DE2320234A1 - Metallisierung - Google Patents
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- H01G4/008—Selection of materials
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Description
Dr. Dieter F. Morf I9. April I973
Dr. Hans-A. Brauns PC-3824
E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY lOth and Market Streets, Wilmington, Del. I9898, V.St.A.
Metallisierung
Die Erfindung "betrifft eine Metallisierung für elektronische
Schaltungen, insbesondere zur Bildung von Leitermustern.
Metallisierungen für die Bildung von Leitern für elektronische Schaltungen, enthalten feine Metallteilchen' und werden
oft in Form einer Dispersion solcher Teilchen in einem inerten, flüssigen Träger auf dielektrische Unterlagen aufgebracht.
Die Wahl der Zusammensetzung der Me tall teilchen basiert auf einem Kompromiss zwischen Kosten und Verhalten.
Ein besonders gutes Verhalten verlangt normalerweise den Einsatz der Edelmetalle im Hinblick auf deren relatives
Inertsein während des Brennens auf dielektrischen Unterlagen zur Bildung elektrisch kontinuierlicher Leiter, da Nichtedelmetalle
oft während des Brennens mit der dielektrischen Unterlage reagieren. Dieses Problem des Eeaktxonsvermogens
verschärft sich, wenn Elektrode und Unterlage gemeinsam gebrannt werden, d. h. wenn man Metallmuster auf rohe
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(ungebrannte) Keramikplatten aufbringt und den gesamten
Aufbau brennt. Von den Edelmetallen schmelzen Silber und Gold jedoch bei recht niedrigen Temperatüren (960 bzw.
1063° C) und, schliessen damit die Ausnutzung der Wirtschaft lichkeit aus, die das gleichzeitige, gemeinsame Sintern
der dielektrischen Unterlage und des daraufbefindlichen Lei ters bietet, da die gewöhnlich verwendeten dielektrischen
Materialien bei hohen Temperaturen, d. h. über 1100° C sintern
(z. B. sintert BaTi(X" bei etwa 1350° C und Al2O-, bei
etwa 1600° G). Ein Schmelzen des Leitermuster-Metalls führt zur Bildung diskontinuierlicher Metallkügelchen. Von den in
grösserem Umfang verfügbaren Edelmetallen haben Palladium (F. 1555° C) und Platin (F. 1774° C) in dieser Beziehung
gegenüber Gold und Silber offensichtliche Vorteile.
Ungeachtet des offensichtlichen verhaltensmässigen Vorteils, den die Verwendung von Edelmetallen bildet, wirken sich die
Kosten dieser Metalle deutlich hemmend aus. Als hauptsächliches oder alleiniges Metall bei Leiter-Metallisierungen ist
auf Grund seiner in Bezug auf andere Edelmetalle relativ geringen Kosten Palladium erwünscht (Platin z. B. verur
sacht heute die 3- bis 4-fachen Kosten). Palladium ist aber
viel kostspieliger als- Grundmetalle wie Kupfer. Die Schaffung einer Metallisierung unter Einsatz von kupferverdünntem
Palladium, aber ohne durchdie Verdünnung bedingte Einbusse
an Verhaltenseigenschaften (z. B. in Form von geringem Schmelzpunkt, schlechter Leitfähigkeit, schlechter Haftung
an der Unterlage, Reaktionsvermögen in Bezug auf die Unterlage, Instabilität an Luft beim Brennen über 1100° C)
ist daher eine wichtige, technische Aufgabe.
Das oben erwähnte Abwägen von Kosten und Verhalten führt oft
zur Massnahme, das Leitermetall in der Metallisierung mit. einem nichtleitenden, anorganischen Bindemittel, wie Glasfritte,
BX2O, usw., zu verdünnen, um die Haftung^ des gesinterten
Leiters an der Unterlage zu erhöhen. Es ist erwünscht,
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über ein System verfugen zu können, das keinen Einsatz
eines solchen nichtleitfähigen Bindemittels zur Erreichung einer guten Leiterbindung an der Unterlage erfordert.
Die obigen Eigenschaften sind besonders erwünscht bei einer wohlfeilen, sich gut verhaltenden Metallisierung für den
Einsatz als Innenelektrode bei der Bildung von monolithischen,
mehrschichtigen Kondensatoren, die eine Vielzahl abwechselnder Leiter- und Dielektrika-Schichten aufweisen,
wie den Kondensatoren nach US-PS 3 4-56 313·
Die vorliegende Erfindung stellt eine solche wohlfeile, frittelose, Metallisierung von gutem Verhalten auf Palladiumgrundlage
zur Verfugung.
Unter der "Metallisierung" ist in der hier gebrauchten Bedeutung, wie später näher beschrieben, ein Pulver von feinteiligem
Edelmetall und Kupfer oder dessen Verbindungen zu verstehen. Das feinteilige Pulver eignet sich zur Dispergierung
in einem inerten, flüssigen Träger zur Bildung einer "Metallisierungsmasse", die sich zum Aufdrucken der
jeweils gewünschten Elektrodenmuster auf dielektrische Unterlagen
eignet, die beim Brennen Leiter liefern.
Die zur Bildung von Leitern auf dielektrischen (vorgebrannten
oder ungebrannten) Unterlagen geeigneten Metallisierungen gemäss der Erfindung kennzeichnen sich durch einen Gehalt
an
a) Palladium, Palladiumoxid oder deren Mischungen und
b) Kupfer, Kupferoxid, Kupfer- und/oder Kupferoxid-Vorläufein
oder deren Mischungen
bei einem Gewichtsverhältnis von Kupfer zu Palladium (als Metall) von bis zu 2,5 '· 1· Die Metallteilchen haben eine
solche Grosse, dass 90 % der Teilchen nicht· gröber als
5 Mikron sind. Die Erfindung umfasst auch Dispersionen solcher Metallisierungen in einem inerten, flüssigen Träger.
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Bevorzugt werden Metallisierungen mit einem Gehalt von 60
bis 80 Teilen an Pd, 5 bis 15 Teilen an Ag und 10 bis JO
Teilen an einem oder mehreren Materialien aus der Gruppe Kupfer und Oxides des Kupfers.
Im Rahmen der Erfindung liegen weiter dielektrische Unterlagen, die solche aufgebrannte Metallisierungen aufweisen,
und mit diesen aufgebaute Kondensatoren.
Die Kupfer/Palladium-Elektr-odenmetailisierungen gemäss der
Erfindung ergeben wesentliche Kosteneinsparungen auf Grund
des Austauschs vqn Edelmetallen durch Kupfer und bilden darüberhinaus wertvolle Elektroden bei hohen Brenntemperaturen,
die ein gemeinsames Brennen mit herkömmlichen Rohdielektrika erlauben. ·
Der Zusatz von Kupfer (und/oder Verbindungen desselben) zu Palladiumelektroden-Metallisierungen ergibt nicht nur lediglich
wohlfeilere, wirksame Metallisierungen auf Grund eines teilweisen Ersatzes von Edelmetallen. Wie in den Beispielen
gezeigt, tritt in den Metallisiermitteln gemäss der Erfindung, zumindest bei gewissen Me tall-Konzentration en, ein
synergistischer Effekt in Erscheinung. So zeigen die Beispiele,
dass bei gewissen Pd-Konzentrationen (33 % in Vergleichsversuch B) keine brauchbare Kondensator-Elektrode
erhalten wird, während in Beispiel 3 durch den Zusatz von
12 % CU2O zu den 33 % Pd ein wirksamer Kondensator anfällt.
(Bei höheren Metall-Konzentrationen (z. B. 4-5 °/o) liefert
das Pd-System wertvolle Kondensatoren.)
Theoretisch könnten mit den Mitteln gemäss der Erfindung
gebildete Elektroden eine Mischung von Kupferoxiden und Pd/Cu-Mischkristallen (vgl. Gmelin, Handbuch der anorganischen
Chemie, Vol. 22, VtßJ, S. 650, Verlag Chemie, Weinheim,
1951) darstellen.
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■ο
Es ist "bekannt, dass "beim. Erhitzen an Luft Pd die Sequenz
Pd—, ^
300-60O0C ab 8000C
durchläuft. Ohne die Erfindung durch eine Theorie zu beschränken, wird angenommen, dass in den Metallisierungen
gemäss der Erfindung sich folgender Ablauf ergehen könnte:
Pd + Cu (Kupferoxid) —y PdO + Cu —^ Pd-Cu-Legierung
Bei solchen Reaktionen zeigt sich, dass Kupferoxide als
Quelle für Sauerstoff für PdO-Bildung zu wirken vermögen,
wobei Pd diesen Sauerstoff oben bei rund 800° C freisetzt.
Röntgen-Kennwerte (Pulver-Beugungsdiagramme) gebrannter Elektroden gemäss der'Erfindung bestätigen, dass unabhängig
vom Ausgangsmaterial (z. B. Pd/CuO, PdZCu2O, Pd/Cu, Pd/
Kupferverbindungen oder irgendwelche dieser Formen von Cu .mi"6" PdO) eine reproduzierbare, zu wertvollen Elektroden
führende Wechselwirkung eintritt.
Das Eöntgen-Diagramm einer Mischung von fein teiligem Cu und
Pd (Submikron-Ieilchengrösse, Oberfläche 0,1 bis 2 m /g)
hat Peaks bei Winkeln (in Bezug auf d-Abstand) von etwa 46,5° (Pd), 43,2° (Cu) und 40,0° (Pd) ergeben. Nachdem das
Pulver langsam im Verlaufe von 16 Std. oder rasch im Verlaufe von 30 Min. auf 800° G erhitzt worden war, hatte sich
eine Kupferoxid/Palladiumoxid-Mischbildung unter Verschiebung
der Winkel eingestellt (Peaks bei 34,0, 34,6 und 40,2°). Nach weiterem Erhitzen im Verlaufe von 30 Min. auf 1100° C
und darauf 30 Min. bei Scheiteltemperatur ergab sich eine
Reduktion der Mischoxide unter Bildung von leitfähigen, intermetallischen Verbindungen, wie gut definierte, scharfe
Beugungswinkel bei 40,8 und 47,6° (entsprechend d-Abständen
von 2,21 und 1,91) zeigten. Diese d-Abstandswerte liegen
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zwischen den Cu und Pd zugeordneten, d. h. 2,09 und 1,81 für
Cu und 2,25 und 1,95 für Pd.
Das gebrannte Produkt war hart und nicht spröde und hatte Metallglanz.
Kupfer kann den Elektrodenmetallisierungen gemäss der Erfindung und Metallisiermitteln gemäss der Erfindung auf Palladiumbasis
als Metall selbst und/oder als ein Oxid des Metalls (z. B. CuO, Cu2O) zugeführt werden. Bei Zuführung von Kupfer
zu den Metallisierungen als Metall kann eine Mischung der jeweiligen Metalle oder eine feinteilige, gemeinsam gefällte
Legierung der jeweiligen Me'talle Verwendung finden. Der Begriff "Kupferoxid" soll in dem in den Ansprüchen gebrauchten
Sinn CuO, Cu^O oder eine thermisch zu solchen Oxiden zersetzbare
Verbindung, einschliesslich organischer oder anorganischer Kupferverbindungen, wie Acetate, Carbonate, Sulfate
und Έ1träte (Kupferoxid-"Vorläufer"), bedeuten.
Der iCaeorie entsprechend ist Kupfer für die Zwecke der
Erfindung in all den obengenannten !Formen auf Grund der obenbeschriebenen chemischen Veränderungen anwendbar, die
sich in Form von Oxidbildung und Freisetzung während des
Brennens ergeben.
Unter der Aussage, dass in Palladium-Metallisierungen oder
-Metallisiermitteln Edelmetalle durch Kupfer und/oder Kupferoxide ersetzbar sind, ist hier zu verstehen, dass
Kupfer und/oder seine Oxide in Verbindung mit Palladium (und/oder Palladiumoxid) allein oder mit Palladium und kleineren
Mengen (weniger als 50 °/° des Gesamtedelmetalls) an
anderen Edelmetallen (z. B. 12 % Ag, bezogen auf die Gesamtmenge an Pd/Ag/Cu) verwendbar ist.
Beim Austausch von Pd durch Cu gemäss der Erfindung wird
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PC-3824 ί»
man die vorliegende Menge an Cu und die bei dem Leiter gewünschten
Eigenschaften gegeneinander abwägen. Im allgemeinen ergibt sich als eine obere Grenze der Cu-Menge ein
Cu-.Pd-Gewichtsverhältnis (als Metall) von etwa 2,5 J 1»
wenngleich auch in dem einen oder anderen Fall die verwendete Unterlage die Anwendung eines wesentlich kleineren
Verhältnisses von Gu : Pd fordern kann. Ein bevorzugtes Verhältnis (Prefired Ratio) entspricht dem Bereich von 0,1
bis 2,0. Ein Cu/Pd-Verhältnis von unter 0,01 : 1 bietet im
allgemeinen keinen praktischen Vorteil, ohne dass dieses Verhältnis jedoch eine Grenze darstellt. Beim Vorliegen
von Pd und kleineren Mengen an anderen Edelmetallen beträgt das Maximalverhältnis von Cu zu Pd zuzüglich solchen anderen
Edelmetallen gleichfalls etwa 2,5 : 1.
Die Metallisierungen sollen feinteilig sein, um Sintern und
jegliche sich einstellenden Reaktionen zu erleichtern. Ferner würde bei der Bildung mehrschichtiger Kondensatoren unter
Verwendung von Keramik-Rohplatten bzw. -folien ein Vorliegen von groben Teilchen als Seil der Innenelektrode-Drucke zu
einer Punktierung der Dielektrikum-Rohplatten führen. Im
allgemeinen haben bei den Metallisierungen, mindestens 90 %
der Teilchen eine Grosse nicht über 5 Mikron. Bei optimalen
Metallisierungen haben im wesentlichen alle Teilchen eine
Grosse von unter 1 Mikron. Anders ausgedrückt, die Ober-
fläche der Teilchen liegt im Bereich von 0,4 bis 9 m /g»
2 vorzugsweise 2 bis 8 m /g.
Venn gewünscht, kann diesen Metallisierungen auch fein teiliges
Bariumtitanat in Mengen bis zu etwa 10 % zugesetzt werden, um die Haftung der Metallisierung an der Unterlage
und die Kontinuität des Films noch zu steigern.
Die Metallisiermittel werden aus den Feststoffen und Trägern
durch mechanisches Mischen gebildet. Ihr Aufdrucken als Film
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auf keramische dielektrische Unterlagen erfolgt in herkömmlicher
Weise. Im allgemeinen arbeitet man vorzugsweise nach Siebdrucktechniken. Das Metallisiermittel kann trocken oder
in Form einer Dispersion in einem inerten, flüssigen Träger aufgedruckt werden. .
Als Träger kann jede inerte Flüssigkeit Verwendung finden. So kann man als Träger Wasser oder die verschiedenen, organischen
Flüssigkeiten mit oder ohne Dickungs- und/oder Stabilisiermittel und/o dar andere übliche Zusatzmittel verwenden.
Das Verhältnis von inertem Träger zu Feststoff (Glas-Keramikvorläufer
und Metall) in den Metallisiermitteln gemäss der Erfindung kann sehr verschieden gewählt werden und hängt von
der Art und Weise, in der die Dispersion des Metallisiermittels im Träger aufzutragen ist, und der Art des eingesetzten
Trägers ab. Im allgemeinen wird man zur Bildung einer Dispersion der gewünschten Konsistenz mit1 bis
20 Gew.teilen Feststoff pro Gew.teil Träger arbeiten, wobei
ein Bereich von 4 bis 10 Teilen Feststoff je Teil Träger
bevorzugt wird. Optimale Dispersionen enthalten JO bis
70 % flüssigen Träger.
Die Metallisiermittel gemäss der Erfindung werden, wie oben erwähnt, auf Keramikunterlagen aufgedruckt, worauf man die
bedruckte Unterlage brennt, um die Metallisiermittel zu
"reifen" und hierdurch kontinuierliche Leiter zu bilden. Ein Aufdrucken der Mittel gemäss der Erfindung auf Rohkeramik
und gemeinsames Brennen mit diesem bietet wesentliche Vor teile, aber die Erfindung ist nicht auf diese Ausführungsform beschränkt. Die Mittel gemäss der Erfindung können,
wenn gewünscht, auch auf vorgebranntes Keramikmaterial aufgedruckt werden.
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PG-3824 ^
Obwohl die Druck-, Schneid-, Stapel- und Brenntechniken bei der Herstellung mehrschichtiger Kondensatoren stark variieren,
sind die Anforderungen an ein Metallisiermittel für den Einsatz als Elektrode im allgemeinen 1. angemessene
Trockenzeit (2 Std. oder darunter), 2. Nichtreaktivität
gegenüber Rohkeramikbindemitteln (eine Reaktion führt zum "Aufrollen" oder sogar zur Lochbildung während des Drückens
und Trocknens), 3· Nichtreaktivität gegenüber Keramikkomponenten
während des Brennens (Pd-Reaktion mit Wismut, z. B. führt zur Kondensator-Spaltung), 4-. Beständigkeit während
Brennens an Luft (d. h. Ausbleiben eines Nichtleitfähig-Verdens)
und 5· Nichtschmelzen bei Brenn-Spitzenbedingungen.
Kach dem Aufdrucken der Elektrode auf das Rohkeramik werden
die anfallenden Stücke trocken oder nass auf die gewünschte Schichtzahl (normalerweise in Abhängigkeit von der Bauart
zwischen 5 und 60) aufeinandergestapelt, gepresst (bis zu
210 kg/cm unter oder ohne Wärmeanwendung) und geschnitten.
Ein typischer Brennzyklus für mehrschichtige Kondensatoren ist zweiphasig. Die erste Phase, die bis zu mehreren Tagen
dauern kann, wird als "Bisquing" bezeichnet. Die erreichte Maximaltemperatur kann zwischen 316 und 54-1° c (600 und
1000° P) liegen. Der Zweck dieser Phase liegt in der zerstörungsfreien
Entfernung von organischem Bindemittel in den Elektroden wie auch dem Rohkeramik. Hierauf erfolgt
eine rasche (6stündige oder kürzere) Aufheizung auf die gewünschte "Einlass"-Temperatür ("Soaking") zur Reifung
des Keramikmaterials, wobei diese von der Zusammensetzung des Keramikmaterials abhängt. Im allgemeinen reichen die
Temperaturen bei BaTiO, als Hauptkomponente von 1240 bis
1400° C (2265 bis 2550° P.). Die Geschwindigkeit der Abkühlung
der Teile nach der Wärmeeinlassung hängt von Wärmestoss-Erwägungen
ab..·
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Die folgenden Beispiele und Vergleichsversuche dienen der
Erläuterung der Vorteile der Erfindung, wobei sich in den Beispielen wie auch dem sonstigen Text Teil-, Prozent-, An-■
teilangaben usw. auf das Gewicht beziehen.
Die Dielektrizitäts-Effektivkonstante (K „~) und der Verlustfaktor
sind wie folgt bestimmt worden: Gebrannte J-^agen-Kondensatoren
(mit 2 Innenelektroden) wurden in den Klemmen einer automatischen BLC-Brücke (Modell General Radio
Nr. I683) mit automatischer Anzeige von sowohl Kapazität als auch Verlustefaktor angeordnet. Auf Grundlage der bekannten
Kapazität, Elektrodenabmessungen und Dicke des gebrannten Dielektrikums errechnete sich K ■>^ wie folgt:
K = (Anzeige in Pikofarad)(Dicke, mm χ O,O25)(2,9 x 1O"2)
eff Elektrodenfläche, cm^
Der spezifische Widerstand wurde an 1/40 mm (1 mil) dicken
Elementen bestimmt. . . ;
In den Beispielen und Vergleichs versuchen waren alle anorganischen Feststoffe feinteilig; die maximale Teilchengrösse
lag unter 5 Mikron.
Diese Beispiele erläutern den Einsätz von Metallisierungen
gemäss der Erfindung, die CupO oder Kupfer enthalten, bei
der Herstellung von Mehrschicht-Kondensatoren, wobei jeweils
drei Dielektrikum-Schichten zwei eingebettete Pd/Cu-Leiter- ,
schichten umgeben. Die Eigenschaften der anfallenden Kondensatoren
werden mit denjenigen kostspieligerer Elektroden
aus allein Palladium verglichen.
Als Dielektrikum dienten rohe (ungebrannte) Bariumtitanat-
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Scheiben von 1,3 cm Durchmesser und etwa 0,4 mm Dicke (als
Produkt der American Laca Corporation erhältlich) mit einer Dielektrizitäts-Nenn-Effektivkonstante von 2000 "bei einer
empfohlenen Brenn-Spitzentemperätur von 1320° C. Aus 10 Teilen
Kolophonium ('-'Hercules Staybelite"), 10 Teilen Äthylcellulose,
5 Teilen ß-Terpineol, 65 Teilen Leuchtöl
(200/230° C-Fraktion) und 10 Teilen Erdöl von hohem Flammpunkt wurde ein Träger (A) hergestellt.
Zur Bildung des Metallisiermittels nach Beispiel 1 wurden
12 Teile Gu2O1 33 Teile Palladium und 55 Teile Träger A
gemischt, worauf die Mischung auf der Mischwalze (2 Durchgänge "bei 3,5 atü) "behandelt wurde, um die Gleichmässigkeit
des anfallenden Mittels sicherzustellen. Das Metallisiermittel wurde im Siebdruck (Sieb Nr. 325 unter Anfall eines .
Drucks von etwa 0,015 ^a. Dicke) auf jeweils zwei Scheiben
aus dem ungebrannten Dielektrikum von 1,3 cm Durchmesser aufgetragen, die dann Kerben erhielten, um Flächen für die
folgende elektrische Kontaktierung zu bilden, und mit einem dritten Plättchen des Dielektrikums durch 1 Min. Pressen bei
352 kg/cm und Raumtemperatur laminiert wurden. In dieser
Weise wurden 10 Kondensatoren hergestellt.
Das Metallisiermittel nach Beispiel 2 wurde in entsprechender
Weise aus 33 Teilen Pd, 11 Teilen Cu-Pulver «0,044 mm
(325-Maschen-Sieb)) und 56 Teilen Träger A und das Metallisiermittel
für- Vergleichsversuch A aus 45 Teilen Pd und
55 Teilen Träger A hergestellt. Wie in Beispiel 1 wurden Laminate hergestellt.
In jedem Fall wurden die gepressten Teile in einen Kammerofen eingegeben. Die Temperatur wurde im Verlaufe von 24 Std.
auf 500° C erhöht, dann 16 Std. auf diesem Wert gehalten, nun
im Verlaufe von 2 Std. auf 1320° C erhöht und 2 Std. auf
diesem Wert gehalten, worauf die Stücke auf 1000° C abkühlen
gelassen und aus dem Ofen entnommen wurden. Die anfallenden
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Kondensatoren hatten die in. der Tabelle genannten Eigenschaften.
Beim .gebrannten Kondensator hatten die Dielektrikum-Schichten eine Dicke von jeweils etwa 0,38 mm und die
Elektroden eine solche, von etwa 0,0076 mm oder darunter.
Wichtig ist der Umstand, dass Dielektrizitätskonstante und Verlustfaktor durch das Vorliegen von Kupfer in der anfallenden
Elektrode (zugeführt über das Metall oder ein Oxid) nicht verschlechtert werden. Ferner war bei den gebrannten
Kondensatoren keine Entsch-ichtung zu beobachten, und ebensowenig
war irgendein Anzeichen für Reaktionen zwischen Elektrode und Dielektrikum festzustellen.
Dieses Beispiel und dieser Vergleichsversuch erläutern.das
verbesserte Verhalten der Pd/Cu-Metallisiermittel gemäss der
Erfindung gegenüber ßogar Metallisiermitteln, die Pd allein enthalten, bei bestimmten Pd-Konzentrationen in dem Metallisiermittel
(anorganischer Feststoff zuzüglich Träger). In Beispiel 1 und 2 und Vergleichsversuch A verhielten sich
bei etwa 4-5 % anorganischen Stoffen in dem anorganischen
Stoff und Träger enthaltenden Mittel sowohl die Pd/Cu-Mittel gemäss der Erfindung als auch die kostspieligeren Pd-Mittel
gut. Beim Arbeiten mit einem Pd-Gehalt des Metallisiermittels von 33 % erwies sich das Pd/Cu20-Mittel gemäss
der Erfindung als arbeitsfähig,' nicht aber ein nur Pd enthaltendes
Mittel.
Ein 33 % Pd und 12 % Cu2O im Träger enthaltendes Metallisiermittel
(Beispiel 3) ergab einen arbeitsfähigen Kondensator, während dieses Ergebnis mit 33 % Pd im Träger (Vergleichsversuch
B) bei der gleichen Brenntemperatur (1250° C) nicht erhalten wurde. · - ■
- 12 -
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PG-J824 .
Der Träger (Träger B) enthielt 0,2 Teile Sojalecithin, 1,6
Teile Kolophonium ("Hercules Staybelite"), 1,6 Teile Ithylhydroxyäthylcellulose,
0,8 Teile ß-Terpineol, 1',6 Teile Erdöl von hohem Flammpunkt und 10,6 Teile Leuchtöl.
Kir Beispiel 3 wurden 10 Teile Pd, 3,5 Teile Cu2O und
16,5 Teile Träger B gemischt und dann zur Sicherung der G-leichmässigkeit in drei Durchgängen bei 3 »5 atu auf der
Mischwalze behandelt. Im Vergleichsversuch B wurden 10 Teile Pd und 20 Teile Träger B in entsprechender Weise behandelt.
Mit jedem Mittel wurden unter Aufdrucken nach der Siebdrucktechnik
(325-Maschen-Sieb) auf jede Seite eines ungebrannten BaTiO^-Plättchens von 0,46 mm Dicke 10 Kondensatoren hergestellt.
Die aufgedruckte Schicht war etwa 0,02 mm dick.
Die Plättchen wurden dann im Verlaufe von 16 Std. auf I25O0 C Spitzentemperatur und dann 1 Std. bei der Spitzentemperatur
gebrannt. Die gebrannten Einschicht-Kondensatoren
(Dicke des gebrannten Dielektrikums etwa 0,38 mm und der gebrannten Elektrode etwa 0,0076 mm) hatten die in der Tabelle
genannten Eigenschaften. Der Pd-Kontrollversuch blieb
ohne Erfolgί während das Vorliegen von Gu2O zu einem brauchbaren
Mittel führte.
Es wurden drei weitere Reihen von je 10 Plättchen wie in
Beispiel 3» aber bei höheres? Brenntemperatur (136Ο anstatt
I25O0 C) hergestellt.
In Beispiel 4 wurde das Metallisiermittel von Beispiel 3
verwendet (Pd und Cu2O; 45 % Feststof fgehalt) und in Vergleichsversuch
C ein weitaus kostspieligers Edelmetall-Mittel mit einem Gehalt von 39 Teilen an Pd und 21 Teilen
an Ag (mit 40 Teilen Träger B), während in Vergleichsversuch D allein 45 Teile Pd (55 Teile Träger B) bei einem Ge-
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halt an anorganischem Material ähnlich Beispiel 3 Verwendung
fanden.
Die erhaltenen Vierte zeigen, dass sich das Pd/Cu^O-System
von Beispiel 4- "bei 1360° G "besser als die kostspieligeren
Edelmetall-Systeme der Vergleichsversuche C und D verhält.
Die hier erhaltenen Kondensatoren, deren Herstellung wie in Beispiel 3>
jedoch unter Brennen bei 1250° C erfolgte, bestätigen
die Äquivalenz von Kupfer und GuoO als Ausgangsmaterialien
in den Metallisierungen gemäss der Erfindung (wie in Beispiel 1 und 2 angedeutet). Dabei wurde in Beispiel
5 das Mittel von Beispiel 3 verwendet und in Beispiel
6 die gleiche Menge an Pd (10 Teile) und Kupfer (3,1 Seile,
wobei der Kupfergehalt den 3,5 Teilen Cu von Beispiel 3 äquivalent
ist) mit 16,9 Teilen Träger B eingesetzt, Wie in der
Tabelle gezeigt, wurden vergleichbare elektrische Ergebnisse erhalten.
Beispiel 7
Dieses Beispiel erläutert die Auswirkung von Veränderungen des Verhältnisses von Cu/Pd auf das Vermögen von Pd/CupO-Mitteln,
brauchbare Leiter und somit Kondensatoren zu bilden. Mit Massgabe der Unterstellung, dass Widerstände von über
etwa 2 Ohm/Quadrat zu vermeiden sind, ergibt sich als obere Grenze der Praxis für den Kupfergehalt im allgemeinen ein
Verhältnis von Cu zu Pd von 2,5 : 1, aber man. kann natürlich, wenn wesentlich höhere Widerstandswerte tolerierbar sind,
auch mehr Kupfer einsetzen.
Unter Einsatz von Pd, Cu2O und Träger B bei einem Verhältnis
der Feststoffe zum Träger von 60 : AO wurden Kondensatoren wie in Beispiel 3 hergestellt. Die Mittel wurden (mit einem
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200-Masehen-Sieh) sowohl auf gebrannte BaTiO^- als auch
gebrannte Alsimag-Plättchen aufgedruckt; die Brenn-Spitzen-,
temperatur betrug 127Ο0 C. Die Ergebnisse sind in der Zeichnung
an der Beziehung zwischen Cu/Pd-Verhältnis und spezifischem
Widerstand (Einheit Ohm/Quadrat) dargestellt, in der die Klammerwerte den Pd-Gehalt des-Gesamtmittels (Pd, Cu2O
und Träger) nennen.
Ein Ziel der Mittel gemäss der Erfindung liegt darin, zur Bildung wirksamer, wohlfeiler Kondensatoren jnit Keramikrohunterlagen
bei hoher Temperatur gemeinsam brennbar zu sein. Es wurde das Verhalten verschiedener kupferhaltiger Metallisierungen
untersucht, die grosse Mengen an anderen Edelmetallen als Pd enthielten. Die Metallisierungen erwiesen
sich beim Brennen bei 1260° C als unbrauchbar. Bei niedrigeren Temperaturen (IÖ5O0 C) bildeten zwei der Mittel brauchbare
Kondensatoren, aber diese Brenntemperatur ist zu gering, als dass die Mittel für das gemeinsame Brennen mit BaTiO,
usw. geeignet sind.
In den Vergleichsversuchen E, F und G wurde die Arbeitsweise
von Beispiel 3 mit den folgenden Abänderungen wiederholt, wobei ein Satz von Proben bei 10500 0 und ein anderer bei
1260 C gebrannt wurde. Die Widerstandswerte sind in der Tabelle genannt.
In Versuch E lieferten 40 Teile Au, 20 Teile Cu2O und 40
Teile Träger B weder bei 1050 noch bei 1260° C brauchbare
Kondensatoren, was die Nichtanwendbarkeit der Lehre gemäss der Erfindung aus Gold- anstatt Palladium-Systeme zeigt.
Im Versuch F lieferten 30 Teile Au, 10 Teile Pd, 20 Teile
O und 40 Teile Träger B bei niedriger Brenntemperatur
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PC-3824 . I
(1050° C) einen Kondensators nicht aber bei 1260° C.
Im Versuch G wurde mit 15 feilen Pd, 15 feilen Ag und 20
Seilen CuoO (zuzüglich 50 Seile träger B) ein Kondensator
bei niedrigen Temperaturen erhalten, nicht aber bei 1260° C
Dies erläutert, nachdem im vorliegenden Versuch gleiche Mengen an Pd und Ag sich bei 1260° 0 als unbrauchbar erwiesen,
die Wichtigkeit, andere Edelmetalle als Pd in den Pd/Cu-Mitteln gemäss der Erfindung nur in kleineren Mengen ■
einzusetzen.
Beispiele- Vergleichsversuch H ■
Diese Versuche zeigen die Auswirkung der "Historik" der
Metallisierung auf die Bildung brauchbarer Kondensatoren»
Im Vergleichsversuch H wurde bei einer Brenntemperatur von
I25O0 C'und unter Einsatz der Materialien von Beispiel 3
erneut die Arbeitsweise von Beispiel 3 mit der.Abänderung angewandt,
dass Pd (10 Seile) und Ou2O (3?5 Seile) vor dem
Dispergieren im Sräger B zusammen 30 Min. bei 85O0 C erhitzt,
abgekühlt, zerstossen und durch ein Sieb von 0,25 nun
lichter Maschenweite (60-Maschen-Sieb) passiert (aber nicht
zerkleinert) wurden. Vie die Tabelle zeigt, war der anfallende Kondensator unbrauchbar. -
Im Gegensatz hierzu liegt eine durch gemeinsames Fällen mit
NaBH^ hergestellte Cu-P.d-Legierung (Beispiel 8) im Rahmen
der Erfindung; Die Arbeitsweise von Beispiel 3 wurde mit
einer Legierung aus gleichen Teilen Kupfer und Palladium
wiederholt, die aus einer Lösung von 9«68 g Kupfer(II)-nitrat
und 5,42 g Palladiumnitrat in 3OO ml Wasser, mit 6,2 g Natriumhydroxid neutralisiert, durch Zusatz von 1 g
WaBH^ (100 ml einer 1%igen ITaBH^.-Losung) zur Realisierung
der Metalle und Waschen und Trocknen des ifiedersohlags ·
erhalten worden war (die Röntgenanalyse bestätigtedas Vor-
.309843/1111 .- 16 =-
ZK &Z: (Λ. f*% Λ ^S /
ΡΟ-3824 lot J Ιο*
liegen einer Legierung). Die Legierung (50 Seile) wurde in
50 '!'eilen Eräger B dispergiert, aufgedruckt und "bei 1150° G
gesintert. Die Ergebnisse sind in der Tabelle genannt.
Diese Beispiele zeigen die Verwendung anderer Kupferver-"
bindungen als des Oxides (von Oxidvorläufern) bei der Bildung von Kondensatoren gemäss der Erfindung, wobei als
Verbindungen Kupfer(II)-acetat, -sulfat und -carbonat Verwendung fanden.
Die Arbeitsweise von Beispiel 3 wurde unter Einsatz einer
2
Paste wiederholt, die 33 °/° Pd (5 m /g) und die zur Erzielung von 10 % Kupfer (als Metall) notwendige Gewichtsmenge Kupferverbindung und träger B enthielt. Die Brenntemperatur betrug 12500 C-
Paste wiederholt, die 33 °/° Pd (5 m /g) und die zur Erzielung von 10 % Kupfer (als Metall) notwendige Gewichtsmenge Kupferverbindung und träger B enthielt. Die Brenntemperatur betrug 12500 C-
Die Tabellenwerte zeigen bei Acetat und Carbonat keinen Unterschied
im Verhalten; das Sulfat ergab eine geringere Leitfähigkeit, war aber noch zufriedenstellend.
In jedem dieser Beispiele wurde anstelle von Palladium Palladiumoxid verwendet. Die labellenwerte zeigen die Brauchbarkeit
dieses Systems. Die Arbeitsweise entsprach Beispiel 3; die Einwirkzeit der Brenn-Spitzentemperatur betrug
30 Min.
In Beispiel 14 und 14-1 enthielt das Metallisiermittel auch
BaTiO,. '
- 17 -
309843/1 1 1 1
Beispiel (Zahl)
oder Vergleichs ve .T-such(Buchstsbe)
oder Vergleichs ve .T-such(Buchstsbe)
Metallisations-Feststoffe auf
190 Teile Metallisiermittel
190 Teile Metallisiermittel
1
2
2
B
4
4
I)
6
7
E
j?
G
8
H
j?
G
8
H
9
10
10
Gewichts- Gewichts- Brenntemverhältverhältperatur,
nis Pest- nis " 0C
stoff zu Cu/Pd ,
Träger
Leff
33 Pa/12 CupO 45/55
33 Pa/11 Cu^ 44/56
45 Pd 45/55
33 Pa/12 CupO 45/55
33 Pd * 33/67
Wie Beispiel 3
39Pd/21 Ag 60/40
45 Pd 45/55
0,3/1
0,3/1
0,3/1
33 Pa/11 Cu 44/56
Pd/Cu2O . 60/40
(siehe Zeichnung)
(siehe Zeichnung)
60/40
0,3/1
40 Au/20 Cu2O
30 Au/10 Pd/20
Cu0O
Cu0O
Ag/20
60/40
5O/5O
5O/5O
50/50
1/1
1320 1320 1320
1250 1250
1360 1360 I36O
1250 1250
1270
1050 1260 1050
1260 IO5O 1260 1150
25 Pa/25 Cu Legierung
Vo rgeb rannt«, Met.. — wie Beispiel 3 —- 125O
von Beispl» 3
33 Pd/32 CuAc0. 66/34 0,3/1
J2·
33 Pd/19 CuCO.
52/48
0,3/1
1250 I25O
Verlust
faktor,
faktor,
Spez. Widerstand ("bei
1/40 mm Dicke), Ohm/Quadrat)
2425
2087
2013
2087
2013
2142
.3577
2549
2446
2549
2446
2054
2064
2064
1,4
1,4
1,4
1,0
1,1
0,8
0,9-
0,8
0,9-
1,2
1,0
\ , OD
1,2 1,2 0,8
0,8
unendlich
(Kapazität Null)
0,8 0,2 0,3
0,8 0,8 '
— siehe Zeichnung,-—
1,8
5 1,7
unendlich (geschmolzen)
(geschmolzen) 1,03
unendlich 1,4
>1OO
0,3
0,6
Beispiel (Zahl) oder Vergleichsversuch(Buchstabe)
Metallisations-Feststoffe auf
100 '.Heile Ketallisiermittei
11
12 12-1
13 14
33 Pd/26
40 PdO/12
40 PdO/12 g
40 PdO/12 Cu2O
33 PdO/12 5,4 T
33 PdO/12 5,4 BaSiO
Gcwicii^s- Gewichtsverliälcverhältnis
Fest» ids
stoff zu Cu/Pd
59/41
52/48
52/48
52/48
52/48
50/50
5O/5O
0,3/1 0,3/1
0,3/1
0,4/1
0,4/1
B i-enn tempera
tür,
oc
125O
1270
1320
127O 1270
1320
K .,,,> Verlust-
V Λ.,L
1,6
0,8
0,8
Spes* Widerstand
(bei ^ t 1/40 mm Id eke), ij
Ohm/Quadrat)
1,8
0»51 0,55
0,52
0,95
0,8
ο co
Claims (1)
- Pa ten tanspru c vhMetallisierung feinteiligen Edelmetalls bzw. feinteiliger Edelmetalle mit Eignung zur Leiterbildung, gekennzeichnet durch einen Gehalt ana) Palladium und/oder Palladiumoxid undb) einem oder mehreren Stoffen aus der Gruppe Kupfer, Kupferoxide und deren Vorläufer,wobei das Gewichtsverhältnis von Kupfer zu Palladium, als Metall, bis zu 2,5 : 1 beträgt und die Teilchen der Metallisierung eine solche Grosse haben, dass mindestens 90 % der Teilchen nicht über 5 Mikron gross sind.- 20 -309843/1111
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US24590372A | 1972-04-20 | 1972-04-20 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2320234A1 true DE2320234A1 (de) | 1973-10-25 |
Family
ID=22928575
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2320234A Pending DE2320234A1 (de) | 1972-04-20 | 1973-04-19 | Metallisierung |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3763409A (de) |
JP (1) | JPS4916893A (de) |
CA (1) | CA989206A (de) |
DE (1) | DE2320234A1 (de) |
FR (1) | FR2181003B1 (de) |
GB (1) | GB1393646A (de) |
IT (1) | IT989545B (de) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3851228A (en) * | 1972-04-20 | 1974-11-26 | Du Pont | Capacitor with copper oxide containing electrode |
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Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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1972
- 1972-04-20 US US00245903A patent/US3763409A/en not_active Expired - Lifetime
-
1973
- 1973-04-17 CA CA169,910A patent/CA989206A/en not_active Expired
- 1973-04-19 FR FR7314372A patent/FR2181003B1/fr not_active Expired
- 1973-04-19 IT IT49586/73A patent/IT989545B/it active
- 1973-04-19 GB GB1910273A patent/GB1393646A/en not_active Expired
- 1973-04-19 DE DE2320234A patent/DE2320234A1/de active Pending
- 1973-04-20 JP JP48044249A patent/JPS4916893A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB1393646A (en) | 1975-05-07 |
CA989206A (en) | 1976-05-18 |
JPS4916893A (de) | 1974-02-14 |
IT989545B (it) | 1975-06-10 |
FR2181003A1 (de) | 1973-11-30 |
FR2181003B1 (de) | 1976-09-10 |
US3763409A (en) | 1973-10-02 |
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