DE2231912C2 - Verfahren zur Herstellung einer Siliciumdioxydmaske - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer Siliciumdioxydmaske

Info

Publication number
DE2231912C2
DE2231912C2 DE2231912A DE2231912A DE2231912C2 DE 2231912 C2 DE2231912 C2 DE 2231912C2 DE 2231912 A DE2231912 A DE 2231912A DE 2231912 A DE2231912 A DE 2231912A DE 2231912 C2 DE2231912 C2 DE 2231912C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
mask
polyorganosiloxane
layer
silicon dioxide
solvent
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE2231912A
Other languages
German (de)
English (en)
Other versions
DE2231912A1 (de
Inventor
Jean Claude Germain En Laye Dubois
Maryse Puteaux Gazard
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Thales SA
Original Assignee
Thomson CSF SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Thomson CSF SA filed Critical Thomson CSF SA
Publication of DE2231912A1 publication Critical patent/DE2231912A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2231912C2 publication Critical patent/DE2231912C2/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H10P14/6686
    • H10P14/6529
    • H10P14/6539
    • H10P14/6342
    • H10P14/69215
    • H10P14/6922

Landscapes

  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
DE2231912A 1971-06-29 1972-06-29 Verfahren zur Herstellung einer Siliciumdioxydmaske Expired DE2231912C2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR7123624A FR2144024A5 (OSRAM) 1971-06-29 1971-06-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2231912A1 DE2231912A1 (de) 1973-01-18
DE2231912C2 true DE2231912C2 (de) 1986-01-30

Family

ID=9079476

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2231912A Expired DE2231912C2 (de) 1971-06-29 1972-06-29 Verfahren zur Herstellung einer Siliciumdioxydmaske

Country Status (3)

Country Link
DE (1) DE2231912C2 (OSRAM)
FR (1) FR2144024A5 (OSRAM)
GB (1) GB1385982A (OSRAM)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3334095A1 (de) * 1983-09-21 1985-04-11 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Verfahren zum aetzen tiefer graeben in siliziumscheiben mit glatter oberflaeche
CN112410956B (zh) * 2020-11-13 2023-09-15 浙江汇隆新材料股份有限公司 一种色纺高f扁平涤纶长丝的制备方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3679497A (en) * 1969-10-24 1972-07-25 Westinghouse Electric Corp Electron beam fabrication system and process for use thereof

Also Published As

Publication number Publication date
GB1385982A (en) 1975-03-05
FR2144024A5 (OSRAM) 1973-02-09
DE2231912A1 (de) 1973-01-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69301229T2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Siliciumdioxidschicht
DE69309634T2 (de) Verfahren zur Herstellung von Siliciumdioxidschichten
DE69232607T2 (de) Verfahren zur Beschichtung eines Substrates mit einem Kiesel-Vorprodukt
DE69222461T2 (de) Photostrukturierbare Beschichtungen auf Basis eines Wasserstoff-Silsesquioxanharzes
DE69502709T2 (de) Verfahren und herstellung einer dünnen silizium-oxid-schicht
DE69100467T2 (de) Umwandlung bei niedrigen Temperaturen von Kieselvorproduktion in Kieselerden.
DE2314124C3 (de) Verfahren zur Herstellung eines Polymermusters unter Verwendung von Elektronenstrahl-empfindlichem Polymermaterial
EP0011738B1 (de) Verfahren zur Herabsetzung der Porosität und der Oberflächenrauhigkeit einer keramischen Unterlage und Beschichtungsmasse dafür
DE69222577T2 (de) Ultradünner Polymerfilm-Elektret und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2842134A1 (de) Verfahren zum aufbringen einer schicht aus einem fluorierten material
DE2738384A1 (de) Verfahren zur herstellung eines halbleiters
DE1771182A1 (de) Verbessertes Lichtabdeckmaterial-Verfahren sowie durch dieses Verfahren hergestellte Produkte
DE3841255A1 (de) Verfahren zur bildung eines gemusterten filmes auf einer substratoberflaeche unter verwendung eines metallalkoxidsols
US4041190A (en) Method for producing a silica mask on a semiconductor substrate
DE2302148C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Phosphorsilicatglasschichtmusters
EP1658647B1 (de) Integrierte schaltung mit einem organischen halbleiter und verfahren zur herstellung einer integrierten schaltung
DE69803950T2 (de) Zusammensetzung und Verfahren zum Bilden von elektrisch isolierenden Dünnschichten
EP0157930B1 (de) Verfahren zur Herstellung von Polyimid- und Polyisoindolochinazolindion-Reliefstrukturen
DE2231912C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Siliciumdioxydmaske
DE69933025T2 (de) Reinigungsflüssigkeit und reinigungsverfahren für halbleiterbearbeitungsmaschinenkomponente
DE2421492A1 (de) Photoaetzverfahren
DE2849996A1 (de) Zur herstellung eines durch bestrahlung erzeugten positivbildes verwendbarer abdecklack und verfahren zur herstellung eines positivbildes durch bestrahlung
DE3411714A1 (de) Verfahren zur herstellung von polyimidazol- und polyimidazopyrrolon-reliefstrukturen
WO1993015443A1 (de) Verfahren zum aufbringen einer uv- und/oder elektronenstrahlempfindlichen lackschicht
DE2211875C3 (OSRAM)

Legal Events

Date Code Title Description
OD Request for examination
8181 Inventor (new situation)

Free format text: DUBOIS, JEAN CLAUDE, GERMAIN EN LAYE, FR GAZARD, MARYSE, PUTEAUX, FR

D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition