DE2312061A1

DE2312061A1 - Transistorherstellungsverfahren

Info

Publication number: DE2312061A1
Application number: DE2312061A
Authority: DE
Inventors: Richard Steven Payne; Robert John Scavuzzo
Original assignee: Western Electric Co Inc
Current assignee: AT&T Corp
Priority date: 1972-03-13
Filing date: 1973-03-10
Publication date: 1973-10-18
Also published as: NL7303358A; IT980547B; FR2175911B1; GB1421222A; CA963980A; SE386309B; JPS493581A; BE796460A; FR2175911A1; US3756861A; DE2312061B2; NL155983B

Description

WESTERN ELECTRIC COMPANY Payne 1-1

Incorporated

NEW YORK, N. Y. 10003 USA ο ο ι ο η e 1

Zo I ZUD I

Transistorherstellungsverfahren

Die Erfindung bezieht sich auf einen Transistor und ein Transistorherstellungsverfahren, bei dem innerhalb eines Halbleiterkörper des einen Leitungstyps eine Basiszone mit Dotierstoff des entgegengesetzten Leitungstyps und innerhalb der Basiszone eine Emitterzone mit Dotier stoff des einen Leitungstyps erzeugt wird.

Im Zusammenhang mit der Entwicklung und den zukünftigen Aussichten von Mikrowellenübertragungsanlagen, Hochgeschwindigkeitsspeichern und Logikbausteinen, außerdem wegen des Bedarfes an Kleinsignaldetektoren und -verstärkern für die Fernmeldeübertragung über Koaxialkabel, begann man sich sehr für ein wirtschaftlich tragbares Verfahren zur Herstellung von Hochfrequenztransistoren zu interessieren. Diese Transistoren werden derzeit in einem Doppeldiffusionsverfahren hergestellt. Das bedeutet, daß sowohl die Emitter- als auch die Basiszone nach üblichen chemischen Diffusionsverfahren gebildet werden. Weil das chemische Diffusionsverfahren bei Transistoren, die flach aufgebaut oder mit kleinen Betriebs-

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datentoleranzen hergestellt werden sollen, nur schwer zu steuern ist, bietet sich die Ionen-Implantation als ein vorteilhaftes alternatives Dotierungs verfahr en an. Nach diesem Verfahren kann sowohl die Konzentration der Dotierstoffe als auch deren Verteilung über einen weiten Bereich sehr genau ausgesteuert werden. Es sind deshalb verschiedene Versuche gemacht worden, Hochfrequenztransistoren unter Anwendung von Ionen-Implantationsverfahren herzustellen, und zwar entweder als doppeltes Implantat, bei dem, sowohl die Emitter- als auch die Basiszone in das Halbleitersubstrat implantiert werden, oder in einem Hybridverfahren, bei dem die Basis implantiert und der Emitter eindiffundiert wird. Jedoch blieben diese Versuche, die sich auf die gleichmäßige Herstellung hochverstärkender Transistoren mit einem geringen Leckstrom richteten, ohne Erfolg.

Die oben genannten Probleme werden erfindungsgemäß durch einen bipolaren Transistor und ein Verfahren zu seiner Herstellung gelöst dadurch , daß die Basiszone erzeugt wird

durch Bildung einer ersten Dotier stoff zone des entgegengesetzten Leitungstyps innerhalb des Halbleiterkörpers und durch Bestrahlen des Halbleiterkörpers mit einer Strahlung aus Dotierstoffionen

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gleichfalls des entgegengesetzten Leitungstyps, dergestalt, daß in einem Bereich der ersten Zone eine zweite Dotierstoffzone gleichfalls des entgegengesetzten Leitungstyps mit einer Konzentrationsspitze erzeugt wird, die tiefer im Halbleiterkörper gelegen ist als die der ersten Zone, und sich die erste und zweite Zone einander überlappen, um eine zusammengesetzte Zone zu bilden, die ein Dotierstoffkonzentrationsminimum zwischen den Dotierstoffkonzentrationsspitzen aufweist, und daß die Emitterzone bis zu einer Tiefe erzeugt wird, die zwischen den beiden Dotierstoffkonzentrationsspitzen liegt.

Die Zeichnungen zeigen:

Fig. la - If Schnittansichten eines erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiels für verschiedene Herstellungsschritte;

Fig. 2a - 2d Dotierstoffkonzentrationsprofile desselben Aüsführungsbeispiels für verschiedene Fertigungsschritte,· und

Fig. 3 ein Diagramm der Gleichstromyerstärkungsverteilung für verschiedene Bauelemente desselben Ausführungsbeispieles.

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In einem bevorzugten Ausführungsbeispiel werden Hochfrequenz-Transistoren mit verbesserten Verstärkungseigenschaften und hohem Verstärkungsgewinn hergestellt. Die Basis wird in zwei getrennten Verfahrens schritten, deren Reihenfolge beliebig ist, gebildet. Bei dem einen Verfahrensschritt wird innerhalb eines als Substrat dienenden Halbleiterkörpers durch Diffusion oder Ionenimplantation eine Dotierstoffzone erzeugt, um den spezifischen Flä'chenwiderstand und die Dotierstoffkonzentration an der Oberfläche der Basiszone festzulegen. Bei dem anderen Verfahrensschritt werden die Dotierstoffe innerhalb derselben Zone des Halbleitersubstrates implantiert, liegen aber tiefer im Halbleitersubstrat als die Dotierstoffe der ersten Zone, so daß eine Basiszone mit einem Dotierstoffprofil erzeugt wird, das ein Minimum und zwei Konzentrationsspitzen aufweist. Die Emitterzone wird durch eine chemische Diffusion oder eine Ionen-Implantation zusammen mit einer thermischen Diffusion der Impantierten Dotierstoffe so erzeugt, daß sich der Emitter-Basis-Übergang im oder nahe beim Minimum des Dotier'stoffprofiles der Basiszone befindet. Die Reihenfolge, in der die Emitter- und Basiszone gebildet werden, ist umkehrbar.

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Die Fig. Ia-If demonstrieren das erfindungsgemäße Verfahren am besten. Sie sind nicht maßstabgetreu. Die Fig. 2a - 2d zeigen die Sotierstoffkonzentrationen des Bauelementes für verschiedene Verfahrensschritte. Obwohl die Herstellung eines diskreten Transistors gezeigt wird, sollte es klar sein, daß sich das erfindungsgemäße Verfahren auf die Herstellung planarer Plättchen für verschiedene Transistoren auf einer Halbleiterscheibe und auf die Herstellung von Transistoren als Teil einer integrierten Schaltung bezieht.

Wie aus Fig. la hervorgeht, wurde auf einem N+-leitenden Halbleitersubstrat 10 aus Silicium nach üblichen Verfahren eine η-leitende Epitaxieschicht 11 gezüchtet. Das Halbleitersubstrat wird vorzugsweise mit Antimon- oder Arsen-Dotierstoffen bis zu einem spezifischen Widerstand von weniger als oder ungefähr gleich 0, 01 Ohm cm dotiert, während die η-leitende Schicht, die die Kollektorzone des Transistors aufnehmen soll, vorzugsweise mit Arsen-Dotierstoffen bis zu einem spezifischen Widerstand von ungefähr 1 Ohm cm dotiert wird, obwohl ein verfahrenstechnEch brauchbarer Einstellbereich zwischen 0, 1 und 10 Ohm cm liegt.

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Die Epitaxieschicht 11 ist ungefähr 7 pm dick. Eine Siliziumdioxidschicht 12 wird auf dem Halbleitersubstrat bis zu einer Dicke von ungefähr 1400 A gezüchtet oder niedergeschlagen, obwohl jede beliebige Oxiddicke verfahrenstechnisch brauchbar sein würde, solange die durch Ionenstrahlung implantierten Basisdotierstoffe noch durch das Oxid implantiert werden können.

Die Basiszone wird nach üblichen photolithographischen Methoden bestimmt. So wird über der Siliziumdioxidschicht eine Photolackschicht niedergeschlagen. Der Photolack wird durch eine geeignete Maske belichtet und dann in einer geeigneten Lösung entwickelt, um ein Fenster im Photolack festzulegen, durch das die Basisdotierstoffe in den Halbleiter eindringen können. Dieser Verfahrensschritt ist in Fig. Ib dargestellt, in der die Photolackschicht mit der Ziffer 13 gekennzeichnet ist. Andererseits könnte anstelle des Photolacks ein Metall- oder Isolatorniederschlag verwendet werden.

In der bereits erwähnten Fig. Ib ist der erste Verfahrens schritt zur Erzeugung der Basiszone dargestellt. Die Anordnung wird mit einer Borionenstrahlung bei einer Energie von ungefähr 50keV

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so bestrahlt, daß die Borionen die Oxidschicht, aber nicht den Photolack durchdringen, um innerhalb der Halbleiter schicht 11 in der durch das Photolackfenster abgegrenzten Zone eine p-Zone zu erzeugen. Die zur Einstellung des spezifischen Flächenwiderstandes benötigte Ionenstrahlungsdosierung beträgt ungefähr

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2, 8 χ 10 Ionen/cm , obwohl die Ionenstrahlung von 10

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5 χ 10 Ionen/cm geeignet dosiert werden könnte. Das sich aus dem Borionenimplantat ergebende Dotierstoffprofil ist in Fig. 2a dargestellt, die die Dotierstoffkonzentration C in Abhängigkeit von der Eindringtiefe X unter die Oberfläche des Halbleitersubstrats zeigt. Die Kennlinie folgt einer Gauß'schen Verteilungscharakteristik mit einer etwa 0, 02 pm tiefen Dotierstoffkonzentrations-

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spitze von ungefähr 10 Ionen/cm . Die Energie der Ionenstrahlung muß ausreichen, um die Oxidschicht zu durchdringen, jedoch nicht so tief, daß sich daraus in Verbindung mit den nachfolgenden Verfahrensschritten eine Dotier Stoffkonzentration ergibt, die nach der ersten Dotierstoffkonzentrationsspitze stetig abnimmt. Wenn man von einer 1400 A dicken SiO -Schicht ausgeht, liegt die Energie der Ionenstrahlung für dieses Implantat ungefähr im Bereich von 5 - 100 keV. Es sollte festgestellt werden, daß diese Zone 14 auch durch übliche Diffusionsverfahren erzeugt werden kann.

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In der Fig. lc ist der zweite Verfahrensschritt zur Erzeugung der Basiszone dargestellt. Auch hier werden wieder Borionen in die durch das Photolackfenster festgelegte Zone implantiert. Jedoch bestimmt dieses Implantat letzten Endes die Dotierstoffkonzentration (doping concentration) unter der Emitterzone und ist in der Regel geringer als beim vorhergehenden Verfahrensschritt dosiert. In diesem Ausführungsbeispiel wurde mit einer

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Dosierung von 8 χ 10 Ionen/cm gearbeitet, obwohl ein

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brauchbarer Dosierungsbereich zwischen 8 χ 10 bis 5 χ 10 Ionen/cm liegt. Die Energie der bei diesem Verfahrens schritt implantierten Ionen muß ausreichen, diese tiefer als beim vorausgegangenen Verfahrensschritt in das Halbleitersubstrat zu injizieren, um eine zusammengesetzte p-Zone 15" mit dem durch die gestrichelte Linie 16 dargestellten Kollektor-Basis-Übergang zu bilden. In diesem speziellen Ausführungsbeispiel betrug die Energie der Borionenstrahlung ungefähr 250 keV. Wenn man von einer 1400 A dicken SiO -Schicht ausgeht, ist eine Strahlungsenergie zwischen 100 und 400 keV für dieses Implantat geeignet.

Die Fig. 2b zeigt das zusammengesetzte Dotierstoffpr.ofil der beiden Borimplantate. Die Dotierstoffkonzentrationsspitze des

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Borimplantats mit der geringeren Dotierstoffkonzentration

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beträgt ungefähr 3 χ 10 Ionen/cm und liegt ungefähr 0, 5 pm tief. Es ist wichtig, festzustellen, daß die Dotierstoffkonzentration zwei getrennte Konzentrationsspitzen und eine minimale Konzentration aufweisen muß. Folglich muß die Energie der beiden Implantate so gewählt werden, daß die Dotierstoffverteilungen einander überlappen, um die Bildung einer η-Zone zwischen den beiden Plantaten zu verhindern. Jedoch dürfen sich die Dotierstoffverteilungen nicht so weit überlappen, daß in der Überlappungszone kein Konzentrationsminimum gebildet wird. Mit anderen Worten muß in der Zone, in der der mit höheren Konzentration verteilte Dotierstoff (oberflächennahes Implantat) den mit geringerer Konzentration verteilten (tiefer liegendes Implantat) überlappt, die Summe der Verteilungen kleiner als die Dotierstoffkonzentrationsspitze des Implantates mit der geringeren Konzentration sein. Folglich überschneiden sich die Dotierstoffprofile an einem Punkt, wo die Dotierstoffkonzentration jedes Implantates weniger als die Hälfte der Dotierstoffkonzentrationsspitze des zweiten Implantates beträgt.

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Es sollte besonders erwähnt werden, daß die Reihenfolge der Basiszonenimplantation umkehrbar ist, und deshalb die Kennzeichnung des Implantates, das den spezifischen Flächenwiderstand einstellt, und des Implantates, das die Dotierung unter der Emitterzone in zwei Verfahr ens schritt en festlegt, nur erläuternden Zwecken dient.

Nach der Erzeugung der Basiszone wird der Photolack abgezogen und zusätzlich eine ungefähr 5500 A dicke Isolierschicht über der SiO- Schicht niedergeschlagen. Diese Schicht soll die Streukapazität der später vorzusehenden Kontaktelektroden verringern und bei der anschließend vorgenommenen Bildung der Emitterzone wie eine Maske wirken. Die Isolator schicht wird eine halbe Stunde lang bei ungefähr 900 C verdichtet (densified). Diese Warmbehandlung dient auch dazu, jeden Schaden, den der Halbleiter durch die Basisimplantationen erlitt, auszuheilen. Auf diesen Ausheilungsschritt kann verzichtet werden, wenn keine Verdichtung der niedergeschlagenen Isolator schicht für eine besonders genaue Festlegung des Emitterfensters nötig ist. Der Fachmann wird erkennen, daß sich während und nach den Warmbehandlungen das Dotierstoffprofil der Basiszone etwas

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auseinander zieht. Jedoch ist dieser Effekt bei den verwendeten Dotierstoffkonzentrationen und Temperaturen ohne Bedeutung. Bei der figürlichen Darstellung der einzelnen Verfahrensschritte in Form von Dotierstoffprofilen wurde dieses Phänomen ignoriert. Die Mittel zur Bestimmung der Borionenkonzentration als Funktion von Temperatur und Zeit sind bekannt. Daraus kann, wenn gewünscht, die Wirkung der Warmbehandlungen exakt abgeleitet werden. Sämtliche Eigenschaften der Dotierstoffprofile beziehen sich genauer auf die Dotierstoffprofile nach allen Warmbehandlungen.

Das Emitterfenster wird dann auf photolithographischem Wege ähnlich den Verfahren bestimmt, die im Zusammenhang mit der Erzeugung der Basiszone beschrieben worden sind. In diesem Falle wird jedoch ein Fenster durch die niedergeschlagene Isolatorschicht und die ersten Oxidschichten bis hinunter zur oberfläche der SiIicat schicht geätzt und der Photolack vor der Implantation entfernt. Alternativ dazu kann die Ätzung vor Erreichen der Silicatoberfläche gestoppt werden, wobei in der geätzten Zone einige Rest- oder Isolatoroxide übrig bleiben. Der ungeätzte Teil der Isolatoroxidschichten dient bei der sich

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anschließenden Implantation als Maske.

Das in Fig. Id dargestellte Bauteil mit der zusätzlichen Isolatorschicht 21 wird dann mit Arsenionenstrahlung beschossen, die eine N+-leitende Zone 17 im bestrahlten Halbleitergebiet erzeugt.

Die Dosierung beträgt in diesem Ausführungsbeispiel

2x10 Ionen/cm und die Energie der Ionenstrahlung beträgt 150 keV. Die Dosierung dieses Implantats muß ausreichend groß sein, damit die Verteilung des η-leitenden Dosierstoffes die p-leitenden Dotierstoffe ausgleicht, die infolge der hohen Dotierstoffkonzentration des Borionenimplantates injiziert wurden. Ein geeigneter Dosierungsbereich bestimmt sich deshalb zu 10 - 5x10 Ionen/cm . Die Energie der Ionenstrahlung wurde so gewählt, daß die Konzentrationsspitze der Verteilung des Dotierstoffes Arsen dicht unter der Oberfläche des Halbleiters liegt, d.h. ungefähr 0, 01 bis 0, 2 um tief. Die Energie kann deshalb zwischen 30 - 450 keV gewählt werden. Das Dotierstoffprofil für diesen Verfahrens schritt wird in Fig. 2c dargestellt. In diesem Beispiel beträgt die Dotierstoffkonzentrationsspitze

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der Emitterzone ungefähr 10 Ionen/cm und liegt etwa 0, 07 pm

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Die Emitterzone wird dann bei einer Temperatur und in einer Zeit, die für das weitere Eindiffundieren des Dotierstoffes Arsen in das Halbleitersubstrat ausreichen so behandelt, daiS der Emitter-Basis-Übergang im oder nahe beim Minimum des Dotierstoffprofiles der Basiszone liegt. Dieser Emitter-Basis-Übergang wird durch die unterbrochene Linie 18 in Fig. Ie und in Fig. 2d dargestellt. Die Fig. 2d zeigt speziell den Bereich der Tiefenverschieblichkeit des Emitter-Basis-Überganges, innerhalb dessen noch eine optimale Verstärkungs- und Frequenzcharakteristik erzielt wird. Dieser Bereich <;.\ χ erstreckt sich vom Minimum des Dotierstoffkonzentrationsprofiles der Basiszone bis zur tiefer liegenden Spitze des Dotierstoffkonzentrationsprofiles, wo das Implantat der Basiszone eine geringere Dotierstoffkonzentration hat. Weil eine Kompensation aller Dotierstoffe des dicht bei der Oberfläche liegenden Implantates höherer Dotierstoffkonzentration wünschenswert ist, sollte der Emitter-Basis-Übergang zur Erzielung bestmöglicher Ergebnisse vorzugsweise nicht auf der dichte bei der Oberfläche liegenden Seite des erwähnten Profilminimums liegen.

Die Warmbehandlung wurde eine halbe Stunde lang bei 1000 C vorgenommen. Sie kann 5 Minuten bis 3 Stunden lang in einem

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Temperaturbereich von 900 - 1300 C erfolgen. Unter Verweis auf die Fig. 2d soll noch festgestellt werden, daß durch ein Eindiffundieren des Dotierstoffes Arsen ein sehr abrupt verlaufendes Dotierstoffprofil erzeugt wird. Dieser Effekt ist bekannt und in erster Linie darauf zurückzuführen, daß die Diffusionskonstante von Arsen bei hohen Dotierstoffkonzentrationen größer als bei niedrigen Dotierstoffkonzentrationen ist. Es könnten auch Antimon oder Phosphor als Dotierstoffe für die Emitter-Zone verwendet werden, ohne daß ein so abrupt verlaufendes Dotier stoff profil entstehen würde. Dieselbe Profil charakteristik könnte außerdem erzielt werden, wenn die Dotierstoffe der Emitterzone auf dem Wege üblicher chemischer Diffusionsverfahren in das Halbleitersubstrat eingebracht wird, d.h. ohne das erste Oberflächenimplantat. Das Implantationsverfahren erlaubt jedoch eine bessere Steuerung der Dotier Stoffverteilung, weil es von Oberflächenzuständen oder den wechselhaften Verhältnissen bei der Anwendung eines chemischen Diffusionsverfahrens unabhängig ist. Es soll noch angemerkt werden, daß die Emitterzone früher oder später als die Basiszone gebildet werden kann.

Bei den letzten Verfahrens schritt en werden Fenster durch die isolierenden Schichten geätzt, um die Basiszone freizulegen

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(expose), und es werden metallische Kontakte 19 und 20 nach bekannten Verfahren aufgebracht, die die Emitter - bzw. Basiszone entsprechend der Darstellung in Fig. If berühren.

Die mit Hilfe dieses Verfahrens erzielten gleichförmigen Halbleitereigenschaften und hohen Verstärkungsgewinne sind aus der Fig. 3 zu entnehmen. Dort ist ein Diagramm abgebildet, das die Verteilung der Stromverstärkung für mehrere Plättchen zeigt, die nach dem oben beschriebenen Verfahren auf zwei verschiedenen Scheiben des Halbleitersubstrates chargenweise verarbeitet sind. Es wurden 22 Plättchen der Scheibe 1 und 25 Plättchen der Scheibe 2 getestet. Das Diagramm zeigt eine bemerkenswerte Konsistenz der Plättchen-zu-Plättchen- und Scheiben-zu-Scheiben-Daten. Die Abweichung vom Mittelwert der Stromverstärkung der zwei Scheiben und die Durchschnittsabweichung der Stromverstärkung zwischen den Plättchen auf einer Scheibe betrug nur 1, 3. Das bedeutet eine Abweichung von weniger als 1, 2 % vom Mittelwert. Andere Transistoreigenschaften wie etwa die Grundfrequenz des Transistors in Emitterschaltung und die Basis-Emitter-Spannung bei konstant gehaltenem Kollektor strom sind auf ähnliche Weise hoch gleichförmig. Außerdem ist die

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Stromverstärkung nahezu unabhängig vom Kollektorstrom im Bereich zwischen 10 uA und 100 nA.

Diese hoch gleichförmigen Eigenschaften sind offensichtlich auf die Ausbildung des Basis-Dotierstoffprofiles und die in Fig. 2d dargestellte Positionierung des Emitterüberganges zurückzuführen. Die Stromverstärkung ist in erster Linie von der gesamten Dotierung in der Basiszone unter der Emitterzone abhängig (Gebiet des Dotierstoffprofües der Basiszone rechts vom Ar sen-DotierStoffprofil in Fig. 2d). Weil der Emitter-Basis-Übergang in dem Bereich der Basiszone liegt, in dem die Dotierstöffkonzentration klein ist, führt eine Verschiebung des Zonenüberganges zwischen dem Minimum der Dotierstoffkonzentration und der Dotierstoffkonzentrationsspitze des zweiten Implantates in einem nur verhältnismäßig schmalen Bereich zu einer Dotierung unter dem Emitter, vergleichbar den in bekannter Weise eindiffundierten oder implantierten Basiszonen, bei denen kein Dotierstoffkonzentrationsminimum gebildet wird und der Zonenübergang bei einer deutlich höheren Dotierstoffkonzentration der Basiszone liegt.

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Claims

PATENTANSPRÜCHE

,' 1. j Transistorherstellungsverfahren, bei dem innerhalb eines Halbleiterkörpers des einen Leitungstyps eine Basiszone mit Dotierstoff des entgegengesetzten Leitungstyps und innerhalb der Basiszone eine Emitterzone mit Dotierstoff des einen Leitungstyps erzeugt wird,

dadurch gekennzeichnet,

daß die Basiszone (15) erzeugt wird durch Bildung einer ersten Dotier stoff zone (14) des entgegengesetzten Leitungstyps innerhalb des Halbleiterkörpers und durch Bestrahlen des Halbleiterkörpers mit einer Strahlung aus Dotierstoffionen gleichfalls des entgegengesetzten Leitungstyps, dergestalt, daß in einem Bereich der ersten Zone eine zweite Dotierstoffzone gleichfalls des entgegengesetzten Leitungstyps mit einer Konzentrationsspitze erzeugt wird, die tiefer im Halbleiterkörper gelegen ist als die der ersten Zone, und sich die erste und zweite Zone einander überlappen, um eine zusammengesetzte Zone zu bilden, die ein Dotierstoffkonzentrations-

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minimum zwischen den Dotierstoffkonzentrationsspitzen aufweist, und daß die Emitterzone (17) bis zu einer Tiefe erzeugt wird, die zwischen den beiden Dotier stoffkbnzentrationsspitzen liegt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Zone durch Bestrahlen des Körpers mit Dotierstoffionenstrahlung vom entgegengesetzten Leitungstyp gebildet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,

daß mit einer Borionenstrahlung bei einer Dosierung von

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10 - 5 χ 10 Ionen/cm und einer Energie von 5 - 100 keV gearbeitet wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,

daß die Emitterzone durch Bestrahlen des Halbleiterkörpers mit einer Dotierstoffionenstrahlung des einen Leitfähigkeitstyps und nachfolgendes Erwärmen des Halbleiterkörpers gebildet wird, um den Dotierstoff weiter in den Halbleiterkörper einzudiffundieren.

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5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß Arsen, Phosphor oder Antimon u. dgl. als Dotierstoffe verwendet werden können.
6. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Arsenionenstrahlung bei einer Dosierung von 10 - 5 χ 10 Ionen/cm und Energien von 30 - 450 keV verwendet wird.
7. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper 5 Minuten bis 3 Stunden lang auf 900 - 1300 C erwärmt wird.
8. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Emitterzone mit einer Tiefe erzeugt wird, die zwischen dem Dotierstoffkonzentrationsminimum und dem tiefer liegenden Dotierstoffkonzentrationsmaximum der Basiszone gelegen ist (Fig. 2d).
9. Verfahren nach-Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß mit Borionenstrahlung bei einer Dosierung zwischen

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8 χ 10 - 5 χ 10 Ionen/cm und Energien zwischen 100 - 400 keV gearbeitet wird.
10. Nach dem Verfahren gemäß Anspruch 1 hergestellter Transistor mit einer Basiszone von einem Leitungstyp (11) innerhalb eines Halbleiterkörpers des entgegengesetzten Leitungstyps und mit einer Emitterzone des entgegengesetzten" Leitungstyps innerhalb der Basiszone, dadurch gekennzeichnet, daß das Dotierstoffkonzentrationsprofil in der Basiszone eine dicht bei der Oberfläche liegende Spitze, gefolgt von einem Minimum und einer tiefer liegenden Spitze, aufweist, und daß die Emitterzone bis zu einer Tiefe reicht, die zwischen den beiden Spitzen liegt.
11. Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Emitterzone bis zu einer Tiefe reicht, die zwischen dem Dotierstoffkonzentrationsminimum und dem tiefer liegenden Dotierstoffkonzentrationsmaximum der Basiszone gelegen ist.
12. Transistor nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet,

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daß der Basisdotierstoff Bor und der Emitterdotierstoff Arsen, Antimon oder Phosphor u,- dgl. sind.

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