DE2306059A1 - Verfahren zur herstellung eines elektrodensystems und durch dieses verfahren hergestelltes elektrodensystem - Google Patents

Verfahren zur herstellung eines elektrodensystems und durch dieses verfahren hergestelltes elektrodensystem

Info

Publication number
DE2306059A1
DE2306059A1 DE2306059A DE2306059A DE2306059A1 DE 2306059 A1 DE2306059 A1 DE 2306059A1 DE 2306059 A DE2306059 A DE 2306059A DE 2306059 A DE2306059 A DE 2306059A DE 2306059 A1 DE2306059 A1 DE 2306059A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
grain
layer
insulating material
electrode layer
parts
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE2306059A
Other languages
English (en)
Other versions
DE2306059B2 (de
DE2306059C3 (de
Inventor
Ties Siebolt Te Velde
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication of DE2306059A1 publication Critical patent/DE2306059A1/de
Publication of DE2306059B2 publication Critical patent/DE2306059B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2306059C3 publication Critical patent/DE2306059C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0384—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including other non-monocrystalline materials, e.g. semiconductor particles embedded in an insulating material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/12—Photocathodes-Cs coated and solar cell

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)
  • Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)

Description

Verfahren zur Herstellung eines Elektrodensystems und durch dieses Verfahren hergestelltes Elektrodensystem.
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines Elektrodensystem mit einer Einkornschicht, bei dem Körner aus Halblei ternaterial mit Schalen und Kernen entgegengesetzter Leitfähigkeitstypen in einer praktisch ein Korn dicken Schicht über einen Teil der Schichtdicke in eine Bindemittelschicht eingebettet werden» auf einer Seite der Einkornschicht mit freien Kornoberflachen eine erste Elektrodensehicht zur Kontaktierung der Kornschalen niedergeschlagen wird* eine Materialentfernungsbehandlung durchgeführt wird, bei der Teile der,Kornkerne und Teile der Kornschalen frei gelegt werden» wonach in einer folgenden Verfahrensstufe auf den frei gelegten Teilen ein Isoliermaterial angebracht wird und eine zweite Elektrodennchicht zur Kontaktierung der Kornkerne niedergeschlagen wird.
309834/0881
2306019
PHE* 6154» -
Weiterhin bezieht sich die Erfindung auf ein durch dieses Verfahren hergestelltes Elektrodensystem-. '
Die genannten Elektrodensystelne können Einkörnsehichten mit als Dioden wirkenden Kornern enthalten» wobei die erste und die zweite Elektrodensohicht, auf einander gegenüber liegenden Seiten der Einkornschicht niedergeschlagen sind. ■
Von anderen durch das obengenannte Verfahren hergestellten Elektrodensystemen ist oft eine Seite frei von Elektrodenschichten■, um d.en Ein- und/oder Austritt von Licht zu erleichtern. Diese Elektrödeiisysteme.. werden z»B» in Sonnenbatterien und in Injektionsrumineszenzlichtciueilen verwendet, ■ .
Bei der Herstellung der genannten Elektfödensysteme müssen
die KoMschälen als auch die Kornkerne miteinander über Elektrödenschichten verbunden werden, die nicht miteinander in Kontakt sein dürfen»
Diese Anforderung lasst sich oft schwer erfüllen» weil bei der Mäterialentfernungsbehandlung sowohl die Kornkerne als' auch die Kornschalen frei gelegt werden; dies trifft insbesondere zu» wenn eine der Seiten des Elektrodensystems frei von Kontaktsöhichten sein muss. So wird bei einem Verfahren der in der Einleitung erwähnten Art ( siehe USA Patentschrift 3»O4Oi4i6) auf der §rsten Elektrödensehiöht eine Isolierschicht angebracht und auf der Seite diese» Schichten die Mat©riäient£ernungs-> behandlung duröhgeführt und das Material de* Körner und das Material der ersten Isolierschicht müssen derart aneinander angepasst und die\ Materialentfernungsbehandlung deaiärt sein* dass bei den Körnern ein Teil der ersten llektrödenschicht und ein ieil der Körnsöhale entfernt werden und zwischen den Körnern über einen ga?b*sseren tfeil d§r Schichtdicke die erste Isolierschicht entfernt wird» ahne dass jedoch die erste ELektrodenSühieht· völlig
9834/OÖSi
PHN. 6154.
von und zwischen den Körnern entfernt wird.
Nach dem Anbringen von Isoliermaterial in Form einer zweiten Isolierschicht auf den frei gelegten Teilen wird eine zweite Materialentfernungsbehandlung durchgeführt, bei der das Material der Körner und das Material der zweiten Isolierschicht in gleichem Masse entfernt werden müssen, um die die Kornkerne kontaktierende und von der ersten Elektrodenschicht getrennte zweite Elektrodenschicht niederschlagen zu können.
Die Materialien der beiden Isolierschichten und der Körner
müssen genau aneinander angepasst werden; ausserdem werden an die Materialentfernungsbehandlungen sehr hohe Anforderungen gestellt, wodurch das obenbeschriebene Verfahren schwierig und umständlich ist und oft nicht das gewünschte Resultat ergibt, sondern z.B. Kurzschluss veranlasst.
Die Erfindung bezweckt u.a., ein neues Verfahren zur isolierten Kontaktierung der Kornkerne und der Kornschalen und weiter eine Verbesserung des in der genannten USA Patentschrift beschriebenen Verfahrens zu schaffen, wodurch die Herstellung vereinfacht wird und in einer geringeren Anzahl Schritte durchgeführt werden kann. Ihr liegt u.a. die Erkenntnis zugrunde, dass die zweite Materialentfernungsbehandlung fortgelassen werden kann, wenn nicht mehr Isoliermaterial verwendet wird als für die Isolierung der zweiten Elektrodenschicht gegen die Kornschalen erforderlich ist.
Nach der Erfindung ist dieses Verfahren somit dadurch gekennzeichnet, dass in der genannten Verfahrensstufe das Isoliermaterial selektiv auf den freigelegten Teilen der Kornschalen und auf an die Uebergänge grenzenden Rändern der freigelegten Teile der Kornkerne angebracht wird, wonach beim Anbringen des Isoliermaterials frei gebliebene Teile der Korn-
309834/0851
-4- PHN. 6154·
kerne durch das Niederschlagen der zweiten Elektrodenschicht kontaktiert werden.
Dabei ergibt sich u.a. der Vorteil, dass eine zweite Materialentfernungsbehandlung fortgelassen werden kann, während erreicht wird, dass die durchzuführende Materialentfernungsbehandlung besonders einfach sein kann, weil kein Relief in der Einkornschicht angebracht zu werden braucht. Als Materialentfernungsbehandlung wird vorzugsweise ein Schleif- oder Poliervorgang gewählt. ' - ■
Mit.dem Verfahren nach der Erfindung lassen sich gunstige Ergebnisse beim Anbringen gegeneinander isolierter Elektrodenschichten auf den Kornkernen und auf den Kornschalen erzielen, z.B. bei der Herstellung des bereits genannten Elektrodensystems, dessen Elektrodenschichten zu beiden Seiten der Einkornschicht niedergeschlagen sind.
Vorzugsweise wird auf der ersten Elektrodenschich.t eine Isolierschicht angebracht und die beiden letzteren Schichten werden der Materialentfernungsbehandlung unterworfen, bei der Teile der ersten Elektrodenschicht freigelegt werden, welche letzteren Teile beim selektiven . Anbringen des Isoliermaterials abgedeckt .werden.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemässen Verfahrens wird das Isoliermaterial mittels Elektrophorese dadurch angebracht, dass die freigelegten Teile mit einem Bad in Kontakt gebracht werden, das ein für elektrophoretisches ITeberziehen geeignetes Material enthält, und-dass die Elektrophorese stattfindet, indem.an die erste Elektrodenschicht eine Spannung in bezug auf das Bad angelegt wird, bei der die Uebergänge zwischen den Kornkernen und den Kornschalen in der Sperrichtung vorgespannt sind. -
Bei einer weiteren bevorzugten Ausführungsform des Ver-
30983A/085 1
-5- PHN. 6154.
fahrens nach der Erfindung wird das Isoliermaterial mittels elektrochemischer Polymerisation dadurch angebracht, dass die freigelegten Teile mit einem Bad in Kontakt gebracht werden, das einen Stoff enthält, der durch elektrochemische Polymerisation in das Isoliermaterial umgewandelt wird, und dass die Polymerisation stattfindet, indem an die erste Elektro»- denschicht eine Spannung in bezug auf das Bad angelegt wird, bei der die Uebergänge zwischen den Kornkernen und den Kornschalen in der Sperrichtung vorgespannt sind.
Bei den genannten bevorzugten Ausführungsformen geht die
Anbringung des Isoliermaterials umso langsamer vor sich, je mehr Material angebracht ist, und schliesslich endet dieser Vorgang automatisch.
Vorzugsweise wird das Isoliermaterial vor der Durchführung
der Materialentfernungsbehandlung auf der Einkornschicht angebracht und man lässt das Isoliermaterial nach der Behandlung derart quellen, dass die freigelegten Teile der Kornschalen und die an die Uebergänge grenzenden Ränder der freigelegten Teile der Kornkerne überzogen werden.
Das Quellen kann z.B. durch Behandlung mit Dampf oder
Lösung mit einem für das Isoliermaterial geeigneten Quellmittel stattfinden.
Das Quellmittel kann z.B. durch Verdampfung oder Extraktion entfernt werden, wobei Isoliermaterial auf den durch das Quellen überzogenen Stellen zurückbleibt.
Bei Anwendung eines SchleifVorgangs als Materialentfernungsbehandlung ist es vorteilhaft, wenn die Körner mit ihren freien Oberflächen über etwa den gleichen Abstand aus der Bxndemxttelschxcht hervorragen. Daher wird vor dem Niederschlagen der ersten Elektrodenschicht die Einkornschicht vorzugsweise dadurch erhalten, dass die Körner als eine praktisch ein Korn dicke Schicht in einer Haftschicht auf einem praktisch
3 0 9 8 3 4/0851
- 2308061
«6- . ■ . ' par. 6154« .
flachen Substrat angebracht und in eine Bindemittelschieht eingebettet werden* wonach die Einkornsöhicht von dem Substrat getrennt wii*d, um die Seite mit den freien Körnoberflächen zu erhalten. " :
Dann wird vorzugsweise die Seite mit den fielen Körnoberflachen mit einem besonderen Lösungsmittel für' das Bindemitter behandelt, um die freie Kornoberfläehe zu vergrÖssein.
Dabei wird erreicht, dass die Körner auch dann über einen etwa gleichen Abstand aus der Bindemittelschicht hervorragen, wenn alle Körner nicht genau gleieh gröss sind* ' ' " ,
Die Erfindung bezieht sich weiterhin auf ein düJicn das erfindungsgemässe Verfahren hergestelltes Elektrodensystem*
Einige Aüsführungsformeri der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und werden im folgenden naher beschrieben* Es Zeigen*
Figuren 1 bis 5 schematisch Schnitte durch Teile eines
Elektrodensystems in aufeinanderfolgenden Stufen der Herstellung mit Hilfe bevorzugter Ausführungsformen des erfindungsgemässen Verfahrens, und Fig, 6 einen schematischen Schnitt durch einen Teil eines
Elektrodensystems in einer Stufe der Herstellung mit Hilfe einer Abwandlung des Verfahrens nach der Erfindung.
Nachstehend wird die Herstellung eines Elektroaertsygtemä
mit den beiden.Elekt^ödensöhichten auf einer Seite der EinkornscMcht beschrieben^ wie es in Sonnenbatterien und Injektionslumineszenzlichtctuellen verwendet wird» Dabei wird ein Elektrodensystem 51 (siehe Fig* 5) röit einer Einkornschicht (11*21) hergestellt, wobei Korner 11 mit einer· G-rÖsöe von ca 50/um aus Halbleitermaterial, z.B., Galliumphosphid, mit ea 5/um dicken Schalen 12 und Kernen: IJ vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp in einer praktisch ein Korn dicken Schicht über einen Teil der Schichtdicke in eine
309034/0851
-7- PHN. 6154.
Bindemittelschicht 21 eingebettet werden (siehe Fig. 3)·
Auf einer Seite 3I der Einkornschicht (11,21) mit freien Kornoberflächen wird, nachdem auf übliche Weise in die Galliumphosphidkörner Ionen eines Elements implantiert worden sind, das den gleichen Leitfähigkeitstyp in dem Galliumphosphid herbeiführen kann wie die Kornschalen aufweisen, eine erste Elektrodenschicht 4I (siehe Fig. 4) zur Kontaktierung der Kornschalen, z.B. durch Aufdampfen von Gold, niedergeschlagen. Auf der ersten Elektrodenschicht 4I wird eine Isolierschicht 42, z.B. aus Polyurethan, angebracht. Durch Anwendung einer Materialentfernungsbehandlung, für die vorzugsweise ein SchleifVorgang gewählt wird, werden Teile 43 der Kornkerne 13» Teile 44 der Kornschalen 12 und Teile 45 der ersten Elektrodenschicht 41 freigelegt.
Isoliermaterial 52 wird aus noch näher zu beschreibenden
Materialien selektiv in Form eines Musters von Ringen auf den freigelegten Teilen 44 der Kornschalen 12, auf den freigelegten Teilen 45 der ersten Elektrodenschicht 4I und auf an die Uebergänge I4 grenzenden Rändern 54 der freigelegten Teile 43 der Kornkerne 13 angebracht.
Dann werden beim Anbringen des Isoliermaterials 52 frei gebliebene Teile der Kornkerne 13 durch das Niederschlagen der zweiten Elektrodenschicht 53 kontaktiert.
Zu diesem Zweck werden auf übliche Veise in die Galliumphosphidkörner Ionen eines Elements implantiert, das den gleichen Leitfähigkeitstyp in dem Galliumphosphid herbeiführen kann wie die Kornkerne aufweisen, und eine zweite Elektrodenschicht 53» z.B. durch Aufdampfen von Gold, niedergeschlagen.
Die erste Elektrodenschicht 4I und die zweite Elektrodenschicht 53 können auf übliche V/eise mit Stromleitern versehen werden.
309834/0851
Bei Anwendung elftes SehleIfVor^angs als Mäterlälentfernüngsbehändlüng Ist es vorteilhaft* wenn-die Körner mit ihren -freien -ICo¥-riO%e-rfiäehen über el-neii etwa gleiche*! Abstand, aus der BiödeBiItteisehieht hervorragen»
•Daher wird vor dem Niederschlagen der ersten Elektrodtm-
sckiclit 4i <3-ie Elnkorh-SGlaiciit r(i ί-,21 ) dadiiircli erliälten", dass die Körner ί "1 als eine prakti-seii ein Kor-n dickfe Schiöiit in einer Haftsehl'cht 15 auf eineffl präktaso'h. flachen SuTjstrat i'ö ancebräölit werden (sieke Pig* ί)ϊ
Die Haft se hi ent 15 besteht z.B. aus einem üblichen Gummi--
leim und das Substrat .16 aus Glas* Die Korner 11 werden in die Bindemittelschieht 21 eingebettet (siehe Figs 2-)j die aus einem elektrisch isolierenden Material, z»B·» Polyurethan* besteht·. ■
Änschliessend wird die Sinkorhschicht (IVj 2"L) von dem Substrat 16 getreniat und so die- Seite 51 mit oLen freien KornOberflächen er-· halten (siehe Pig» 3)·
Die freie Kornoberfläche kann hoch durch Behandlung mit einem besonderen Lösungsmittel für das Bindemittel vergrössert werden* Dies kann bei Polyurethan auf übliche Veise durch Behandlung mit einer alkoholischen Kaliumhydröxydlösung stattfinden* Beispiel 1 . .
,Im ersten Beispiel wird das Isoliermaterial 52 mittels
Elektrophorese dadurch angebracht, dass die frei gelegten Teile 43» 44 und 45'mit einem Bad in Kontakt gebracht werden, das ein für elektrophorietisches Ueberziehen geeignetes Isoliermaterial enthält* ·
Die Elektrophorese erfolgt dadurch, dass an die erste Elektrodenschicht 41 eine Spannung in bezug auf das Bad angelegt wird* bei der die Debergänge 14 zwischen den Kornkernen 1J und den Kornschalen 12 in der
309834/08S1
-9- PHN. 6154.
Sperrichtung vorgespannt sind.
Die Körner 11 bestehen z.B. aus dem Halbleitermaterial
Galliumphosphid. Die Kerne 13 sind durch Dotierung mit Zink p-leitend und die Schalen.12 durch Dotierung mit Schwefel η-leitend gemacht.
Auf beim elektrophoretischen Heberziehen übliche Weise wird
ein Bad mit einei* Lösung eines Karboxyl- und/oder Hydroxylgruppen enthaltenden Kunstharzes und eines organischen Amins oder Ammoniaks in Wasser verwendet. Die Gewichtskonzentration an Feststoff dieser Lösung beträgt 10 bis 15 ia· Als Kunstharz können übliche Stoffe, wie Epoxyd-, Acrylat- oder Alkylharze Anwendung finden. An die erste Elektrodenschicht 41 wird eine positive Spannung von z.B. ca +100 V in bezug auf das Bad angelegt. Während des Stromdurchgangs durch das Bad sinkt der Strom schnell auf einen Bruchteil, z.B. 5 his 10 °/o, des ursprünglichen Wertes herab und die freigelegten Teile 44r 45 und höchstens Ränder 54 der frei gelegten Teile 43 der Kornkerne 13 werden überzogen. Das Isoliermaterial erreicht dabei z.B. eine Schicht* dicke von 5/um. Schliesslich wird das Isoliermaterial einer Muffelbehandlung während 5 bis 20 Minuten bei 1200C bis 1800C unterworfen. Auch kann beim
Anbringen des Isoliermaterials derart verfahren werden, dass eine bestimmte Stromdichte (in der Grössenordnung von 0,1 mA/cm ) eingestellt und gerstoppt wird, wenn die Spannung einen bestimmten hohen Wert erreicht hat. Beispiel 2
Das zweite Beispiel weicht insofern von dem ersten Beispiel ab, dass nun das Isoliermaterial 52 mittels elektrochemischer Polymerisation dadurch angebracht wird, dass die freigelegten Teile 43» 44» 45 nit einem Bad in Kontakt gebracht werden, das einen Stoff enthält, der durch elektrochemische Polymerisation in das Isoliermaterial umgewandelt wird. Die Polymerisation erfolgt dadurch, dass an die erste Elektroden-
309834/0851
-10- PHF. 6154. -
schicht 41 eine Spannung in bezug auf das Bad angelegt wird, bei der die: " ; Uebergänge 14 zwischen den Kornkernen 13 und den Kornschalen 12 in der Sperrichtung vorgespannt sind.
Auf bei elektrochemischer Polymerisation übliche Weise wir'd ein Bad mit einem Gemisch von Orthoisopropylphenol und Triethylamin in einem Molekularverhältnis von 10 : 1 verwendet. Bei einer positiven Spanrnung von +200 V an der ersten Elektrodenschicht 41 in bezug auf das Bad wird Isoliermaterial 52 mit einer .Dicke von 0,6/um angebracht. Dabei sinkt
H τ /P ■ ^ O /P
die Stromdichte während des Vorgangs von ca 10 A/cm auf ca 10 A/cm herab.
Beispiel 5 ·
Das dritte Beispiel weicht insofern von den' vorangehenden
Beispielen ab, dass das Isoliermaterial vor der Durchführung der Materialentfernungsbehandlung auf der Einkornschicht (11,21) angebracht wird und man das Isoliermaterial nach der Behandlung derart quellen lässt, dass die freigelegten Teile 45 der ersten Elektrodenschicht 41» die freigelegten Teile 44 der Kornschalen 12 und die an die Uebergänge 14 grenzenden Ränder 54 der freigelegten Teile 43 der Kornkerne 13 überzogen werden (siehe Pig. 6). Das Isoliermaterial wird .z.B. als eine Isolierschicht \2. angebracht. Als Material für die Isolierschicht 42 wird vorzugsweise Polyurethan verwendet, das durch Behandlung mit Aethylacetat-Dampf quellt.
Nach Entfernung des Aethylacetats durch Verdampfung bei 800C bleibt Isoliermaterial 52 auf den durch das Quellen überzogenen Stellen zurück. ■
Die Erfindung beschränkt sich nicht auf die beschriebenen Beispiele. - .
So kann statt des Galliumphosphids ein anderes geeignetes
309834/0851 '
2306053
-11- PHN. 6154.
Halbleitermaterial, z.B. Zinkselenid, Mischkristalle von Galliumarsenid und Galliumphosphid oder Mischkristalle von Galliumarsenid und Aluminiumarsenid, verwendet werden. Auch können die Kornkerne η-leitend und die Kornschalen p-leitend sein. Im letzteren Falle müssen naturgemäss das beim elektrophoretischen Ueberziehen verwendete Isoliermaterial und der bei der elektrochemischen Polymerisation verwendete Stoff an die sich in bezug auf das Bad ändernde Polarität der ersten Elektrodenschicht angepasst werden. Beim slektrophoretischen Ueberziehen kommen dann z.B. Kunstharze auf Basis von Melamin in Betracht. Beim Anbringen von Isoliermaterial durch Quellen ist es egal, ob die Kornschalen p- oder η-leitend sein.
Auch kann das Verfahren nach der Erfindung bei der Herstellung von Elektrodensystemen verwendet werden, bei denen sich die Elektrodenschichten auf einander gegenüberliegenden Seiten der Einkornschicht befinden.
309834/0851

Claims (1)

  1. 2306069
    — 12- PHN. 6154»
    P A Τ E N T A N SP R ϋ G H E : · - -
    C 1 'J Verfahren zur Herstellung eines Elektrodensystems mit einer
    Einkornschiaht"» bei dem Körner aus Halbleitermaterial mit Schalen und Kernen entgegengesetzter Lextfahigkeitstypen in einer praktisch ein Kprn dicken Schicht über einen Teil der Schichtdiolee in eine Bindern!ttelsehioht eingebettet werden, auf einer Seite der Einkornschicht mit freien Kornoberflächen eine erste Elektrodenschicht zur Kontaktierung der Kornschalen niedergeschlagen wird, eine Materialentfernungsbehandlung durchgeführt wird, bei der Teile der Kornkerne und Teile der Kornschalen wonach in einer folgenden Verfahrensstufe freigelegt werden, auf den freigelegten Teilen ein Isoliermaterial angebracht wird und eine zweite Elektrodenschicht zur Kontaktierung der Kornkerne niedergeschlagen wird, dadurch gekennzeichnet, dass in der genannten Verfahrensstufe das Isoliermaterial selektiv auf den freigelegten Teilen der Kornschalen und auf an die Uebergänge grenzenden Rändern der freigelegten Teile der Kornkerne angebracht wird, wonach beim Anbringen des Isoliermaterials die freigebliebenen Teile der Kornkerne durch das Niederschlagen der zweiten Elektrodenschicht kontaktiert werden, 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass auf
    der ersten Elektrodenschicht eine Isolierschicht angebracht wird, und dass die beiden letzteren Schichten der Materialentfernungsbehandlung unterworfen werden, bei der Teile der ersten Elektrodenschicht freigelegt werden, welche letzteren Teile beim selektiven Anbringen von Isoliermaterial abgedeckt werden.
    5'. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
    dass das Isoliermaterial mittels Elektrophorese dadurch angebracht wird, ■ dass die freigelegten Teile-mit einem Bad in Kontakt gebracht werden, das ein für elektrophoretisches Ueberziehen geeignetes Isoliermaterial ent-
    3 09834/0851
    -13- PHN. 6154.
    hält, und dass die Elektrophorese erfolgt, indem an die erste Elektrodenschicht eine Spannung in bezug auf das Bad angelegt, wird, bei der die TJebergänge zwischen den Eornkernen und den Kornschalen in der Sperrichtung vorgespannt sind.
    4· Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
    dass das Isoliermaterial mittels elektrochemischer Polymerisation dadurch angebracht wird, dass die freigelegten Teile mit einem Bad in Kontakt gebracht werden, das einen Stoff enthält, der durch elektrochemische Polymerisation in das Isoliermaterial umgewandelt wird, und dass die Polymerisation erfolgt, indem an die erste Elektrodenschicht eine Spannung in bezug auf das Bad angelegt wird, bei der die Uebergänge zwischen den Kornkernen und den Kornschalen in der Sperrichtung vorgespannt sind.
    5. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Isoliermaterial vor der Durchführung der Materialentfernungsbehandlung auf der Einkornschicht angebracht wird und dass man das Isoliermaterial nach der Behandlung derart quellen lässt, dass die freigelegten Teile der Kornschalen und die an die Uebergänge grenzenden Ränder der freigelegten Teile der Kornkerne überzogen werden.
    6. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass als Materialentfernungsbehandlung ein Schleif- oder Poliervorgang gewählt wird.
    7. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass vor dem Niederschlagen der ersten Elektrodenschicht die Einkornschicht dadurch erhalten wird, dass die Körner als eine praktisch ein Korn dicke Schicht in einer Haftschicht auf einem praktisch flachen Substrat angebracht und in die Bindemittelschicht eingebettet werden, wonach die Einkornschicht von dem Substrat getrennt wird, um die
    309834/0851
    2308059
    -14- PHF. 6154.
    Seite mit den freien Kornoberflächen zu erhalten.
    8. Verfahren nach Anspruch 7» dadurch gekennzeichnet, dass
    danach die Seite mit den freien Kornoberflächen mit einem besonderen
    Lösungsmittel für das Bindemittel behandelt wird, um die freie Kornober fläche zu vergrössern.
    9. Elektrodensystem, das durch das Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche hergestellt ist.
    30 98 3k /085 1
    Leerseite
DE19732306059 1972-02-19 1973-02-08 Verfahren zur Herstellung eines Elektrodensystems Expired DE2306059C3 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL7202215A NL7202215A (de) 1972-02-19 1972-02-19
NL7202215 1972-02-19

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2306059A1 true DE2306059A1 (de) 1973-08-23
DE2306059B2 DE2306059B2 (de) 1976-05-20
DE2306059C3 DE2306059C3 (de) 1977-01-13

Family

ID=

Also Published As

Publication number Publication date
FR2172359B1 (de) 1977-12-30
JPS5117877B2 (de) 1976-06-05
US3847758A (en) 1974-11-12
GB1421459A (en) 1976-01-21
FR2172359A1 (de) 1973-09-28
NL7202215A (de) 1973-08-21
IT977808B (it) 1974-09-20
CA978665A (en) 1975-11-25
DE2306059B2 (de) 1976-05-20
JPS4896090A (de) 1973-12-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1696092A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen unter Anwendung eines selektiven elektrolytischen AEtzverfahrens
DE2659604A1 (de) Substrat fuer miniaturisierte schaltungsvorrichtungen und verfahren zur herstellung solcher vorrichtungen
DE2044877C3 (de) Verfahren zur Herstellung eines Elektreten
DE2052424B2 (de) Verfahren zum Herstellen elektrischer Leitungsverbindungen
DE921095C (de) Selengleichrichter
DE3324285C2 (de)
DE2045830A1 (de) Koaxiale Schaltungsanordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE1302727C2 (de) Verfahren zum herstellen einer mit wenigstens einer elektrode versehenen kornschicht, vorzugsweise fuer halbleiterbauelemente
DE1544275B2 (de) Verfahren zur ausbildung von zonen unterschiedlicher leitfaehigkeit in halbleiterkristallen durch ionenimplantation
DE60119220T2 (de) Aluminium-Elektrolyt-Kondensator und Verfahren zu dessen Herstellung
DE2227344C3 (de)
DE1764378A1 (de) Randschichtdiodenmatrix und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE1621761B2 (de) Verfahren zur Herstellung einer ein Korn dicken, aus in einen Füllstoff eingebetteten Körnern aus Halbleitermaterial bestehenden Schicht
DE1231812B (de) Verfahren zur Herstellung von elektrischen Halbleiterbauelementen nach der Mesa-Diffusionstechnik
DE1564424C3 (de) Verfahren zur Herstellung einer strahlungsdurchlässigen Elektrodenschicht auf einer ein Korn dicken Halbleiterkornschicht
DE2620998A1 (de) Verfahren zur herstellung von traegern fuer die verarbeitung von ic-chips
DE2931825A1 (de) Magnetblasen-speichervorrichtung
DE3884502T2 (de) Polydiacetylen-Dünnschicht-Herstellungsverfahren.
DE2306059A1 (de) Verfahren zur herstellung eines elektrodensystems und durch dieses verfahren hergestelltes elektrodensystem
EP0177845A1 (de) Integrierter Schaltkreis mit Mehrlagenverdrahtung und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1464525A1 (de) Mikrohalbleiterelement mit Feldeffekt und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2306059C3 (de) Verfahren zur Herstellung eines Elektrodensystems
DE2002404A1 (de) Spannungsabhaengige Widerstaende
DE1614235A1 (de) Elektrodensystem,insbesondere Halbleiter-Elektrodensystem und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2325351B2 (de) Verfahren zur Herstellung von Siliziumgleichrichtersäulen mit hoher Durchbruchsspannung

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
E77 Valid patent as to the heymanns-index 1977
8339 Ceased/non-payment of the annual fee