DE2226265C3 - Verfahren zur Herstellung von Monosilan und niederen Silanestern - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von Monosilan und niederen SilanesternInfo
- Publication number
- DE2226265C3 DE2226265C3 DE19722226265 DE2226265A DE2226265C3 DE 2226265 C3 DE2226265 C3 DE 2226265C3 DE 19722226265 DE19722226265 DE 19722226265 DE 2226265 A DE2226265 A DE 2226265A DE 2226265 C3 DE2226265 C3 DE 2226265C3
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- silane
- esters
- production
- hydrogen
- reaction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 17
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 title claims description 4
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims description 21
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 17
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000000047 product Substances 0.000 claims description 12
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 10
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 10
- -1 hydrogen silane ester Chemical class 0.000 claims description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 8
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 claims description 6
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 6
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminum Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000003197 catalytic Effects 0.000 claims description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 4
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 claims description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims 2
- 125000004432 carbon atoms Chemical group C* 0.000 claims 2
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims 1
- LPIIHZYLVPPMLX-UHFFFAOYSA-N molecular hydrogen;silicon Chemical compound [Si].[H][H] LPIIHZYLVPPMLX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 11
- QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N Triethoxysilane Chemical compound CCO[SiH](OCC)OCC QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- ZXPDYFSTVHQQOI-UHFFFAOYSA-N diethoxysilane Chemical compound CCO[SiH2]OCC ZXPDYFSTVHQQOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 10
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 8
- YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N trimethoxysilane Chemical compound CO[SiH](OC)OC YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- YQGOWXYZDLJBFL-UHFFFAOYSA-N dimethoxysilane Chemical compound CO[SiH2]OC YQGOWXYZDLJBFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (Z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 4
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N Tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 210000003932 Urinary Bladder Anatomy 0.000 description 4
- 230000000875 corresponding Effects 0.000 description 4
- ARYZCSRUUPFYMY-UHFFFAOYSA-N methoxysilane Chemical compound CO[SiH3] ARYZCSRUUPFYMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WQDUMFSSJAZKTM-UHFFFAOYSA-N sodium methoxide Chemical compound [Na+].[O-]C WQDUMFSSJAZKTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 3
- 238000007323 disproportionation reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 3
- WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M lithium hydroxide Chemical compound [Li+].[OH-] WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001356 surgical procedure Methods 0.000 description 3
- ASQGUHCUDXWOLH-UHFFFAOYSA-N COCCO[SiH2]OCCOC Chemical compound COCCO[SiH2]OCCOC ASQGUHCUDXWOLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M Lithium chloride Chemical compound [Li+].[Cl-] KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M NaHCO3 Chemical compound [Na+].OC([O-])=O UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 2
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000004817 gas chromatography Methods 0.000 description 2
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 2
- 235000010755 mineral Nutrition 0.000 description 2
- 230000000737 periodic Effects 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000011007 phosphoric acid Nutrition 0.000 description 2
- 230000000630 rising Effects 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- CIOXFKGQNIJXKF-UHFFFAOYSA-N tris(2-methoxyethoxy)silane Chemical compound COCCO[SiH](OCCOC)OCCOC CIOXFKGQNIJXKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ASQUQUOEFDHYGP-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyethanolate Chemical group COCC[O-] ASQUQUOEFDHYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DMSZORWOGDLWGN-UHFFFAOYSA-N CTK1A3526 Chemical compound NP(N)(N)=O DMSZORWOGDLWGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KOPBYBDAPCDYFK-UHFFFAOYSA-N Caesium oxide Chemical compound [O-2].[Cs+].[Cs+] KOPBYBDAPCDYFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate dianion Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- GNOIPBMMFNIUFM-UHFFFAOYSA-N Hexamethylphosphoramide Chemical compound CN(C)P(=O)(N(C)C)N(C)C GNOIPBMMFNIUFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GELKBWJHTRAYNV-UHFFFAOYSA-K Lithium iron phosphate Chemical compound [Li+].[Fe+2].[O-]P([O-])([O-])=O GELKBWJHTRAYNV-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N Lithium oxide Chemical compound [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101700078329 MnCO Proteins 0.000 description 1
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N Silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 1
- QDRKDTQENPPHOJ-UHFFFAOYSA-N Sodium ethoxide Chemical compound [Na+].CC[O-] QDRKDTQENPPHOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N Sodium silicate Chemical class [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N Trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000001242 acetic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001942 caesium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000024881 catalytic activity Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005886 esterification reaction Methods 0.000 description 1
- CWAFVXWRGIEBPL-UHFFFAOYSA-N ethoxysilane Chemical compound CCO[SiH3] CWAFVXWRGIEBPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002506 iron compounds Chemical class 0.000 description 1
- XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L lithium carbonate Chemical compound [Li+].[Li+].[O-]C([O-])=O XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052808 lithium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002642 lithium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001386 lithium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- AKTIAGQCYPCKFX-UHFFFAOYSA-L magnesium;4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound [Mg+2].CC([O-])=CC(C)=O.CC([O-])=CC(C)=O AKTIAGQCYPCKFX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- XDKQUSKHRIUJEO-UHFFFAOYSA-N magnesium;ethanolate Chemical compound [Mg+2].CC[O-].CC[O-] XDKQUSKHRIUJEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005058 metal casting Methods 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 150000003016 phosphoric acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 1
- 239000003638 reducing agent Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- KEAYESYHFKHZAL-UHFFFAOYSA-N sodium Chemical compound [Na] KEAYESYHFKHZAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910000030 sodium bicarbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000017557 sodium bicarbonate Nutrition 0.000 description 1
- 235000019351 sodium silicates Nutrition 0.000 description 1
- 235000010339 sodium tetraborate Nutrition 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 1
- 150000004684 trihydrates Chemical class 0.000 description 1
- BSVBQGMMJUBVOD-UHFFFAOYSA-N trisodium borate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[O-]B([O-])[O-] BSVBQGMMJUBVOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CYDXJXDAFPJUQE-FDGPNNRMSA-L zinc;(Z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound [Zn+2].C\C([O-])=C\C(C)=O.C\C([O-])=C\C(C)=O CYDXJXDAFPJUQE-FDGPNNRMSA-L 0.000 description 1
Description
25 besitzt.
Als Ausgangsprodukt für das erfindungsgemäße Verfahren dienen vorwiegend Hydrogentrialkoxysilane,
die in bekannter Weise durch Umsetzung von
Hydrogensilanester niederer Silane konnten bisher Trichlorsilan mit den entsprechenden Alkoholen erhalnur
schwer rein erhalten werden. Sie entstehen als 30 ten werden. Es lassen sich aber auch andere Hydrogen-Nebenprodukte
bei der Umsetzung von Silicium mit alkoxysilane als Ausgangsprodukte einsetzen, z. B.
Alkoholen nach dem Verfahren der deutschen Patent- solche, die nach dem vorliegenden Verfahren erhalten
schrift 11 27 338. Dieses Verfahren ist jedoch sehr auf- werden. Zunächst entsteht bei der Reaktion immer das
wendig und führt nicht zu reinen Produkten. nächst höherhydrierle Hydrogenalkoxysilan neben
Eine direkte Veresterung von Dihydrogendichlor- 35 dem entsprechend niedriger hydrierten Hydrogenalksilan
mit Alkoholen unter Bildung der entsprechenden oxysilan. Wenn das höherhydrierte — und damit tiefer
Dihydrogendialkoxysilane ist bis heute noch nicht siedende — Hydrogenalkoxysilan nicht in dem Maße,
gelungen. Solche Versuche haben bisher stets zum ent- wie es entsteht, abdestilliert wird, entstehen die nächst
sprechenden Kieselsäureorthoester geführt. höherhydrierten Alkoxysilane. Endprodukte der Dis-
Es wurde nun ein Verfahren zur Herstellung von 4° proportionierungsreaktion sind Monosilan bzw. Tetra-Monosilan
und niederen Silanestern gefunden, das alkoxysilane.
dadurch gekennzeichnet ist, daß man Hydrogensilan- So läßt sich z. B. Hydrogentrimethoxysilan wahl-
ester der Formel H1Si(OR)4 x, wobei R für einen weise in Dih\drcgendimethoxysilan oder Trihydrogen-Aikyi-
öder Aikoxyalkyiresi sieht, und χ die Werte ! meihoxysUan oder Monosüan einerseits und Tetraoder
2 oder 3 annehmen kann, in Gegenwart eines 45 methoxysilan andererseits disproportionieren. EntKatalysators,
der ein Element oder eine Verbindung sprechend entsteht aus Dihydrogendimethoxysilan
aus der Gruppe Zink, Aluminium, Mangan, Eisen, wahlweite Trihydrogenmethoxysüan oder Monosilan
Alkali- oder Erdalkalimetalle oder ein Phosphorsäure- einerseits und Hydrogentrimethoxysilan oder Tetraamidist,
disproportioniert und das gewünschte Reak- methoxysilan andererseits. I gleicher Weise reagiert
tionsprodukt mit dem niederen Siedepunkt im Maß*; 5° Trihydrogenmethoxysilan zu Monosüan einerseits und
seiner Bildung abdestilliert. Dihydrogendimethoxysilan, Hydrogenlrimethoxysilan
Nach diesem neuen Verfahren sind Hydrogensilan- und Teiramethoxysilan andererseits. Analog bildet
ester in großer Reinheit erhältlich. Vorteilhaft wirkt Hydrogentriäthoxysilan wahlweise Dihydrogendiäthsich
aus, daß das Verfahren mit nahezu quantitativen oxysilan oder Trihydrogenathoxysilan oder Monosilan
Ausbeuten zu jeder beliebigen Hydrierungsstufe des 55 neben Tetraäthoxysilan. Ein weiteres Beispiel isi Hy-Siliciums
gelenkt werden kann. Es ist beispielsweise drogen-tri-(2-methoxyäthoxy)-silan, das wahlweise zu
möglich, ein Trialkoxysilan selektiv und qantitativ in Dihydrogen-di-(2-methoxyäthoxy)-silan oder Trihydas
entsprechende Dialkoxysilan zu disproportionie- drogen-(2-mefhoxyäthoxy)-süan oder Monosilan disren,
wenn dieses sofort nach seiner Bildung abdestflliert proportioniert werden kann, wobei als zweites Produkt
wird und somit nicht weiter* disproportionieren kann. 6° Tetra-(2-methoxyäthoxy)-silan anfällt.
Andererseits ist es jedoch auch möglich, die Dispro- Als Katalysatoren im Sinne des erfindungsgemäßen
Andererseits ist es jedoch auch möglich, die Dispro- Als Katalysatoren im Sinne des erfindungsgemäßen
portionierungsreaktion weiter laufen zu lassen, indem Verfahrens dienen Metalle, bzw. deren Verbindungen,
das entstehende Dialkoxysilan nicht abdestilliert wird, aus der ersten und zweiten Hauptgruppe des Periodenso
daß man dann selektiv und ebenso nahezu quanti- systems, sowie von Zink, Aluminium, Eisen und Mantativ
das Monoalkoxysilan erhalten kann, das in dem 65 gan oder ein Phosphorsäureamid. Einige dieser VerMaße,
wie es entsteht, abdestillie.t wird. bindungen wiiken bereits in Mengen von 0,001 Ge-Die
erfindungsgemäße Disproportionierungsreak- wichtsprozent. Im allgemeinen wird der Katalysator
tion läuft nach der folgenden Reaktionsgleichung ab: jedoch in Mengen bis zu 2 Gewichtsprozent eingesetzt.
22 26 "35
Der Katalysator braucht in dem Silan nicht löslich /u
sein; er wirkt auch in dispergierter oder emulgicrter Form.
Katalysatoren aus der ersten Hauptgruppe des Periodensystems sind insbesondere Lithium in metallischer
Form oder Lithium-Verbindungen, z. B. Lithiumoxid, Lithiumhydroxid, Lithiumcarbonat, Lithiumalkoholate,
Lithiumphosphat oder Lithiumhalogenide. Aber auch die übrigen Alkalimetalle sowie
deren entsprechende Verbindungen, z. B. Natriumbicarbonat, Kaliumhydroxid, Caesiumoxid, Natriumsilikate
und Natriumborat besitzen starke katalytische Wirksamkeit.
Aus der zweiten Hauptgruppe des Periodensystem wird Magnesium als Metall oder in Form seiner organischen
oder anorganischen Verbindungen, beispielsweise Oxid, Chlorid, Carbonat, Acetat, Äthylat oder
Acetylacetonat, als Katalysator bevorzugt. Die anderen Erdalkalimetalle sind ebenfalls sowohl in metallischer
als auch in gebundener Form, beispielsweise als Oxide, Halogenide, Hydroxide, Carbonate, Acetate und
Acetylacetonate katalytisch aktiv. Katalysatoren aus der /weiten Nebengruppe sind vorzugsweise
elementares oder chemisch gebundenes Zink oder Cadmium.
Eisen besitzt Wirksamkeit besonders in feinkörniger metallischer Form, die am besten durch Reduktion aus
Eisenverbindungen, beispielsweise FeSO1 oder Eisenacetylacetonaten
in der Reaktionsmischung durch das Hydrogensilan hergestellt wird. Dagegen wirkt Mangan
sowohl als Metall als auch in Verbindungen, z. B. MnCI2, MnCO3 und Manganacetylacetonat, katalytisch.
Katalytisch wirksame Amide der Phosphorsäuren sind z. B. Hexamethylenphosphorsäuretriamid.
Die Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens erfolgt in einer Destillationskolonne. Das als Ausgangsstoff
dienende Silan wird mit dem Katalysator, der in fester, suspendierter oder wasserfrei gelöster
Form vorliegen kann, in der Sumpfblase vermischt. Anschließend wird unter Rückfluß erhitzt bis sk*h am
Kolonnenkopf die Siedetemperatur des gewünschten tiefer siedenden Disproportionierungsprodufcies einstellt.
Dann wird durch Steuerung des Rücklaufverhältnisses das betreffende Produkt abdestilliert. Im
Destillations-Rückstand verbleibt das höher siedende Disproportionierungsprodukt.
Die nach diesem Verfahren hergestellten Hydroginsilan-Produkte
sind Silanisierungsmittel für Cilas- und
Keramik-Oberflachen oder andere mineralische Stoffe.
Sie eignen sich auch als Katalysatorkomponenten bei der Polymerisation von Stoffen mit olefinischen Doppelbindungen
sc.vis z\s spei'if·«'*"' Reduktionsmittel
beispielsweise für Metalle.
Außerdem dienen die Verfahrensprodukte als Reinigungsstufen für besonders hochreine Transistorsilicium-Qualitäten.
Besonders der verfahrungfgemäß leicht zugängliche Siliciumwasserstoff führt zu hochreinem
Silicium mit besonders guten Halbleitereigenschaften.
Die bei dem erfindungsgemäßen Verfahren entstehenden Ester der Orthokieselsäure sind ebenfalls
wertvolle Endprodukte, die ohne weitere Nachbehandlung für Zinkstaubfarben, Siliconkautschuk oder als
Bindemittel für mineralische Ston ■ und zur Herstellung
von Schalengußformen für den Guß von Metallformstücken mit glatten Oberflächen in verlorener Gußform
Verwendung finden.
In einer Destillationsanlage, bestehend aus einer 6 I
fassenden Sumpfblase, die mittels innenliegender Heizschlange durch einen Thermostaten heizbar ist und
einer mit 3 · 3 mm Porzellansatlelkörpern ausgefüllten Kolonne von 1,2 m Füllhöhe und 40 mm Durchmesser
sowie einem mit Stickstoff überlagerten Kolonnenkopf mit Vorlage, werden im Sumpf 4 kg reines Trimethoxysilan
mit 2 g feingepulvertem Magnesium-Acetylacetonat vermischt. Es wird etwa 30 min unter Rückfluß
erhitzt, bis sich der Siedepunkt von 38 C einstellt. Dann wird mit dem Rücklaufverhältnis 12 in etwa
IO h das Dimethoxysilan (Kp 38 Cj abdestilliert, wo-
»5 bei die Blasentemperatur von 84 auf 112 C ansteigt.
Dimethoxysilan entsteht in einer Ausbeute von 1430 g (96%).
Danach wird nach einem Zwischenlauf von etwa 100 g, der neben wenig Dimethoxysilan und Tetra-
ao methoxysilan noch etwas Trimethoxysilan enthält, in
einer Ausbeute von etwa 2400 g (etwa 95",,) Tetramethoxysilan
vom Siedepunkt 122 C überdestüliert. Beide Produkte sind rein und ohne weitere Operationen
verwendbar.
0,5 ml des entstandenen Dimethoxysilans entwikkelten
mit 25%iger Kalilauge 23' N ml H., (berechnet für C2H8O2Si oei D.,20 0.968:236 N ml H2).
F.lemeniaranalyse (Molgewicht 92):
F.lemeniaranalyse (Molgewicht 92):
Si
gefunden
berechnet
berechnet
26,4",, 8,5",,
26,1"., 8,7 "o
26,1"., 8,7 "o
30,2",,
30,4",,
30,4",,
4 kg Triäthoxysilan werden in der im Beispiel 1 beschriebenen
Destillationsanlage mit 2 g Hexamethylphosphorsäuretriamid vermischt und I h unter Rückfluß
gekocht bis sich die Temperatur am Kolonnen-
4<? kopf auf 79 bis 80 C eingestellt hat. Dann wird mit
dem Rücklaufverhältnis 20 in etwa 24 h das Diöthoxysilan
(Kp 79 bis 80 C) abdestilliert, wobei die Blaseniernperaiur
von '.32 auf etwa 168 C ansteigt. Diäthoxysilan
entsteht in einer Ausbeute von 1410 g (%"„).
Danach wird nach einem Zwischenlauf von etwa 100 g, der neben wenig Diäthoxysilan und Tetraäthoxysilan
noch etwas Triäthoxysilan enthält, in einer Ausbeute von 2440 g (96 "J Tetraäthoxysilan vom
Siedepunkt !68 C überdesiüüert. Beide Produkte sind
rein und ohne weitere Operation direkt verwendbar. 0,5 ml Diäthoxysilan entwickelte mit 25"„iger Kalilauge
154 N ml H2(berechnet für C1H12O4Si hei I).,20
0.832:152 N ml H2).
Elementaranalyse (Molgewicht !2G).
Si
gefunden
berechnet
berechnet
40,2%
40,0%
40,0%
9 7°/
10,0%
10,0%
23,0%
23,3%
4 kg Tri-(2-methoxyäthoxy)-silan werden in der im Beispiel 1 beschriebenen Destiliaisonsanlage mit 2 g
Eisen-liiJ-acetyiaceionat vermischt und unter einem
Vakuum von 4 Torr 8 h unter Rückfluß gekocht bis sich die Temperatur am Kolonnenkopf auf 58 bis 60 C
eingestellt hat, wobei sich der Blaseninhalt in Folge Reduktion des Eisen-dlJ-acetylacetonats zu metalli-
scheni Eisen nach schwarz verfärbt. Dann wird mit
dem Rücklaufverhältnis 80 in etwa 24 h das Di-(2-methoxyäthoxy)-silan
(Kp4 58 bis 60 C, n/r° < 1,3) abdestilliert, wobei die Blasentemperatur von etwa 96
auf etwa 140 C ansteigt. Di-(2-methoxyäthoxy)-si!an entsteht in einer Ausbeute von 1320 g (93%).
Danach wird nach einem Zwischenlauf von etwa 200 g, der neben wenig Di-(2-methoxyäthoxy)-siIan
und Tetra-(2-methoxyäthoxy)-silan noch etwas Tri-(2-methoxyäthoxy)-silan
enthält, in einer Ausbeute von 2330 g (91 °o) Tetra-(2-methoxyäthoxy)-siIan vom
Siedepunkt 141 bis 144 C (4 Torr) überdestilliert. Beide Produkte sind rein und ohne weitere Operation
direkt verwendbar.
1 ml Di-(2-metho.iyä?höxy! cilan entwickelte mit
25%iger Kalilauge 25?. M nl H2 (berechnet für
C6H16O4Si bei D./"- Q0^·_-*9 Ν ml H2).
Elementaranalyse ...lolgewicht 180):
Si
gefunden
berechnet
berechnet
40,3% 8,5%
40,0% 8,9%
40,0% 8,9%
15,3%
15,6%
15,6%
Analog Beispiel 2 liefern 4 kg Triäthoxysilan mit 2 ,"
Aluminiumacetylacetonat 685 g (47%,) Diäthoxysilan,
1100 g Tetraäthoxysilan und 2085 g unverändertes Triäthoxysilan.
Analog Beispiel 1 liefern 4 kg Trimethoxysilan mit 2 g Zinkacetylacetonat 1290 g (86%,) Dimethoxysilan,
2060 g Tetramethoxysilan und etwa 500 g unverändertes Trimethoxysilan.
4 kg bidestilliertes Triäthoxysilan wurden mit 2 g Natrium-Tertiärbutyiat 12 h unter Rückfluß gekocht
bis sich der Kolonnenkopf auf eine Siedetemperatur von 168 C eingestellt hatte. Währenddessen wurde im
Abgas der Stickstoff-Überlagerung Silanwasserstoff gaschromatographisch nachgewiesen. Nach Erreichen
der Kopf temperatur von iöS C wurden eiwa 3700 g
Tetraäthoxysilan überdestilliert, das frei von Triäthoxysilan war. Aus der Ausbeute- und Gev/ichtsdifferenz
errechnet sich, daß etwa 200 g Silanwasserstoff gebildet worden sind, was der theoretischen Menge entspricht.
Beispie! 7
4 kg bidestilliertes Diäthoxysilan wurden mit 2 g Lithiumchlorid 10 h unter Rückfluß gekocht Hs sich
der Kolonnenkopf auf eine Siedetemperatur von 163 C eincrec.pllt hatte. Währenddessen wurde im Abgas der
Stickstoffüberlagerung Silanwasserstoff gaschromatographisch nachgewiesen. Nach Erreichen der Kopftemperatur
von 168 C wurden etwa 3400 g Tetraäthoxysilan überdestilliert, das frei von Triäthoxysilan
war. Aus der Ausbeute- und Gewichtsdifferenz e xhnet sich, daß etwa 500 g Silanwasserstoff gebildet
worden sind, was der theoretischen Menge entspricht
Analog Beispiel 1 werden 4 kg Trifthoxysil in m
1 g gepulvertem Magnesium (Merck) 140 mm un"
Rückfluß gekocht, bis eine Kopftempera!ur von KO
erreicht ist. Dann wird mit dem Rücklaufverhaltni^ ;». in etwa 20 h DiüthoxvMlan abdestilliert, wobei die Blasentemperatur von 132 aui 168 C ansteigt. Es werden !0Kl g (74%) Diälhtixysilan und 1872 g Tetraäthoxjsilan erhalten. 943 g Triäthoxysilan werden zurückgewonnen.
erreicht ist. Dann wird mit dem Rücklaufverhaltni^ ;». in etwa 20 h DiüthoxvMlan abdestilliert, wobei die Blasentemperatur von 132 aui 168 C ansteigt. Es werden !0Kl g (74%) Diälhtixysilan und 1872 g Tetraäthoxjsilan erhalten. 943 g Triäthoxysilan werden zurückgewonnen.
Analog Beispiel I werden 4 kgTriälhoxysilan mit 2 g
Zinkpulver (Merck) 120 min unier RückfiulJ gekocht,
ίο bis die Kopftemperatur von 79 bis 80 C erreicht ist.
Dann wird mit dem Rücklaufverhältnis 18 in etwa 20 h das Diäthoxysilan abdestilliert.
Es werden 992 g (68%) Diäthoxysilan und 1697 g Tetraäthoxysilan erhalten. 1186 g Triäthoxysilan weris
den zurückgewonnen.
Analog Beispiel 1 werden 1,64 kgTriäthoxysi'an mit
1 g Calciumäthylat 25 min un:cr Rückfluß gekocht,
so bis die Kopftemperatur von 79 bis 80 Γ erreicht ist.
Mit dem Rücklaufverhältnis 8 wird dann innerhalb 7 h Diäthoxysilan abcvStilliert, wobei die Blasentemperatur
von 132 a if 168 C ansteigt. Is werden 568 g
(94,6 %·) Diäthoxysilan und ?S4 g Tetraäthoxysilan erhalten.
Zu 2 g Magnesiumäthylat werden in die Blase der
im Beispiel 1 beschriebenen Destillationsanlage mit bei
—22 C arbeitendem Kopfkühler 4 kg einer Mischung — bestehend aus etwa 26%, Tetraäthoxysilan, etwa
68% Triäthoxysilan, etwa 5% Diäthoxysilan und etwa
1 %, Äthoxysilan — gegeben und 8 h unter Rückfluß
gekocht, bis sich der Kolonnenkopf auf die Tempera-
tür von 168 C eingestellt hat und keine Gasentwicklung
mehr stattfindet. Das dabei über dem Kopfkühler abgehende Monosilan wird in Vorlagen mit insgesamt
2 kg einer Zehntel-normalen äthanolischen Natriumäthylat-Lösung
absorbiert, wobei sich unter Wasser-Stoffentwicklung Tetraäthoxysilan bildet.
Aus der Blase werden durch Destillation etwa 3600 g und aus den Vorlagen etwa 820 g Tetraäthoxysilan
isoliert.
Zu 1 g Natrium-Methylat werden in die Blase der im Beispiel 1 beschriebenen Destillationsanlage mit bei
—22 C arbeitendem Kopfkühler 4 kg einer Mischung — bestehend aus etwa 18% Tetramethoxysilan, etwa
63% Trimethoxysilan, etwa 16% Dimethoxysilan und etwa 3 % Methoxysilan — gegeben und 6 h unter Rückfluß
gekocht, bis sich der Kolonnenkopf auf die Temperatur von 122 C eingestellt hat und keine Gasentwicklung
mehr stattfindet. Das dabei über den Kopf-
kühler abgehende iVionosiian win" in Vorlagen ~.\i
insgesamt 2 kg einer Zehntel-normalen methanolischen
Natriummethylatlösung absorbiert, wobei sich unter V.'af rstoffentwicklung Tetramethoxysilan Dildet.
Λ ας der Bi,i<;e werden durch Destillation etwa 3,6 kg
f>- und aus den V-irl.'./jc-n c'wa 1 .5 kg Tetra"·-
>xysilai,
\l ιΙ'ιμ Brispsi
4 g Ma1' "ηγι-ι i i!'
.•xvsil··' , \'< < r
vt. .liniertes I t'
.•xvsil··' , \'< < r
vt. .liniertes I t'
Hc ι
■ ame'
ho
I 3
4 kg Irin
■■•mat 962 ρ
1 x.yilan un
ilan
■■•mat 962 ρ
1 x.yilan un
ilan
K Λ
- iilan mit
ι ! )imi'th-•
a !40(1 g
Claims (3)
-
22 26 265 XSi(OR)1 Λ, 1 ^ 2 2 H , -> HxMSi(OR), χ , Patentansprüche: Hx !Si(OR)1 χ., '.. Verfahren zur Herstellung von Monosilan und Ohne Anwesenheit eines Katalysators findet keineniederen Silanestern, dadurch gekenn- 5 Reaktion statt. Diese Reaktion lauft in Anwesenheit zeichnet, daß man Hydrogensilanester der katalytischer Mengen einer großen Zahl von Metallen Formel HjTSi(OR)1 x, wobei R für einen Alkyl- bzw. Metallverbindungen nahezu quantitativ ab. Diese oder Alkoxyalkylrcst steht und χ die Werte I oder 2 katalytische Wirkung war aus dem geschilderten Stand oder 3 annehmen kann, in Gegenwart eines Kataly- der Technik nicht ableitbar, und es ist überraschend, sators, der ein Element oder eine Verbindung aus io daß unter den Bedingungen dieses Verfahrens nicht der Gruppe Zink, Aluminium, Mangan, Eisen, sofort der thermodynamisch stabile Silanwasserstoff Alkali- oder Erdalkalimetalle oder ein Phosphor- erhalten wird, sondern daß alle Hydnerungs-Zwischensäureamid ist, disproportioniert und das gewünschte stufen selektiv gefaßt werden können.
Reaktionsprodukt mit dem niederen Siedepunkt Das erfindungsgemäße Verfahren ist temperalur-im Maße seiner Bildung abdestilliert. »5 unabhängig. Die Reaktion läuft bereits bei Zimmer- - 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn- temperatur ab, und sie läßt sich auch noch bei den zeichnet, daß das katalytisch wirkende Element in Siedepunkten der entstehenden Hydrogensilanester metallischer Form vorliegt. durchführen. Auch die Anwend" ng von Unterdruck,
- 3. Verfahren zur Herstellung von niederen Siian- besonders bei der Herstellung von höher siedenden estern gemäß Anspruch I, dadurch gekennzeichnet, ao Hydrogensilanestern, ist möglich.daß man als Ausgangsprodukt ein Trialkoxysilan Die Alkylgruppe der Esterkomponente hat vorzugs-einsetzt. weise bis zu 4 C-Atome. Prinzipiell ist die erfindungsgemäße Reaktion jedoch auch möglich mit Hydrogensilanestern, deren Alkoxygruppe bis zu IO C-Atome
Priority Applications (10)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19722226265 DE2226265C3 (de) | 1972-05-30 | Verfahren zur Herstellung von Monosilan und niederen Silanestern | |
DD17004873A DD106388A5 (de) | 1972-05-30 | 1973-04-09 | |
CH755373A CH577520A5 (de) | 1972-05-30 | 1973-05-25 | |
BE131589A BE800120A (fr) | 1972-05-30 | 1973-05-28 | Procede de preparation de silanes inferieurs et d'esters de silanes inferieurs, |
FR7319570A FR2186473B1 (de) | 1972-05-30 | 1973-05-29 | |
IT5026273A IT985222B (it) | 1972-05-30 | 1973-05-29 | Procedimento per la produzione di silani ed esteri silanici in feriori |
GB2560673A GB1437361A (en) | 1972-05-30 | 1973-05-29 | Preparation of monosilane and hydrogen silane esters |
SE7307600A SE410462B (sv) | 1972-05-30 | 1973-05-29 | Sett att disproportionera hydrosilanestrar till legre silaner och silanestrar |
JP48060753A JPS604195B2 (ja) | 1972-05-30 | 1973-05-30 | モノシラン及びシランエステルの製法 |
US05/556,994 US4016188A (en) | 1972-05-30 | 1975-03-10 | Process for the preparation of low silanes and silane esters |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19722226265 DE2226265C3 (de) | 1972-05-30 | Verfahren zur Herstellung von Monosilan und niederen Silanestern |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2226265A1 DE2226265A1 (de) | 1973-12-13 |
DE2226265B2 DE2226265B2 (de) | 1976-11-04 |
DE2226265C3 true DE2226265C3 (de) | 1977-06-16 |
Family
ID=
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3878631T2 (de) | Verfahren zur herstellung eines trialkoxysilan/tetraalkoxysilan-gemisches aus silizium und alkohol. | |
DE824048C (de) | Verfahren zur Herstellung von Alkylhalogensilanen | |
DE2814327C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Alkyl-alkoxy-siliciumverbindungen | |
DE2131742C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von Alkenylsilanen | |
DE3884109T2 (de) | Synthese von Silylketenacetal aus Allyl-2-organoacrylaten. | |
EP0003317B1 (de) | Verfahren zum Herstellen von Acyloxysilanen und gegebenenfalls Acyloxysiloxanen | |
DE2226265C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von Monosilan und niederen Silanestern | |
DE69402201T2 (de) | Phosphorhaltiges, metallurgisches silizium zur herstellung von organohalosilanen | |
DE69813402T2 (de) | Herstellung von Alkylhalogensilanen | |
EP0671402A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Methylchlorsilanen | |
DE3908791A1 (de) | Verfahren zur herstellung von siliciumorganischen verbindungen | |
DE1279676B (de) | Verfahren zur Herstellung von Organohalogensilanen | |
DE19937908C1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Organochlorsilanen | |
DE2226265B2 (de) | Verfahren zur herstellung von monosilan und niederen silanestern | |
DE1288089B (de) | Verfahren zur vollständigen Reduktion von Organosiliciumverbindungen | |
EP3911657B1 (de) | Verfahren zur umwandlung von organosilanen | |
DE19837906C1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Silanen mit einer tertiären Kohlenwasserstoff-Gruppe in alpha-Position zum Silicium-Atom | |
DE3436381C2 (de) | ||
DE4037021C2 (de) | Eisen, Aluminium und gegebenenfalls Calcium enthaltendes Silicium zur Verwendung bei der Umsetzung zu Chlorsilanen oder zu Organosilanen und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE3208829A1 (de) | Verfahren zum methylieren von siliciumverbindungen | |
DE2141881A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Chlor silanen aus Disiloxanen | |
DE2032664C3 (de) | Verfahren zur Alkylierung von Organosiliciumchloriden | |
DE842057C (de) | Verfahren zur Herstellung von Dimethyldichlor- und Trimethylchlorsilan | |
DE917248C (de) | Verfahren zur Herstellung von Alkyl- und Alkylarylchlorsilanen | |
DE2308805C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von Phenylchlorsilanen |