DE2240235C3 - Bipolare elektronische Kontaktnachbildung - Google Patents
Bipolare elektronische KontaktnachbildungInfo
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/60—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
- H03K17/68—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors specially adapted for switching ac currents or voltages
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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Description
Die Erfindung betrifft eine bipolare elektronische Kontaktnachbildung unter Verwendung zweier komplementärer
Transistoren.
Eine solche Schaltungsanordnung unter Verwendung zweier komplementärer Transistoren ist bereits bekannt.
Allerdings sind bei dieser bekannten Schaltungsanordnung in Reihe mit den Kollektor- Emitter-Strekken
der Transistoren Dioden geschaltet, die bewirken sollen, daß die Transistoren jeweils nur in einer
Richtung ausgesteuert werden können. Diese bekannte Schaltung weist zwar im gesperrten Zustand einen
großen Sperrwiderstand auf und verhält sich in dieser Hinsicht annähernd wie ein mechanischer Schalter.
Jedoch ist der Durchlaßwiderstand dieser Schaltungsanordnung wegen der den Transistoren vorgeschalteten
Dioden relativ groß. Dieser große Durchlaßwiderstand macht sich bei vielen Anwendungen in störender Weise
bemerkbar. Eine andere bekannte Schaltungsanordnung zur Realisierung einer bipolaren elektronischen Kontaktnachbildung
zeigt Fig. 1. Mit den in Relaisnachbildungen üblicherweise verwendeten Halbleitern, beispielsweise
Transistoren, ist es nicht möglich, zu erreichen, daß die elektronische Ausgangsschaltstrecke
im leitenden Zustand für beide Stromrichtungen leitend und im gesperrten Zustand für beide Stromrichtungen
gesperrt ist. Ein Transistor wird daher bei der bekannten Schaltung durch eine Gleichrichter-Brückenschaltung
ergänzt. Diese Anordnung hat neben dem Mehraufwand für die Gleichrichter (Kosten und Platz)
vor allem den Nachteil eines zusätzlichen Spannungsabfalls, der besonders bei kleinen zu schaltenden
Spannungen ins Gewicht fällt und dabei die Anwendung zum Teil unmöglich macht. Diese Schaltung weist also
den gleichen Nachteil auf wie die oben erwähnte Schaltung mit zwei komplementären Transistoren.
Weitere bekannte Anordnungen mit zwei komplementären Transistoren sind entweder nur für Impulsbetrieb
geeignet (Electronic Engineering, Juli 1960, S. 439,
Fig.7) oder erfordern, falls die Anordnung zum Schalten von Gleichstromsignalen eingesetzt werden
soll eine zusätzliche Sicherung gegen eine rückwärtige Steuerung der Transistoren (US-PS 30 77 545).
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine bipolare elektronische Kontaktnachbildung anzugeben,
■o bei der eine Ergänzung der Transistoranordnung durch eine Gleichrichterbrückenschaltung und damit ein
zusätzlicher Spannungsabfall entfällt und bei der weiterhin eine rückwärtige Steuerung der Transistoren
ausgeschlossen ist.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß in an sich bekannter Weise die Basis-Emitter-Strekken
der beiden Transistoren in Reihe und die Kollektor-Emitter-Strecken der beiden Transistoren
parallel geschaltet sind und daß außerdem die
verbunden sind, der eine vollständige Sperrung der beiden komplementären Transistoren ermöglicht.
nungsabfalls bisheriger Schaltungen ergibt sich bei der
neuen Lösung als weiterer Vorteil die Möglichkeit der sehr einfachen Steuerung weiterer Schaltstrecken. Die
in bekannten Schaltungen auftretende rückwärtige Steuerung der Transistoren wird durch Verwendung
eines gesteuerten Transistor-Gleichrichters vermieden. Einzelheiten der Erfindung werden anhand der
Zeichnungen erläutert. Es zeigt
Fig.2 eine bipolare elektronische Kontaktnachbildung
nach der Erfindung mit zwei komplementären
Fig.3 eine durch zwei zusätzliche Schaltstrecken
erweiterte, bipolare, elektronische Kontaktnachbildung. Bei der Schaltung in Fig.2 sind die Basis-Emitter-Strecken
des npn-Transistors Π und des pnp-Transistors T2 hintereinander und die Kollektor-Emitter-Strecken
parallel geschaltet. Es ergibt sich ohne weiteres aus der Schaltung, daß hier die elektronische
Ausgangsschaltstrecke im leitenden Zustand für beide Stromrichtungen leitend und im gesperrten Zustand für
beide Stromrichtungen gesperrt ist. Vor die Kontaktnachbildung ist ein gesteuerter Transistor-Gleichrichter
TS geschaltet, dem der Wechselstrom über einen Übertrager U zugeführt wird. Bei gesperrtem Transistor
T5 wird so die rückwärtige Steuerung der Transistoren vermieden. Außerdem kann mit der
erfindungsgemäßen Schaltung erreicht werden, daß der Kollektor-Basisstrom der Transistoren Ti bzw. T2den
Steuerstrom des Transistors T5 unterstützt, z. B. auch wenn die Sekundärwicklung des Übertragers U in die
Basiszuleitung des Transistors TS gelegt wird. Die notwendige Steuerleistung des Transistors TS wird
dann geringer.
Bei der Schaltungsanordnung nach Fig.3 ist die bipolare elektronische Kontaktnachbildung durch die
Schaltstrecken der Transistoren Γ3 und TA erweitert. Der Basisstrom der Transistoren Ti und Tl fließt auch
durch die Basis-Emitter-Strecken der Transistoren 73 und TA. Die erfindungsgemäße Schaltung ermöglicht
also in einfacher Weise die Steuerung weiterer
Claims (3)
1. Bipolare elektronische Kontaktnachbildung unter Verwendung zweier komplementärer Transistoren,
dadurch gekennzeichnet, daß in an sich bekannter Weise die Basis-Emitter-Strecken
der beiden Transistoren (Ti1 T2) in Reihe und die
Kollektor-Emitter-Strecken der beiden Transistoren parallel geschaltet sind und daß außerdem die
Basis-Elektroden der beiden Transistoren mit dem Ausgang eines gesteuerten Transistor-Gleichrichters
verbunden sind, der eine voltständige Sperrung der beiden komplementären Transistoren (Ti, T2)
ermöglicht
2. Kontaktnachbildung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Transistorschaltung derart
durch zusätzliche Transistoren (T3, TA) erweitert wird, daß der Basisstrom der beiden genannten
Transistoren (Ti, T2) auch durch die Basis-Emitter-Strecken
der zusätzlichen Transistoren (T3, TA) fließt
3. Kontaktnachbildung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Sekundärwicklung des
Übertragers (U) des gesteuerten Transistor-Gleichrichters in der Basiszuleitung des Transistors (TS)
des gesteuerten Transistor-Gleichrichters liegt.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE2240235A DE2240235C3 (de) | 1972-08-16 | 1972-08-16 | Bipolare elektronische Kontaktnachbildung |
| CH808373A CH570078A5 (de) | 1972-08-16 | 1973-06-05 | |
| IT27658/73A IT992877B (it) | 1972-08-16 | 1973-08-08 | Circuito elettronico bipolare equivalente ad un contatto |
| ZA735472A ZA735472B (en) | 1972-08-16 | 1973-08-10 | Bipolar electronic commutator equivalent |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE2240235A DE2240235C3 (de) | 1972-08-16 | 1972-08-16 | Bipolare elektronische Kontaktnachbildung |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2240235A1 DE2240235A1 (de) | 1974-02-21 |
| DE2240235B2 DE2240235B2 (de) | 1977-09-29 |
| DE2240235C3 true DE2240235C3 (de) | 1978-05-18 |
Family
ID=5853700
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE2240235A Expired DE2240235C3 (de) | 1972-08-16 | 1972-08-16 | Bipolare elektronische Kontaktnachbildung |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| CH (1) | CH570078A5 (de) |
| DE (1) | DE2240235C3 (de) |
| IT (1) | IT992877B (de) |
| ZA (1) | ZA735472B (de) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4845446A (en) * | 1985-04-12 | 1989-07-04 | Ii Morrow, Inc. | Dynamically variable attenuator |
-
1972
- 1972-08-16 DE DE2240235A patent/DE2240235C3/de not_active Expired
-
1973
- 1973-06-05 CH CH808373A patent/CH570078A5/xx not_active IP Right Cessation
- 1973-08-08 IT IT27658/73A patent/IT992877B/it active
- 1973-08-10 ZA ZA735472A patent/ZA735472B/xx unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE2240235A1 (de) | 1974-02-21 |
| ZA735472B (en) | 1974-07-31 |
| IT992877B (it) | 1975-09-30 |
| DE2240235B2 (de) | 1977-09-29 |
| CH570078A5 (de) | 1975-11-28 |
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| C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
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