DE2228703A1 - Verfahren zum herstellen einer vorgegebenen lotschichtstaerke bei der fertigung von halbleiterbauelementen - Google Patents

Verfahren zum herstellen einer vorgegebenen lotschichtstaerke bei der fertigung von halbleiterbauelementen

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Description

Licentia Patent-Verwaltungs-G.m.b.H. 6 Frankfurt/Main 70, Theodor-Stern-Kai 1.
Jacobsohn/gö FBE 72/7
30.5.1972 '
"Verfahren zum Herstellen einer vorgegebenen Lotschichtstärke bei der Fertigung von Halbleiterbauelementen"
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer vorgegebenen Lotschichtstärke bei der Fertigung von Halbleiterbauelementen.
Bei der Herstellung von Lötverbindungen, die sowohl der mechanischen als auch der thermischen und elektrischen Kontaktierung dienen, tritt häufig die Forderung auf, daß zwischen den zu verbindenden Teilen nach dem Erstarren des Lotes eine vorgegebene Lotschichtstärke vorhanden sein soll. Es hat sich nämlich gezeigt, daß die Ermüdung einer Lötverbindung, die Werkstoffe mit verschiedenen Wärmeausdehnungskoeffizienten miteinander verbindet, auch erheblich von der Lotschichtstärke abhängig ist.
Bei Halbleiterbauelementen unterliegt die Lötverbindung zwischen dem Halbleiterkörper und dem metallischen Träger während des Betriebes häufig einer starken thermischen Wechselbeanspruchung. Wenn ein Halbleiterbauelement auch bei einer hohen Zyklenzahl zuverlässig arbeiten soll, ergibt sich somit die Forderung, die Lotschichtstärke auf einen solchen Wert einzustellen, daß die Ermüdung möglichst gering bleibt.
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Es ist bekannt, die zu verlötenden Anschlußelektroden von Halbleiterbauelementen mit Prägungen oder Warzen zu versehen und außerdem durch einen hinreichend großen Anpreßdruck während des Lötvorganges sowohl ein Unter- als auch ein Überschreiten der vorgesehenen Lotschichtstärke zu verhindern und auf diese Weise eine angestrebte Lotschichtstärke zu erhalten.
Dieses Verfahren erfordert jedoch einen hohen Kostenaufwand, da die zu kontaktierenden Halbleiterbauelemente häufig sehr kleine Abmessungen besitzen und zum andern die Einhaltung der Höhe von Prägungen oder Warzen mit engen Toleranzen die Verwendung sehr komplizierter Werkzeuge und Vorrichtungen bedingt.
Es ist auch bekannt, zur Herstellung von vorgegebenen Lotschichtstärken engtolerierte Lötformen und Bauteile zu verwenden. Da jedoch Lötverbindungen einerseits einen gewissen Anpreßdruck während des Lötvorganges erfordern, wenn eine gute Verbindung hergestellt werden soll, andererseits ein Herausquetschen des flüssigen Lotes verhindert werden muß, lassen sich derartige Verfahren bei Einhaltung von engen Toleranzen nur sehr schwer und mit erheblichen Kosten verwirklichen und haben sich daher ebenfalls als nachteilig erwiesen.
Lediglich mit einfachen Lötformen und Gewichten zu arbeiten und die bei der Löttemperatur vorhandenen Eigenschaften der verwendeten Stoffe auszunutzen, stellt zu hohe Anforderungen an die Temperaturkonstanz, die Zusammensetzung des Lotes und die Benetzbarkeit der zu verlötenden Teile, so daß eine langfristige gleichmäßige Fertigung auf diese Weise kaum oder gar nicht aufrecht—zu—erhalten ist.
Es ist weiterhin bekannt, durch Einlegen von Netzen, Ringen oder anderen Formkörpern konstante Lotschichtstärken zu erzeugen. Nachteilig bei diesen Verfahren ist der zusätz-
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liehe Arbeitsschritt beim Einlegen dieser Abstandshalter sowie teilweise ihre örtliche Fixierung. Außerdem lassen sich Gaseinschlüsse, die zu lunkerhaften Lötverbindungen führen, nur schwer vermeiden.
Schließlich ist es noch bekannt geworden, Weichloten Zusatzstoffe zum Angleichen der thermischen Ausdehnungskoeffizienten und zur Verbesserung der thermischen und elektrischen Leitfähigkeit in Form von Pulvern, zuzusetzen. Doch haben solche Zusatzstoffe keinen Einfluß auf die Lotschichtstärke im Sinne dieser Erfindung.
Aufgabe der Erfindung ist ein Verfahren, mit dem eine vorgegebene Lotschichtstärke in möglichst einfacher und kostengünstiger Weise auch bei der Massenfertigung von Halbleiterbauelementen mit kleinen Abmessungen und engen Toleranzen der Lotschichtstärke erzielt wird.
Diese Aufgabe wird bei einem Verfahren zum Herstellen einer vorgegebenen Lotschichtstärke bei der Fertigung von Halbleiterbauelementen erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß dem Lot Zusatzstoffe zugefügt werden, die so bemessen sind oder im Laufe des Verfahrens auf eine solche Größe gebracht werden, daß der Abstand von zwei an den Zusatzstoffen anliegenden parallelen Flächen der angestrebten Lotschichtstärke entspricht, und daß die Zusatzstoffe bei den Lötbedingungen nicht oder nur beschränkt in ihren Dimensionen geändert werden.
Es ist für die Zugabe der Zusatzstoffe möglich, das Lot erst aufzuschmelzen und die Lotschmelze darauf mit den Zusatzstoffen zu versetzen, wobei man durch mechanisches Mischen und rasches Abkühlen für eine gleichmäßige Verteilung der Zusatzstoffe in der erstarrenden Schmelze sorgt. Es ist aber auch möglich, die Zusatzstoffe dem Lot im festen Zuäand zuzufügen, was z. B. durch Aufbringen der Zusatz-
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stoffe auf eine Lotfolie und Einwalzen geschehen kann oder sich durch Mischen der Zusatzstoffe mit pulverisiertem Lot oder pulverisierten Lotbestandteilen und anschließendes Zusammensintern oder Schmelzen erreichen läßt.
Erleichtert wird die Erzielung und Erhaltung der gleichmäßigen Verteilung der Zusatzstoffe im Lot, wenn die Dichte der Zusatzstoffe gleich oder ähnlich der Dichte des Lotes ist. So hat sich z. B. bewährt, einem Weichlot der Legierung mit 90 % Blei, 5 % Indium und 5 % Silber, das eine Dichte von etwa 11 g/cm aufweist, Zusatzstoffe aus einer Legierung von 90 % Silber und 10 % Gold mit etwa vergleichbarer Dichte zuzufügen.
Die angestrebte Lotschichtstärke wird entweder dadurch erreicht, daß die Zusatzstoffe von vornherein die gleichen Dimensionen und Toleranzen wie die später gewünschte Lotschichtstärke aufweisen, oder dadurch, daß die Dimensionen der Zusatzstoffe gleich und/oder größer als die angestrebte Lotschichtstärke sind und durch nachträgliche, dem Lötprozeß vorangehende Formgebung auf die angestrebte Lotschichtstärke gebracht werden, was beispielsweise durch Walzen erfolgen kann.
Ein weiterer Vorteil des Verfahrens nach der Erfindung besteht darin, daß die Menge der Zusatzstoffe nur gering zu sein und weniger als etwa 12 % zu betragen braucht. Oft reichen 2 % oder sogar noch geringere Anteile aus.
Zweckmäßigerweise ist die Oberfläche der Zusatzstoffe mit einer Schicht versehen, die im Lot nicht oder nur unwesentlich lösbar ist. Ebenso ist es zweckmäßig, daß die Oberfläche der Zusatzstoffe oder eine auf ihre Oberfläche aufgebrachte Schicht vom Lot benetzt wird.
Als Zusatzstoffe sind ein oder mehrere Metalle oder Metall-Legierungen geeignet, deren Schmelzpunkt höher als der
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Schmelzpunkt des verwendeten Lotes liegt. Wenn die Lotschichtstärke durch Walzen von gegebenenfalls größeren Zusatzstoffen auf eine kleinere Größe eingestellt wird, sollen auch die Metalle oder Metall-Legierungen walzbar sein.
Aus der großen Zahl der Metalle oder Metall-Legierungen, die für die Verwendung bei dem Verfahren nach der Erfindung als geeignet erscheinen, haben sich besonders Kupfer oder vernickeltes Kupfer, Gold-Silber-Legierungen oder vernickelte Gold-Silber-Legierungen, etwa mit einem Anteil von etwa 10 J/o Gold und 90 % Silber, Silber oder vernickeltes Silber oder auch Nickel besonders bewährt.
Neben den genannten Metallen sind als Zusatzstoffe aber auch harte Formkörper, wie Wolfram oder vernickeltes Wolfram, Molybdän oder vernickeltes Molybdän, glas- oder keramikartige Stoffe oder metallisierte glas- oder keramikartige Stoffe geeignet .
Als Lote sind Weichlote, wie sie bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen verwendet werden, z. B. aus einer Blei-Indium-Legierung, aus einer Blei-Indium-Silber-Legierung, aus einer Blei-Zinn-Legierung oder aus einer Gold-Zinn-Legierung geeignet, und zwar mit etwa folgender Zusammensetzung:
90 % Blei, 5 % Silber, 5 % Indium; 60 % Blei, 40 % Zinn; 90 % Blei, 10 % Zinn; 97 % Blei, 3 % Zinn; 80 % Gold, 20 % Zinn.
Gegebenenfalls finden aber an Stelle von Weichloten auch Hartlote Verwendung.
Zweckmaßigerweise werden als Zusatzstoffe kugel- oder zylinderförmige Körper verwendet.
Die Erfindung gibt die Möglichkeit, das Lot zusammen mit
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den Zusatzstoffen im festen oder im flüssigen Zustand auf die zu verbindenden Teile aufzubringen, wobei das Lot entweder auf ein Teil oder auf beide aufgebracht' wird. Außerdem können aus dem mit Zusatzstoffen versehenen Lot Lotformteile durch Stanzen hergestellt werden. In zweckmäßiger Weise läßt sich das die Zusatzstoffe enthaltende Lot aber auch im Tauchverfahren, durch Walzplattieren oder Aufpressen und durch Aufschmelzen von Lotfolie aufbringen.
An einem Ausführungsbeispiel, bei dem eine Lotschichtstärke von 70/Um vorgesehen ist, soll das Verfahren nach der Erfindung noch einmal näher beschrieben werden.
Etwa 500 g einer Blei-Indium-Silber-Legierung mit einem Anteil von 90 % Blei, 5 % Indium und 5 % Silber werden unter Formiergas, das aus etwa 80 % Stickstoff und 20 % Wasserstoff besteht, aufgeschmolzen und auf eine Temperatur von 450 0C gebracht. Dieser Lotschmelze werden etwa 10 g vernickelter Silberkugeln mit einem Durchmesser von .60 bis 100/Um unter kräftiger Rührbewegung zugefügt. Durch Abschrekken der Lotschmelze wird die annährend gleichmäßige Verteilung der Zusatzstoffe auch im festen Lot gewährleistet. Daa erstarrte Lot wird darauf in Walzschritten auf eine Dicke von 70/Um gewalzt. Aus dieser Lotfolie werden Lotformteile, z. B. Ringe oder Ronden, gestanzt, die zwischen die zu verlötenden Teile gelegt und mit diesen in einen Durchlaufofen gebracht werden, wo bei einer Maximal-Temperatur von 390 C die Lötverbindung hergestellt wird.
Die auf die oben beschriebene Weise hergestellte Lötverbindung weist die vorgesehene Lotschichtstärke von 70 /um auf. Die Einhaltung dieser Lotschichtstärke ist während der Herstellung nicht mehr vom Anpreßdruck, der Lotzusammensetzung, den Benetzungseigenschaften der zu verbindenden Teile und der Schutzgasatmosphäre abhängig, sondern richtet sich einzig nach der beim Walzprozeß erzielbaren Toleranz.
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Claims (1)

  1. - 7 - FBE 72/7
    Patentansprüche
    1.^ Verfahren zum Herstellen einer vorgegebenen Lotschicht- ~~ stärke bei der Fertigung von Halbleiterbauelementen, dadurch gekennzeichnet, daß dem Lot Zusatzstoffe zugefügt werden, die so bemessen sind oder im Laufe des Verfahrens auf eine solche Größe gebracht werden, daß der Abstand von zwei an den Zusatzstoffen anliegenden parallelen Flächen der angestrebten Lotschichtstärke entspricht, und daß die Zusatzstoffe bei den Lötbedingungen nicht oder nur beschränkt in ihren Dimensionen geändert werden.
    2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Lot sich bei der Zugabe der Zusatzstoffe im flüssigen Zustand befindet.
    3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Lot sich bei der Zugabe der Zusatzstoffe im festen Zustand befindet.
    4. Verfahren nach Anspruch 1 und 3? dadurch gekennzeichnet, daß die Zusatzstoffe durch Mischen mit pulverisiertem Lot oder pulverisierten Lotbestandteilen und anschließendes Zusammensintern oder Schmelzen dem Lot zugefügt werden.
    5· Verfahren nach Anspruch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß Zusatzstoffe zugefügt werden, die gleiche Dimensionen und Toleranzen wie die angestrebte Lotschichtstärke aufweisen.
    6. Verfahren nach Anspruch 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß dem Lot Zusatzstoffe zugefügt werden, deren Dirnen-
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    sionen gleich und/oder größer als die angestrebte Lotschichtstärke sind und die durch nachträgliche, dem Lötprozeß vorangehende, Formgebung auf die angestrebte Lotschichtstärke gebracht werden.
    7· Verfahren nach Anspruch 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß dem Lot Zusatzstoffe zugefügt werden, deren Dimensionen gleich oder größer als die angestrebte Lotschichtstärke ist und die durch nachträgliches, dem Lötprozeß vorangehendes, Walzen auf die angestrebte Lotschichtstärke gebracht werden.
    8. Verfahren nach Anspruch 1 bis 7» dadurch gekennzeichnet, daß dem Lot Zusatzstoffe unter 12 % zugefügt werden.
    9· Verfahren nach Anspruch 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß Zusatzstoffe zugefügt werden, deren Dichte gleich oder ähnlich der Dichte des Lotes ist.
    10. Verfahren nach Anspruch 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß Zusatzstoffe zugefügt werden, deren Oberfläche mit einer im Lot nicht oder nur unwesentlich lösbaren Schicht versehen ist.
    11. Verfahren nach Anspruch 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß Zusatzstoffe zugefügt werden, deren Oberfläche oder deren auf die Oberfläche aufgebrachte Schicht vom Lot benetzt wird.
    12. Verfahren nach Anspruch 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß als Zusatzstoffe ein oder mehrere Metalle oder Metall-Legierungen zugefügt werden, deren Schmelzpunkt höher als der Schmelzpunkt des verwendeten Lotes liegt.
    13. Verfahren nach Anspruch 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß als Zusatzstoffe ein oder mehrere walzbare Metalle oder Metall-Legierungen zugefügt werden.
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    - 9 - FBE 72/7
    14. Verfahren nach Anspruch 1 "bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß als Zusatzstoff Kupfer zugefügt wird.
    15· Verfahren nach Anspruch 1 "bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß als Zusatzstoff vernickeltes Kupfer zugefügt wird.
    16. Verfahren nach Anspruch 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß als Zusatzstoff eine Gold-Silber-Legierung zugefügt
    wird.
    17· Verfahren nach Anspruch 1 bis 13 und 16, dadurch gekennzeichnet, daß als Zusatzstoff eine Gold-Silber-Legierung mit einem Anteil von etwa 10 % Gold und 90 % Silber zugefügt wird.
    18. Verfahren nach Anspruch 1 bis 13, 16 und 17, dadurch gekennzeichnet, daß als Zusatzstoff eine vernickelte Gold-Silber-Legierung zugefügt wird.
    19· Verfahren nach Anspruch 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß als Zusatzstoff Silber zugefügt wird.
    20. Verfahren nach Anspruch 1 bis 13 und 19, dadurch gekennzeichnet, daß als Zusatzstoff vernickeltes Silber zugefügt wird.
    21. Verfahren nach Anspruch 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß als Zusatzstoff Nickel zugefügt wird.
    22. Verfahren nach Anspruch 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß als Zusatzstoff harte Form-körper zugefügt werden.
    23. Verfahren nach Anspruch 1 bis 11 und 22, dadurch gekennzeichnet, daß als Zusatzstoff Wolfram zugefügt wird.
    24. Verfahren nach Anspruch 1 bis 11, 22 und 23, dadurch gekennzeichnet, daß als Zusatzstoff vernickeltes Wolfram
    zugefügt wird.
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    - 10 - FBE 72/7
    25· Verfahren nach Anspruch 1 bis 11 und 22, dadurch gekennzeichnet, daß als Zusatzstoff Molybdän zugefügt wird.
    26. Verfahren nach Anspruch 1 bis 11, 22 und 25, dadurch gekennzeichnet, daß als Zusatzstoff vernickeltes Molybdän zugefügt wird.
    27· Verfahren nach Anspruch 1 bis 11 und 22, dadurch gekennzeichnet, daß als Zusatzstoffe glas- oder keramikartit;;e Stoffe zugefügt werden.
    28. Verfahren nach Anspruch 1 bis 12, 22, 26 und 27, dadurch gekennzeichnet, daß als Zusatzstoffe metallisierte glas- oder keramikartige Stoffe zugefügt werden«,
    29· Verfahren nach Anspruch 1 bis 28, dadurch gekennzeichnet, daß als Lot ein Weichlot verwendet wird.
    30. Verfahren nach Anspruch 1 bis 29, dadurch gekennzeichnet, daß als Lot ein Weichlot aus einer Blei-Indium-Legierung verwendet wird.
    31. Verfahren nach Anspruch 1 bis 30, dadurch gekennzeichnet, daß als Lot ein Weichlot aus einer Blei-Indium-Legierung mit einem Anteil von etwa 70 % Blei und 30 % Indium verwendet wird.
    32. Verfahren nach Anspruch 1 bis 29, dadurch gekennzeichnet, daß als Lot ein Weichlot aus einer Blei-Indium-Silber-Legierung verwendet wird.
    33. Verfahren nach Anspruch 1 bis 29 und 32, dadurch gekennzeichnet, daß als Lot ein Weichlot aus einer Blei-Indium-Silber-Legierung mit einem Anteil von etwa 90 % Blei, 5 % Silber und 5 % Indium verwendet wird.
    34-. Verfahren nach Anspruch 1 bis 29, dadurch gekennzeichnet, daß als Lot ein Weichlot aus einer Blei-Zinn-Legierung verwendet wird.
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    - 11 - PBE 72/7
    55« Verfahren nach. Anspruch 1 bis 29 und 34, dadurch gekennzeichnet, daß als Lot ein Weichlot aus einer Blei-Zinn-Legierung mit einem Anteil von 60 % Blei und 40 % Zinn verwendet wird.
    36. Verfahren nach Anspruch 1 bis 29 und 34, dadurch gekennzeichnet, daß als Lot ein Weichlot aus einer Blei-Zinn-Legierung mit einem Anteil von 90 % Blei und 10 % Zinn verwendet wird.
    37· Verfahren nach Anspruch 1 bis 29 νυαά. 34, dadurch gekennzeichnet, daß als Lot ein Weichlot aus einer Blei-Zinn-Legierung mit einem Anteil von 97 % Blei und 3 % Zinn verwendet wird.
    38. Verfahren nach Anspruch 1 bis 29, dadurch gekennzeichnet, daß als Lot eine Gold-Zinn-Legierung verwendet wirdo
    39· "Verfahren nach Anspruch 1 bis 29 und 38, dadurch gekennzeichnet, daß als Lot eine Gold-Zinn-Legierung mit einem Anteil von etwa 80 % Gold und 20 % Zinn verwendet wird. .
    40. Verfahren nach Anspruch 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß als Lot ein Hartlot verwendet wird.
    41. Verfahren nach Anspruch 1 bis 40, dadurch gekennzeichnet, daß als Zusatzstoffe kugelförmige Körper verwendet werden.
    42. Verfahren nach Anspruch 1 bis 40, dadurch gekennzeichnet, daß als Zusatzstoffe zylinderförmige Körper verwendet werden.
    43· Verfahren nach Anspruch 1 bis 42, dadurch gekennzeichnet, daß Lotformteile aus dem mit Zusatzstoffen versehenen Lot durch Stanzen hergestellt werden.
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    - 12 - FBE 72/7
    44. Verfahren nach Anspruch 1 bis 43, dadurch gekennzeichnet, daß auf mindestens ein der beiden zu verlötenden Teile
    das die Zusatzstoffe enthaltende Lot aufgebracht wird.
    45. Verfahren nach Anspruch 1 bis 44, dadurch gekennzeichnet, daß das die Zusatzstoffe enthaltende Lot im Tauchverfahren aufgebracht wird.
    46. Verfahren nach Anspruch 1 bis 44, dadurch gekennzeichnet, daß das die Zusatzstoffe enthaltende Lot durch Walzplattieren oder Aufpressen aufgebracht wird.
    47. Verfahren nach Anspruch 1 bis 44, dadurch gekennzeichnet, daß das die Zusatzstoffe enthaltende Lot durch Aufschmelzen von Lotfolie aufgebracht wird.
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GB2706473A GB1440196A (en) 1972-06-13 1973-06-06 Method of producing a specified solder layer thickness in the production of semiconductor components
BE132058A BE800673A (fr) 1972-06-13 1973-06-08 Procede de formation d'une epaisseur de couche de soudure predeterminee lors de la fabrication d'elements de montage semi-conducteurs
IT25237/73A IT989087B (it) 1972-06-13 1973-06-12 Procedimento per la preparazione di uno spessore prefissato di le ga da saldare nella fabbricazione di componenti semiconduttori
US369495A US3900153A (en) 1972-06-13 1973-06-13 Formation of solder layers
FR7321533A FR2188307B1 (de) 1972-06-13 1973-06-13
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1997035683A1 (de) * 1996-03-22 1997-10-02 Emitec Gesellschaft Für Emissionstechnologie Mbh Gelöteter metallischer wabenkörper mit abstandshaltern in den lötspalten und verfahren und lot zu seiner herstellung
DE102013110812B3 (de) * 2013-09-30 2014-10-09 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung eines weitergebildeten Metallformkörpers und Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleitereinrichtung mit einer Lotverbindung diesen weitergebildeten Metallformkörper verwendend.
DE102020000913A1 (de) 2020-02-12 2021-08-12 Pfarr - Stanztechnik Gesellschaft mit beschränkter Haftung Bleifreie Lötfolie

Families Citing this family (83)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5318959U (de) * 1976-07-28 1978-02-17
JPS575879Y2 (de) * 1977-03-14 1982-02-03
US4402450A (en) * 1981-08-21 1983-09-06 Western Electric Company, Inc. Adapting contacts for connection thereto
US4487638A (en) * 1982-11-24 1984-12-11 Burroughs Corporation Semiconductor die-attach technique and composition therefor
US4705205A (en) * 1983-06-30 1987-11-10 Raychem Corporation Chip carrier mounting device
US4664309A (en) * 1983-06-30 1987-05-12 Raychem Corporation Chip mounting device
DE3574351D1 (en) * 1984-05-14 1989-12-28 Raychem Corp Solder composition
DE3442537A1 (de) * 1984-11-22 1986-05-22 BBC Aktiengesellschaft Brown, Boveri & Cie., Baden, Aargau Verfahren zum blasenfreien verbinden eines grossflaechigen halbleiter-bauelements mit einem als substrat dienenden bauteil mittels loeten
US5917707A (en) 1993-11-16 1999-06-29 Formfactor, Inc. Flexible contact structure with an electrically conductive shell
EP0331500B1 (de) * 1988-03-04 1993-01-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Hartlötpaste zum Verbinden von Metalle und keramische Materialien
JPH025541A (ja) * 1988-06-24 1990-01-10 Asahi Daiyamondo Kogyo Kk ボンディングツールの製造方法
US5093545A (en) * 1988-09-09 1992-03-03 Metcal, Inc. Method, system and composition for soldering by induction heating
JPH0741159Y2 (ja) * 1988-10-07 1995-09-20 日本特殊陶業株式会社 気密封止型セラミックパッケージ
WO1990004490A1 (en) * 1988-10-24 1990-05-03 Handy & Harman Brazing paste for joining materials with dissimilar thermal expansion rates
JPH02207539A (ja) * 1989-02-07 1990-08-17 Sanken Electric Co Ltd 半導体装置
US4995551A (en) * 1990-04-24 1991-02-26 Microelectronics And Computer Technology Corporation Bonding electrical leads to pads on electrical components
US5076485A (en) * 1990-04-24 1991-12-31 Microelectronics And Computer Technology Corporation Bonding electrical leads to pads with particles
JPH06232188A (ja) * 1993-01-29 1994-08-19 Nec Corp 半田材の製造方法
FR2706139B1 (fr) * 1993-06-08 1995-07-21 Thomson Csf Matériau pour brasure.
US20020053734A1 (en) 1993-11-16 2002-05-09 Formfactor, Inc. Probe card assembly and kit, and methods of making same
US5820014A (en) * 1993-11-16 1998-10-13 Form Factor, Inc. Solder preforms
US7073254B2 (en) 1993-11-16 2006-07-11 Formfactor, Inc. Method for mounting a plurality of spring contact elements
JP3223678B2 (ja) * 1993-12-24 2001-10-29 三菱電機株式会社 はんだ付け用フラックスおよびクリームはんだ
US5540379A (en) * 1994-05-02 1996-07-30 Motorola, Inc. Soldering process
EP0751562B1 (de) * 1995-06-27 2001-07-18 Braun GmbH Wärmeleite-Befestigung eines elektronischen Leistungsbauelementes auf einer Leiterplatte mit Kühlblech
JPH0997791A (ja) * 1995-09-27 1997-04-08 Internatl Business Mach Corp <Ibm> バンプ構造、バンプの形成方法、実装接続体
US5994152A (en) * 1996-02-21 1999-11-30 Formfactor, Inc. Fabricating interconnects and tips using sacrificial substrates
US8033838B2 (en) 1996-02-21 2011-10-11 Formfactor, Inc. Microelectronic contact structure
US5931371A (en) * 1997-01-16 1999-08-03 Ford Motor Company Standoff controlled interconnection
US20010048888A1 (en) * 2000-03-24 2001-12-06 Rong-Fong Huang Anti-scavenging solders for silver metallization and method
GB2372473B (en) * 2001-02-24 2003-04-16 Marconi Caswell Ltd A method of soldering
US20060027899A1 (en) * 2004-06-25 2006-02-09 Tessera, Inc. Structure with spherical contact pins
US7179558B2 (en) * 2004-07-15 2007-02-20 Delphi Technologies, Inc. Braze alloy containing particulate material
KR101313391B1 (ko) 2004-11-03 2013-10-01 테세라, 인코포레이티드 적층형 패키징
US8168347B2 (en) 2004-12-30 2012-05-01 Delphi Technologies Inc. SOFC assembly joint spacing
US8058101B2 (en) 2005-12-23 2011-11-15 Tessera, Inc. Microelectronic packages and methods therefor
US8482111B2 (en) 2010-07-19 2013-07-09 Tessera, Inc. Stackable molded microelectronic packages
US9159708B2 (en) 2010-07-19 2015-10-13 Tessera, Inc. Stackable molded microelectronic packages with area array unit connectors
KR101075241B1 (ko) 2010-11-15 2011-11-01 테세라, 인코포레이티드 유전체 부재에 단자를 구비하는 마이크로전자 패키지
US20120146206A1 (en) 2010-12-13 2012-06-14 Tessera Research Llc Pin attachment
US8618659B2 (en) 2011-05-03 2013-12-31 Tessera, Inc. Package-on-package assembly with wire bonds to encapsulation surface
KR101128063B1 (ko) 2011-05-03 2012-04-23 테세라, 인코포레이티드 캡슐화 층의 표면에 와이어 본드를 구비하는 패키지 적층형 어셈블리
US8872318B2 (en) 2011-08-24 2014-10-28 Tessera, Inc. Through interposer wire bond using low CTE interposer with coarse slot apertures
US8404520B1 (en) 2011-10-17 2013-03-26 Invensas Corporation Package-on-package assembly with wire bond vias
US8946757B2 (en) 2012-02-17 2015-02-03 Invensas Corporation Heat spreading substrate with embedded interconnects
US8372741B1 (en) 2012-02-24 2013-02-12 Invensas Corporation Method for package-on-package assembly with wire bonds to encapsulation surface
US9349706B2 (en) 2012-02-24 2016-05-24 Invensas Corporation Method for package-on-package assembly with wire bonds to encapsulation surface
US8835228B2 (en) 2012-05-22 2014-09-16 Invensas Corporation Substrate-less stackable package with wire-bond interconnect
US9391008B2 (en) 2012-07-31 2016-07-12 Invensas Corporation Reconstituted wafer-level package DRAM
US9502390B2 (en) 2012-08-03 2016-11-22 Invensas Corporation BVA interposer
US8975738B2 (en) 2012-11-12 2015-03-10 Invensas Corporation Structure for microelectronic packaging with terminals on dielectric mass
US8878353B2 (en) 2012-12-20 2014-11-04 Invensas Corporation Structure for microelectronic packaging with bond elements to encapsulation surface
US9136254B2 (en) 2013-02-01 2015-09-15 Invensas Corporation Microelectronic package having wire bond vias and stiffening layer
US8883563B1 (en) 2013-07-15 2014-11-11 Invensas Corporation Fabrication of microelectronic assemblies having stack terminals coupled by connectors extending through encapsulation
US9034696B2 (en) 2013-07-15 2015-05-19 Invensas Corporation Microelectronic assemblies having reinforcing collars on connectors extending through encapsulation
US9023691B2 (en) 2013-07-15 2015-05-05 Invensas Corporation Microelectronic assemblies with stack terminals coupled by connectors extending through encapsulation
US9167710B2 (en) 2013-08-07 2015-10-20 Invensas Corporation Embedded packaging with preformed vias
US9685365B2 (en) 2013-08-08 2017-06-20 Invensas Corporation Method of forming a wire bond having a free end
US20150076714A1 (en) 2013-09-16 2015-03-19 Invensas Corporation Microelectronic element with bond elements to encapsulation surface
US9087815B2 (en) 2013-11-12 2015-07-21 Invensas Corporation Off substrate kinking of bond wire
US9082753B2 (en) 2013-11-12 2015-07-14 Invensas Corporation Severing bond wire by kinking and twisting
US9263394B2 (en) 2013-11-22 2016-02-16 Invensas Corporation Multiple bond via arrays of different wire heights on a same substrate
US9379074B2 (en) 2013-11-22 2016-06-28 Invensas Corporation Die stacks with one or more bond via arrays of wire bond wires and with one or more arrays of bump interconnects
US9583456B2 (en) 2013-11-22 2017-02-28 Invensas Corporation Multiple bond via arrays of different wire heights on a same substrate
US9583411B2 (en) 2014-01-17 2017-02-28 Invensas Corporation Fine pitch BVA using reconstituted wafer with area array accessible for testing
US9214454B2 (en) 2014-03-31 2015-12-15 Invensas Corporation Batch process fabrication of package-on-package microelectronic assemblies
US10381326B2 (en) 2014-05-28 2019-08-13 Invensas Corporation Structure and method for integrated circuits packaging with increased density
US9646917B2 (en) 2014-05-29 2017-05-09 Invensas Corporation Low CTE component with wire bond interconnects
US9412714B2 (en) 2014-05-30 2016-08-09 Invensas Corporation Wire bond support structure and microelectronic package including wire bonds therefrom
US9735084B2 (en) 2014-12-11 2017-08-15 Invensas Corporation Bond via array for thermal conductivity
US9888579B2 (en) 2015-03-05 2018-02-06 Invensas Corporation Pressing of wire bond wire tips to provide bent-over tips
US9502372B1 (en) 2015-04-30 2016-11-22 Invensas Corporation Wafer-level packaging using wire bond wires in place of a redistribution layer
US9761554B2 (en) 2015-05-07 2017-09-12 Invensas Corporation Ball bonding metal wire bond wires to metal pads
US10490528B2 (en) 2015-10-12 2019-11-26 Invensas Corporation Embedded wire bond wires
US9490222B1 (en) 2015-10-12 2016-11-08 Invensas Corporation Wire bond wires for interference shielding
US10332854B2 (en) 2015-10-23 2019-06-25 Invensas Corporation Anchoring structure of fine pitch bva
US10181457B2 (en) 2015-10-26 2019-01-15 Invensas Corporation Microelectronic package for wafer-level chip scale packaging with fan-out
US9911718B2 (en) 2015-11-17 2018-03-06 Invensas Corporation ‘RDL-First’ packaged microelectronic device for a package-on-package device
US9659848B1 (en) 2015-11-18 2017-05-23 Invensas Corporation Stiffened wires for offset BVA
US9984992B2 (en) 2015-12-30 2018-05-29 Invensas Corporation Embedded wire bond wires for vertical integration with separate surface mount and wire bond mounting surfaces
US9935075B2 (en) 2016-07-29 2018-04-03 Invensas Corporation Wire bonding method and apparatus for electromagnetic interference shielding
US10299368B2 (en) 2016-12-21 2019-05-21 Invensas Corporation Surface integrated waveguides and circuit structures therefor
JP6551432B2 (ja) 2017-02-08 2019-07-31 トヨタ自動車株式会社 半導体装置とその製造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2530552A (en) * 1946-01-08 1950-11-21 Champion Paper & Fibre Co Soldering method for positioning strip material
US3193920A (en) * 1959-08-17 1965-07-13 Eitel Mccullough Inc Pressure sealing of plated envelope sections
US3209449A (en) * 1960-06-28 1965-10-05 Fairchild Hiller Corp Brazing process and assembly employing spacing elements and capillary-sized passages
NL274757A (de) * 1961-02-15 1900-01-01
CH400373A (de) * 1963-01-22 1965-10-15 Bbc Brown Boveri & Cie Lötverbindung für Halbleiterelemente
US3292240A (en) * 1963-08-08 1966-12-20 Ibm Method of fabricating microminiature functional components

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1997035683A1 (de) * 1996-03-22 1997-10-02 Emitec Gesellschaft Für Emissionstechnologie Mbh Gelöteter metallischer wabenkörper mit abstandshaltern in den lötspalten und verfahren und lot zu seiner herstellung
DE102013110812B3 (de) * 2013-09-30 2014-10-09 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung eines weitergebildeten Metallformkörpers und Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleitereinrichtung mit einer Lotverbindung diesen weitergebildeten Metallformkörper verwendend.
DE102020000913A1 (de) 2020-02-12 2021-08-12 Pfarr - Stanztechnik Gesellschaft mit beschränkter Haftung Bleifreie Lötfolie
WO2021160196A1 (de) 2020-02-12 2021-08-19 Pfarr Stanztechnik Gmbh Bleifreie lötfolie
US11712759B2 (en) 2020-02-12 2023-08-01 Pfarr Stanztechnik Gmbh Lead-free soldering foil

Also Published As

Publication number Publication date
FR2188307A1 (de) 1974-01-18
BE800673A (fr) 1973-10-01
GB1440196A (en) 1976-06-23
DE2228703B2 (de) 1974-11-28
IT989087B (it) 1975-05-20
US3900153A (en) 1975-08-19
FR2188307B1 (de) 1978-02-10
JPS4951872A (de) 1974-05-20

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