DE2321464A1

DE2321464A1 - Demodulatorkreis

Info

Publication number: DE2321464A1
Application number: DE2321464A
Authority: DE
Inventors: Masayuki Hongu; Isamu Ikeda
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1972-04-28
Filing date: 1973-04-27
Publication date: 1973-10-31
Also published as: CA1027189A; AU5497373A; FR2182220A1; GB1425761A; SE389586B; FR2182220B1; DE2321464B2; BR7303138D0; NL175773C; US3852676A; NL7306063A; IT984219B; NL175773B; JPS495254A; JPS5343780B2

Description

It 2484

Sony Corporation Tokyo / Japan

Demodulatorkreis

Die Erfindung betrifft einen Demodulatorkreis, und insbesondere eine besondere Schaltungsanordnung eines Demodulatorkreises, der über einen weiten Bereich eines Eingangssignals linear arbeitet.

Ia allgemeinen haben Fernsehempfänger u.dgl. einen Demodulator für ein Videosignal, der auch als zweiter Demodulator (Demodulatorstufe im Überlagerungsempfänger) bezeichnet wird, wenn der Empfänger ein Überlagerungsempfänger ist.

Als ein solcher Demodulator wird üblicherweise eine Diode oder ein Transistor verwendet und es sind zahlreiche verschiedene Schaltungsanordnungen bekannt, jedoch werden die meisten üblichen Demodulatoren mit einer Eingangssignalspannungso betrieben, dass das Aus gangs signal der Demodula-

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ORIGINAL

toren bezüglich des Eingangssi-gnals im wesentlichen nichtlinear ist, Venn die Demodulatoren in einem relativ linearen Bereich betrieben werden sollen, muss der Pegel des Eingangssignals in einem hohen Bereich gehalten werden.

In Fernsehempfängern verursacht insbesondere ein Eingangssignal mit einem hohen Pegel verschiedene unerwünschte ■Probleme, wie eine Schwingung oder eine Strahlung, die die Qualität von Bildern beeinträchtigt, die von den Fernsehempfängern wiedergegeben werden. , J

Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, die oben erwähnten Nachteile des Standes der Technik zu vermeiden und einen Demodulatorkreis für Eingangssignale mit niedrigem Pegel zu schaffen, der in einem weiten Bereich des Eingangssignals eine höhere Linearität hat.

Gelöst wird diese Aufgabe gemäss der Erfindung durch die im Anspruch 1 angegebenen Merkmale.

Der Demodulatorkreis gemäss der Erfindung hat einen Signaleingangsteil und einen Demodulatorteil. Der Signaleingangsteil weist eine erste und eine zweite Konstantstromquelle auf, die zwischen die beiden Anschlüsse einer Spannungsquelle geschaltet sind, und das Eingangssignal wird dem Demodulatorteil über die erste Konstantstromquelle und von dem Verbindungspunkt zwischen der ersten und zweiten Konstantstromquelle in Form eines Stromsignals zugeführt. Ein Ausgangssignalstrom bzw. eine Ausgangssignalspannung wird über einer Lastimpedanz in de« Demodulatorteil erhalten und das Ausgangssignal ist bezüglich des Eingangssignals in einem weiten Bereich linear, selbst wenn das Eingangssignal einen niedrigen Pegel hat.

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Die Erfindung wird nachstehend anhand der Figuren 1 bis 6 beispielsweise erläutert. Es zeigt:

Fig. 1 ein Schaltbild eines bekannten Demodulatorkreises,

Fig. 2 ein einfaches Schaltbild einer Ausführungsform eines Transistordemodulatorkrexses geraäss der Erfindung,

Fig. 3 eine Abwandlung der Schaltung der Fig. 2,

Fig. h ein einfaches Schaltbild einer weiteren Ausfuhrungsform der Erfindung,

Fig. 5 eine Abwandlung des Kreises der Fig. 3» und Fig. 6 Abwandlungen der Kreise der Figuren 3 und 5·

Fig. 1 zeigt ein Schaltbild eines bekannten Videodemodulatorkreises, das in einem Fernsehempfänger verwendet wird.

In Fig. 1 wird eine Video-ZF-Signalspannung e. einem Biodenvideodemodulator D zugeführt und eine Aus-gangsVideosignalspannung Eo wird über einem RC-Parallelkreis erhalten.

In der Schaltung der Fig. 1 wird, wenn die Diode entsprechend der Eingangssignalspannung betrieben wird, die Eingangs-Ausgangscharakteristik des Diodendemodulatorkreises entsprechend der Gleichung der Spannungs-Stromcharakteristik der Diode wie folgt ausgedrückt:

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I_n der Ausgangsstrom,

I₀ der Sättigungsstrom,

q die elektronische Ladung,

Vi die Eingangsspannung,

K die Boltzmann-Konstante und

T die absolute Temperatur

Wie die Gleichung (1) zeigt, ist der Ausgangsstrom I~ der Diode, der der Ausgangssignalspannung Eo in Fig. 1 entspricht, im wesentlichen nichtlinear bezüglich der Eingangsspannung Vi, die der Eingangssignalspannung e. in Fig. 1 entspricht, Und wenn die Diode D in dem relativ linearen Bereich betrieben werden soll, sollte der Pegel der Eingangssignalspannung e, hoch sein und in dem Bereich von einigen Volt (effektiy) aufrechterhalten werden.

Wenn daher der Pegel des Eingangssignals des VZF-Verstärkers (in Fig. 1 nicht gezeigt) 1OO /uV „„ ist, muss die Verstärkung des VZF-Verstärkers höher als 80 dB sein, um für den obigen Demodulator eine Eingangsspannung in dem Bereich von einigen V _„ zu erhalten.

Daher werden verschiedene unerwünschte Probleme, wie z.B. eine Schwingung infolge der Mitkopplung von Kopplungskreisen zwischen den Stufen des VZF-Verstärkers und von dem Demodulator und Strahlungen von Stufen mit hohem Spannungspegel verursacht»

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Der Demodulatorkreis gemäss der Erfindung ist von diesen bekannten Nachteilen frei und kann mit einem Eingangssignal mit niedrigem Pegel mit höherer Linearität betrieben werden.

Im allgemeinen bestehen zwischen einem Eingangsstrom i. und einem Ausgangsstrom i eines Verstärkers in Emitter- und Basisschaltung die folgenden Beziehungen:

i = h„ i. (Emitterschaltung) (2) e

i = ^i. (Basisschaltung) (3)

wobei h_ bzw. (X das Kurzschluss-Übertragungsverhältnis

e
bzw. der Stromverstärkungsfaktor in einer Emitter- bzw.

einer Basisschaltung ist.

Die obigen Beziehungen werden selbst dann erfüllt, wenn der Pegel des Eingangsstrom i. niedrig ist. Wenn daher eine Emitter- oder eine Basistransistorschaltung mit dem Eingangssignalstrom entsprechend den Gleichungen (2) oder (3) unabhängig von der Gleichung (1) betrieben werden, kann ein Demodulatorkreis geschaffen werden, der bei einem Eingangssignal mit niedrigem Pegel linear arbeitet. Die vorliegende Erfindung beruht auf der obigen Überlegung.

Fig. 2 zeigt ein einfaches Schaltbild einer Ausführungsform eines Transistordemodulatorkreises wie eines Videodemodulators eines Fernsehempfängers gemäss der Erfindung. Der

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Transistordemodulatorkreis der Fig. 2 besteht aus einem Signalstromeingangsteil A und einem Demodulatorteil B.'

Der Signalstromeingangsteil A bsteht aus einer ersten und einer zweiten Konstantstromquelle A₁ und A₂, die derart gewählt sind, dass Gleichstromkomponenten I₁ und I_ der Ströme der Konstantstromquellen A₁ und Ap im wesentlichen gleiche Grosse haben. Der Konstantstromquelle A^ wird eine VZF-Signalkomponente +/^i überlagert, die den Demodulatorteil B steuern kann.

Der Demodulatorteil B besteht aus einem ersten Transistor Q₂ und einer Diode D zur Demodulation. Der Kollektor des Transistors Q₂ ist über einen Lastwiderstand R- mit einem ersten Spannungspunkt bzw. einer Spannungsquelle +Vcc und einem Demodulatorausgangsanschluss 2 verbunden und ist auch über einen Glättungskondensator C₂ geerdet. Der Emitter des Transistors Q₂ bzw. ein Signaleingangspunkt 3 des Demodulatorteils B erhält einen VZF-Signalstrom von dem Verbindungspunkt zwischen den Konstantstromquellen-A- und Ap. Der VZF-Signalstrom wird zu einem zweiten Spannungspunkt bzw. zu Erde über die Diode D₁ während der positiven Halbdiode des Signals geleitet. Die Basis des Transistors Q₂ ist mit dem Verbindungspunkt zwischen einem Vorspannungswiderstand R^ und einer Serienschaltung von Vorspannungsdioden Dp und D„ verbunden.

Wenn der Strom durch die Dioden D„ und D„ als I angenommen wird, kann der Strom, der durch den Kollektorlastwiderstand R_ des ersten Transistors Q₂ Jfliesst, als I angesehen werden, da der Emitterstrom des Transistors Q₂ und der

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Strom durch die Diode D im wesentlichen I wird. Der Strom I wird so gewählt, dass er einen Wert von z.B. 50/uA hat, so dass der Transistor Q_ etwas leitet.

Bei der Ausführungsform der Fig. 2 teilt sich die VZF-Signalkomponente + Δ i, die auf den Punkt 3 über die Konstantstromquelle A₁ gegeben wird, in zwei Wege auf und fliesst in den Transistor Q_ und die Diode D₁ während ihrer positiven Halbperiode bzw. während der Periode von + Δϊ. Hierbei liegt die VZF-Signalkomponente +Äi gegenüber dem pn-übergang zwischen dem Emitter und der Basis des Transistors Q' in Sperrichtung, so dass der Tranaistor Q augenblick gesperrt wird, während die VZF-Signalkomponente + /\ i bezüglich des pn-Übergangs der Diode D₁ in Durchlassrichtung liegt, so dass nahezu der gesamte Signalstrom + Ai in die Diode D fliesst.

Während der negativen Halbperiode des VZF-Signals dagegen bzw. während der Periode von - .Δ i wird die Diode D gesperrt, jedoch der Transistor Q₂ geöffnet, so dass der Transistor Q„ den Strom /\ i zu der Konstantstromquelle A₁ leitet. Daher werden die Diode D₁ und der Transistor Q₂ abwechselnd bei jeder Halbperiode des VZF-Signals leitend und nichtleitend, um die Demodulation durchzuführen und ein halbwellendemoduliertes Ausgangssignal an dem Ausgangsanschluss 2 zu erzeugen.

3 zeigt eine weitere Ausführungsform der Erfindung, bei der gleiche Bezugszeichen wie in Fig. 2 gleiche Elemente bezeichnen und bei der der Signalstromeingangsteil A, der in Fig. 2 verwendet ist, durch ein einziges aktives Element bzw. einen Transistor Q ersetzt ist. Hierbei wird

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der Transistor Q₁ in Emitterschaltung betrieben und erhält an seiner Basis das Eingangs-VZF-Signal über den Eingangsanschluss 1. Der Kollektor des Transistors Qi ist über einen Lastwiderstand R„ mit der Spannungsquelle +Vcc verbunden, während sein Emitter über einen negativen Rückkopplungswiderstand Rk geerdet ist. Die Widerstände R₁ und Rp bilden einen Spannungsteiler für die Basis des Transistors Q₁. Durch geeignete Wahl der Grosse des Lastwiderstandes R "kann die Eingangssignalspannung, die auf den Eingangsanschluss 1 gegeben wird, von dem Transistor Q₁ in die Signalstromkomponente + /\± umgewandelt und dann über seinen Kollektor und einen Koppelkondensator C auf den Demodulatorteil B gegeben werden. Die Arbeitsweise des Demodulatorteils B in Fig. 3 ist im wesentlichen die gleiche wie die des Demodulatorteils B in Fig. 2, so dass ihre Beschreibung der Einfachheit halber unterbleibt.

Die Arbeitsweise des Demodulatorteils B in den Figuren 2 und 3 basiert auf der Gleichtung (3)ι nitiht jedoch auf der Gleichung (1)> so dass, selbst wenn der Pegel eines Eingangssignals niedrig ist, ein Ausgangssignal mit linearer Charakterisitik erzeugt werden kann.

Fig. h zeigt eine weitere Ausführungsform der Erfindung, bei der ein zweiter Demodulatortransistor Q«^ in dem Demodulatorteil B, der in Fig. 2 gezeigt ist, verwendet ist; gleiche Bezugszeichen wie in Fig. 2 bezeichnen gleiche Elemente, Bei dieser Ausführungsform ist der zweite Demodulatortransistor Q_ derart geschaltet, dass sein Kollektor mit dem Kollektor des Transistors Q₂ verbunden ist} seine Basis ist mit dem Verbindungspunkt zwischen dem Emitter des Transistors Q₂ und der Diode D bzw, dem

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Signaleingangspunkt 3 verbunden und sein Emitter ist geerdet. Die übrige Schaltungsanordnung dieser Ausführungsform ist im wesentlichen die gleiche wie die der Fig. Der Kreis ist so aufgebaut, dass der Emitterstrom des Transistors Q„ nahezu I wird und damit der Strom durch den Widerstand R₁- im wesentlichen 21 wird. Während der positiven Halbperiode des Eingangssignalstroms, der auf" den Signaleingangspunkt 3 gegeben wird, wird die Diode D für den Signalstrom leitend und der Strom gleich dem, der durch die Diode D fliesst, fliesst durch den Emitter des Transistors Q«,. Die Arbeitsweise des Transistors Q~ basiert auf der obigen Gleichung (2), jedoch muss der zusammengesetzte Kreis aus dem Transistor Q„ und der Diode D als Demodulator berücksichtigt werden. Wenn der Strom, der durch die Diode D fliesst, so gewählt₄ wird, dass er gleich dem ist, der durch den Emitter des Transistors Q_ fliesst, d.h. daß,wem beide Ströme so eingestellt werden, dass sie I sind, wird der Stromverstärkungsfaktor h-; des zusammengesetzten Kreises Eins. Daher

basiert die Eingangs-Ausgangsstromcharakteristik des zusammengesetzten Kreises in etwa auf der Gleichung (3)· Bei dem in Fig. 4 gezeigten Schaltungsaufbau werden die Signalströme des ersten und zweiten Transistors Q₂ und Q„ addiert, um ein vollwegdemoduliertes Ausgangssignal an dem Ausgangsanschluss 2 zu erzeugen und damit wird .der Wirkungsgrad verdoppelt bzw. 6 dB im Vergleich zu demjenigen der Fig. 2 und 3·

Fig. 5 zeigt eine weitere Ausführungsform der Erfindung, bei der der Signaleingangsteil A, der in Fig. 4 gezeigt ist, durch ein einziges aktives Element bzw. den Transi-

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stor Q wie in Fig. 3 ersetzt ist und bei der gleiche Bezugszeichen wie in den Figuren 2 bis 4 für gleiche Elemente verwendet sind.

Bei dem Beispiel der Fig. 5 entspricht die Arbeitsweise des Transistors Q bzw. des Signalstromeingangsteils A derjenigen des Teils A der Fig. 3 und die Arbeitsweise des Demodulatorteils B entspricht derjenigen des Teils B der Fig. 4, so dass ihre Beschreibung der Kürze wegen unterbleibt.

Fig. 6 zeigt eine abgewandelte Ausführungsform, die einem Teil entspricht, bei dem der Kollektorlastwiderstand R„ des Transistors Q₁, der in den Figuren 3 und verwendet ist, durch einen LC-Parallelresonanzkreis, bestehend aus einem Kondensator C und einer Spule L, ersetzt ist.

Der Lastwiderstand R„ in den Figuren. 3 und 5 muss für die Signaifrequenz eine hohe Impedanz haben, es ist jedoch möglich, dass es wegen der Streukapazität schwierig ist, die Impedanz des Lastwiderstands R„ hoch zu machen.

Im Falle der Fig. 6 jedoch, wenn der LC-Parallelresonanzkreis, der bei der Signalfrequenz in Resonanz ist, anstelle des Lastwiderstands R_ verwendet wird, kann die Konstantstromquelle Ap, die von dem Einfluss der Streukapazität frei sein kann, ideal realisiert werden und die Linearität des Demodulatorkreises wird stark verbessert.

Wie oben beschrieben wurde, können durch die Erfindung unerwünschte Probleme, wie eine Schwingung, Strahlung od.dgl. beseitigt oder im Vergleich zu dem bekannten

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Diodendemodulatorkreis, der in Abhängigkeit von einer Eingangssignalspannung betrieben wird, auf ein Minimum gebracht werden. Dies bedeutet, dass der Demodulatorkreis gemäss der Erfindung linear arbeitet und eine
Ausgangsspannung in dem Bereich von mehreren Volt
(Spitze-Spitze) erzeugt, selbst wenn der Pegel des
Eingangs-VZF-Signals in dem Bereich einiger zehn mV
liegt. Daher kann bei der Erfindung mit der gleichen
Wirkung ein VZF-Verstärker mit einer Verstärkung verwendet werden, die um 20 bis ko dB niedriger ist als
bei einer bekannten Anordnung. Ausserdem kann der erfindungsgemässe Kreis leicht als integrierter Schaltkreis hergestellt werden.

Selbstverständlich kann der Demodulatorkreis gemäss der Erfindung, der anhand eines Fernsehempfängers beschrieben wurde, auch in anderen Vorrichtungen mit der gleichen Wirkung verwendet werden.

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Claims

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Ans prüche

/ T J Demodulatorkreis, gekennzeichnet durch einen ersten und ^ einen zweiten Spannungspunkt, eine Signalstromeingangseinrichtung, bestehend aus einem ersten und einem zweiten KonstantStromkreis, die zwischen den ersten und zweiten Spannungspunkt in ßeihe geschaltet sind» wobei der erste Konstantstromkreis einen Gleichstrom I' überlagert mit einem Eingangs signals tr om + ZS. ± und die zweite Konstantströmquelle einen Gleichstrom I₂ abgibt und die Richtungen der Ströme I und !„ bezüglich des ersten und zweiten Spannungspunktes gleich und die Grosse der Ströme I und 1„ im wesentlichen gleich ist, und eine Demoduliereinrichtung mit einem Eingangs- und einem Ausgangsanschluss, wobei der Eingangsanschluss mit dem Verbindungspunkt zwischen dem ersten und zweiten KonstantStromkreis verbunden ist, um mit dem Eingangs— signalstrom + Δϊ versorgt zu werden, und der Ausgangs— anschluss das demodulierte Signal abgibt.
2. Demodullerkreis nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Signalstromeingangseinrichtung besteht aus einem Signaleingangsanschluss, der ein zu demoduliefendes Signal erhält, einem Transistor mit einer Basis, einem Emitter und einem Kollektor, einer ersten Impedanzeinrichtung, die zwischen aen. Kollektor und den ersten Spannungspunkt geschaltet ist, einer zweiten Impedanzeinrichtung, die zwischen den Emitter und den zweiten Spannungspunkt geschaltet ist, einer Einrichtung zur Verbindung des Eingangsanschlusses mit der Basis, um dieser das zu demodulierende Signal zuzuführen, und

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einer Einrichtung zur Verbindung des Kollektors_rmit dem Eingangsanschluss der Demodulatoreinrichtung, so dass das zu demodulierende Signal von dem Transistor in den Eingangs signal strom + Δϊ umgewandelt und von dem Kollektor zu dem Eingangsanschluss der Demodulatoreinrichtung geleitet wird.
3· Demodulatorkreia nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Impedanzeinrichtung ein LC-Parallelresonanzkreis ist.
4. Demodulatorkreis nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Demodulatoreinrichtung besteht aus einer Spannungsquelle mit zwei Anschlüssen, einem ersten Transistor mit einer Basis, einem Emitter und einem Kollektor, einer Lastimpedanzeinrichtung, die zwischen den Kollektor und einen der beiden Anschlüsse geschaltet ist, einer Diode, die zwischen den Emitter und die anderen beiden Anschlüsse geschaltet ist, so dass die Diode die gleiche Durchlassrichtung wie der Übergang zwischen der Basis und dem Emitter hat, einer Einrichtung zur Verbindung des Eingangsanschlusses der Demodulatoreinrichtung mit dem Verbindungspunkt zwischen dem Emitter und der Diode, einer Vorspannungseinrichtung, zur Vorspannung der Basis, so dass ein geringer Strom durch den Transistor und die Diode fliesst, wenn kein Eingangssignalstrom zugeführt wird, und einer Einrichtung zur Verbindung des Kollektors mit dem Ausgangsanschluss der Demodulatoreinrichtung.
5· Demodulatorkreis nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Demodulatoreinrichtung ausserdem einen zweiten Transistor mit einer Basis, einem Emitter und

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einem Kollektor aufweist, dass die Basis und der Kollektor des zweiten Transistors mit dem Emitter und dem Kollektor des ersten Transistors verbunden sind und der Emitter des zweiten Transistors' mit den anderen beiden Anschlüssen verbunden ist.
6. Demodulatorkreis nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Signalstromeingangseinrichtung besteht aus einem Signaleingangsanschluss, der ein zu demodulierendes Signal erhält, einem Transistor mit einer Basis, einem Emitter und einem Kollektor, einer ersten Impedanzeinrichtung, die zwischen den Kollektor und den ersten Spannungspunkt geschältet ist, einer zweiten Impedanzeinrichtung, die zwischen den Emitter und den zweiten Spannungspunkt geschaltet ist, einer Einrichtung zur Verbindung des Eingangsanschlusses mit der Basis zum Anlegen eines zu demodulierenden Signals, und einer Einrichtung zur Verbindung des Kollektors mit dem Eingangsanschluss der Demodulatoreinrichtung, so dass das zu demodulierende Signal von dem Transistor in den Eingangssignalstrom + J\ i umgewandelt und von dem Kollektor dem Eingangsanschluss der Demodulatoreinrichtung zugeführt wird.
7· Demodulatorkreis nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Impedanzeinrichtung ein LC-Parallelresonanzkreis ist.
8. Demodulatorkreis nach Anspruch 5» dadurch gekennzeichnet, dass die Signalstromeingangseinrichtung besteht aus einem Signaleingangsanschluss, der das zu demodulierende Signal erhält, einem Transistor mit einer

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Basis, einem Emitter und einem Kollektor, einer ersten Impedanzeinrichtung, die zwischen den Kollektor und den ersten Spannungspunkt geschaltet ist, einer zweiten Impedanzeinrichtung zwischen dem Emitter und dem zweiten Spannungspunkt, einer Einrichtung zur Verbindung des Eingangsanschlusses mit der Basis zum Anlegen des zu demodulierenden Signals, und einer Einrichtung zur Verbindung des Kollektors mit dem Eingangsanschluss der Demodulatoreinrichtung, so dass das zu demodulierende Signal von dem Transistor in den Eingangssignalstrom + Δί umgewandelt und von dem Kollektor dem Eingangsanschluss der Demodulatoreinrichtung zugeführt wird.
9» Demodulatorkreis nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Impedanzeinrichtung ein LC-Parallelresonanzkreis ist.
10. Demodulatorkreis, gekennzeichnet durch eine Spannungsquelle mit zwei Anschlüssen, einen ersten Transistor mit einer Basis, einem Emitter und einem Kollektor, eine Lastimpedanzeinrichtung, die zwischen den Kollektor und einen der beiden Anschlüsse geschaltet ist, eine Diode, die zwischen den Emitter und den anderen der beiden Anschlüsse geschaltet ist; so dass die Diode die gleiche Durchlassrichtung wie der Übergang zwischen der Basis, und dem Emitter hat, eine Signalstromeingangs einrichtung, die dem Verbindungspunkt zwischen dem Emitter und der Diode einen Signalstrom +/Ii zuführt, eine Vorepannungseinrichtung zur Vorspannung der Basis, so dass ein geringer Strom durch den Transistor und die Diode flieset, wenn kein Eingangs signal strom zugeführt wird» und einen Ausgangs—

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anschluss, der mit dem Kollektor verbunden ist.
11. Demodulatorkreis nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Demodulatoreinrichtung ausserdem einen zweiten Transistor mit einer Basis, einem Emitter und einem Kollektor aufweist,, dass die Basis und der Kollektor des zweiten Transistors mit dem Emitter bzw. dem Kollektor des ersten, Transistors verbunden sind, und dass der Emitter des zweiten Transistors mit den anderen beiden Anschlüssen verbunden ist.

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