DE2255529A1 - Integrierte schaltung in einer feldeffekt-(mis)-technologie, insbesondere speicherschaltung mit ein-transistor-elementen - Google Patents

Integrierte schaltung in einer feldeffekt-(mis)-technologie, insbesondere speicherschaltung mit ein-transistor-elementen

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DE2255529A1
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Description

Integrierte Schaltung in einer Feldeffekt-ßö^-Technologie, insbesondere Speicherschaltung mit Ein-Transistor-Elementen
Die Erfindung bezieht sieh auf eine integrierte Schaltung in einer Feldeffekt-(MIS)-Technologie mit zwei oder mehr Leiterbahne^benen, wobei' zwischen der Gateelektrode jeweils eines Transistors in einer ersten Ebene und einer Leiterbahn in einer zweiten Ebene ein elektrischer Kontakt vorgesehen ist, insbesondere auf einer Speicherschaltung mit Ein-T-ransistor-Elementen.
In der älteren Patentanmeldung P 21 48 948.5 ist ein solches Ein-Tranisitor-Speicherelement beschrieben. In der Figur 4 dieser Patentanmeldung ist die Aufsicht auf eine dieser Anmeldung gemäße spezielle Ausführungsform einer Speicheranordnung.dargestellt, die aus einzelnen Speicherelementen, mit jeweils einem Feldeffekttransistor und mit einem diesem Transistor zugeordneten Kondensator, besteht. Dabei ist dort der Kontakt zwischen,jeweils einer Gateelektrode eines Feldeffekttransistors und einer Digitleiterbahn konstruktiv außerhalb des Kanalbereiches des Feldeffekttransistors hergestellt.
Eine Aufgabe vorliegender Erfindung -ist es eine Anordnung änzugeben, bei der eine noch größere Packungsdichte der Speicher·=· elemente als bei dem Beispiel in der oben genannten Anmeldung erreicht wird.
Diese Aufgabe wird durch eine integrierte Schaltung in einer MOS-Technologie gelöst, die erfindungsgemäß dadurch gekennzeichnet ist, daß sich der Kontakt zwischen der als"'Gateelektrode vorgesehenen Belegung und der in der Ebene oberhalb der Gateelektrode
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verlaufenden Leiterbahn wenigstens teilweise über dem Kanalbereich des Transistors befindet.
Ein Vorteil der erfindungsgemäßen integrierten Schaltung besteht darin, daß sich mit ihr, gegenüber den Schaltungen des Standes der Technik, ein beträchtlicher Flächengewinn erzielen läßt.
Weitere Erläuterungen der Erfindung gehen aus der Beschreibung und den Figuren bevorzugter Ausführungsbeispiele der Erfindung und ihrer Weiterbildungen hervor.
Figur 1 zeigt in schematischer Darstellung eine erfindungsgemäße integrierte Schaltung.
Figur 2 zeigt in schematischer Darstellung die Aufsicht auf eine erfindungsgemäße integrierte Schaltung ηβοη Figur 1.
Figur 3 zeigt in schematischer Darstellung eine Speicheranordnung.
In der Figur 1 ist das Halbleitersubstrat, beispielsweise ein η-leitendes SiIizium-Halbleitersubstrat, mit 1 bezeichnet. Anstelle des Halbleitersubstrates 1 kann aber auch ein sonstiges Substrat mit einer darauf befindlichen n- oder p-leitenden Halbleiterschicht, die vorzugsweise epitaxial aufgewachsen ist, verwendet werden. In dem Substrat befinden sich die Diffusionsgebiete und 3· Diese Gebiete sind bei der Verwendung eines n-leitenden Substrates p-dotiert und bei der Verwendung eines p-leitenden Substrates η-dotiert. Das Piffusionsgebiet 3 stellt beispiels- , weise das Sourcegebiet eines Feldeffekttransistors und das Gebiet dann das Dräingebiet dieses Feldeffekttransistors dar. Auf dem Substrat 1 ist die aus elektrisch isolierendem Material bestehende Schicht 4 aufgebracht. Vorzugsweise besteht dieses Schicht aus Siliziumdioxid. Auf dieser Schicht 4 wiederum sind in einer -ersten Leiterbahnebene elektrisch leitende Belegungen aufgebracht. Dabei stellt die weitere Belegung 6 einen Elektrode eines mit dem Gebiet 2 des Feldeffekttransitors elektrisch verbundenen Kondensators
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dar. Die zweite Elektrode des Kondensators ist die Inversions-' schicht 66, die sich unterhalb der Elektrode 6 in dem Halbleitersubstrat ausbildet, wenn Spannung zwischen die Elektrode 61, die mit der Belegung 6 verbunden ist und das Substrat 1 angelegt wird. Ein Anschluß, zum Anlegen eines Potentials an das Substrat, ist mit 11 bezeichnet. Die zwischen den beiden Kondensatoren 6 und 66 befindliche elektrisch isolierende Schicht 4 wirkt als Dielektrikum. Die Belegung 5, die oberhalb des Bereiches zwischen den Diffusionsgebieten -2 und 3 angeordnet ist, stellt die Gateelektrode des Feldeffekttransistors dar. Vorzugsweise bestehen die Belegungen 5 und 6 aus einem Leitermaterial, das bei . Temperaturen von mehr als 10000C beständig ist, beispielsweise aus polykristallinen dotierten Silizium. Ein so beschaffenes Material hat den Vorteil, bei Verfahr*
ablaufen, beständig zu sein.
hat den Vorteil, bei Verfahrensschritten, die bei mehr als 10000C
Bei einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung bestehen'die Belegungen in der ersten Ebene aus Molybdän.
Oberhalb der Belegungen der ersten Ebene und der von den Belegungen freigelassenen Oberflächen der elektrisch isolierenden Schicht 4 befindet sich die ebenfalls elektrisch isolierende Schicht 44. Diese Schicht besteht vorzugsweise ebenfalls aus Siliziümdioxid. In dieser Schicht 44 befindet sich eine Aussparung, die so angeordnet ist, daß ein Teil der Gateelektrode 5 des Feldeffekttransistors nicht mit isolierendem Material bedeckt ist. Gemäß eines Merkmals der Erfindung besteht ein direkter Kontakt zwischen der Gateelektrode 5 und der oberhalb dieser Elektrode, auf der Schicht 44 in der zweiten Leiterbahnebene.verlaufenden Leiterbahn 7. Dabei befindet sich dieser Kontakt wenigstens teilweise über dem Kanalbereich des Transistors.
Die in der zweiten Ebene angeordnete Leiterbahn 7besteht aus · einem Metall für eine an sich bekannte Leiterbahnschicht, oder einer Schichtfolge. Vorzugsweise besteht die Leiterbahn 7 aus Aluminium.
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In der Figur 2 ist eine Aufsicht auf die integrierte Schaltung der Figur 1 dargestellt. Dabei kann die Elektrode des Kondensators über die elektrisch leitende Verbindung 61 mit einem Potential verbunden werden. Das gleiche gilt für das Diffusionsgebiet 3, das vorzugsweise als ein Diffusionskanal ausgebildet ist. Die Kontaktstelle zwischen der Leiterbahn 7 und der Gateelektrode 5 des Feldeffekttransistors, die sich v/enigstens teilweise im Kanalbereich 8 des Transistors befindet, ist mit 55 bezeichnet. Der Kanalbereich entspricht dem schraffierten Bereich der Figur 2.
In der Figur 3 ist eine Speicheranordnung dargestellt. Einzelheiten der Figur 3, die bereits in den anderen Figuren beschrieben wurden tragen die entsprechenden Bezugszeichen. Die Speicheranordnung besteht aus einzelnen Speicherelementen, die wiederum jeweils aus einen Feldeffekttransistor und einem dazu in Reihe geschalteten Kondensator bestehen. Source- bzw. Drainelektroden einzelner Feldeffekttransistoren sind über gemeinsame Diffusionsgebiete 3 (Digit Lines) miteinander verbunden. Ebenso sind Belegungen 6, die Elektroden einzelner Kondensatoren darstellen, über gemeinsame Leitungen 61 miteinander verbunden. Durch die erfindungsgemäße Anordnung der Kontaktstellen zwischen den Leiterbahnen 7 (Word Lines) und den Gateelektroden der Feldeffekttransistoren 5 wenigstens teilweise über den Kanalbereichen der Transistoren ergibt sich eine größere Packungsdichte der einzelnen Elemente auf einer vorgegebenen Fläche als dies bei bekannten Speicheranordnungen der Fall ist. Durch die erfindungsgemäße Anordnung der Kontaktstellen wird nämlich erreicht, daß Kontaktstellen außerhalb der Bereiche der einzelnen Feldeffekttransistoren überflüssig werden. Die bei den Anordnungen des Standes der Technik dafür vorgesehenen Flächenbereiche können bei den erfindungsgemäßen integrierten Schaltungen, insbesondere Speicheranordnungen, zum Aufbau von Kondensatoren bzw. Feldeffekttransistoren verwendet werden, woraus sich ein beträchtlicher Flächengewinn ergibt.
9 Patentansprüche
3 Figuren
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Claims (9)

  1. Patentansprüche
    Integrierte Schaltung in"einer Feldeffekt-(MIS)-Technölogie mit zwei oder mehr Leiterbahnebenen, wobei zwischen der Gateelektrode jeweils eines Transistors in einer ersten Ebene und einer Leiterbahn in einer zweiten Ebene ein elektrischer Kontakt vorgesehen ist, insbesondere Speicherschaltung mit Ein-Transistor-Elementen, dadurch gekennzeichnet , daß sich der Kontakt (55) zwischen der als Gateelektrode vorgesehenen Belegung (5) und der in der Ebene oberhalb der Gateelektrode verlaufenden Leiterbahn (7) wenigstens teilweise über dem Kanalbereich (8) des Transistors befindet.
  2. 2. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß elektrisch leitende Belegungen (5, 6) in der ersten Ebene aus einem Leitermaterial, das bei einer Temperatur von über 1OQO0C beständig ist und elektrisch leitende Belegungen (7) in der zweiten Ebene aus einem für Leiterbahnschichten oder -Schichtfolgen an sich bekannten Metall bestehen.
  3. 3. Schaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrisch leitenden Belegungen in der ersten Ebene aus polykristallinem, dotierten Silizium und in der zweiten Ebene aus Aluminium bestehen.
  4. 4. Schaltung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet , daß die elektrischen Belegungen in der ersten Ebene aus Molybdän und in der zweiten Ebene aus Aluminium bestehen.
  5. 5. Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrisch isolierende Schicht (4) aus Siliziumdioxid besteht.
  6. 6. Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 5» dadurch gekennzeichnet , daß die elektrisch isolierende Schicht (44) aus Siliziumdioxid besteht .409822/0962
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  7. 7. Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch g e k e η η zeichnet , daß ein Halbleitersubstrat (1) vorgesehen ist, in das Diffusionsgebiete (2, 3) eindiffundiert sind, daß auf das Halbleitersubstrat (1) eine elektrisch isolierende Schicht (4) aufgebracht ist, daß auf dieser Schicht (4) in der ersten Ebene wenigstens eine elektrische Belegung (5) aufgebracht ist, wobei diese Belegung (5) oberhalb des Bereiches zwischen den Diffusionsgebieten (2, 3) angeordnet ist und die Gateelektrode eines Feldeffekttransistors darstellt, daß auf die elektrische Belegung und auf die freiliegenden Oberflächenteile der Schicht (4) eine v/eitere elektrisch isolierende Schicht (44) aufgebracht ist, wobei sich in dieser Schicht (44) wenigstens teilweise über dem Kanalbereich eine Aussparung befindet, und daß oberhalb der Belegung (5) eine Leiterbahn verläuft, wobei sich in der Aussparung ein Kontakt (55) zwischen der Leiterbahn (7) und der Gateelektrode befindet.
  8. Θ. Schaltung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet , daß in der ersten Ebene auf der elektrisch isolierenden Schicht (4) zusätzlich wenigstens eine weitere elektrische Belegung (6) aufgebracht ist, die die Elektrode eines Kondensators darstellt, wobei dieser Kondensator mit jeweils einem Feldeffekttransistor (nach Patentanmeldung P 21 48 948.5) in Reihe geschaltet ist, und mit diesem ein Speicherelement bildet.
  9. 9. Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet , daß mehrere Speicherelemente, bestehend aus einem Kondensator und einem dazu in Reihe geschalteten Feldeffekttransistor, vorgesehen sind, wobei Belegungen (6) über elektrisch leitende Verbindungen (61) miteinander verbunden sind und wobei Source- bzw. Drainelektroden von Feldeffekttransistoren über gemeinsame Diffusionsgebiete (3) miteinander verbunden sind.
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DE19722255529 1972-11-13 1972-11-13 Integrierte Schaltung in einer Feldeffekt-(M IS) -Technologie, insbesondere Speicherschaltung mit EinTransistor-Elementen Expired DE2255529C3 (de)

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GB4850773A GB1441004A (en) 1972-11-13 1973-10-15 Integrated storage circuits
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AT925373A AT353320B (de) 1972-11-13 1973-11-02 Integrierte schaltung in einer silizium -gatter-technologie, insbesondere speicher- schaltung mit ein-transistor-elementen
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FR7339351A FR2206584B3 (de) 1972-11-13 1973-11-06
IT30996/73A IT999250B (it) 1972-11-13 1973-11-07 Circuito integrato secondo una teonologia ad effetto di campo mis specie circuito di memoria con elementi ad un transistore
CA185,406A CA997073A (en) 1972-11-13 1973-11-09 Mos storage integrated circuit using individual fet elements
LU68786A LU68786A1 (de) 1972-11-13 1973-11-12
JP12764973A JPS5653860B2 (de) 1972-11-13 1973-11-13
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DE2255529C3 DE2255529C3 (de) 1976-09-09

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4419741A (en) * 1980-01-28 1983-12-06 Rca Corporation Read only memory (ROM) having high density memory array with on pitch decoder circuitry
US4589008A (en) * 1980-01-28 1986-05-13 Rca Corporation Apparatus for electrically joining the ends of substantially parallel semiconductor lines

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4419741A (en) * 1980-01-28 1983-12-06 Rca Corporation Read only memory (ROM) having high density memory array with on pitch decoder circuitry
US4589008A (en) * 1980-01-28 1986-05-13 Rca Corporation Apparatus for electrically joining the ends of substantially parallel semiconductor lines

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FR2206584B3 (de) 1978-03-10
DE2255529B2 (de) 1976-01-22
LU68786A1 (de) 1974-01-21
JPS49100985A (de) 1974-09-24
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