, welche parallel zu einander orientiert , insbeondere in vertikaler Lage an je einer der beiden Elektroden befestigt
und an ihren oberen Enden durch eine Brücke aus inertem leitenden Material, insbesondere aus Silicium oder Graphit, mit einander
verbunden sind. Außerhalb des Reaktionsgefäßes ist die Elektrode mit einer zur Erzeugung des erforderlichen Heizstromes
dienenden, Vorrichtung leitend verbunden.
■ ' — 2 — "
VPA 9/14 0/305*3 Stg
40 988 1/049 1
-Z-
V/erden stabförmige Träger verwendet, so ist die dem U\w:.^r-r\ -"^g
Reaktionsraumes zugewandte Paßfläche der Elektrode in π or Tiegel
eine konische Vertiefung deren Abmessungen dem -Cuersor.ni 11
des zumeist verjüngten Endes des stabförmigen Trägers nn;-epaßt
sind. 'Im'Falle der Verwendung eines rohrförmigen Trägers
wird tlie Paßfläche durch eine zylindrische oder ringförmige
Bohrung an der dem Reaktionsraum zugewandten Klektrodenoberfläche
gegeben.
Neben den bereits genannten Punktionen hat die Elektrode noch
die Funktion der Wärmeableitung. Es soll nämlich verhindert v/erden, daß die Elektrode zu heiß -. wird, weil sonst eine Reaktion
mit dem Trägermaterial und evtl. auch dem abgeschiedenen Material stattfinden würde. Die bekannten Anordnungen dieser
Art weisen Elektroden auf, die sich bestenfalls hur geringfügig über die Grundplatte hinaus in der Reaktionsraum erstrecken,
so daß der größte Teil ihrer Oberfläche von dem abdichtenden Isoliermaterial sowie von dem Trägerkörper abgedeckt ist.
Diese Elektroden wirken als Stau des Wärmeflusses. Falls eine
geänderte Paßflache benötigt wird, muß die ganze Elektrode ausgebaut
werden. Schließlich ist es äußerst aufwendig, zu verhindern, daß eine solche Elektrode durch auf ihr abgeschiedenes
Material nicht nachteilig verändert wird.
Es ist die Aufgabe der Erfindung,hier eine Abhilfe zu schaffen.
Erfindungsgemäß eine Vorrichtung zum Herstellen von Stäben oder rohren aus Silicium dadurch gekennzeichnet, daß ein erster
aus Metall, insbesondere aus Silber bestehender, Elektrodenteil unter Zwischenfügung einer abdichtenden Schicht aus inertem,
isolierendem Material, insbesondere aus Tetrafluorpolyäthylen, in der Grundplatte befestigt ist und einen in den Reaktionsraum ragenden Vorsprung aufweist, auf den ein zweiter, aus Metall
oder Kohlenstoffbestehender Elektrodenteil auswechselbar aufsitzt, der an seiner freien Oberfläche die zur Aufnahme
und Halterung des Trägers bestimmte Paßfläche a^tf-we-ist./Vr/ /~ /t
40988 1/049 1 - 3 -
BAD
Will man die Paßfläche ändern, so braucht man ersichtlich
hier nur den zweiten Elektrodenteil auswechseln. Dieser wird auf den ersten Elektroden Teil aufgesetzt, insbesondere aufgeschraubt.
Infolge dieser Struktur, ragt die den Abseheidun^sträger
halternde und kontaktierende Elektrode merklich in den
Reaktionsraum hinein, wodurch eine verbesserung der Wärmeableitung
erzielt wird. Es ist dabei ohne Schwierigkeiten erreichbar, daß der ersteiElektrodenteil keinem Abscheideprozeß ausge-.
setzt ist, da der zweite Elektrodenteil ohne Weiteres so ausgestaltet werden kann, daß das Reaktionsgas überhaupt von dem
ersten Elektrodenteil abgeschirmt wird. Insbesondere läßt sich auch der erste Elektrodenteil hohl ausgestalten und der
Hohlraum mit einem flüssigen Kühlmittel füllen, das an ein
zirkulierendes Kühlsystem angeschlossen ist. Der Hohlraum ragt dann zweckmäßig bis nahe an die" Grenze zum zweiten Elektrodenteil,
also bis in den Vorsprung des ersten Elektrodenteils.
Der erste Elektrodenteil besteht ebenso wie die Grundplatte
zweckmäßig aus einem Metall wie Silber oder aus versilbertem utahl, der zweite Elektrodenteil aus demselben Metall-wie der
erste Elektrodenteil/ oder in Abweichung hierzu, aus Spekträlkohle
oder hochreinem Graphit. Besteht der zweite Elektrodenteil
aus Metall, so kann die Paßfläche mit Kohlenstoff ausge- :
kleidet sein, insbesondere dann, wenn der Abscheidungsträger
selbst aus Kohlenstoff, z.B. Graphit besteht. Die auskleidende Kohlenstoffschicht kann ggf. als Einsetzköpcr ausgebildet sein,
so daß ohne Wechsel des übrigen Teils des zweiten Elektrodenteils 8 bzw. verschiedene Durchmesser des Trägers 10 bzw. 11 angewendet
werden können. '"".....
Ferner kann bei Verwendung eines rohrförmigen Abseheidungsträgers der zweite Elektrodenteil mit einer Durchbohrung versehen ,
sein, welcher den Eintritt des Reaktionsgases aus dem Resktions- ■
raum in das Innere des Abscheidungsträgers gestattet. Zweck dieser
Maßnahme ist ggf. eine Abscheidung auch an der Innenwand zu ermöglichen bzw. den Träger von innen heraus zu kühlen.
".-'409881 /0491 - 4 -
Die Erfindung wird anhandfd-er==· näher beschrieben. Hie steil*'
die metallische Grundplatte eines Reaktionsgefäßes einer />nnrdnnung
gemäß der Erfindung dar, wobei zwei verschiedene Ausbildungen
der Elektroden dargestellt sind. Im allgemeinen wird man jedoch in Abweichung von dieser Darstellung für sämtliche Elektroden
einer erfindungsgemäßen Vorrichtung ein und dieselbe Ausgestaltung der Elektrode wählen. Von einer Darstellung der
die Grundplatte abdeckenden Quarzglocke sowie der Zuführung und Abfuhr für das Reaktionsgas wurde, da es sich hier um allgemein
bekannte Konstruktionen handelt, abgesehen.
Die aus Silber bestehende Grundplatte ist an zwei Stellen mit je einer Durchbohrung versehen, durch welche je ein erster Elektro
denteil gasdicht Jiindurchgeführt und eingepaßt ist. Der eine Elektrodenteil 2y%eist einen ke^elstumpfförmigen Vorsprung 6
in Richtung auf den Reaktionsraum auf, während der Vorsprung 7 des anderen ersten Elektrodenteils 4 f^'ylinderf örmig ist. Beide
erste Elektrodenteile 2 und 4 weisen einenringförmigen Wulst 3a
auf, dessen Oberseite eben mit der Oberfläche der Grundplatte 1 abschneidet. Er dient als Widerlager bei der Befestigung-des
EiKkiXHiiE ersten Elektrodenteils mit einer an der Unterseite
der Grundplatte 1 vorzusehenden Verschraubung ( nicht dargestellt.) Der Zwischenraum zwischen dem ersten Elektrodenteil 2^
bzw._4 ist mit einer lage 3 aus Polytetrafluorathylen abgedichtet.
Die Vorsprünge 6 bzw. 7 ragen über die obere Fläche der metallischen
Grundplatte 1 merklich , und zwar mindestens soweit hervor, "daß einesichere Halterung des zweiten Elektrodenteils und des
Trägers gewährleistet ist. Die beiden ersten Elektrodenteile 2fi('7
und4 sind hohl und führen in ihrem Hohlraum 5 ein an ein K-XnI-rohrsystem
angeschlossenes flüssiges Kühlmittel, welches bis in
fä/S' (ft'Λ/
die Vorspränge 6 gjsia und 7 gelangt und für eine gute Kühlung der
die Vorspränge 6 gjsia und 7 gelangt und für eine gute Kühlung der
Πη/,ι) U/.J.
> Verbindungsfläche zu dem zweiten Elektrodenteil 8 bzw. 9 sorgt.
Der zweite Elektrodenteil 8 bzw. 9 weist zwei Paßflächen 8a und 8 b bzw. 9a und 9 b auf. Die erste dieser Paßflächen ist dem
Verlauf der Oberfläche des Vorsprungs 6 bzw. 7 aes ersten Elek-
409881/0491 _ 5 _
trodenteils angepaßt und steht mit diesem unmittelbar in Herührung.
Y or teilhaft ist es z.B., wenn txsxiisxäE Ji diese beiden
Paßflächen mit in einander passenden Schraubgewinden versehen sind, Die zweite Paßfläche des zweiten Elektrodenteils, 8b
. sw*') CTi,:-)
bzw. 9 b dient zur Aufnahme des Trägers 10 bzw. 11. "'
ίψ)
Der Träger_1O ist dabei ein massiver Halbleiterstab, der Träger Treih aus Graphit bestehendes Rohr, wie er zur Herstellung von Siliciumrohren üblich ist. Die zweite Paßfläche int in beiden Beispielen als Vertiefung ausgebildet, deren Umfang· der Peripherie des betreffenden Abscheidungsträgers an dessen Ende angepaßt ist. Stattdessen könnte die zweite Paßfläche auch an der äußeren Peripherie des zweiten Elektrodenteils 2>/T'^/>/ bzw. 9 ,/'z.B. in Gestalt eines konischen oder zylindrischen Flächenteils vorgesehen sein, auf welchen ein rohrförmiger Träge: 11 aufgestülpt und ggf. von einer ges'imsartig vorpringenden Auflage an seinem unteren Ende gestützt wird. Anderseits kann der Vorspringende Teil des ersten Elektrodenteils seinerseits $ eine zentrale Vertiefung aufweisen, sfcxExäzHH' in welcher dann ein vorsprung des Elektrodenteils 8 bzw. 9 eingreift.
Der Träger_1O ist dabei ein massiver Halbleiterstab, der Träger Treih aus Graphit bestehendes Rohr, wie er zur Herstellung von Siliciumrohren üblich ist. Die zweite Paßfläche int in beiden Beispielen als Vertiefung ausgebildet, deren Umfang· der Peripherie des betreffenden Abscheidungsträgers an dessen Ende angepaßt ist. Stattdessen könnte die zweite Paßfläche auch an der äußeren Peripherie des zweiten Elektrodenteils 2>/T'^/>/ bzw. 9 ,/'z.B. in Gestalt eines konischen oder zylindrischen Flächenteils vorgesehen sein, auf welchen ein rohrförmiger Träge: 11 aufgestülpt und ggf. von einer ges'imsartig vorpringenden Auflage an seinem unteren Ende gestützt wird. Anderseits kann der Vorspringende Teil des ersten Elektrodenteils seinerseits $ eine zentrale Vertiefung aufweisen, sfcxExäzHH' in welcher dann ein vorsprung des Elektrodenteils 8 bzw. 9 eingreift.
Der wesentliche Vorteil bei einer Vorrichtung gemäß der Erfindun
ist darin zusehen, durch die Anwendung der auswechselbaren Slektrodentei
Ie die Anpassung an verschiedene Durchmsser der Ab-
scheidungsträger erleichtert wird, und daß der mit der Grundplatte
fes.tverbundene erste Elektrodenteil von dem Abseheidungstrager
und dessen Einflüssen weiter entfernt ist.
1 Figur
J Patentansprüche
409881/0491
Claims (3)
1.) Vorrichtung zum Herstellen von Stäben und Rohren aus Silicium oder dergl. durch Abscheiden des betreffenden
Halbleitermaterials aus der Gast>hase an derMantelfläche
eines e'rhitzten langgestreckten Trägers,' insbesondesrea aus
Silicium oder Graphit, bestehend aus einem eine Grundplatte aus Metall aufweisenden Reaktionsgefäß mit mindestens einer
zur Halterung eines Endes des langgestreckten Trägers und zur Beheizung des Trägers dienenden Elektrode versehen ist,
die elektrisch isoliert und dicht durch die Grundplatte hindurchgeführt ist, dadurch gekennzeichnet, daß ein erster
aus Metall, äatee■r, bestehender Slektrodenteil
(2, 4) unter Zwischenfügung einer abdichtenden Schicht (5) aus inertem, isolierenden Material, insbesonde§BsTetrafluorpolyäthylen,
in der Grundplatte (1) befestigt ist und einen in den Reaktionsraum ragenden "Vorsprung (6, 7)
aufweist, auf den einjzweiter, aus Metall oder Kohlenstoff bestehender Elektrodenteil (8, 9) auswechselbar aufsitzt,
der an seiner freien Oberfläche die zur Aufnahme und Halterung des Trägers (10, 11) bestimmte Paßfläche (8b, 9b)
besitzt.
2.) Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
mindestens einer der beiden Elektrodenteile, insbesondere der erste Elektrodenteil· ( 2, 4) aus Silber besteht.
3.) Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
daß der erste Elektrodenteil (2, 4) hohl ausgestaltet und der Hohlraum an ein ein flüssiges oder gasförmiges Kühlmittel
lieferndes Kühlsystem angeschlossen ist.
09881/0491
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19732328303 DE2328303C3 (de) | 1973-06-04 | 1973-06-04 | Vorrichtung zum Herstellen von Siliciumstäben |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19732328303 DE2328303C3 (de) | 1973-06-04 | 1973-06-04 | Vorrichtung zum Herstellen von Siliciumstäben |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2328303A1 true DE2328303A1 (de) | 1975-01-02 |
DE2328303B2 DE2328303B2 (de) | 1979-03-15 |
DE2328303C3 DE2328303C3 (de) | 1979-11-15 |
Family
ID=5882960
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19732328303 Expired DE2328303C3 (de) | 1973-06-04 | 1973-06-04 | Vorrichtung zum Herstellen von Siliciumstäben |
Country Status (1)
Country | Link |
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