DE2216338A1 - Feld-Effekt Transistor mit einer Gate-Elektrode aus Polysilizium mit geringem elektrischem Widerstand - Google Patents

Feld-Effekt Transistor mit einer Gate-Elektrode aus Polysilizium mit geringem elektrischem Widerstand

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DE2216338A1
DE2216338A1 DE19722216338 DE2216338A DE2216338A1 DE 2216338 A1 DE2216338 A1 DE 2216338A1 DE 19722216338 DE19722216338 DE 19722216338 DE 2216338 A DE2216338 A DE 2216338A DE 2216338 A1 DE2216338 A1 DE 2216338A1
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transistor
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
    • H10D64/60—Electrodes characterised by their materials
    • H10D64/66—Electrodes having a conductor capacitively coupled to a semiconductor by an insulator, e.g. MIS electrodes
    • H10D64/667—Electrodes having a conductor capacitively coupled to a semiconductor by an insulator, e.g. MIS electrodes the conductor comprising a layer of alloy material, compound material or organic material contacting the insulator, e.g. TiN workfunction layers
    • H10D64/668—Electrodes having a conductor capacitively coupled to a semiconductor by an insulator, e.g. MIS electrodes the conductor comprising a layer of alloy material, compound material or organic material contacting the insulator, e.g. TiN workfunction layers the layer being a silicide, e.g. TiSi2

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2325192A1 (fr) * 1975-09-17 1977-04-15 Philips Nv Procede pour la fabrication d'un dispositif semiconducteur, et dispositif semiconducteur fabrique de la sorte
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GB2347789B (en) * 1999-03-01 2002-07-03 Nec Corp Complementary integratted circuit
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