DE2240338A1 - Dielektrisches entladungsgeraet, das eine quelle von seltenen erden der lanthaniden-reihe enthaelt - Google Patents

Description

Patetntanwälte

Dr. Inc. H. Negsndank

Dipl. Ing. H. Hsuck Dipl. Phys. W. Schmitz

Dipl. ing. E. Graalfs Dipi. Ing. W. Wehnert

2 Hamburg

Neuer Wall 41

15. to 1972

Owens - Illinois , Inc., Ohio

Dlelektrisches Entladungegerät, daj eine Quelle von

Seltenen Erdon der Lanthaniden-Ileiho enthält

Dio Erfindung betrifft Vielfach- Gasentladung- Bild/ Godaclitnis-Schirme oder -Einheiten, die ein elektrisches

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Gedächtnis besitzen und inntandc sind, oin sichtbares DiId oder eine Wiedergabe von Daten i/ie .Zahlen, .aic!\- stabon, rernsohbildern, Iladarbildern, Binärwörtern u:idsowoitor zn erzeugen.

Vielfach- Gaaeiitladungs- SiId- und/ oder -GcclLicIitnis-Schirne eines besonderen Typj3_t auf den sich, dio vorliegende Erfindung bezieht, aind durch ein ionisierbaa^eo Gasmedium gekennzeichnet, gewöhnlich eine Mi so hung von wenigstens zwei Gasen bei einem geeigneten Gasdruck in einer dünnen Gaskammer oder einem dünnen gashaltigen Zwischenraum zwischen einem Paar einander gegenüberliegender dielektrischer Ladungsspeicherglieder, die mit Leiter- (lilektrc4en-) Gliedern hinterlegt »ind, wobei die Leiterglieder jedes dielektrische Glied typisch in der Weise hinterlegen, daß sie in Querrichtung orientiert sind, so daß sie eine Vielzahl einzelner Entladungsvoluiaina darstellen und eine Entladungseinheit bilden· Bei einigen Schirmen, die dem Stand der Technik angehören, sind die Entladungseinheiten zusätzlich dadurch definiert, daß sie eine physikalische Struktur umgeben oder bogrenzen, beispielsweise durch Zellen oder Offnungen in perforierten Glasplatten und dergleichen, so daß sie gegen andere Einheiten physikalisch isoliert sind, Bi jedem Falle, mit oder oline die begrenzende physikalische Struktur, werden Ladungen (Elektronon, Ionen), die auf die Ionisation des Cases einer einzelnen Entladuncseinhelt hin

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erzeugt worden, wenn auf die einzelnen Leite.r derselben die richtigen Betriebs - Vechselpotentialo aufgobracht werden, auf den Oberflächen des Dielektrikuris an spezifisch definierten Stellen gesammelt und bilden ein .elektrlsch.es ZTeId, daß den elektrischen Fold, welches sie erzeugte , entgegengesetzt ist in dor Moire, da" nie die Entladung für den übriggebliebenen Teil einer JIaIbperiodo beenden und helfen, daß in einer hierauf folgenden entgegengesetzten Ilalbperiode der angelegten Spannung eine Entladung solcher Ladungen eintritt ., die gespeichert sind und damit ein elektrisches'Gedächtnis bilden.

Daher verhindern die elektrischen Schichten den Durchtritt von wesentlichen Leiterströnen von den Leitergliedern zu dem Gaamediuin und dienen auch als S&nirae!oberflächen für Ionisierte Gasraediunladungen (iDlektronon, Ionen) während der wechselnden Halbperioden des Wechselspannungs-Detriebspotentials, wobei derartige Ladungen eich zuerst auf einem elementaren oder diskreten dielektrischen Oberflächenbereich und dann auf einem diesen Gegenüberstehenden elementaren oder diskreten dielektrischen Oberfliichenbereicli bei wechselnden 'Ilalbporiod'en sanneln, so daß sie ein* elektrisclies Gecläclitnir. bilden.

TDin Beispiel einer Scliin:ißtni3:tur, die nicut-^liysiltalisch iooliorto odor offene linti achir.gfioinhei tnn c:ithc".1t, ist

3'J9üQ.U/ I ') i O

BAD ORIGfNAL

geoffenbart in der US - PG 3 kOO I67, ertoilt an Theodore C. Bak»r und andere«

Din Beispiol einos Schircios, dor physikalisch isolierte IDinheiten enthält, ist cooffonbart in den Artikel von TSL, Bit ze r und n.G. Slottoxf nit (lon Titel "Der ZPlasns. -bildschirm - Ein digital abfragbares "¹IId nit inhärenten Gedächtnis", Pi'oceedings of the Tall Joint Computer Conference, ΣΡ,ΕΒ, San Francisco, California, ITovenber 1966, Seite 5*H - 5^7·

Bein Betrieb des Schirmes wird ein kontinuierliches Volumen ionisierbaren Gases zwischen einem Paar dielektrischer Oberflächen eingeschlossen, die mit Leiteranordnungen hinterlegt sind, welohe Matrixelemente bilden· Die querliegenden Leiteranordnungen können in der Veise orthogonal zueinander liegen (doch kann jede andere Zusammenstellung der Leiteranordnungen benutzt werden), daß sie eine Vielzahl einander gegenüberliegender Paare ▼on Ladungsspeioheruxigebereiehen auf den Oberflächen der das Gas dielektrisch, begrenzenden oder einschließenden Medien bilden· Daher ist für eine Lei te matrix von JI Reihen und C Spalten die Anzahl der elementaren Entlaclungsvolunina gleich dem Produkt Ii χ C und die Anzahl der elementaren oder diskreten Bereiche el·ich dor zweifachen Anzahl el'omentaren ühitladungsvoluulnn ·

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, ,. ._nVt BAD ORIGINAL

Zusätzlich kann der Schirm aus einer sogenannten monolithischen Struktur bestehen, in der die Leiteranordnun~en auf einem einzelnen Substrat erzeugt werden und worin zwei oder mehrere Anordnungen vonein-, ander und von den gasförmigem Medium durch werfigstens ein isolierendes Glied getrennt sind, 3In einen 3olchen Gerät findet di· Gasentladung nicht zwischen zwei gegenüberliegenden Gliedern statt, sondern zwischen zwei anschließenden oder angrenzenden Gliedern auf dem gleichen Substrat, .

ist auch möglich, ein Sntladuncsgerät zu haben, in dem einige der leitenden Elektrodenglieder in direkten Kontakt mit den gasförmigen Medium stehen und die übrigbleibenden Elektrodenglieder in geeigneter Weise von einen solchen Gas isoliert sind·

Zusätzlich zu der Matrixanordnung können dio Leiter*- anordnungen auf anderer Weise gestaltet sein« Entsprechend ist os, während die bevorzugte Leiteranordnung die de3 gekreuzten Gittertyps ist, gleicher Ve^se offensichtlich, daß dort, wo eine möglichst große Vielfalt von zwei dinensionalen Bildschirmen nicht notwendig int, beispielsweise dort, wo spezifische, standardisierte, visuell gefomte Objekte (beispielsweise Zahlen, Ihtehstaben, T/örter undsoweiter) gebildet werden solion und dio Bildauflösung nicht kritisch ist, die Leiter entsprechend ausgebildet werden I:i5nnen,

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BADORfOlNAL

Dae Gas ist ein solches, das sichtbares Licht erzeugt oder eine unsichtbare Ausstrahlung) welche einen Leuchtstoff anregt (falls die lirzeugunj eines Sichfbildes beabsichtigt ist) und v/ährond der TSntladunc ein© reichliche Versorgung nit Ladungen (ionen odor Elektronen). In cino&i Schirm mit offenen Stellen dos Typo, dor in den Patent von Baker und andere offenbart lot, sincl dor Gasdruck und das elektrische Feld ausreichend, un Ladungen seitlich zu begrenzen, die während der I3ntladun£ innerhalb elementarer oder diskreter dielektrischer ^oreiche innerhalb der Unifangslinie derartiger Bereiche erzeugt werden, insbesondere in einem Schim, der nicht isolierte Einheiten enthält.

Vie in dem Patent von Baker und anderen beschrieben wird, ist der Zwischenraum zwischen den dielektrischen Oberflächen, der von dem Gas eingenommen wird von der Art, daß er Photonen, dl· bei der Entladung in einen ausgewählten diskreten oder elementaren Gasvolunen erzeugt worden, erlaubt, frei durch den Gaszwisohenraun hindurchzutreten und auf Oberflücher/oereiche des Dielektikuns aufzuschlagen, die von den ausgewählten diskreten Volumina entfernt liefen, wobei diese entfernt liegenden dielektrischen Oberflächen, auf welche die Photonen aufschlagen, dabei Elektronen emittieren, so daß sie andere und noch weiter entfernte :31 einentarvoluuina in dio Lage versetzen, daß sie bei einen gleichmäßigen angelegten Potential zu Entladungen befähigt sind.

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,.; .- ■;■"?,,. _αΑδ . BAD ORIGINAL

Bezüglich der- Gesichtspunkte eines gegebenen llntladunijsschiraes hauet der zulässige -'.1DStOHd oder die Uenesstiris des 2wi3cherirautas zwischen den dieloktrisclxen Oberflächen unter andereo von der Frequons der Tiechselstronvor-•orgung ab. Dabei ist in typischer 'ieiso.dor Abstand für niedrigere Frequenzen,

Tföhrend der Gtand der Teclmik Gasentladunjsgerü.tc offenbart, welche außerhalb angeordnete Elektroden zur liin einer Gki3entladtmg besitzen, rianchiaal "eleictrodenlosc Entladung" genannt, so benutzt· dieser Stand der Technik Frequenzen und eine Bemessung der Abstände oder jDntladuncsvoluciina und Betriebsdrücke von der Art, daß, obwohl in den gasförmigen Medium Entladungen eingeleitet werden, derartig© Entladungen unwirkean sind oder nicht benutzt werden für die Erzeugung von Ladungen ttnd ihre Speicherung bei höheren Prquenzen» Obwohl eine Ladungsspeicherung bei niedrigen Frequenzen verwirklicht werden kann, sind derartige Ladnngsspeicherungen nicht in einen Bild-/ Ge du chtni age rät der Art der Bitzer - Slottot/ oder Baker und andere - Erfindung benutzt worder..·

Der Ausdruck "Gedüchtnisspielraun" ("nenory nargiii") ist liier definiert al3

_f ]Ώ

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BAD ORDINAL

worin V^ die lialbo Amplitude des kleinsten aufrechterhaltenden Spannuncssignals ist, das eine ^ntladt'jr:.<; in jeder Ilalbporiode erzeugt, boi den aber dio "ollo nicht bistabil ist und "VU ist dio Halbamplitude der kleinsten angelegten Spannung, die notwendig ist, die Entlaxluncon aufrechtzuerhalten, wenn eio einnal eingoleitot sind,

llan versteht, daß das elektrische Grundphänonen, daß in dieser Erfindung nutzbar gemacht wird, die Hraeu_L ^r,ixnt; von Ladungen (ionen und Elektronen) ist, die abwechselnd speicherbar und auf Paaren von einander gecenüberliegenden oder einander zugewandten diskreten Punkten odor Dereichen auf einem Paar dielektrischer Oberflächen ist, die mit Leitern hinterlegt sind, welche nit einer Betriebsspannuncsquelle verbunden sind. Derartige gespeicherte Ladungen haben «in elektrisches PeId zum Tirgebnis, daß den Feld entgegengesetzt ist, welches durch das angelegte Potential erzeugt wird, das sie entstehen ließ und wirken daher so, daß eio die Ionisation beenden in dem elementaren Gaevolunen zwischen gegenüberliegenden oder einander zugewandten diskreten Punkten oder "ereichon dar dielektrischen Obcrfliiche, Der Ausdruck "eine ^xiilc».- dxxnr. aufrechterhalten" bedeutet das "Jrsoujen einer FoIgo uoi.icntar.or jJntladuniren, Jede r^ntlacUtng für jode üalbporiodo dor a:i/;elegten aufrechterhaltenden Wochaelapmmurif;, sobr^ld dar. eloviriitnre Ckisvoliv;ο:i {~n-j''.:idct Int oi"!. cloi.'. !'icl, eine

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BAD ORKaINAL

wechselnde Speicherung von Ladungen aui Paaren einander gegenüberliegender diskreter Bereiche auf der dielektrischer. Oberfläche aufrechtzuerhalten,

Bio der Drfindung zujrundo lioG'ondo Aufgabe wird dadurch gelöst ι daß in das Dielektrilrun eine reichliche Menge einer Quelle von. mindestens einer Seltenen Drde der Lanthanideiiroihe eingebaut ist, ausgewählt aus Lanthan, Cer, Praseodym, ITeodyn, Promethiumf 3anariu::i, 2uropiu:ri_t C-ladoliniuu, Terbiun, Dysprosiun, lloliaiu::!, Brbiun, Iliuliuu, YtterTbiun, Lutetiura, ScandiuEi und Yttriun.

Obwohl in der Hende le j ew-Tabelle der periodischen Reihe der Elemente Scandiuri und Yttriun nicht klacsifiziert sind» zeigen diose beiden Elenente, insbesondere Yttriu:::, nanchnal die gleichen Eigenschaften, vzie die iJleuente der Heihe der Seltenen Erden· Denentsprechend sind sie in die Illaesifikation eingeschlossen, die ir: dieser Beschreibung gegeben ist»

Der Ausdrucl- "oineobaut sind", wie er hier gebraucht wird, soll joclo3 geeignete Verfahren bezeichnen, durch welches cxilo Quelle wenigstens einer Seltenen lurdo nit den Dielektrikum, vereinigt wird, beispiels'.;eise dr.durcüi, daß die 'iuolle den vorgeachniolzonen Batch oder der ochiielze innig uu:;esetnt oder iliri cingeniseht int. Das kann durch

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BAD ORIGINAL

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Ionenaustausch geschehen, durch Ionen«in^Lanaune, durch Dirfuaionstechniken oder dadurch, daß eine oder nehrero Schichten auf die T.adungsspeicheroberflUcho dos Dielektrikums oder auf die Elektrodenkonta!;t-0!:>orfli'.clio des Diolektrilaiins, oder alc oino inriere Schicht innerhalb deo Dielelztrilrurio aufgebracht wird. Die Seltene Zrclo-Quello kann in der Fora ο Ionon tar 3oin oder sie kann eino geeignete Seltene Erde-Verbindung sein, beispieleweise ein Seltene IHr do-Oxyd oder ein Seltene Drde-Salz.

Typische Seltene Erde-Verbindungen alnd unter anderem folgende·

Lanthan!	Dorld
Acetat	ITitrid
Phoephid	ITi trat
Broniat	Fluorid
Iloxaborid	Sulfat
Bronid	Iodid
Chlorid	Sulfid
Carbid
Ceri	CiIo rid
Acc at	Fluorid
Ilroiiat *	Uitrat
Carbid

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αλ -π BAD ORIGINAL

-44-

"itrid Hiospliid Horid Sulfid Carbonat Prasood^nn: Acetat Bromat Chlorid

lleodjpt

Acetat Carbid Bronat Bronid

Acetat 3rociat Fluorid

Suropitin; Sulfat Carbid Chlorid

Gadoliniumj Acetat ■ßror.iid Carbid ';iilorido "i tr^.t

lodat Iodid . C;:alat Sulfat

Selenat Sulfat

Clilorid Fluorid !Titrat SuI?at

Clilorid

Car'üid

Sulfat

Hitrid liitrat Fluorid

Borid Solenat Plioopliid QuIfat

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Terbiun t Chlorid Pluorid

Dyspros^Lun t Acetat Uroiaat Bromid Chlorid Fluorid

Holuiuri t Broinid Chlorid Iodid

Erbiumι Chlorid Fluorid Nitrat

TLmliurm Chlorid Pluorid

Yttorbiui.il Acetat Titanat Clilorid Fluorid Lutetlufii

Fluorid

Mitrat Sulfat

Chroriat "itret Oxalat Gelonat

Fluorid Oxalat

Corld

Sulfat

Borid

Carbid

Borid

Sulfat

Carbid Uorid

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BAD 0RK3KNAL

Broiuid Nitrat

Carbid Oxalat

Chlorid Sulfat

Hydroxid Acetylacβtonat

ITitrid · Fluorid Yttrium;

Chlorid Fluorid

Nitrid Carbid Hitrat . Sulfid

Sulfat Borid

Zusätzlich komat in Betracht, daß -verschiedene Seltene Erde-Mineralien und Abköninlinge derselben benutzt werden

können, beispielsweise Monazit^Altkit, Lanfchanit, Parisit, Sanarakit, Saetnaedt, Duxenit und Mischüetali.

Xn einer bestimmten Auafülirunc wird die Seltene Brde-Quelle als eine Schicht oder mehrere Schichten auf die Ladungsspeieher-Oberflache des Diolektrikuina aufgebracht.

Dor Ausdruck "Schicht¹¹, iri· er hier gebraucht wird, soll andere ähnliche Ausdrücke wie Filic. Niederschlag, Überzug, Oberfläche, Bedeckung, Beschichtung und so weiter umfassen·

Die Seitone I3rde-Quello wird 'auf die dielektrische Oberfläche (oder eine vorher aufgebrachte Schicht) durch irgend

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ein geeignetes Vorfahren aufgebracht, boiapielevelec (nicht als Sinschrünlrung aufzufassen) durch Aufdarinfen, Vacuvumiedorechlag, chemische Auf dämpfung, fcruohtoe Aufspritzen auf dio Oberfläche einer Illschung oder Lösung der Schichtsubstan2, suspondlert oder gelöst in einer Flüssigkeit nit nachfolirender: Voraanr&bn dieser Flüssigkeit, trockenes Aufspritzen der Schicht auf die Oberfläche 1 thermisches Aufdampfen unter Bonutsune dirolrter Hitze, eines Dlektronen- oder Laserstrahles, durch Placnaflannen- und / oder Liclit^ocenepritzen und / oder lliedorschlac und durch Ck>£enkathodonzeretäubunc*8toc!ini!zen·

In einor weiteren AusfülirunG wird ein· Schicht von Seltene Erde-Oxyd auf die dielektrische Oberflüche aufgebracht, beispielsweise» durch eine der vorstehend aufgeführton Verfahren, insbesondere durch Dlektronenstrahlverdampfen·

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ü:.a BADORfGINAL

— IK— Z- . *° · - -

noch einer weiteren Auefuhrun£ dieser Erfindung vird eine Seltenen Erden-Oxydöchicht cn Ort der Ladungsspeicheröberflache des Dielektrikums ce formt, beispielsweise dadurch, daß Seltene iirde - Metall auf die Oberfläche aufgebracht und sodann der Oxydation ausgesetzt wird*

Jede Schicht der Seitone Erdc-Quellp wird auf das Dieloktriicuüi als Oberfläche oder Uiiterschiclit in einer !•!enge aufgebracht, die ausreicht, um das gewünschte Ergebnis zu erzielen, gewöhnlich in einer Sicke von wenigstens etwa 100 AngstrÖra-Elriheiten mit einen Bereich von etwa 200 Angström-Einheiten pro Schicht bis zu etwa 1 !likron (i0 000 Aneströu-Einheiten) pro Schicht.

Bei der Fabrikation eines gasförmigen Entladungsschirae wird das Dielektrikum typiecherweise auf dio Oberfläche eines tragenden Glassubstrats oder einer tragenden Glasbasis aufgebracht und ausgehärtet, auf welche' die Elektroden- oder Leitoreleniente vorher aufgebracht sind· Das Glassubtrat kann aus irgend einer geeigneten Zusaonensetzung-bestehen, beispielsweise einer ITatrium Calcium - Glaszusaiameneetsuiif;, Zwei Glas sub s träte, welche die Elektroden und das ausgehärtete Dielektrikum enthalten, werden sodann In geeigneter Ifeise Susannengesiegelt, beispielsweise unter ."^enutKung eines themischen , to öaß sie oixien 3c'iir:.i bilden»

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Bel einer bevorzugten praktischen Ausführung dieser Erfindung wird ■ . Jede die Seltenen Erden enthaltende Schichten vor den Ileißsiecelunesvorgong des Schirries auf die Oberfläche dee auegehärteten Dielektrikums aufgobreoht, wobei die Temperatur des Substrates während der Aufbringung der Seltenen I3rde zwischen etwa 62° C bis etwa 300° C liejt.

Bei der praktischen Ausführung dieser Errindung wurde entdeckt, daß die Benutzung dünner Oberflächenfiliao aus Seltene Erden-Oxyden auf der Oberfläche eines jeden dielektrischen Ladungsspeichergliodcs mehrere wichtige Vorteile erbringt:

1« Derartige Seltene Erde-Oxydfilne sind optisch neutral in der Lichtdurchlässigkeit bei niedrigerer Licht Abe or jpbion {

2· Serartige Filme haben einen niedrigen Brechungsindex₍ so daß sie in einer Vielfaoh-Deokschientstruktur wie beispielsweise einer Seltene Erden-Oxydscliicht über einer Sperrschicht von Alluninivunoxyd eine niedrige Heflektivitüt ergoben,

3r Derartige Filiao dunkeln niclit nacli als Folge vorl&n-

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BAD ORIGINAL

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Entladungstätlgkeit (Schinnaltorung) ί

h. Die Sosquinoxyde der Seltenen IDrdo-Oxydgruppe (La₀ 0„) neigt im Qegensatc: zu den Dioxyden

— —--Λ— 2)jäazu, niedrigste Botrieb3spannungen innerhalb der allgemeinen Kategorie stabiler Oxydisolationen au ergeben; das lot vergleichbar nit Bloiorcydschicliten wie beispielsweioe, oTfenbart in dor TJS - PG 3 63h 7ISV ~-tterbiuno::yd. (Ye₀ O₀) .und Lanüanoziyd (La₀ θ) typisch die niedrigsten 3otriebsapannungon_f insbesondere Aufrechterhaltungsspannunijen ergebeni und

5· eine sauber vorbereitete dielektrische Ladungs«* speiclieroberfläclie aus Seltener Drde ergibt^ stabile Betriebsspannungen über ausgedehnte 2eiti'äuiae dea Schirmbetriebes. Insbesondere zeigen Ytterbiunosydelange Lebensdauereigenschaften«

In der Zeicliiiung ist die Alterungacharalcteristik für einen Mehrfach- Gaeentladimgs- Bild-ZCiedüchtnisschim des Typs nach Baker und andere gezeigt. Der Schirn besteht aus zwei einander gegenüberstehenden diolekliischen

LadungsspeiclioroberflMchen, von denen jede einen dünnen PiIn odcvr eine dünne Schicht (1 000 Angströn-Sinhoiten stark) von Ytterbiuinoxyd enthält» llacli einer lcurzen

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BAD ORHSlNAt

• 1ο _ * ■ ■·.·

Voralttrungsseit ebnen sich die naxinale und die rainiiaale Auf recht erhaltung« spannung im wesentlichen cir. und werden vcrhältnisnEaic konstant über nelir als BOG Stunden Schirmbetriebezeit.

Zusätzlich zu den vorstehenden Vorteilen wird orwartet, daß einige der Seltenen Drden-Oxyde einen inhärenten Ionen- oder anderen Sperr3chutn ergoben, so daß sie dadurch dio Denutsunc anderer Sperrfiliae oder iiperr schichten ausscheiden·

Die Benutzung einer Seltenen ürde-Quelle geniiß der Erfindung hat viele mögliehe nützliche Ergebnisse·

Beispielsweise kann ein« radioaktiv· Seltene Erde-Quelle benutzt werden, un das ionisiorbare Gaenedluiu des Gasentladungsbild-/Gedächtniegerüte su konditionieren, das heißt freie Elektronen innerhalb des Cases zu liefern, so daß die Entladung eingeleitet werden kann.

Zusätzlich kann die Seltene Erdo-Quolle als luninessentos Agenes benutzt werden, insbesondere als fotolualneszonter Leuchtstoff·

Die mit Soltonen Erden aktivierten Leuchtstoffe sind nach dea Stand' der Technik wohlbekannt· Unter den typischen Leuchtstoffen befindet sich dor roto i^uroniuri- aktivierte

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BAD ORIGINAL

Yt triunrvanadat leuchtstoff, zun Beispiel nit 1 aton auf jeweils 19 Yttriuraatonie vm<J .Turopitua- ajctiviertes Yt t rituao:cyd ·

Auch, zeigen die Seltenen Erden interessante elektrische Eigenschaften· 7m diesen gehören IlalLleitercharalctcristlken, welche Quellen eolchor Stoffe besonders geeignet nachon zur Benutzung an der Grenzfläche zun gasförmigen Mediuja.

Gleichen-ieiso kann eine Seltene Erde—Quelle in Eonbination mit einen oder mehreren Verbindungen anderer üieiaente verwendet werden wie beispielsweise Gruppe II A, Al₁ Si, Ti₁ Cr, Hf₁ Pb und ao weite^ insbesondere als eine Oxydechicht, uia zahlreiche 35rgebnioso zu erzielen, zum Beispiel niedriger« Betriebespannursen, thermische Stabilität, eine herabgesetzte Alterungeperlodenzeit, gleichmäßigere Betriebsspannungen und σο weiter»

f.

Claims (2)

1. PATENTANSPRÜCHE

   f 1J Gasentladunesgerät, das wenigstens zwei Elektroden enthält, von denen mindestens eine der ^lolutrodc:i gegenüber den Gas durch ein dielektrisches Glied isoliort ist, dadurch pekennzeichnet. dc.0 wenigstens ein dielektrisches Glied eine Quelle von wonicotons einer Seltenen Erde der Lantonidenrolho enthält, gewählt aus den Elenenten La, Ce, Pr, lld, Pr, Sn, Bu, Gd, Tb, Djr, Ho, 2r, To, Tb, Lu, Se, und Y.
2. 2. Gasentladungsger&t nach Anspruch 1, daduroh /ylconnzeichnet, daß die Seltene Srde-Quell· innerhalb einer odor mclirer Schichten auf der Oberfläche des diclelctrisehen Gliedes enthalten ist«

   3· Gasentladungsger&t nach Anspruch 1, dadurch jgekennzticJinet_f daß die Seltene Erde-Quelle innerhalb einer oder inoliver Soliichten innerhalb des dielektrischen Gliedes enthalten ist*

   h» Gasentladuncefjorllt nach Anspruch 1, dadurch fi

   zeichnet, daß das dielektrische Gliod die Geltoiie 12 Quelle in der Fora eines Soltone lirdo-Oxydc enthält,

   5, Vielfach- Gp.sentlaxhxnije- Dlld/GodilchtnisGchir::!, der

   α ü 9 η ο 8 /1 ο ι θ

   BAD 0RK5!NAL

   — 21 — ' ' ' · ·

   ein elektrisches Gedächtnis bositst rad imstande ist, ein Sichtbild zu erzeugen J wobei der Schinu dadurch charakterisiert lot, daß er ein ionisierbares gasförmiges Medium besitzt, in einer Gaakanaer, die durch ein Paar einander gegenüberstehender Ladiuig-s spei ehe rglieder aus dielektrischen Ilaterial geformt ist, wobei jedes der dieloktriGehen Glieder für sich hinterlegt ist durch eine .Vnordniui;; vor. Elektroden, wobei die ■ Elektroden hinter jeden dielektrischen Glied in Besu^ auf die Elektroden hinter den gegenüberstehenden dielektrischen Glied so orientiert sind, daß sie eine Vielzahl diskreter Entladungsvoluninar bilden, von denen jedes eine 3ntladuncs einheit darstellt, dadurch gekennzeichnet ₉ daß wenigstens ein dielektrisches Glied eine Quelle wenigstens einer Seltenen Erde aus der Lanthanidenr«ihe enthält, gewählt auβ den Elementen La₁ Ce, Fr, ITd', Pm, Sn, IDu, Gd, Tb, Dy, Ho, Ex-, Ita, Tb, Lu, Sc, und Y.

   6β Schirci nach Anspruch 5» dadurch ^kennzeichnet, daß die Seltene Erde-Quelle innerhalb einer oder mehrerer Schichten auf einer OberflHche des dielektrischen Gliedes enthalten ist.

   7» Schim nach Anspruch 51 dadurch ^ekennzelchne t, daß die Seltene Brde-Quelle innerhalb einer oder mehrerer

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   innerer Schichten innerhalb des dielektrischen Gliedes enthielten ist.

   8« Scliiru nach Anspruch 51 dadurch ^rekenn zeichnet, daß die Seitone Srcle-'^uolle in der Fora eines Seltene Erde-Oxyds vorliegt·

   <?, Dielelctrieclier Ilbrpor als Fertiguncaartikol, dadurch gekonnzeiohnet. daß er eine Quelle ninc'oetene einer Seltenen ")rde aus der Lantlianiden-Tlelho enthält, gewülilt aus den Elementen La, Ce, Pr, lid, Pia, Sn, ΙΛι, Gd, Tb, Djr, Ho, ISr₁ 7a, Yb, Lt:, Sc, und Y,

   10,Dielektrischer Körper nach Anspruch 9, dadurch ^ekennzoichnet, daß die Quölle wenigetens ein Seitone Erde-Oxyd lot·

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