DE2259267A1 - Halbleiteranordnung - Google Patents
HalbleiteranordnungInfo
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
-
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US20480971A | 1971-12-06 | 1971-12-06 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2259267A1 true DE2259267A1 (de) | 1973-06-28 |
Family
ID=22759521
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE2259267A Pending DE2259267A1 (de) | 1971-12-06 | 1972-12-04 | Halbleiteranordnung |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS555699B2 (cs) |
| CA (1) | CA984061A (cs) |
| DE (1) | DE2259267A1 (cs) |
| FR (1) | FR2162657B1 (cs) |
| GB (1) | GB1363815A (cs) |
| NL (1) | NL7216472A (cs) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2655937A1 (de) * | 1975-12-31 | 1977-07-14 | Ibm | Verfahren zum planaren isolieren von leitungsmustern, durch chemischen niederschlag aus der dampfphase |
| DE2832740A1 (de) * | 1977-07-27 | 1979-02-01 | Fujitsu Ltd | Verfahren zum herstellen einer halbleitervorrichtung |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4960870A (cs) * | 1972-10-16 | 1974-06-13 | ||
| FR2284981A1 (fr) * | 1974-09-10 | 1976-04-09 | Radiotechnique Compelec | Procede d'obtention d'un circuit integre semiconducteur |
-
1972
- 1972-11-06 GB GB5102172A patent/GB1363815A/en not_active Expired
- 1972-11-07 CA CA155,827A patent/CA984061A/en not_active Expired
- 1972-11-30 JP JP12027472A patent/JPS555699B2/ja not_active Expired
- 1972-12-04 DE DE2259267A patent/DE2259267A1/de active Pending
- 1972-12-05 NL NL7216472A patent/NL7216472A/xx unknown
- 1972-12-05 FR FR7243921A patent/FR2162657B1/fr not_active Expired
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2655937A1 (de) * | 1975-12-31 | 1977-07-14 | Ibm | Verfahren zum planaren isolieren von leitungsmustern, durch chemischen niederschlag aus der dampfphase |
| DE2832740A1 (de) * | 1977-07-27 | 1979-02-01 | Fujitsu Ltd | Verfahren zum herstellen einer halbleitervorrichtung |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS555699B2 (cs) | 1980-02-08 |
| NL7216472A (cs) | 1973-06-08 |
| FR2162657B1 (cs) | 1977-07-22 |
| FR2162657A1 (cs) | 1973-07-20 |
| CA984061A (en) | 1976-02-17 |
| GB1363815A (en) | 1974-08-21 |
| JPS4866381A (cs) | 1973-09-11 |
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