DE2247627C3 - Halbleiter-Gleichrichtervorrichtung - Google Patents

Halbleiter-Gleichrichtervorrichtung

Info

Publication number
DE2247627C3
DE2247627C3 DE2247627A DE2247627A DE2247627C3 DE 2247627 C3 DE2247627 C3 DE 2247627C3 DE 2247627 A DE2247627 A DE 2247627A DE 2247627 A DE2247627 A DE 2247627A DE 2247627 C3 DE2247627 C3 DE 2247627C3
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor rectifier
rectifier
semiconductor
rectifier device
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE2247627A
Other languages
English (en)
Other versions
DE2247627B2 (de
DE2247627A1 (de
Inventor
Katuhiko Yokohama Kubota
Tadayuki Tokyo Ozawa
Moriyasu Kanagawa Wada
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Publication of DE2247627A1 publication Critical patent/DE2247627A1/de
Publication of DE2247627B2 publication Critical patent/DE2247627B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2247627C3 publication Critical patent/DE2247627C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M7/00Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
    • H02M7/02Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal
    • H02M7/04Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters
    • H02M7/06Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes without control electrode or semiconductor devices without control electrode
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S257/00Active solid-state devices, e.g. transistors, solid-state diodes
    • Y10S257/909Macrocell arrays, e.g. gate arrays with variable size or configuration of cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Rectifiers (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Synchronous Machinery (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft eine Halbleiter-Gleichrichtervorrichtung, die ein ringförmiges, isolierendes Substrat, in das ein Schaltungsmuster eingebettet ist, zwei sektorförmige Plattenelektroden und eine Vielzahl von Gleichrichterelementen aufweist, deren Zuführungs-
feo drähte sich durch das Substrat erstrecken und mit dem Schaltungsmuster verbunden sind und wobei Substrat und Plattenelektroden über eine Vielzahl von an einem dieser Teile angeformten Fortsätzen aneinander befestigt sind.
Eine derartige Halbleiter-Gleichrichtervorrichtung, die aus der DE-OS 19 43 333 bekannt ist, wird insbesondere für Wechselstromgeneratoren, die starken Vibrationen unterworfen sind, beispielsweise für Wech-
selstromgeneratoren in Kraftfahrzeugen, verwandt, die mit einer Gleichrichtervorrichtung zum Aufladen der Batterie versehen sind. Bei der bekannten Halbleiter-Gleichrichtervorrichtung ist das Schaltungsmuster in Form von Leiterbahnen im Substrat verlegt und mit den Zuführungsdrähten für die Gleichrichterelemente verlötet, wobei die Zuführungsdrähte für die Gleichrichterelemente zusammen mit Fortsätzen an den Elektroden die Verbindungselemente zwischen den Elektroden und dem Substrat bilden. ι ü
Wenn diese bekannte Vorrichtung äußeren Stößen oder Schwingungen ausgesetzt wird, wie sie in Kraftfahrzeugen auftreten, besteht die Gefahr der Beschädigung der Lötverbindungen zwischen den Zuführungsdrähten für die Gleichrichterelemente und den im Substrat verlegten Leiterbahnen, da die Elektroden mit den Gleichrichterelementen und das Substrat gegenseitige Schwingungen ausführen können, wobei die dabei auftretenden Kräfte von den Zuführungsdrähten der Leiterelemente aufgenoi.imen und auf die Lötstellen und von diesen auch auf die Leiterbahnen übertragen werden. Diese Beanspruchungen können zu einem Brechen der Lötstellen und zu einem Abreißen der Leiterbahnen an den Lötverbindungen zu den Zuführungsdrähten der Gleichrichterelemente führen.
Die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe besteht daher darin, die eingangs genannte bekannte Halbleiter-Gleichrichtervorrichtung so weiterzubilden, daß sie eine höhere Widerstandsfähigkeit gegenüber starken Vibrationen zeigt. jo
Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung dadurch gelöst, daß das Substrat als gegossenes Harzteil ausgebildet ist, in das das Schaltungsmuster in Form eines entsprechend ausgebildeten leitenden Bleches oder in Form einer entsprechenden Folie eingegossen « ist und daß die Fortsätze aus Vorsprüngen des isolierenden Substrats bestehen, die in einem Stück mit dem gegossenen Harzteil an dessen einer Oberfläche ausgebildet sind und an denen die Plattenelektroden befestigt sind. 4»
Im folgenden werden bevorzugte Ausführungsbeispiele der Erfindung anhand der Zeichnungen näher erläutert.
F i g. 1 zeigt den elektrischen Schaltplan einer Ausführungsform der Halbleiter-Gleichrichtervorrichtung, die in einen Wechselstromgenerator für ein Kraftfahrzeug eingesetzt ist;
Fig.2 zeigt eine Draufsicht auf eine Ausführungsform der Halbleifer-Gleichrichtervorrichtung:
F i g. 3 ist eine Seitenansicht der Vorrichtung der Fig. 2;
F i g. 4 ist eine Ansicht von unten der Vorrichtung der Fig.2;
F i g. 5 ist eine Draufsicht auf das Substrat dpr F i g. 2;
Fig.6 zeigt einen Schnitt längs der Linie 6-6 der Fig. 5;
Fig. 7 zeigt einen Schnitt längs der Linie 7-7 der Fig. 5;
F i g. 8 zeigt einen Schnitt längs der Linie 8-8 der Fig. 5;
Fig.9 zeigt einen Schnitt längs der Linie 9-9 der Fig.2;
Fig. 10 zeigt einen Schmu längs der Linie 10-10 der Fig.2;
Fig. 11 und 12 zeigen verschiedene Beispiele der Lötverbindungen zwischen einer Leiterplatte und einem Elektrodenzuführungsdraht der Gleichrichterelemente.
Die Halbleiter-Gleichrich'crvorrichtung 2, die in F i g. 1 schematisch dargestellt ist, kann z. B. in einem Gehäuse 6 eines Wechselstromgenerators 4 für die Verwendung in einem Kraftfahrzeug angeordnet sein. Die Gleichrichtervorrichtung umfaßt sechs Gleichrichterelemente 8, 10, 12, 14, 16 und 18, die zu einer Dreiphasen-Brückengleichrichterschaltung 20 geschaltet sind. Der positive Ausgangsanschluß 22 der Gleichrichterschaltung 20 ist mit dem positiven Anschluß einer Batterie 24 verbunden, die in dem Kraftfahrzeug angeordnet ist, während der negative Ausgangsanschluß 26 an Masse liegt. Der Dreiphasenausgang des Wechselstromgenerators 4 wird durch drei andere Gleichrichterelemente 28, 30 und 32 gleichgerichtet, um eine Ausgangsgleichspannung von dem Anschluß 33 über eine Feldwicklung 34 des Wechselstromgenerators 4 zu einem Feldanschluß 38 eines Reglers 36 und über einen Ausgangsanschluß 40 zu einem Ende einer Parallelschaltung aus einem Widerstand 42 und einer Anzeigelampe 44 zu führen. Der positive Augangsanschluß der Dreiphasen-Brückengleichrichterschaltung20 ist mit dem entgegengesetzten Anschluß der Parallelschaltung und über einen Zündschalter 46 mit einer nicht gezeigten Zündspule verbunden. Das Gehäuse 6 des Wechselstromgenerators 4 ist mit einem Anschluß 50 versehen, um-einen Kondensator 48 zwischen den Anschluß 22 und Masse zu schalten. Der Kondensator 48 hat die Wirkung, Wechselspannungskomponenten aus dem Gleichspannungsausgang der Brückengleichrichterschaltung 20 zu entfernen.
Die F i g. 2, 3 und 4 zeigen den Aufbau der Halbleiter-Gleichrichtervorrichtung. Ein ringförmiges Substrat 52 umfaßt ein gegossenes Harzteil 53, in welches ein leitendes Blech eingegossen ist, das mit einem Schaltungsmuster (das später beschrieben wird) versehen ist, welches durch Stanzen eines dünnen Metallbleches hergestellt ist. Das Substrat 52 besitzt vier Vorsprünge 54, 55, 56 und 57, die an seiner Oberfläche in einem Stück mit ihm ausgebildet sind. Eine erste sektorförmige Elektrode 59 ist an zwei Vorsprüngen 56 und 57 mit Hilfe von zwei Ösen 58 befestigt, die als der negative Ausgangsanschluß 26 der Halbleiter-Gleichrichtervorrichtung verwendet werden, während eine zweite sektorförmige Elektrode 61 an den anderen zwei Vorsprüngen 54 und 55 mit Hilfe von Ösen 60 befestigt ist, die gegen die Elektrode 61 mit Hilfe von isolierenden Abstandsstücken 62 isoliert sind. Eine positive Anschlußplatte 22 ist an der Elektrode 61 dicht angebracht. Die positive Anschlußplatte 22 ist mit einer U-förmigen Kerbe 64 versehen, um einen Zapfen 65 an der Elektrode 61 aufzunehmen. Da die ösen durch den in der Kerbe 64 aufgenommenen Zapfen 65 festgeklemmt sind, wird ein Drehen der Anschlußplatte 22 um die Ösen verhindert. Weiter ist ein Kondensatoranschluß 50 an der positiven Elektrode 61 mit Hilfe einer öse in der gleichen Weise befestigt wie die positive Anschlußplatte 22.
Die erste und zweite Elektrode 59 und 61 sind mit jeweils drei Vertiefungen 67 und 68 versehen. Kappenförniige Anoden der Halbleiter-Gleichrichterelemente 8,10 und 12 sind direkt an die Vertiefungen 67 gelötet, während kappenförmige Kathoden der Halbleiter-Gleichrichterelemente 14, 16 und 18 direkt an die Vertiefungen 68 gelötet sind. Die anderen Elektrodenzuführungsdrähte der Gleichrichterelemente 8 bis 18 führen durch Bohrungen im Substrat 52 zu dessen gegenüberliegender Oberfläche und sind dann an bestimmten Teilen des Schaltungsmusters der leitenden
Platte angelötet. Anschlußplatten 33 und 40 sind durch ösen an dem Substrat 52 befestigt, so daß die Anschlußplatten 33 und 40 mit den gewünschten Teilen des Schaltungsmusters verbunden sind. Diese Anschlußplatten 33 und 40 sind an dem unteren Teil von flachen Vertiefungen 70 und 72, die an der Oberfläche des Substrats 52 ausgebildet sind, befestigt, so daß eine Bewegung der Anschlußplatten 33 und 40 längs der Seitenwände der Vertiefungen 70 und 72 verhindert wird.
Das ringförmige Substrat 52 umfaßt ein gegossenes Teil 53, das durch Formen eines Gemisches aus einem ungesättigten Polyesterharz und einem Füllstoff, wie z. B. Glasfaserstückchen, im Spritzguß oder Übertragungsguß hergestellt ist, und Leiterbleche 74, 76, 78 und 80 mit Schaltungsmustern, die in das gegossene Teil 53 eingegossen sind. Jedes der Leiterbleche 74 bis 80 ist mit einem bestimmten Schaltungsmuster versehen, das aus einem Kupferblech oder einer Kupferfolie mit einer Dicke von z. B. 200 bis 500 μπι durch eine Preßbearbeitung oder eine chemische Ätzbehandlung hergestellt ist.
Das ungesättigte Polyesterharz hat eine geringe Schrumpfung von weniger als '/iooo%, und das gegossene Teil 53 kann im Spritzgußverfahren so geformt werden, daß es genaue Abmessungen hat. Das Leiterblech 74 ist mit öffnungen 82 und 84 für die Aufnahme von Zuleitungsdrähten für die Kathode des Halbleiter-Gleichrichterelementes 8 und für die Anode des Halbleiter-Gleichrichterelementes 14 und mit einer Öffnung 85 für die Aufnahme eines der Wechselspannungs-Eingangsanschlüsse des Dreiphasenwechselstromgenerators 4 ausgebildet. Das Leiterblech 76 ist mit einer öffnung 87 für die Aufnahme einer öse 86 (Fig. 2) zum Befestigen des Anschlusses 33 an dem gegossenen Teil 53, mit öffnungen 88, 89 und 90 für die Aufnahme der Kathodenzuführungsdrähte der Gleichrichterelemente 28, 30 und 32 und mit einer öffnung 92 für die Aufnahme einer öse 91 (Fig.2), die zum Befestigen des Ausgangsanschlusses 40 an dem Substrat 52 dient, versehen. Das Leiterblech 78 ist mit öffnungen 95 und 96 für die Aufnahme des Kathodenzuführungsdrahtes des Gleichrichterelementes 10 und des Anodenzuführungsdrahtes des Gleichrichterelementes 16 und einer Öffnung 97 für die Aufnahme des Ausgangsanschlusscs. der mit dem Wechselstromgenerator 4 verbunden ist, versehen. Das Leiterblech 80 ist mit öffnungen 98 und 99 für die Aufnahme des Kathodenzuführungsdrahtes des Gleichrichterelementes 12 bzw. des Anodenzuführungsdrahtes des Gleichrichterelementes 18 und einer Öffnung 100 für die Aufnahme des Wechselspannungseingangsanschlusses versehen, der mit dem Wechselstromgenerator 4 verbunden ist. Die Leiterbleche 74, 78 und 80 sind mix einem Brückeiigleichrichtungsschaltungsmuster für die Gleichrichtung des Dreiphasenwechselstromes, der durch den Wechselstromgenerator 4 erzeugt wird, ausgebildet, während das Leiterblech 76 mit einem Schaltungsmuster für den Versorgungsstrom zu der Feldwicklung des Wechselstromgenerators 4 ausgebildet ist Die öffnungen 84,96 und 99 sind elliptisch für die Aufnahme der Anodenzuführungsdrähte der Gleichrichterelemente 14,16 und 18 zusammen mit den Anodenzuführungsdrähten der Gleichrichterelemente 2830 und 32. Die in Fig. 5 gezeigten Öffnungen 102 und 104 sind vorgesehen, um die Leiterbleche 74 und 76 gegeneinander zu isolieren. In derselben Weise ist eine öffnung 106 vorgesehen, um die Leiterbleche 78 und 80 gegeneinander zu isolieren. Die Leiterbleche 74, 76 und 78 sind an den den
Öffnungen 102, 104 und 106 entsprechenden Stellen miteinander verbunden, wenn sie in dem gegossenen Teil 53 eingegossen werden, und werden nach dem Vergießen getrennt. Der Grund für das Verbinden der Leiterfläche 74, 76 und 78 an den den öffnungen 102, 104 und 106 entsprechenden Stellen ist, daß das Formen dieser Leiterbleche durch eine Preßbearbeitung oder ihr Anordnen während des Zusammenbaus vereinfacht wird.
Wie am besten in F i g. 6 zu sehen ist, sind die Vorsprünge 54 und 56 konisch, um das Spritzgußverfahren zu erleichtern. Diese Vorsprünge 54 und 56 sind mit Bohrungen 108 und 109 mit erweiterten Ausnehmungen 111 und 112 für die Aufnahme von ösen 60 bzw. 58 versehen. Die öffnung 113, die in dem gegossenen Teil 53 vorgesehen ist und der in F i g. 5 gezeigten Öffnung 95 entspricht, hat konisch zulaufende Abschnitte an den gegenüberliegenden Oberflächen des gegossenen Teils 53, wie in F i g. 7 gezeigt ist. Der Zweck dieser konisch zulaufenden Abschnitte ist es, einen leichten Zugang für die Spitze des Lötkolbens zu der Verbindungsstelle zwischen einem in die öffnung 95 eingesetzten Zuführungsdraht und dem Leiterblech 78 zu ermöglichen, und das Schmelzen des Teils des gegossenen Harzteils 53, um die Öffnung 113 durch die Hitze des Lötkolbens zu verhindern. Aus demselben Grunde haben alle Öffnungen, in denen ein Lötvorgang durchgeführt werden muß, an der Oberfläche des gegossenen Harzteils 53 konische Abschnitte.
Wie in F i g. 8 gezeigt ist, ist eine kreisförmige Ausnehmung 115 an der Oberfläche des gegossenen Teils 53 in dessen Bereichen zwischen den Öffnungen 88, 89, 90 und den öffnungen 84, 96, 99, die die Zuführungsdrähte der Gleichrichterelemente 28,30 und 32 aufnehmen, vorgesehen. Die Körper der Gleichrichterelemente 28, 30 und 32, deren Zuführungsdrähte an Teile zwischen den öffnungen 88 und 84, 89 und 96 bzw. 90 und 99 gelötet sind, sind in die kreisförmige Ausnehmung 115 eingepaßt und durch ein Klebemittel, wie z. B. Epoxyharz, an das gegossene Teil 53 gekittet.
Wie in F i g. 9 gezeigt ist, ist die positive Elektrode 61 an das gegossene Harzteil 53 durch ein isolierendes Abstandsstück 62 mit Hilfe einer öse 60 befestigt, die sich durch die Öffnung 108 des Vorsprungs 54 erstreckt, wobei die Schulter des isolierenden Abstandsstücks 62 in einer Öffnung der Elektrode 61 aufgenommen ist. Wie in Fig. 10 gezeigt ist. ist die negative Elektrode 59 direkt an dem Vorsprung 56 mit Hilfe der öse 58 befestigt, die sich durch die öffnung 109 des Vorsprungs 56 erstreckt.
Wie in F i g. 11 gezeigt ist, ist der Zuführungsdraht 116 des Gleichrichterelementes 10, welches durch die Öffnung 95 des Leiterblechcs 78 eingesetzt ist, an dem Leiterblech 78 angelötet. Um ein zuverlässiges Löten sicherzustellen, kann ein Kupferring 117 über den Zuführungsdraht 116 gezogen sein, um den Ring 117, den Zuführungsdraht 116 und das Leiterblech 78 mittels eines Lotes 118 zu einer Einheit zu verlöten. Eine andere, in Fig. 12 gezeigte Möglichkeit besteht darin, einen hochstehenden Rand 120 um die Öffnung 95 des Leiterbleches 78 auszubilden.
In der Halbleiter-Gleichrichtervorrichtung nach der Erfindung sind die Gleichrichterelemente fest in dem isolierenden Substrat befestigt so daß die Vorrichtung äußerst widerstandsfähig gegen Stöße und Vibrationen ist Außerdem ist die Vorrichtung kompakt im Aufbau, einfach in der Herstellung und in der Widerstandsfähigkeit gegen Hitze und Feuchtigkeit verbessert
Hierzu 3 Blatt Zeichnungen

Claims (15)

Patentansprüche:
1. Halbleiter-Gleichrichtervorrichtung, die ein ringförmiges, isolierendes Substrat in das ein Schaltungsmuster eingebettet ist, zwei sektorförmige Plattenelektroden und eine Vielzahl von Gleichrichterelementen aufweist, deren Zufiihrungsdrähte sich durch das Substrat erstrecken und mit dem Schaltungsmuster verbunden sind und wobei Substrat und Plattenelektroden über eine Vielzahl von an einem dieser Teile angeformten Fortsätzen aneinander befestigt sind, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat als gegossenes Harzteii (53) ausgebildet ist, in das das Schaltungsmuster in Form eines entsprechend ausgebildeten leitenden Bleches (74 bis 80) oder in Form einer entsprechenden Folie eingegossen ist. und daß die Fortsätze aus Vorsprüngen (54 bis 57) des isolierenden Substrats (52) bestehen, die in einem Stück mit dem gegossenen Harztei! (53) an dessen einer Oberfläche ausgebildet sind und an denen die Plattenelektroden (59,61) befestigt sind.
2. Halbleiter-Gleichrichtervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das gegossene Harzteil (53) aus einem ungesättigten Polyesterharz hergestellt ist, das eine Schrumpfung von weniger als '/1000% besitzt.
3. Halbleiter-Gleichrichtervorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das ungesättigte Polyesterharz Glasfasern als Füllstoff enthält.
4. Halbleiter-Gleichrichtervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das leitende Blech (74 bis 80) mit einem Muster einer VoIlweg-Brückengleichrichterschaltung zum Gleichrichten eines Dreiphasenwechselstromes ausgebildet ist.
5. Halbleiter-Gleichrichtervorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das leitende Blech (74 bis 80) mit einem Muster einer Schaltung zur Stromversorgung der Feldwicklung des Wechselstromgenerators (4) versehen ist.
6. Halbleiter-Gleichrichtervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Leiterblech (74 bis 80) mit einer Vielzahl von elliptischen Öffnungen (84, 96, 99) versehen ist, die jeweils zwei Zuführungsdrähten der Gleichrichterelemente (14, 16,18) angepaßt sind.
7. Halbleiter-Gleichrichtervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat (52) mit einer Vielzahl von Durchbohrungen (108, 109) an Stellen versehen ist, die den Lötverbindungen zwischen den Zuführungsdrähten der Gleichrichterelemente und dem Schaltungsmuster entsprechen, und daß die entgegengesetzten Enden jeder dieser Durchbohrungen sich nach außen auf die Oberfläche des Substrats zu konisch erweitern.
8. Halbleiter-Gleichrichtervorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß leitende Ringe (117) für die Lötverbindungen zwischen den Zuführungsdrähten der Gleichrichterelemente und dem leitenden Blech (74 bis 80) mit dem Schaltungsmuster vorgesehen sind.
9. Halbleiter-Gleichrichtervoirichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorsprünge (54 bis 57) auf ihre äußeren Enden zu abgeschrägt sind.
10. Halbleiter-Gleichrichtervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die eine der sektorförmigen Plattenelektroden (59) direkt an den Vorsprüngen (56,57) mit Hilfe einer ersten leitenden öse (58) befestigt ist, die als negativer Gleichspan- '■> nungsausgangsanschluß dient, und daß die zweite cektorförmige Plattenelektrode (61) an den Vorsprüngen (54, 55) mit Hilfe einer zweiten leitenden öse (60) über ein isolierendes Abstandsstück (62) befestigt ist
H) 11. Halbleiter-Gleichrichtervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet daß jede dieser sektorförmigen Plattenelektroden (59, 61) mit einer Vielzahl von Vertiefungen (67, 68) versehen ist und daß die Elektrodenkappen der Gleichrichterelemente (8 bis 18) in diesen Vertiefungen (67, 68) aufgenommen sind.
12. Halbleiter-Gleichrichtervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet daß eine Vielzahl von Anschlüssen (22, 50) an den sektorförmigen Flattenelektroden (59, 61) vorgesehen sind, daß jeder dieser Anschlüsse (22,50) mit einer Kerbe (64) ausgebildet ist, die einen Zapfen (65) aufnehmen kann, der an der sektorförmigen Plattenelektrode (59, 61) ausgebildet ist, um so ein Drehen der Anschlüsse (22, 50) in bezug auf die sektorförmigen Plattenelektroden (59,61) zu verhindern.
13. Halbleiter-Gleichrichtervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das leitende Blech (74 bis 80) mit Durchbohrungen (95) versehen
J» ist die jeweils mit einem hochstehenden Rand (120) ausgebildet sind, und daß die Zuführungsdrähte für die Gleichrichterelemente durch diese Durchbohrungen (95) führen und mit den hochstehenden Rändern (120) verlötet sind.
*5
14. Halbleiter-Gleichrichtervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine kreisförmige Ausnehmung (115) in einer Oberfläche des gegossenen Teils (53) ausgebildet ist, und daß der Körper der Gleichrichterelemente in dieser Ausneh-
■10 mung (115) aufgenommen und mit ihr mit Hilfe eines Bindemittels verkittet ist.
15. Halbleiter-Gleichrichtervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet daß die Vielzahl der Halbleiter-Gleichrichterelemente eine erste Gruppe von sechs Halbleiter-Gleichrichterelementen (8 bis 18), die eine Dreiphasen-Brückengleichrichterschaltung (20) bilden, und eine zweite Gruppe von drei Halbleiter-Gleichrichterelementen (28, 30, 32), die eine Vollweg-Gleichrichterschaltung bilden, umfaßt.
DE2247627A 1971-09-30 1972-09-28 Halbleiter-Gleichrichtervorrichtung Expired DE2247627C3 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1971089451U JPS4846559U (de) 1971-09-30 1971-09-30

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2247627A1 DE2247627A1 (de) 1973-04-05
DE2247627B2 DE2247627B2 (de) 1976-05-13
DE2247627C3 true DE2247627C3 (de) 1981-05-07

Family

ID=13971037

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2247627A Expired DE2247627C3 (de) 1971-09-30 1972-09-28 Halbleiter-Gleichrichtervorrichtung

Country Status (6)

Country Link
US (1) US3789275A (de)
JP (1) JPS4846559U (de)
DE (1) DE2247627C3 (de)
FR (1) FR2154729B1 (de)
GB (1) GB1355010A (de)
IT (1) IT969456B (de)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IT995479B (it) * 1972-10-06 1975-11-10 Nippon Denso Co Generatore di corrente alternata in particolare per autoveicoli
US4042955A (en) * 1973-06-22 1977-08-16 Nippondenso Co., Ltd. Resin-sealed electrical device
US3889285A (en) * 1974-02-20 1975-06-10 Ford Motor Co Canister diode having improved environment protective insulation
DE2649418A1 (de) * 1976-10-29 1978-05-03 Bosch Gmbh Robert Gleichrichtereinheit
JPS602864B2 (ja) * 1977-03-19 1985-01-24 株式会社日立製作所 内燃機関用直流発電装置
DE3030700C2 (de) * 1980-08-14 1982-11-04 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Batterieladesystem
JPS5746662A (en) * 1980-09-04 1982-03-17 Toshiba Corp Semiconductor rectifier
DE3728081A1 (de) * 1987-08-22 1989-03-02 Bosch Gmbh Robert Gleichrichterlagereinrichtung
US5866963A (en) * 1997-01-30 1999-02-02 Renard Manufacturing Co., Inc. Bridge rectifier with insulating support having expandable legs
US6642078B2 (en) * 2000-08-28 2003-11-04 Transpo Electronics, Inc. Method for manufacturing diode subassemblies used in rectifier assemblies of engine driven generators
DE60131741T2 (de) * 2001-02-28 2008-11-06 Mitsubishi Denki K.K. Erregungssubstrat von sich drehenden elektrischen maschinen
JP4020211B2 (ja) 2006-05-12 2007-12-12 三菱電機株式会社 交流発電機

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3271601A (en) * 1961-09-28 1966-09-06 Gen Motors Corp Dynamoelectric machine
US3250928A (en) * 1963-07-29 1966-05-10 Ford Motor Co Alternator
GB1129367A (en) * 1965-09-27 1968-10-02 Lansing Bagnall Ltd Improvements in or relating to the mounting of electrical components
GB1100697A (en) * 1965-11-22 1968-01-24 Matsushita Electronics Corp Alternator semiconductor diode and rectifying circuit assembly
US3648121A (en) * 1967-09-06 1972-03-07 Tokyo Shibaura Electric Co A laminated semiconductor structure
US3527972A (en) * 1967-11-18 1970-09-08 Bosch Gmbh Robert Full wave rectifier assembly,particularly for combination with automotive type alternators
US3444309A (en) * 1967-12-26 1969-05-13 Motorola Inc Unitized assembly plastic encapsulation providing outwardly facing nonplastic surfaces
JPS5424081B1 (de) * 1968-03-06 1979-08-18
US3454758A (en) * 1968-04-11 1969-07-08 Servo Corp Of America Hotbox detector
DE1918371A1 (de) * 1968-04-13 1970-02-12 Nippon Denso Company Ltd Anordnung mit mehreren Halbleitergleichrichtern
DE1916237C3 (de) * 1969-03-29 1979-12-13 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Gleichrichtereinheit
GB1294112A (en) * 1969-04-17 1972-10-25 Lucas Industries Ltd Full wave rectifier assemblies
US3641374A (en) * 1970-03-11 1972-02-08 Nippon Denso Co Rectifying means for three-phase alternating generators for use in vehicles and other transport facilities
US3654695A (en) * 1970-07-29 1972-04-11 Texas Instruments Inc Method of making an electronic module
US3729573A (en) * 1971-01-25 1973-04-24 Motorola Inc Plastic encapsulation of semiconductor devices
GB1400437A (en) * 1971-11-06 1975-07-16 Lucas Electrical Co Ltd Alternator
DE2208794A1 (de) * 1972-02-24 1973-08-30 Siemens Ag Gleichrichterbruecke

Also Published As

Publication number Publication date
FR2154729B1 (de) 1978-05-26
GB1355010A (en) 1974-06-05
IT969456B (it) 1974-03-30
FR2154729A1 (de) 1973-05-11
JPS4846559U (de) 1973-06-18
DE2247627B2 (de) 1976-05-13
DE2247627A1 (de) 1973-04-05
US3789275A (en) 1974-01-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2247627C3 (de) Halbleiter-Gleichrichtervorrichtung
DE1764872C3 (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Gleichrichtern
DE2656447C2 (de) Gleichrichteranordnung für Drehstromlichtmaschinen
DE69403741T2 (de) Sicherheitseinrichtung für eine Dreiphasenschaltung
DE3134922C2 (de)
DE69724932T2 (de) Passives bauelement
DE2728057C2 (de) Festelektrolytkondensator mit einem porösen Anodenkörper aus Ventilmetall
DE837272C (de) Wechselstrom-Trockengleichrichter
DE2747229A1 (de) Mehrphasenvollweggleichrichter
DE2349825A1 (de) Wechselstromgenerator
DE102013226544A1 (de) Halbleitervorrichtung
DE60012847T2 (de) Niedrigprofil-Induktivkomponente
DE4312409B4 (de) Einstellbarer Kondensator
DE2304688A1 (de) Anschlussklemme
DE3441668A1 (de) Entkopplungskondensator und verfahren zu dessen herstellung
DE1907075A1 (de) Halbleiter-Gleichrichter-Anordnung
DE2828146A1 (de) Elektrische leiterplatte
DE60211628T2 (de) Zusammengesetzte elektronische bauteile
WO1992001321A1 (de) Plankollektor
DE1763157A1 (de) Spannungsregler
DE3614087A1 (de) Vorrichtung und verfahren zur verbesserten verkapselung von halbleitervorrichtungen
DE2509856A1 (de) Verfahren zum anbringen von anschluessen an elektrischen bauelementen und bauelement mit mindestens einem gestanzten anschluss
DE3813566A1 (de) Elektrische verbindung zwischen einer hybridbaugruppe und einer leiterplatte sowie verfahren zur deren herstellung
DE202004018936U1 (de) Kondensator und Kondensatormodul
EP0024302A2 (de) Trockenelektrolyt-Kondensator

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA, KAWASAKI, KANAGAWA, JP

8328 Change in the person/name/address of the agent

Free format text: ASSMANN, E., DIPL.-CHEM. DR.RER.NAT. ZUMSTEIN, F., DIPL.-CHEM. DR.RER.NAT., PAT.-ANW., 8000 MUENCHEN

8320 Willingness to grant licences declared (paragraph 23)
8339 Ceased/non-payment of the annual fee