DE2306059C3 - Verfahren zur Herstellung eines Elektrodensystems - Google Patents
Verfahren zur Herstellung eines ElektrodensystemsInfo
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- 238000000034 method Methods 0.000 title description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 8
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 34
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 32
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 4
- 230000001070 adhesive Effects 0.000 claims description 4
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 3
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims description 2
- 241000689227 Cora <basidiomycete fungus> Species 0.000 claims 1
- 210000003491 Skin Anatomy 0.000 claims 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 claims 1
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 12
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N acetic acid ethyl ester Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 6
- 230000002522 swelling Effects 0.000 description 6
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N Gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000903 blocking Effects 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 3
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 3
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical group [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- LCHYEKKJCUJAKN-UHFFFAOYSA-N 2-propylphenol Chemical compound CCCC1=CC=CC=C1O LCHYEKKJCUJAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N Aluminium arsenide Chemical compound [As]#[Al] MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N Melamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- 210000004940 Nucleus Anatomy 0.000 description 1
- 240000000581 Triticum monococcum Species 0.000 description 1
- 238000005296 abrasive Methods 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001476 alcoholic Effects 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 235000013601 eggs Nutrition 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 gallium phosphide ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000006011 modification reaction Methods 0.000 description 1
- FZTWZIMSKAGPSB-UHFFFAOYSA-N phosphide(3-) Chemical compound [P-3] FZTWZIMSKAGPSB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001376 precipitating Effects 0.000 description 1
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N precursor Substances N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- GTLQJUQHDTWYJC-UHFFFAOYSA-N zinc;selenium(2-) Chemical compound [Zn+2].[Se-2] GTLQJUQHDTWYJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines Elektrodensysteais mit einer zu
kontaktierenden Einkornschicht, bei dem Körner aus Halbleitermaterial mit Schalen und Kernen entgegengesetzter
Leitfähigkeitstypen in einer praktisch ein Korn dicken Schicht über einen Teil der Schichtdicke
in eine Bindemittelschicht eingebettet werden, auf einer Seite der Einkornschicht mit freien Kornobernächen
eine erste Elektrodenschicht zur Kontaktierung der Kornschalen niedergeschlagen wird, eine
Materialentfernungsbehandlung durchgeführt wird, bei der Teile der Korakerne, Teile der Kornschalen
und Übergänge zwischen diesen freigelegt werden,
Anbringen von Isoliermaterial abgedeckt werden. 35 denn auf den freigelegten Teilen der Kerne ein Iso-3.
Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch liermaterial angebracht wird und eine zweite Elektrogekennzeichnet,
daß das Isoliermaterial mittels
Elektrophorese dadurch angebracht wird, daß die
Elektrophorese dadurch angebracht wird, daß die
denschicht zur Kontaktierung der Kornkerne niedergeschlagen wird.
Die genannten Elektrodensysteme können Einkornbracht werden, das ein für elektrophoretisches 40 schichten mit als Dioden wirkenden Körnern enthal-Überziehen
geeignetes Isoliermaterial enthält, und ten, wobei die erste und die zweite Elektrodenschicht
freigelegten Teile mit einem Bad in Kontakt ge-
daß die Elektrophorese erfolgt, indem an die erste Elcktrodenschicht eine Spannung in bezug auf das
Bad angelegt wird, bei der die Übergänge zwischen den Kornkernen und den Kornschalen in
der Sperrichtung vorgespannt sind.
4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Isoliermaterial mittels
elektrochemischer Polymerisation dadurch angebracht wird, daß die freigelegten Teile mit einem 5»
Bad in Kontakt gebracht werden, das einen Stoff enthält, der durch elektrochemische Polymerisation
in das Isoliermaterial umgewandelt wird, und daß die Polymerisation erfolgt, indem an die erste
Elektrodenschicht eine Spannung in bezug auf das Bad angelegt wird, bei der die Übergänge zwischen
den Kornkernen und den Kornschalen in der Sperrichtung vorgespannt sind.
5. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Isoliermaterial vor der
Durchführung der Materialentfernungsbehandlung auf der Einkomschicht angebracht wird und
daß man das Isoliermaterial nach der Behandlung derart quellen läßt, daß die freigelegten Teile
auf einander gegenüber liegenden Seiten der Einkomschicht niedergeschlagen sind.
Von anderen durch das obengenannte Verfahren hergestellten Elektrodensystemen ist oft eine Seite
frei von Elektrodenschichten, um den Ein- und/oder Austritt von Licht zu erleichtern. Diese Elektrodensysteme
werden z. B. in Sonnenbatterien und in Injek-Uonslumineszenzlichtquellen
verwendet.
Bei der Herstellung der genannten Elektrodensysteme müssen die Kornschalen als auch die Komkeme
miteinander über Elektrodenschichten verbunden werden, die nicht miteinander in Kontakt sein
dürfen.
Diese Anforderung läßt sich oft schwer erfüllen, weil bei der Materialentfernungsbehandlung sowohl
die Kornkerne als auch die Kornschalen freigelegt werden; dies trifft insbesondere zu, wenn eine dei
Seiten des Elektrodensystems frei von Kontaktschichten sein muß. So wird bei einem Verfahren der in dei
Einleitung erwähnten Art (siehe USA Patentschrift 30 40 416) auf der ersten Elektrodenschicht eine Isolierschicht
angebracht und auf der Seite diesei Schichten die Materialentferniangsbehandlung durch-
der Kornschalen und die an die Übergänge gren- 65 geführt und das Material der Körner und das Mate·
zendcn Ränder der freigelegten Teile der Korn- rial der ersten Isolierschicht müssen derart aneinan
kerne überzogen werden. der angepaßt und die Materialentfernungsbehandlunj
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, derart sein, daß bei den Körnern ein Teil der erstei
23 060053
Elektrodenschjcht und ein Teil der Kprnschale entfernt
werfen und zwischen deiL;K§rnern über einen
größeren Teil der Schichtdicke dir«rste fcoliersehicht
entfernt wjrd, ohne ,daß jedoch die erste, Elektrodenschicht
völlig yon und zwischenden Körnern entfernt wird.
Nach #m Anbringen von isoliermaterial in Form
einer zwdten Isolierschicht auf den freigelegten Teilen
wird eine zweite Materialentfernungsbehandlung durchgeführt, bei der das Material der Körner und
das Material der zweiten Isolierschicht in gleichem Maße., entfernt werden} müssen, umdiedierKomkerne
kontaktierendfrund von der ersten Elektrodenschicht getrennte zweite Elektrodenschicht niederschlagen, zu
können.
Die Materialien der beiden Isolierschichten und der Körner müssen genau aneinander angepaßt werden;
außerdem werden an die Materialentfernungsbehandlungen sehr hohe Anforderungen gestellt, wodurch
das obenbeschriebene Verfahren schwierig und umständlich ist und oft nicht das gewünschte Resultat
ergibt, sondern z. B. Kurzschluß veranlaßt.
Die Erfindung bezweckt ein neues Verfahren zur isolierten Kontaktierung der Kornkerne und der
Kornschalen und weiter eine Verbesserung des in der genannten USA Patentschrift beschriebenen Verfahrens
zu schaffen, wodurch die Herstellung vereinfacht wird und in einer geringeren Anzahl Schritte durchgeführt
werden kann. Ihr Hegt die Erkenntnis zugrunde, daß die zweite Materialentfernungsbehandlung
fortgelassen werden kann, wenn nicht mehr Isoliermaterial verwendet wird als für die Isolierung
der zweiten Elektrodenschicht gegen die Kornschalen erforderlich ist.
Nach der Erfindung ist dieses Verfahren somit dadurch gekennzeichnet, daß das Isoliermaterial selektiv
auf den freigelegten Teilen der Kornschalen und der Übergänge und auf den an die Übergänge grenzenden
Rändern der freigelegten Teile der Kornkerne angebracht wird und nach dem Anbringen des Isoliermaterial
frei gebliebenen Teile der Kornkerne durch das Niederschlagen der zweiten Elektrodenschicht
konlaktiert werden.
Dabei ergibt sich der Vorteil, daß eine zweite Materialentfernungsbehandlung
fortgelassen werden kann, während erreicht wird, daß die durchzuführende Materialentfernungsbehandlung besonders einfach
sein kann, weil kein Relief in der Einkornschicht angebracht zu werden braucht. Als Materialentfernungsbehandlung
wird vorzugsweise ein Schleif- oder Poliervorgang gewählt.
Mit dem Verfahren nach der Erfindung lassen sich günstige Ergebnisse beim Anbringen gegeneinander
isolierter Elektrodcnschichten auf den Kornkernen und auf den Kornschalen erzielen, z. B. bei der Herstellung
des bereits genannten Elektrodensystems, dessen Elektrodenschichten zu beiden Seiten der Einkornschicht
niedergeschlagen sind.
Vorzugsweise wird auf der ersten Elektrodenschicht eine Isolierschicht angebracht und die beiden
letzteren Schichten werden der Materialentfernungsbehandlung unterworfen, bei der Teile der ersten
Elektrodenschicht freigelegt werden,· welche letzteren Teile beim selektiven Anbringen des Isoliermaterials
abgedeckt werden.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens wird das Isoliermaterial
mittels Elektrophorese dadurch angebracht, daß die freigelegten Teile mit einem Bad in Kontakt gebracht
werden, das ein für elektrophoretisches Überziehen
geeignetes Material enthält, und daß die Elektrophorese stattfindet, indem an die erste Elektroden-S
schicht eine Spannung in bezug auf das Bad angelegt wird, bei der die Übergänge zwischen den Kornkernen
und den Kornschalen in der Sperrichtung vorgespanntsind.
Bei einer weiteren bevorzugten Ausführungsform to des Verfahrens nach der Erfindung wird das Isoliermaterial
mittels elektrochemischer Polymerisation dadurch angebracht, daß die freigelegten Teile mit
einem Bad in Kontakt gebracht werden, das einen Stoff enthält, der durch elektrochemische Polymerisation
in das Isoliermaterial umgewandelt wird, und daß die Polymerisation stattfindet, indem an: die erste
Elektrodenschicht eine Spannung in' bezug auf das Bad angelegt wird, bei der die Übergänge zwischen
den Kornkernen und den Kornschalen in der Sperrao richtung vorgespannt sind.
Bei der genannten bevorzugten Ausführungsform geht die Anbringung des Isoliermaterials um so langsamer
vor sich, je mehr Material angebracht ist, und schließlich endet dieser Vorgang automatisch,
as Vorzugsweise wird das Isoliermaterial vor der Durchführung der Materialentfernungsbehandlung auf der Einkornschicht angebracht und man läßt das Isoliermaterial nach der Behandlung derart quellen, daß die freigelegten Teile der Kornschalen und die an die Übergänge grenzenden Ränder der freigelegten Teile der Kornschalen und die an die Übergänge grenzenden Ränder der freigelegten Teile der Kornkerne überzogen werden.
as Vorzugsweise wird das Isoliermaterial vor der Durchführung der Materialentfernungsbehandlung auf der Einkornschicht angebracht und man läßt das Isoliermaterial nach der Behandlung derart quellen, daß die freigelegten Teile der Kornschalen und die an die Übergänge grenzenden Ränder der freigelegten Teile der Kornschalen und die an die Übergänge grenzenden Ränder der freigelegten Teile der Kornkerne überzogen werden.
Das Quellen kann z. B. durch Behandlung mit Dampf oder Lösung mit einem für das Isoliermaterial
geeigneten Quellmittel stattfinden.
Das Quellmittel kann z. B., durch Verdampfung oder Extraktion entfernt werden, wobei Isoliermaterial
auf den durch das Quellen überzogenen Stellen zurückbleibt.
Bei Anwendung eines Schleifvorgangs als Materialentfernungsbehandlung
ist es vorteilhaft, wenn die Körner mit ihren freien Oberflächen über etwa den gleichen Abstand aus der Bindemittelschicht
hervorragen. Daher wird vor dem Niederschlagen der ersten Elektrodenschicht die Einkornschicht vorzugsweise
dadurch erhalten, daß die Körner als eine praktisch ein Korn dicke Schicht in 3iner Haftschicht auf
einem praktisch flachen Substrat angebracht und in eine Bindemittelschicht eingebettet werden, wonach
die Einkornschicht von dem Substrat getrennt wird, um die Seite mit den freien Kornoberflächen zu erhalten.
Dann wird vorzugsveise die Seite mit den freien Kornoberflächen mit einem besonderen Lösungsmittel
für das Bindemittel behandelt, um die freie Kornoberfläche zu vergrößern.
Dabei wird erreicht, daß die Körner auch dann über einen etwa gleichen Abstand aus der Bindemittelschicht
hervorragen, wenn alle Körner nicht genau gleich groß sind.
Einige Ausführungsformen der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und werden im folgenden
näher beschrieben. Es zeigt:
F i g. 1 bis 5 schematisch Schnitte durch Teile eines Elektrodensystems in aufeinanderfolgenden
Stufen der Herstellung, und
F i g. 6 einen schematischen Schnitt durch einen
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Teil eines Elektrodensystems in einer Stufe der Her- Anschließend wird die Einkornschicht (11, 21) von
stellung mit Hilfe einer Abwandlung des Verfah- dem Substrat 16 getrennt und so die Seite 31 mit den
rens. ; ■ freien Kornoberflächen erhalten (siehe;Fig. 3).
Nachstehend wird die Herstellung eines Elektro- Die freie Kornoberfläche kann noch durch Behanddensystems
mit den beiden Elektrodenschichten a^uf >.5 lung mit einem besonderen Lösungsmittel für das
einer Seite der Einkornschicht beschrieben, wie es in Bindemittel vergrößert werden. Dies kann bei PolySonnenbatterien
und Injektionslumineszenzlichtquel- urethan auf übliche Weise durch Behandlung mit
len verwendet wird. Dabei wird ein Elektrodensy- einer alkoholischen Kaliumhydroxydlösung stattfinstemSl
(siehe Fig. 5) mit einer Einkornschicht (11, den.
21) hergestellt, wobei Körner 11 mit einer Größe von io B e i s d i e 1 1
etwa 50 μπι aus Halbleitermaterial, z. B. Gallium- "
phosphid, mit etwa 5 μΐη dicken Schalen 12 und Ker- Im ersten Beispiel wird das Isoliermaterial 52 mitnen
13 vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp in tels Elektrophorese dadurch angebracht, daß die freieiner
praktisch ein Korn dicken Schicht über einen gelegten Teile 43, 44 und 45 mit einem Bad in Kon-Teil
der Schichtdicke in eine Bindemittelschicht 21 15 takt gebracht werden, das ein für elektrophoretisches
eingebettet werden (siehe F i g. 3). Überziehen geeignetes Isoliermaterial enthält.
Auf einer Seite 31 der Einkornschicht (11, 21) mit Die Elektrophorese erfolgt dadurch, daß an die
freien Kornoberflächen wird, nachdem auf übliche erste Elektrodenschicht 41 eine Spannung in bezug
Weise in die Galliumphosphidkörner Ionen eines EIe- auf das Bad angelegt wird, bei der die Übergänge 14
mems implantiert worden sind, das den gleichen Leit- ao zwischen den Kornkernen 13 und den Kornschalen
fähigkeitstyp in dem Galliumphosphid herbeiführen 12 in der Sperrichtung vorgespannt sind,
kann wie die Koinschalen aufweisen, eine erste Elek- , Die Körner 11 bestehen z. B. aus dem Halbleiter-
trodenschicht 41 (siehe F i g. 4) zur Kontaktierung material Galliumphosphid. Die Kerne 13 sind durch
der Kornschalen, z. B. durch Aufdampfen von Gold, Dotierung mit Zink p-leitend und die Schalen 12
niedergeschlagen. Auf der ersten Elektrodenschicht 41 35 durch Dotierung mit Schwefel η-leitend gemacht,
wird eine Isolierschicht 42, z. B. aus Polyurethan, an- Auf beim elektrophoretischen Überziehen übliche
gebracht. Durch Anwendung einer Materialentfer- Weise wird ein Bad mit einer Lösung eines karboxyl-
nungsbehandlung, für die vorzugsweise ein Schleif- und/oder Hydroxylgruppen enthaltenden Kunstharzes
Vorgang gewählt wird, werden Teile 43 der Korn- und eines organischen Amins oder Ammoniaks in
kerne 13, Teile 44 der Kornschalen 12 und Teile 45 30 Wasser verwendet. Die Gewichtskonzentration an
der ersten Elektrodenschicht 41 freigelegt. Feststoff dieser Lösung beträgt 10 bis 15 Vo. Als
Isoliermaterial 52 wird aus noch näher zu beschrei- Kunstharz können übliche Stoffe, wie Epoxyd-, Acry-
benden Materialien selektiv in Form eines Musters lat- oder Alkylharze Anwendung finden. An die erste
von Ringen auf den freigelegten Teilen 44 der Korn- Elektrodenschicht 41 wird eine positive Spannung
schalen 12, auf den freigelegten Teilen 45 der ersten 3.5 von z. B. etwa + 100 V in bezug auf das Bad ange-
Elektrodenschicht 41 und auf an die Übergänge 14 legt. Während des Stromdurchgangs durch das Bad
grenzenden Rändern 54 der freigelegten Teile 43 der sinkt der Strom schnell auf einen Bruchteil, z. B.
Kornkerne 13 angebracht. 5 bis 1O0Z0 des ursprünglichen Wertes herab, und die
Dann werden beim Anbringen des Isoliermaterials freigelegten Teile 44, 45 und höchstens Ränder 54
52 frei gebliebene Teile der Komkerne 13 durch das 4" der freigelegten Teile 43 der Kornkerne 13 werden
Niederschlagen der zweiten Elektrodenschicht 53 überzogen. Das Isoliermaterial erreicht dabei z.B.
kontaktiert. eine Schichtdicke von 5 μπι. Schließlich wird das Iso-
Zu diesem Zweck werden auf übliche Weise in die liermaterial einer Muffenbehandlung während 5 bis
Galliumphosphidkörner Ionen eines Elements im- 20 Minuten bei 120 bis 1800C unterworfen. Auch
plantiert, das den gleichen Leitfähigkeitstyp in dem 45 kann beim Anbringen des Isoliermaterials derart ver-
Galliumphosphid herbeiführen kann wie die Korn- fahren werden daß eine bestimmte Stromdichte (in
kerne aufweisen, und eine zweite Elektrodenschicht der Größenordnung von 0,1 mA/cm2) eingestellt und
53, z. B. durch Aufdampfen von Gold, niederge- gestoppt wird, wenn die Spannung einen bestimmten
schlagen. hohen Wert erreicht hat
Die erste Elektrodenschicht 41 und die zweite 5"
Elektrodenschicht53 können auf übliche Weise mit Beispiel 2
Stromleitern versehen werden. Das zweite Beispiel weicht insofern von dem ersten
Bei Anwendung eines Schleifvorgangs als Material- Beispiel ab, daß nun das Isoliermaterial 52 mittels
entferaungsbehandlung ist es vorteilhaft, wenn die elektromechanischer Polymerisation dadurch ange-
Körner mit ihren freien Kornoberflächen über einen Si bracht wird, daß die freigelegten Teile 43, 44, 45 mit
etwa gleichen Abstand ans der Bindemittelscbicht einem Bad in Kontakt gebracht werden, das einen
hervorragen. Stoff enthält, der durch elektrochemische Polymerisa-
Daher wird vor dem Niederschlagen der ersten tion in das Isoliermaterial umgewandelt wird. Die
Elektrodenschicht 41 die Einkornschicht (11, 21) Polymerisation erfolgt dadurch, daß an die erste Elekdadurch
erhalten, daß die Körner 11 als eine prak- 60 trodenschicht 41 eine Spannung in bezog auf das Bad
tisch ein Korn dicke Schicht in einer Haftschicht 15 angelegt wird, bei der die Übergänge 14 zwischen den
auf einem praktisch Sachen Substrat 16 angebracht Kornkernen 13 und den Kornschalen 12 in der
werden (siehe F i g. 1). Sperrichtung vorgespannt sind.
Die Haftschicht 15 besteht z. B. aus einem übli- Auf bei elektrochemischer Polymerisation übliche
chen Gurnmüeim und das Substrat 16 aus Glas. Die &3 Weise wird ein Bad mit einem Gemisch von Orthoiso-Körner
11 werden in die Bindemittelschicht 21 einge- propylphenol und Triethylamin in einem Molekularbettet
(siehe Fig. 2), die aas «imera elektrisch isotie- verhältnis von 10:1 verwendet Bei einer positiven
renden Material, z. B. Polyurethan, besteht. Spannung von 4- 200 V an der ersten Elektroden-
schicht 41 in bcsnig auf das Bad wird Isoliermaterial das Quellen überzogenen Stellen zurück.
52 mit einer Dicke von 0,6 μΐη angebracht Dabei Es kann statt des Galliumphosphids ein andere:
sinkt die Stromdichte während des Vorgangs von et- geeignetes Halbleitermaterial, z. B. Zinkselenid
wa 10-· A/cm* auf etwa 10~* A/cm2 herab. Mischkristalle von Galliumarsenid und Galliumphos
„ . S phid oder Mischkristalle von Galliumarsenid unc
gehenden Beispielen alt, daß das Isoliermaterial vor tend sein. Im letzteren Falle müssen naturgemäß da;
der Durchführung der Materialentfernungsbehand- beim elektrophoretischen Überziehen verwendete Is»
lung auf der Einkornschicht (11, 21) angebracht wird io liermaterial und der bei der elektrochemischen Poly
und man das Isoliermaterial nach der Behandlung merisation verwendete Stoff an die sich in bezug aui
derart quellen läßt, daß die freigelegten Teile 45 der das Bad ändernde Polarität der ersten Elektroden
ersten Elektnxknschicht 41, die freigelegten Teile 44 schicht angepaßt werden. Beim elektrophoretischei
der Kornschaleii 12 und die an die Übergänge 14 Überziehen kommen dann z. B. Kunstharze auf Basis
grenzenden Ränder 54 der freigelegten Teile 43 der 15 von Melamin in Betracht Beim Anbringen von Iso
angebracht. Als Material für die Isolierschicht 42 Auch kann das Verfahren nach der Erfindung be
wird vorzugsweise Polyurethan verwendet, das durch der Herstellung von Elektrodensystemen verwende;
fung bei 80° C bleibt Isoliermaterial 52 auf den durch schicht befinden.
Claims (1)
- PatentansgarOehe;Verfahren zur Herstellung eines Eiektrodsuans mit einer zu kontaktierenden Einkornbicht, bei dem Körner aus Halbleftennatenai it Schalen und Kernen entgegengesetzter Leit-Mgkeitstypen in einer praktisch ein Korn dicken ^Schicht über einen Teil der Schichtdicke in eine I Bindemittelschicht eingebettet werden, auf einer s * Seite der Einkornschicht mit freien Kornoberflächen eine erste Elektrodenschicht zur Kontaktie- io. rung der Kornschalen niedergeschlagen wird, eine Materialentfernungsbehandlung durchgeführt, wird, bei der Teife der · Kornkerne, Teile der Kornschalen und Übergänge zwischen diesen freigelegt werden, denn auf den freigelegten Teilen der Kerne ein Isoliermaterial angebracht wird und eine zweite Elektrodenschicht zur Kontaktierung der Korakerne niedergeschlagen wird, dadurch gekennzeichnet, daß das Isoliermaterial selektiv auf den freigelegten Teilen der Kornscha- ao len und der Übergänge und auf den an die Übergänge grenzenden Rändern der freigelegten Teile der Komkeme angebracht wird und nach dem Anbringen des Isoliermaterials die freigebliebenen Teile der Kornkerne durch das Niederschlagen der zweiten Elektrodenschicht kontaktiert werden.2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß auf der ersten Elektrodenschicht eine Isolierschicht angebracht wird und daß die beiden letzteren Schichten der Materialentfernungsbehandlung unterworfen werden, bei der Teile der ersten Elektrodenschicht freigelegt werden, welche letzteren Teile beim selektiven dadurch gekennzeichnet, daß als Materialentfernungsbehandlung ein Schleif- oder Poliervorgang gewählt wird,7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis6, dadurch gekennzeichnet, daß vor dem !Niederschlagen der ersten Elektrodenschicht die Einkornschicht dadurch erhalten wird, daß die Körner als eine praktisch ein Korn dicke Schicht in einer Haftschicht auf einem praktisch flachen Substrat angebracht und in die Bindemittelschicht eingebettet werden, wonach die Einkornschicht Vjpn dem Substrat getrennt wird, um die Seite mit Sen freien Kornoberflächen zu erhalten.8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß danach die Seite mit den freien KomöberBächen mit einem besonderen Lösungsmittel für das Bindemittel behandelt wird, um die freie Kornoberfläche zu vergrößern.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL7202215 | 1972-02-19 | ||
NL7202215A NL7202215A (de) | 1972-02-19 | 1972-02-19 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2306059A1 DE2306059A1 (de) | 1973-08-23 |
DE2306059B2 DE2306059B2 (de) | 1976-05-20 |
DE2306059C3 true DE2306059C3 (de) | 1977-01-13 |
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