DE2228984C3 - Schaltungsanordnung mit zwei gleichsinnig in Reihe geschalteten Tunneldioden - Google Patents
Schaltungsanordnung mit zwei gleichsinnig in Reihe geschalteten TunneldiodenInfo
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- H03K—PULSE TECHNIQUE
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- H03K3/313—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of semiconductor devices with two electrodes, one or two potential-jump barriers, and exhibiting a negative resistance characteristic
- H03K3/315—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of semiconductor devices with two electrodes, one or two potential-jump barriers, and exhibiting a negative resistance characteristic the devices being tunnel diodes
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung mit zwei gleichsinnig in Reihe geschalteten
Tunneldioden und ggf. den Dioden parallel geschalteten Lastwiderständen. Tunneldioden weisen in ihrer Stromspannunskennlinie
einen Bereich mit negativem differenziellen Widerstand auf. Auf Grund dieses Verhaltens
kann man aus Tunneldioden in Verbindung mit wenigen passiven Bauelementen bistabile, astabile oder monostabile
Schaltungen aufbauen. Besondere Bedeutung haben Schaltungen erlangt die zwei gleichsinnig in Reihe
geschaltete Tunneldioden aufweisen. Solche Schaltungen werden als Goto-Paar-Schaltungen bezeichnet. Sie
sind zum Beispiel beschrieben in »The Radio and Electronic Engineer« März 1969, Seiten 169 bis 178.
Bei der Realisierung von Schaltungen, die zwei Tunneldioden gleichsinnig in Reihe geschaltet enthalten,
entstehen für die Schaltungsparameter harte Toleranzforderungen. Insbesondere müssen die Bergströme der
beiden in Reihe geschalteten Tunneldioden und ggf. die Größe der beiden parallel geschalteten Lastwiderstände
völlig gleich sein. Praktisch läßt sich eine Gleichheit der Bergströme nur durch eine Selektion der Tunneldioden
mit relativ hoher Ausschußrate erzielen.
Der vorliegenden Erfindung liegt somit die Aufgabe zugrunde, eine Schaltungsanordnung mit zwei gleichsinnig
in Reihe geschalteten Tunneldioden und ggf. den Dioden parallel geschalteten Lastwiderständen anzugeben,
bei der weniger scharfe Anforderungen an die Gleichheit der Parameter der Tunneldioden ggf. der
Lastwiderstände gestellt werden müssen.
Diese Aufgabe wird gelöst durch eine Schaltungsanordnung der eingangs genannten Art bei der erfindungsgemäß
die Gipfelströme der beiden Tunneldioden und/oder die Widerstandswerte der Lastwiderstände
voneinander abweichen und mit dem Verbindungspunkt der beiden Dioden eine Korrekturgleichstromquelle
verbunden ist
Durch eine geeignete Einstellung des von der Gleichstromquelle ausgehenden Korrekturstromes
können Exemplarstreuungen von Schaltungsparametern in ihrer Auswirkung auf die Schaltkreisfunktion
kompensiert werden, beispielsweise kann bei bistabilen Tunneldioden-Paarschaltungen de" Korrekturstroni
so eingestellt werden, daß trotz Exemplarstreuungen Bistabilität gewährleistet ist
Zweckmäßigerweise wird als Korrekturstromgleichquelle
eine Quelle eines eingeprägten Gleichstromes (Konstantstromquelle) verwendet In der Praxis hat sich
ein Korrekturstrom in der Größenanordnung von etwa
0 bis 10 Milliampere, vorzugsweise 2 bis 5 Milliampere,
is als geeignet erwiesen, wenn die beiden Tunneldioden
einen Gipfelstrom von etwa 10 Milliampere haben.
Die Erfindung kann im Prinzip bei allen Goto-Paar-Schaltungen und sonstigen bistabilen, astabilen oder
monostabilen Tunneidioden-Paarschaltungen Anwendung finden. Besonders vorteilhaft hat sich in diesem
Zusammenhang eine bistabile Schaltung erwiesen, bei der die für den Umschaltvorgang maßgebende Induktivität
in Serie zu einem der beiden Lastwiderstände liegt Im folgenden werden nun einige Ausführungsbeispie-Ie
der Erfindung an Hand der Figuren beschrieben.
F i g. 1 zeigt eine klassische, asymmetrische Goto-Paar-Schaltung,
F i g. 2 zeigt eine Goto-Paar-Schaltung mit parallelgeschalteten
Lastwiderständen,
F i g. 3 zeigt eine symmetrische Schaltung, die ansonsten der Schaltung in F i g. 2 entspricht
Fig.4 zeigt eine bistabile Tunneldioden-Paarschaltung,
F i g. 5 zeigt eine abgewandelte bistabile Tunneldioden-Paarschaltung,
F i g. 6 zeigt eine bistabile oder astabile Tunneldioden- Paarschaltung,
F i g. 7 zeigt den bistabilen Bereich der Schaltung nach Fig.2 in Abhängigkeit von der Größe des
Korrektursirornes und der Betriebsspannung für unterschiedliche
Parameter der Tunneldioden,
Fig.8 zeigt den bistabilen Bereich der Schaltung
nach Fig.2 in Abhängigkeit von der Größe des Korrekturstromes und der Betriebsspannung für unterschiedliche
Werte der beiden Lastwiderstände.
Die in F i g. 1 dargestellte klassische Goto-Paar-Schaltung besteht aus zwei gleichsinnig in Reihe geschalteten
Tunneldioden D1 und D2, die über einen Serienwiderstand
Rs an der Betriebsspannung- Ub liegen. Der Verbindungspunkt der beiden Dioden A und D2 ist mit
einer eingeprägten Stromquelle I verbunden, die so eingestellt werden kann, daß unterschiedliche Werte der
Bergströme der beiden Dioden D\ und D2 ausgeglichen
werden.
In F i g. 2 ist eine zweite Tunneldioden-Paarschaltung angegeben, bei der jedoch zwei Lastwiderstände R\ und
Ri den Tunneldioden D\ und D2 parallelgeschaltet sind.
In den F i g. 7 und 8 sind die Bistabilitätsbereiche der in F i g. 2 angegebenen Schaltung in Abhängigkeit von
verschiedenen Betriebsparametern dargestellt Im Falle der Darstellung in Fig.7 betragen die beiden
Lastwiderstände R\ und Ri jeweils 25 Ohm. Den
gleichen Wert hat der Serienwiderstand Ri. Der Bereich
1 zeigt in dem Diagramm den bistabilen Bereich der Schaltung in F i g. 2 für den Fall, daß die Bergströme \p ι
und Ip 2 der Dioden D\ und Dz gleich sind und je
φ Milliampere betragen in Abhängigkeit von dem Korrekturstrom I* und der Betriebsspannung Ub- Der
Bereich 2 zeigt den bistabilen Bereich für den Fall, daß
der Gipfelstrom \p ι der Diode D\ 8 Milliampere beträgt
und der Gipelstrom lp2 der Diode D1 12 Milliampere
beträgt, während der Bereich 3 den bistabilen Bereich
für den Fail zeigt, da3 der Gipfelstrom lp, der Diode A
12 Milliampere und der Gipfelstrom \p2 der Diode D2
8 Milliampere beträgt Man erkennt aiii, der Darstellung in Fig.7, daß, wenn sowohl die Lastwiderstände als
auch die Kennlinien der Dioden D\ und D2 gleich sind,
eine Einstellung des Korrekturstromes auf Ik = O am
günstigsten ist Hier ist also ein Korrekturstrom überflüssig. Bei ungleichen Gipfelströmen der Tunneldioden
ergeben sich ganz andere Verhaltnisse. So werden die Bereiche 2 und 3 von der Geraden I χ = O
nicht mehr geschnitten, so daß ein endlich großer Korrekturstrom I* notwendig ist, um die Schaltung
wieder bistabil zu machen. Beispielsweise ist für den
Bereich 2 ein Korrekturstrom von —2$ Milliampere und für den Bereich 3 ein Korrekturstrom von
+ 2,5 Milliampere optimal.
In F i g. 8 ist die Verschiebung der bistabilen Bereiche bei Variation des Lastwiderstandes R\ dargestellt Die
Gipfelströme lp t und lp 2 der Dioden Di und D2 betragen
hier jeweils 10 Milliampere. Der Serienwiderstand Rs
und der Lastwiderstand R2 beträgt je 25 Ohm. Der 2s
Lastwiderstand R\ beträgt, wie dargestellt, für den
Bereich 1 25 Ohm, für den Bereich 2 37,5 Ohm und für
den Bereich 3 50 Ohm. Auch hier läßt sich nur durch den Korrekturstrom Ik ein bistabiles Verhalten des Schaltkreises
in den Bereichen 2 und 3 herbeiführen. Diese Ungleichheit der Lastwiderstände kann abgesehen von
Exemplarstreuungen auch durch eine bestimmte Aufgabenstellung erzwungen sein, die eine abweichende
Dimensionierung der beiden Lastwiderstände R\ und R2
erzwingt, um eine gewünschte Funktion sicherzustellen.
F i g. 3 zeigt eine in allen wesentlichen Merkmalen mit Fig.2 übereinstimmende Schaltung, die jedoch statt
asymmetrisch symmetrisch ausgebildet ist und die daher anstelle eines Sevienwiderstandes Rs zwei Serienwiderstände
Rs t und Äs 2 aufweist und z-vei Spannungsquellen
+ Ub und — Ub.
Fig.4 zeigt eine bistabile Tunneldiodenpaarschaltung
mit einer zwischen den Verbindungspunkten der Dioden D\ und D2 und dem Verbindungspunkt der
beiden Lastwiderstände R\ und A2 geschalteter. Spule
mit der Induktivität L
F i g. 5 zeigt eine abgewandelte bistabile Tunneldioden-Paarschaltung.
Die für den Umschaltvorgang maßgebende Induktivität L liegt hier in Reihe zu dem
Lastwiderstand A2. Die weitere Induktivität L5 ergibt
sich auf Grund der Streuinduktivität der Beschattung. Ck ist eine Kopplungskapazität, über die ein Lastwiderstand
Rl an die Schaltung angekoppelt ist Der Korrekturstrom I* der Stromquelle I wird bei Exemplarstreuungen
der Dioden D\ und D2 oder Abweichungen
der Widerstände R\ und R2 so eingestellt, daß das
erwünschte bistabile Verhalten erzielt wird. Es kann,
abgesehen von Exemplarstreuungen, erwünscht sein, die
Widerstände Ri und R2 in Fig.5 unterschiedlich zu
bemessen, etwa um dadurch eine ganz bestimmte Form der posiüven Schaltflanke (Nashomform) zu erzielen.
Dies gelingt beispielsweise dadurch, daß man R\ doppelt so groß macht wie R2. Hier ist ein bistabiler Betrieb
überhaupt nur mit Hilfe einer entsprechenden Einstellung eines Korrekturstromes möglich.
Die in F i g. 5 dargestellte Schaltung ist bei Einstellung
des Arbeitspunktes bei kleinen Betriebsspannungen Ub in der Nähe des linken Randes des bistabilen Bereiches
und bei galvanischer Überbrückung des Kondensators Ck astabil. Bei der vorliegenden Dimensionierung läßt
sich die Schaltung nach entsprechender Einstellung des Korrekturstromes I*als 2 :1 Frequenzteiler verwenden.
Fig.6 zeigt eine weitere Tunneldioden-Paarschaltung,
die je nach Wahl ihres Arbeitspunktes astabil oder bistabil arbeiten kann. Auch hier kann durch eine
entsprechende Einstellung des Korrekturstromes \κ der Stromquelle I eine Streuung der Parameter der Dioden
Di und D2 ausgeglichen werden.
Claims (5)
1. Schaltungsanordnung mit zwei gleichsinnig in Reihe geschalteten Tunneldioden und ggf. den
Dioden parallel geschalteten Lastwiderständen, dadurch gekennzeichnet, daß die Gipfelströme
der beiden Tunneldioden und/oder die Widerstandswerte der Lastwiderstände voneinander
abweichen und daß mit dem Verbindungspunkt der beiden Tunneldioden eine Korrekturgleichstromquelle
verbunden ist
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Korrekturgleichstromquelle
eine Konstantstromquelle verwendet wird.
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Korrekturstrom in
der Größenordnung der Gipfelströme oder eines Bruchteils der Gipfelströme der Tunneldioden liegt
4. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die
Schaltungsanordnung durch eine einem der Lastwiderstände in Serie geschaltete Spule zu einem
Flip-Flop ergänzt ist
5. Schaltungsanordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß zur Verwendung als Frequenzteiler
der Arbeitspunkt (Ub, Ik) in der Nähe des linken Randes des bistabilen Bereiches eingestellt ist
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19722228984 DE2228984C3 (de) | 1972-06-14 | 1972-06-14 | Schaltungsanordnung mit zwei gleichsinnig in Reihe geschalteten Tunneldioden |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19722228984 DE2228984C3 (de) | 1972-06-14 | 1972-06-14 | Schaltungsanordnung mit zwei gleichsinnig in Reihe geschalteten Tunneldioden |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2228984A1 DE2228984A1 (de) | 1974-01-03 |
DE2228984B2 DE2228984B2 (de) | 1978-06-22 |
DE2228984C3 true DE2228984C3 (de) | 1979-02-22 |
Family
ID=5847748
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19722228984 Expired DE2228984C3 (de) | 1972-06-14 | 1972-06-14 | Schaltungsanordnung mit zwei gleichsinnig in Reihe geschalteten Tunneldioden |
Country Status (1)
Country | Link |
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DE (1) | DE2228984C3 (de) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3475851B2 (ja) * | 1999-04-28 | 2003-12-10 | 日本電気株式会社 | フリップフロップ回路 |
-
1972
- 1972-06-14 DE DE19722228984 patent/DE2228984C3/de not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2228984A1 (de) | 1974-01-03 |
DE2228984B2 (de) | 1978-06-22 |
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