DE2240338C3 - Gasentladungsanzeige- und -speichervorrichtung - Google Patents
Gasentladungsanzeige- und -speichervorrichtungInfo
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- DE2240338C3 DE2240338C3 DE19722240338 DE2240338A DE2240338C3 DE 2240338 C3 DE2240338 C3 DE 2240338C3 DE 19722240338 DE19722240338 DE 19722240338 DE 2240338 A DE2240338 A DE 2240338A DE 2240338 C3 DE2240338 C3 DE 2240338C3
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
Description
Die Erfindung betrifft eine Gasentladungsanzeige- und -speichervorrichtung mit zwei einander im Abstand
gegenüberliegenden dielektrischen Schichten, die einen mit ionisierbarem Gas gefüllten Entladungsraum einschließen,
wobei wenigstens eine dieser dielektrischen Schichten zusätzlich wenigstens ein Metall enthält, und
mit auf den dem Entladungsraum abgewandten Seiten der dielektrischen Schicht angebrachten Elektrodengruppen,
wobei diese Gruppen einander rechtwinklig kreuzen.
Es ist bekannt, die zu sich kreuzenden Elektrodenpaaren
gehörenden Gasentladungsräume voneinander physikalisch, beispielsweise durch eine gelochte Platte,
zu isolieren, um beim Ansteuern der Elektrodenpaare die Gasentladung auf eine bestimmte Gasentladungseinheit zu begrenzen. Eine solche Anzeigetafel ist in der
US-PS 35 59 190 und in Proceeding of the Fall Joint Computer Conference IEEE San Francisco, California,
November 1966, Seiten 541 bis 547, D. L. Bitzer und H. G. Slottow, »The Plasma Display Panel - A Digitally
Addressable Display With Inherent Memory« erläutert
Die Erfindung geht von einer Anzeigetafel mit offenen, physikalisch nicht isolierten Gasentladungseinheiten
aus (US-PS 34 99 167). Bei dieser ist ein konstantes Volumen von ionisierbarem Gas zwischen
zwei dielektrischen Schichten eingeschlossen, auf deren Rückseiten die Elektroden in Gruppen angeordnet sind.
Die Elektroden kreuzen einander rechtwinklig.
Die aus dem Bericht über das »SID International ho Symposium« vom 4.-6. Mai 1971 in Philadelphia, PA.
(V.StA.), (erschienen als »1971 SID International Symposium Digest of Technical Papers« im Mai 1971,
bei Lewis Winner, New York) Seiten 98—99, bekannte Gasentladungsanzeige- und -speichervorrichtung soll μ
eine von der Farbe der Gasentladung unabhängige farbige Anzeige mit Hilfe von auf die Oberfläche
wenigstens einer dielektrischen Schicht aufgebrachten Leuchtstoffen ermöglichen. Unter diesen Leuchtstoffen
befindet sich zwar auch eine Verbindung mit Yttrium (Yttrium-Vanadat, vgL Seite 98 rechte Spalte, Z Absatz);
es wird jedoch auf Seite 99, linke Spalte, 1. Absatz, dieser
Entgegenhaltung ausdrücklich festgestellt, daß die Oberfläche der dielektrischen Schicht von primärer
Bedeutung für die Speichereigenschaften der Anzeigevorrichtung ist und daß deshalb zur Minimieiung des
Einflusses der zusätzlichen Leuchtstoffverwendung auf die Betriebscharakteristika der Anzeigevorrichtung die
Leuchtstoffe im Überlappungsbereich der Elektroden ausgespart werden, d. h. die in jeder Entladungseinheit
stattfindende Gasentladung ist zumindest im Überlappungsbereich vollständig von metallfreien dielektrischen
Schichten begrenzt
Zur Herabsetzung der Zündspannung der Gasentladungseinheiten ist bereits vorgeschlagen worden
(DE-PS 22 30 373), die dielektrischen Schichten mit einer Alkalimetall- oder Erdalkalimetall-Schicht zu
versehen. Diese Schicht weist ein hohes Sekundärelektronen-Emissionsvermögen auf.
Der Entladungsraum ist mit einem Gas gefüllt, das sichtbares Licht oder eine unsichtbare, lumineszenzanregende
Strahlung erzeugt, wenn eine sichtbare Anzeige erfolgen soll, und das eine hohe Ausbeute von
Ladungen (Ionen und Elektronen) während des Entladungszustandes liefert Wie auc der US-PS
34 99 16? hervorgeht, ist der Gasdruck und das elektrische Feld so groß, daß die Ladungen auf die zu
einer Gasentladungseinheit gehörenden Bereiche örtlich begrenzt werden.
Wie in der US-PS 34 99 167 beschrieben wird, ist der Abstand zwischen den dielektrischen Schichten so groß,
daß es für die Photonen, die während der Entladung in einer ausgewählten Gasentladungseinheit erzeugt werden,
möglich ist, frei durch den Entladungsraum zu laufen und auf die Oberflächen der dielektrischen
Schichten aufzutreffen, die von den ausgewählten Einheiten weit entfernt sind. Dabei werden Elektronen
emittiert, die andere und weiter entfernte Gasentladungseinheiten für Entladungen bei einem gleichförmig
angelegten Potential konditionieren.
Im Hinblick auf die Speicherfunktion der Vorrichtung hängt der gerade noch mögliche Abstand zwischen den
dielektrischen Schichten unter anderem von der Frequenz der angelegten Wechselspannung ab, wobei
der Abstand für niedere Frequenzen größer ist
Während bei den bekannten Gasentladungsanordnungen die extern angebrachten Elektroden zur
Erzeugung einer Gasentladung vorgesehen sind, die man als »elektrodenlose Entladung« bezeichnet, ist bei
diesen Anordnungen die Frequenz und der Abstand bzw. das Entladungsvolumen und der Gasdruck so
gewählt, daß zwar Entladungen in dem Gas gezündet werden, diese Entladungen jedoch nicht effektiv und zur
Ladungserzeugung und Speicherung bei hohen Frequenzen nicht verwertbar sind. Obwohl eine Ladungsspeicherung
bei niederen Frequenzen erzielbar ist hat sie in einer Anzeigetafel mit offenen oder isolierten
Gasentladungseinheiten noch keine Anwendung gefunden.
Der Ausdruck »Speichergrenze« ist durch den Quotienten
definiert, worin V/die halbe Amplitude der kleinsten, die
22 40 3 |
5 | 338 | Ccr: | Acetat | I | 4 |
Entladung aufrechterhaltenden Spannung ist, welche in | Lanthan: | Bromat | Holmium: | |||
jeder Halbperiode eine Entladung erzeugt, aber bei der | Hexaborid | Carbid | Bromid | Fluorid | ||
der Gasentladungsspeicher noch nicht bistabil ist, und | Bromid | Nitrid | Chlorid | Sulfat | ||
worin Vfdie halbe Amplitude der minimalen angelegten | Chlorid | Phosphid | Iodid | Iodid | ||
Spannung ist, die ausreicht, um bereits gezündete | 10 | Carbid | Borid | ΜΓΓΛΙΙΙΠΊ * | Sulfid | |
Entladungen aufrechtzuerhalten. | Sulfid | IjI UlUIIl. | ||||
Der sich in der Anzeigetafel abspielende elektrische | Carbonat | Chlorid | ||||
Vorgang besteht in der Erzeugung von Ladungen | Fluorid | Chlorid | ||||
(Ionen und Elektronen), die abwechselnd auf sich | Praseodym: | Nitrat | Fluorid | |||
paarweise gegenüberliegenden diskreten Flächen der | 15 | Acetat | Thylium: | Nitrat | ||
dielektrischen Schichten speicherbar sind. Die gespei | Bromat | Chlorid | Selenat | |||
cherten Ladungen rühren von einem elektrischen Feld | Chlorid | Fluorid | Iodat | |||
her, das dem Feld entgegengesetzt ist, das durch das an | Iodid | |||||
die Elektroden angelegte Potential erzeugt wird, | Neodym: | Oxalat | ||||
welches die Ladungen erzeugt und auf diese Weise | 20 | Acetat | Sulfat | |||
derart wirkt, daß die Ionisation in dem Gasvolumen | Carbid | |||||
jeder Einheit zwischen den gegenüberliegenden diskre | Bromat | |||||
ten Flächen der dielektrischen Schichten beendet wird. | Bromid | Fluorid | ||||
Zum Aufrechterhalten einer Entladung wird eine Folge | Selenat | |||||
von momentanen Entladungen erzeugt, nämlich jeweils | 25 | Samarium: | Sulfat | |||
eine Entladung für jede HalbwelJe der angelegten | Acetat | |||||
Wechselspannung, wenn die Gasentladungseinheit erst | Bromat | |||||
einmal gezündet worden ist, um das wechselseitige | Fluorid | Chlorid | ||||
Speichern der Ladungen auf den gegenüberliegenden | Fluorid | |||||
diskreten Gebieten der dielektrischen Schichten auf | 30 | Europium: | Nitrat | |||
rechtzuerhalten. | Sulfat | Sulfat | ||||
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die | Carbid | |||||
Speicherfunktion bekannter Gasentladungsvorrichtun | Chlorid | |||||
gen unter Herabsetzung der Zündspannung und bei | Chlorid | |||||
Verwendung unterschiedlicher Frequenzen zu verbes | 35 | Gadolinium: | Carbid | |||
sern. | Acetat | Sulfat | ||||
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, | Bromid | |||||
daß zur Beeinflussung der Speicherfunktion der | Carbid | |||||
dielektrischen Schicht ein Metall der Seltenen Erden | Chloride | Nitrid | ||||
einschließlich Scandium und Yttrium beigefügt ist. Bei | '»0 | Nitrat | Nitrat | |||
den Seltenen Erden handelt es sich um die Gruppe der | Fluorid | |||||
Lanthaniden, ausgewählt aus den Elementen Lanthan, | Terbium: | |||||
Cer, Praseodym, Neodym, Promethium, Samarium, | Chlorid | |||||
Europium, Gadolinium, Terbium, Dysprosium, Holmi | Fluorid | Borid | ||||
um, Erbium,Thulium, Ytterbium, Lutetium. | 45 | Dysprosium: | Selenat | |||
Obwohl in der Mendelejew-Tabelle der periodischen | Acetat | Phosphid | ||||
Reihe der Elemente Scandium und Yttrium nicht als | Bromat | Sulfat | ||||
Seltene Erden klassifiziert sind, zeigen diese beiden | Bromid | |||||
Elemente, insbesondere Yttrium, manchmal die gleichen | Chlorid | |||||
Eigenschaften, wie die Elemente der Gruppe der | 50 | Fluorid | ||||
Seltenen Erden, so daß sie in diesem Zusammenhang | Nitrat | |||||
ebenfalls aufgezählt sind. | Sulfat | |||||
Unter dem Ausdruck »Beifügen« sollen alle geeignete | ||||||
Mittel verstanden werden, durch die wenigstens ein | ||||||
Element der Seltenen Erden in geeigneter Weise mit der | 55 | Chromat | ||||
dielektrischen Schicht verbunden werden kann, wie | Nitrat | |||||
etwa durch Einmischen in das Dielektrikum vor der | Oxalat | |||||
Schmelze oder während der Schmelze, durch Ionenaus | Selenat | |||||
tausch, durch Ionen-Implantation, durch Diffusionstech | Sulfat | |||||
niken oder durch Anbringen einer oder mehrerer | 60 | |||||
Schichten auf der Oberfläche der dielektrischen Schicht | ||||||
oder auf deren Elektroden-Kontaktfläche oder auch | Fluorid | |||||
innerhalb der dielektrischen Schicht. | Oxalat | |||||
Die Beifügung kann in Form der Elemente selbst oder | ||||||
in Form geeigneter Verbindungen benutzt werden, etwa | 65 | |||||
als Oxid oder als Salz der Seltenen Erden. | ||||||
Nachstehend sind typische Verbindungen Seltener | Borid | |||||
Erden aufgeführt: | Sulfat | |||||
Lanthan: | ||||||
Acetat Borid | ||||||
Phosphid Nitrid | Borid | |||||
Bromat Nitrat | ||||||
Ytterbium:
Acetat
Titanat
Chlorid
Fluorid
Titanat
Chlorid
Fluorid
Lutetium:
Sulfat
Fluorid
Fluorid
Scandium:
Bromid
Carbid
Chlorid
Hydroxid
Nitrid
Yttrium:
Chlorid
Nitrid
Nitrat
Sulfat
Nitrid
Nitrat
Sulfat
Carbid
Borid
Sulfat
Carbid
Borid
Borid
Nitrat
Oxalat
Sulfat
Acetylacetonat
Fluorid
Fluorid
Carbid
Sulfid
Borid
Carbid
Sulfid
Borid
Zusätzlich kommt in Betracht, daß verschiedene Seltene Erdemineralien und Abkömmlinge derselben
benutzt werden können, beispielsweise Monazit, Altait, Lanthanit, Parisit, Samarskit, Bastnaesit, Euxenit und
Misch metall.
Die Beifügung wird auf die dielektrische Schicht (oder
eine zuvor angebrachte Schicht) durch alle geeigneten Mittel aufgebracht, beispielsweise durch Aufdampfen,
Vakuumabscheidung, chemisches Aufdampfen, nasses Aufsprühen bei einer Mischung oder Lösung der
Substanz auf die Oberfläche, wobei diese Substanz in einer Flüssigkeit aufgelöst oder aufgeschlemmt ist, und
nachfolgendes Verdampfen der Flüssigkeit, trockenes Aufsprühen der Schicht auf die Oberfläche; thermisches
Abdampfen durch Aufheizung, durch Elektronenstrahl oder Laser; Plasma-Flammen und/oder Bogenentladung-Sprühen
und/oder Anlagerung; und Target-Zerstäubungstechniken.
In einer weiteren Ausführungsform wird die Schicht in Form eines Oxids einer Seltenen Erde auf die
dielektrische Schicht aufgebracht, etwa durch eine der vorgenannten Methoden, insbesondere durch Elektronenstrahl-Evaporation.
Die Oxid-Schicht aus Seltenen Erden kann auf der Ladungsspeicheroberfläche der dielektrischen Schicht
auch dadurch gebildet werden, daß ein Metall der Seltenen Erden auf die Oberfläche aufgebracht und
anschließend oxidiert wird.
Jede Schicht wird als Oberfläche oder als Unterlage der dielektrischen Schicht in einem Ausmaß aufgebracht,
das ausreicht, das gewünschte vorteilhafte Ergebnis zu erhalten, üblicherweise in einer Dicke von
wenigstens etwa 10 nm im Bereich von etwa 20 nm je Schicht bis zu etwa 1 um.
Bei Herstellung der Gasentladungs-Anzeigevorrichtung
wird die dielektrische Schicht üblicherweise auf die Oberfläche einer Glasunterlage angebracht und mit
dieser fest verbunden; die Unterlage wurde zuvor mit den Elektroden versehen. Die Glasunterlage kann aus
jeder geeigneten Zusammensetzung etwa aus einer Kronglas-Zusammensetzung bestehen. Zwei Glasunterlagen
werden danach in geeigneter Weise dichtend zusammengesetzt, beispielsweise durch thermische
Behandlung.
In einer bevorzugten Ausführungsform wird jede die Seltenen Erden enthaltende Schicht auf die Oberfläche
der mit der Glasunterlage verbundenen dielektrischen Schicht aufgebracht, bevor der Vorgang zur thermischen
Abdichtung der Anzeigetafel beginnt, bei der die Temperatur der Glasunterlage während des Beifügens
der Seltenen Erden etwa zwischen 65° C und etwa 315°C beträgt.
Die Verwendung der beigefügten Metalle hat mehrere Vorteile:
1. Derartige Seltene Erde-Oxidfilme sind optisch neutral in ihrer Lichtdurchlässigkeit bei niedriger
Lichtabsorption;
2. Derartige Filme haben einen niedrigen Brechungsindex, so daß sie in einer Mehrschichtanordnung,
wie beispielsweise einer Seltene Erden-Oxidschicht, über einer Sperrschicht von Aluminiumoxid
eine geringe Reflexion aufweisen.
3. Derartige Filme dunkeln bei fortgesetzter Entladungstätigkeit (Alterung) nicht nach.
Die Sesquioxide der Seltenen Erde-Oxidgruppe (La2Oa) neigen im Gegensatz zu den Dioxiden
(CeO2) dazu, niedrigste Betriebsspannungen innerhalb der allgemeinen Kategorie stabiler Oxidisolationen
zu ergeben; das ist mit Bleioxidschichten (US-PS 36 34 719) vergleichbar. Ytterbiumoxid
(ΥΪ2Ο3) und Lanthanoxid (La2Os) ergeben die
niedrigsten Betriebsspannungen, insbesondere zum Aufrechterhalten der Entladungen.
5. Eine sauber vorbereitete dielektrische Ladungsspeicheroberfläche
aus Seltener Erde ergibt stabile Betriebsspannungen über lange Betriebszeiten. Insbesondere zeigen Ytterbiumoxid eine lange
Lebensdauer.
In der Zeichnung ist die Alterungscharakteristik für eine Anzeigetafel des aus der US-PS 34 99167
bekannten Aufbaus gezeigt. Die Tafel besteht aus zwei einander gegenüberliegenden dielektrischen Schichten,
von denen jede einen dünnen Film oder eine dünne Schicht (100 nm stark) von Ytterbiumoxid enthält Nach
einer kurzen Voraiterungszeit ebnen sich die maximale und die minimale Aufrechterhaltungsspannung im
wesentlichen ein und werden verhältnismäßig konstant über mehr als 800 Stunden Betriebszeit
Zusätzlich zu den vorstehenden Vorteilen wird erwartet, daß einige der Seltenen Erden-Oxide einen
inhärenten Ionen- oder anderen Sperrschutz ergeben, so daß dadurch die Benutzung anderer Sperrfilme oder
Sperrschichten unnötig ist
Ferner kann eine radioaktive Seltene Erde benutzt "A'erdeii, um das ionisierbare Gas zu konditionieren, d. h_
freie Elektronen innerhalb des Gases zu liefern, so daß die Entladung eingeleitet werden kann.
Zusätzlich kann die Seltene Erde als lumineszentes Mittel benutzt werden, insbesondere als fotolumineszenter
Leuchtstoff.
Die mit Seltenen Erden aktivierten Leuchtstoffe sind nach dem Stand der Technik wohlbekannt Unter den
typischen Leuchtstoffen befindet sich der rote Europium-aktivierte
Yttrhimvanadatleuchtstoff, z.B. mit 1 Europiumatom auf jeweils 19 Yttriumatome, und
Europiumaktiviertes Yttriumoxid.
Auch zeigen die Seltenen Erden interessante elektrische Eigenschaften. Zu diesen gehören HaIbleitercharakteristiken,
welche solche Stoffe zur Benut-■ zung an der Grenzfläche zum Gas besonders geeignet
machen.
Gleicherweise kann eine Seltene Erde in Kombination mit einer oder mehreren Verbindungen anderer
Elemente verwendet werden wie beispielsweise aus der Gruppe IIA, Al, Si, Ti, Cr, Hf oder Pb, insbesondere als
Oxidschicht, um vorteilhafte Ergebnisse zu erzielen, z. B.
niedrigere Betriebsspannungen, thermische Stabilität eine herabgesetzte Alterungsperiodenzeit oder gleichmäßigere Betriebsspannungen.
Claims (4)
1. Gasentladungsanzeige- und -speichervorrichtung mit zwei einander in Abstand gegenüberliegenden
dielektrischen Schichten, die einen mit ionisierbarem Gas gefüllten Entladungsraum einschließen,
wobei wenigstens eine dieser dielektrischen Schichten zusätzlich wenigstens ein Metall enthält, und mit
auf den dem Entladungsraum abgewandten Seiten der dielektrischen Schichten angebrachten Elektrodengruppen,
wobei diese Gruppen einander rechtwinklig kreuzen, dadurch gekennzeichnet, daß zur Beeinflussung der Speicherfunktion der
dielektrischen Schicht ein Metall der Seltenen Erden einschließlich Scandium und Yttrium beigefügt ist
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das beigefügte Metali in einer oder
mehreren Lagen auf der Oberfläche der dielektrischen Schichten aufgebracht ist
3. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das beigefügte Metall in einer oder
mehreren inneren Schichten innerhalb der dielektrischen Schichten angeordnet ist
4. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die dielektrischen
Schichten das beigefügte Metall in Form eines Seltenen-Erde-Oxids enthält
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